瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測建設項目順利封頂
5月27日，瀚薪科技通過全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測建設項目”主體結(jié)構(gòu)正式封頂。
圖片來源：瀚薪科技
這一里程碑的達成，標志著公司在第三代半導體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關(guān)鍵一步。未來瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進一步實現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術(shù)快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標與新能源產(chǎn)業(yè)升級！
資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)及國際領(lǐng)先的芯片設計、封裝工藝與測試能力。公司產(chǎn)品已通過車規(guī)級AEC-Q101及工規(guī)級JEDEC認證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系。
廣州這個氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)
近期，由香港科技大學霍英東研究院與香港科技大學（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進展，其位于南沙的首個先進生產(chǎn)廠房正式啟用。
該廠房配備高標準潔凈室設施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實現(xiàn) “從實驗室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場奠定了堅實基礎。
圖片來源：香港科技大學快訊
氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。由香港科技大學（廣州）陳子強教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發(fā)，是全球獨家通過MOCVD工藝實現(xiàn)了穩(wěn)定p型導電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導電空白。
據(jù)悉，拓諾稀科技通過實現(xiàn)p型導電，使得氧化鎵材料具備構(gòu)建pn結(jié)及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機器人、電力能源等領(lǐng)域的應用空間。團隊采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨有的技術(shù)體系，支持多層pn結(jié)構(gòu)設計以實現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導體行業(yè)標準設備，具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅實支撐。
（集邦化合物半導體 秦妍 整理）
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資料顯示，NextGO Epi成立于2025年， 專注于高品質(zhì) β-Ga?O? (氧化鎵) 外延片的大規(guī)模制造，旨在為高功率和光電探測應用提供關(guān)鍵材料。NextGO Epi 是德國萊布尼茨晶體生長研究所（IKZ）的孵化企業(yè)，由周大順博士、Andreas Popp 博士和 Andreas Fiedler 博士共同創(chuàng)立。
source：鎵仁半導體——圖為NextGO Epi?坐落于德國柏林萊布尼茨晶體研究所
鎵仁半導體則是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導體引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，采用自主研發(fā)的鑄造法單晶生長新技術(shù)，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，創(chuàng)造了從2英寸到8英寸，每年升級一個尺寸的行業(yè)紀錄；開發(fā)了國內(nèi)首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設備，全面對外銷售。
業(yè)界指出，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場強和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達、電動汽車充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。
我國在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達國際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導體等。與此同時，西安電子科技大學、浙江大學等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場強，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來發(fā)展?jié)摿薮螅蚋傁嘟侵鹧邪l(fā)，其中亞洲市場表現(xiàn)亮眼，近期傳出新動態(tài)。
1、日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件
近期，日本株式會社（NCT）宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢壘二極管）器件。該器件基于全氧化鎵材料制造，標志著NCT在氧化鎵半導體領(lǐng)域的重大突破。
此次推出的Planar SBD器件為Research Sample（RS）級別，專為科研及早期應用探索而設計。產(chǎn)品提供兩種電極尺寸規(guī)格供客戶選擇：
規(guī)格一：電極尺寸為2.4mm square，適用于特定測試及應用場景。
規(guī)格二：電極尺寸為3.2mm square，提供更大的電極面積，滿足不同客戶的測試需求。此次發(fā)布的
Planar SBD器件旨在滿足客戶對氧化鎵器件的測試、分析及應用探索需求，進一步推動氧化鎵行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
氧化鎵布局上，NCT公司于2021年推出了全球首個量產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓，并計劃2028年實現(xiàn)8英寸氧化鎵量產(chǎn)。
2、鎵仁半導體成功制備全球首款8英寸氧化鎵晶圓襯底
今年3月，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)宣布，基于自主創(chuàng)新的氧化鎵單晶生長技術(shù)與大尺寸襯底加工技術(shù)，公司成功制備了全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底，國內(nèi)第四代半導體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時代。
source：鎵仁半導體
資料顯示，鎵仁半導體氧化鎵晶圓襯底尺寸快速演進：2022年推出2英寸襯底，2023年推出4英寸襯底，2024年推出6英寸襯底，2025年推出8英寸襯底。
鎵仁半導體指出，未來氧化鎵應用前景廣闊，主要表現(xiàn)在三個領(lǐng)域：
功率器件領(lǐng)域，尤其是大于650V的中壓、高壓以及特高壓功率器件領(lǐng)域，比如新能源汽車快充、工業(yè)電源、電網(wǎng)高壓功率模塊等。
高功率射頻器件領(lǐng)域，氧化鎵的電子飽和速度、約翰遜優(yōu)值較高，在射頻器件領(lǐng)域具有很大應用潛力，比如通信基站和雷達系統(tǒng)等，對于通信、國防、航空航天等領(lǐng)域具有重要意義。
深紫外光電器件領(lǐng)域，氧化鎵還可用于日盲探測、輻射探測等特有領(lǐng)域?！叭彰ぁ弊贤馓綔y是近年來迅速發(fā)展起來的一種新型探測技術(shù)，主要應用于紫外預警、紫外偵察、紫外制導和紫外非視線通訊等軍事領(lǐng)域，以及環(huán)境監(jiān)測、生化檢測、工業(yè)燃燒過程控制、醫(yī)學紫外成像等民用領(lǐng)域。（集邦化合物半導體秦妍整理）