近日，北京鎵和半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵和半導(dǎo)體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領(lǐng)投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。
鎵和半導(dǎo)體成立于2021年，是一家超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵襯底及外延制造商，主營(yíng)氧化鎵單晶襯底及外延晶片、單晶及外延生長(zhǎng)設(shè)備、高靈敏日盲紫外探測(cè)器件、大功率電力電子器件等氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品。
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鎵和半導(dǎo)體自成立以來，共申請(qǐng)國(guó)內(nèi)發(fā)明專利18項(xiàng)，擁有四項(xiàng)核心技術(shù)：氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)、氧化鎵襯底加工技術(shù)、氧化鎵薄膜外延技術(shù)、氧化鎵器件技術(shù)。
氧化鎵是一種超寬禁帶材料，擁有超寬帶隙（4.2-4.9eV）、超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)（8MV/cm）、超強(qiáng)透明導(dǎo)電性等優(yōu)異物理性能，它的各項(xiàng)性能指標(biāo)較硅、碳化硅以及氮化鎵有著顯著的優(yōu)勢(shì)。
目前，各國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)都在爭(zhēng)相布局氧化鎵，但均在產(chǎn)業(yè)化前夜。氧化鎵或許可以成為我國(guó)突破“卡脖子”的機(jī)遇。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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