根據(jù)集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）最新研究報告《2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報告》，由于Micro LED的特性優(yōu)良，不論是在高亮度、高對比度、高反應(yīng)性及省電方面，都優(yōu)于LCD及OLED，未來將可應(yīng)用于穿戴式的手表、手機、車用顯示器、AR、VR、Monitor 、TV及大型顯示器應(yīng)用。LEDinside分析，Micro LED技術(shù)雖面臨眾多的挑戰(zhàn)，對比兩年前，目前的技術(shù)進展已經(jīng)進步許多，早期的專利技術(shù)已經(jīng)有實體樣品展示機的出現(xiàn)，未來Micro LED商品化的時程將隨著Micro LED技術(shù)的成熟而進展，另外Micro LED制造流程繁瑣及要求更加精細(xì)，制程中所使用的原材料、制程耗材、生產(chǎn)設(shè)備、檢測儀器及輔助治具等，需求規(guī)格嚴(yán)謹(jǐn)且精密度相對嚴(yán)格。
Micro LED技術(shù)瓶頸分析
目前Micro LED 所面臨的技術(shù)瓶頸，共區(qū)分幾個面向，包括磊晶、晶片、巨量轉(zhuǎn)移、全彩化、接合、電源驅(qū)動、背板、檢測與維修技術(shù)，此份研究報告將針對Micro LED技術(shù)瓶頸做深入之探討及分析。
磊晶技術(shù)：目前Micro LED磊晶技術(shù)的挑戰(zhàn)，其一是希望提升波長一致性與厚度均勻性，使得波長更集中，大幅降低磊晶廠的后段檢測成本，其二，當(dāng)LED Chip微縮至100微米以下時，LED Chip周圍因切割損傷造成不均勻的問題會造成漏電問題，并影響整體發(fā)光特性。
晶片技術(shù)：為了符合巨量轉(zhuǎn)移的制程，晶片需經(jīng)過弱化結(jié)構(gòu)的改變，以利自暫存基板上拾取晶片，并且增加絕緣層避免在轉(zhuǎn)移過程中晶片的受損，以保護及絕緣晶片。
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)：拾取放置技術(shù)可應(yīng)用在大于10µm以上之產(chǎn)品，但UPH、轉(zhuǎn)移設(shè)備的精準(zhǔn)度及穩(wěn)定度是一大隱憂，流體組裝技術(shù)可應(yīng)用在大于20µm以上之產(chǎn)品，雖然可以提升UPH但需要分別轉(zhuǎn)移三次才能完成全彩化目標(biāo)，激光轉(zhuǎn)移技術(shù)可應(yīng)用在大于1µm以上之產(chǎn)品，但激光設(shè)備的價格昂貴，將會造成初期投資的負(fù)擔(dān)。
全彩化技術(shù)： RGB晶片的色轉(zhuǎn)換方案，目前在小于20μm的技術(shù)上將面臨光效率、良率不足等問題，量子點的色轉(zhuǎn)換方案，進而補足在小尺寸色轉(zhuǎn)換不足的技術(shù)，但量子點也有部分涂佈均勻性與信賴性等問題產(chǎn)生，須待技術(shù)克服。
接合技術(shù)：由于Micro LED的晶片過于微小，錫膏金屬成份粒徑較大，容易造成Micro LED正負(fù)極性導(dǎo)通，形成微短路現(xiàn)象，因此黏著技術(shù)將會是Micro LED制程關(guān)鍵的挑戰(zhàn)，現(xiàn)狀Micro LED的Bonding技術(shù)有Metal Bump、Glue、Wafer Bonding及Micro Tube四大方向。
電源驅(qū)動技術(shù)：主動式驅(qū)動陣列中，每個像素連接到電路并單獨驅(qū)動，這樣將允許Micro LED以較低的電流工作，同時在整個點亮?xí)r間內(nèi)持續(xù)維持亮度，不會有明顯的顯示亮度損失，但Micro LED驅(qū)動電流極小，使得電路設(shè)計複雜，驅(qū)動電源模組空間佈局將更為密集。
背板技術(shù)：背板形式共分為四種型態(tài)，玻璃、軟性基板、硅基板、PCB等?，F(xiàn)階段以PCB背板應(yīng)用最廣泛，主要是因為其尺寸相容性高，可利用拼接符合各種所需的尺寸，以及可依需求選擇符合的基材做相對應(yīng)的背板。
檢測技術(shù)： Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品所使用的晶片數(shù)量甚多，并且Micro LED模組的光性及電性須正確且快速的判定之下，必須以巨量檢測的方式才能減少檢測時間及成本，要如何快速且準(zhǔn)確的測試出良品是制程的一大問題，也是現(xiàn)階段Micro LED檢測技術(shù)瓶頸的主要原因之一 。
維修技術(shù)： Micro LED維修方案，現(xiàn)階段有紫外線照射維修技術(shù)、激光融斷維修技術(shù) 、選擇性拾取維修技術(shù)、選擇性激光維修技術(shù)及備援電路設(shè)計方案等。
2019年1月LEDinside針對于2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)進行分析。如需詳細(xì)資料，歡迎來電或來信。謝謝您！
LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報告
出刊時間：2019年01月31日
檔案格式：PDF
報告語系：繁體中文 /英文
頁數(shù)： 213
季度更新：Micro / Mini LED市場觀點分析 – 廠商動態(tài)、新技術(shù)導(dǎo)入、Display Week / Touch Taiwan展場直擊（2019年3月、6月、9月；約計10-15頁/季）
第一章 Micro LED定義與市場規(guī)模分析
Micro LED產(chǎn)品定義
Micro LED產(chǎn)值分析與預(yù)測
Micro LED產(chǎn)量分析與預(yù)測
Micro LED市場產(chǎn)量分析
Micro LED Display滲透率預(yù)測
第二章 Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品與技術(shù)發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品總覽
Micro LED產(chǎn)品應(yīng)用規(guī)格總覽
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT 顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏出貨量與時程表預(yù)估
第三章 Micro LED專利布局分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 歷年專利家族分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 區(qū)域分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 技術(shù)分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 廠商分析
2001-2018 Micro LED專利布局 – 歷年巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)總覽
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)分類
2001-2018 Micro LED專利布局 – 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 品牌廠商技術(shù)布局分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 新創(chuàng)公司與研究機構(gòu)技術(shù)布局分析
第四章 Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案
Micro LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)總覽分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 制造流程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – LED磊晶與芯片制程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 轉(zhuǎn)移技術(shù)/黏接技術(shù)/驅(qū)動與背板技術(shù)
