氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場強，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現優(yōu)異，未來發(fā)展?jié)摿薮?，全球競相角逐研發(fā)，其中亞洲市場表現亮眼，近期傳出新動態(tài)。

1、日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件

近期，日本株式會社（NCT）宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢壘二極管）器件。該器件基于全氧化鎵材料制造，標志著NCT在氧化鎵半導體領域的重大突破。

此次推出的Planar SBD器件為Research Sample（RS）級別，專為科研及早期應用探索而設計。產品提供兩種電極尺寸規(guī)格供客戶選擇：

規(guī)格一：電極尺寸為2.4mm square，適用于特定測試及應用場景。
規(guī)格二：電極尺寸為3.2mm square，提供更大的電極面積，滿足不同客戶的測試需求。此次發(fā)布的

Planar SBD器件旨在滿足客戶對氧化鎵器件的測試、分析及應用探索需求，進一步推動氧化鎵行業(yè)的產業(yè)化發(fā)展。

氧化鎵布局上，NCT公司于2021年推出了全球首個量產4英寸氧化鎵晶圓，并計劃2028年實現8英寸氧化鎵量產。

2、鎵仁半導體成功制備全球首款8英寸氧化鎵晶圓襯底

今年3月，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)宣布，基于自主創(chuàng)新的氧化鎵單晶生長技術與大尺寸襯底加工技術，公司成功制備了全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底，國內第四代半導體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時代。

source：鎵仁半導體

資料顯示，鎵仁半導體氧化鎵晶圓襯底尺寸快速演進：2022年推出2英寸襯底，2023年推出4英寸襯底，2024年推出6英寸襯底，2025年推出8英寸襯底。

鎵仁半導體指出，未來氧化鎵應用前景廣闊，主要表現在三個領域：

功率器件領域，尤其是大于650V的中壓、高壓以及特高壓功率器件領域，比如新能源汽車快充、工業(yè)電源、電網高壓功率模塊等。

高功率射頻器件領域，氧化鎵的電子飽和速度、約翰遜優(yōu)值較高，在射頻器件領域具有很大應用潛力，比如通信基站和雷達系統(tǒng)等，對于通信、國防、航空航天等領域具有重要意義。

深紫外光電器件領域，氧化鎵還可用于日盲探測、輻射探測等特有領域?！叭彰ぁ弊贤馓綔y是近年來迅速發(fā)展起來的一種新型探測技術，主要應用于紫外預警、紫外偵察、紫外制導和紫外非視線通訊等軍事領域，以及環(huán)境監(jiān)測、生化檢測、工業(yè)燃燒過程控制、醫(yī)學紫外成像等民用領域。（集邦化合物半導體秦妍整理）