國星光電子公司獲3項LED相關(guān)發(fā)明專利證書

作者 | 發(fā)布日期 2019 年 12 月 30 日 11:20 | 分類 產(chǎn)業(yè)

日前,國星光電發(fā)布公告宣布全資子公司佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(以下簡稱“國星半導(dǎo)體”)收到國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的3項發(fā)明專利證書。

公告顯示,3項發(fā)明專利證書分別為:一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的制造方法、一種去除DBR膜層的制作方法以及一種高亮度LED芯片及其制作方法,專利期限均為20年。

來源:公司公告

國星光電表示,上述發(fā)明專利的取得不會對公司及國星半導(dǎo)體近期生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響,但有利于國星半導(dǎo)體進一步完善知識產(chǎn)權(quán)保護體系,形成持續(xù)創(chuàng)新機制,提升核心競爭力。

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