第五章 磊晶技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
磊晶技術(shù) – 解決方案
磊晶技術(shù) – 磊晶架構(gòu)與發(fā)光原理
磊晶技術(shù) – 磊晶發(fā)光層材料與光效
磊晶技術(shù) – 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)比較
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 波長均一性
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶缺陷控制
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技術(shù) – 適用性分析
第六章 芯片制程技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
芯片制程技術(shù) – LED芯片微縮的發(fā)展
芯片制程技術(shù) – LED芯片生產(chǎn)流程
芯片制程技術(shù) – 水平，覆晶與垂直芯片結(jié)構(gòu)性之差異
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（含藍(lán)寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（不含藍(lán)寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 激光剝離基板技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)與絕緣層
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)設(shè)計
芯片制程技術(shù) – 巨量轉(zhuǎn)移頭設(shè)計
芯片制程技術(shù) – 傳統(tǒng)LED與Micro LED芯片制程差異
第七章 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 拾取放置技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 非選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 選擇性拾取技術(shù)以提升晶圓利用率
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 修補應(yīng)用上的選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 影響產(chǎn)能的因素
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 大型轉(zhuǎn)移頭尺寸提升產(chǎn)能的方案
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移頭精準(zhǔn)度要求更高
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移次數(shù)和晶圓利用率比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移運轉(zhuǎn)周期與產(chǎn)能比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Apple (LuxVue)
靜電吸附+相變化轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Samsung
芯片轉(zhuǎn)移與翻轉(zhuǎn)方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 凡得瓦力轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：X-Celeprint
凡得瓦力轉(zhuǎn)印方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：ITRI
電磁力轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹： Mikro Mesa
利用黏合力與反作用力轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：AUO
靜電吸附力與反作用力方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：VueReal
Solid Printing技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Rohinni
頂針對位轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 流體組裝技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：eLux
流體裝配方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：PlayNitride
流體分散轉(zhuǎn)印技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Sony
激光轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：QMAT
BAR轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Uniqarta
多光束轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)-薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：KIMM
滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上面臨七大挑戰(zhàn)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移制程良率取決于制程能力的控制
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 適用性分析
第八章 檢測技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 檢測技術(shù)流程
檢測技術(shù) – 檢測方式
檢測技術(shù) – 電特性檢測
檢測技術(shù) – 電致發(fā)光(EL)原理
檢測技術(shù) – 光特性檢測
檢測技術(shù) – 光致發(fā)光(PL)原理
檢測技術(shù) – 巨量檢測技術(shù)總覽
巨量檢測方式 – 光致發(fā)光檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 數(shù)碼相機光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 接觸式光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 非接觸式光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 非接觸式EL檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 紫外線照射光電檢測技術(shù)
巨量檢測技術(shù)差異性比較
第九章 維修技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 維修技術(shù)
Micro LED維修技術(shù)方案
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
Micro LED的壞點維修流程
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
壞點維修技術(shù)分析
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
轉(zhuǎn)移頭拾取之過程
維修技術(shù)方案 – 激光熔接維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性拾取維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性激光維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 備援電路設(shè)計方案
Micro LED的主動缺陷偵測設(shè)計
第十章 全彩化技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
全彩化技術(shù)解決方案種類
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB芯片色彩化技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB在相同晶圓上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點色轉(zhuǎn)換技術(shù)與應(yīng)用
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子井的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 總覽
全彩化技術(shù)解決方案 – 適用性分析
第十一章 接合技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
接合技術(shù) – 技術(shù)分類
接合技術(shù) – 表面黏著技術(shù)方案
接合技術(shù) – 共晶波焊組裝技術(shù)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠(ACF)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠水(SAP)方案
接合技術(shù) – 晶圓結(jié)合技術(shù)(Wafer Bonding)方案
接合技術(shù) – 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
接合技術(shù) – Micro TUBE方案
接合技術(shù) – 技術(shù)困難度分析
接合技術(shù) – 適用性分析
第十二章 驅(qū)動技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
驅(qū)動技術(shù) – 驅(qū)動方案分類
驅(qū)動技術(shù) – 驅(qū)動IC的重要性
驅(qū)動技術(shù) – LED的伏安特性與光通量關(guān)系
驅(qū)動技術(shù) – 開關(guān)電源控制技術(shù)分類
驅(qū)動技術(shù) – 開關(guān)電源控制PWM與Duty Cycle的關(guān)系
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動與被動式驅(qū)動比較
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 掃描方式與畫面更新率
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 小間距顯示屏問題點分析
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 液晶顯示器之驅(qū)動架構(gòu)
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 主動式驅(qū)動 V.S 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 影響顯示品質(zhì)之干擾因素分析
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – OLED的光電特性
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – Micro LED驅(qū)動方案 – 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – Micro LED驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動
OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅(qū)動模組差異性
第十三章 驅(qū)動技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
背板技術(shù) – 顯示器背板的架構(gòu)
背板技術(shù) – 背板材料的分類
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件運作原理
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板的尺寸發(fā)展
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板脹縮挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 整合式背板-玻璃基板搭配開關(guān)元件應(yīng)用現(xiàn)況
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板a-Si畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板IGZO畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板LTPS畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件解析度差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件功耗差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件漏電性差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板材料特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板材料特性
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板外觀架構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板結(jié)構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材熱效應(yīng)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材差異性比較
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板制作挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板尺寸限制
背板技術(shù)差異性比較
背板技術(shù) – 適用性分析
第十四章 Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析
全球Micro LED主要廠商供應(yīng)鏈分析
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 中國臺灣廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 中國大陸廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 韓國廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 日本廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 歐美廠商
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