損耗降低50%,英諾賽科發(fā)布全鏈路InnoGaN數(shù)據(jù)中心方案

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 10 月 08 日 17:45 | 分類 企業(yè)

10月8日,英諾賽科官方公眾號發(fā)文表稱,數(shù)據(jù)中心采用全鏈路GaN設(shè)計(jì)方案,能夠提高能源轉(zhuǎn)換效率,將系統(tǒng)損耗降低50%。

據(jù)悉,英諾賽科從前端PSU電源到主板DC/DC模塊,以及芯片的直接供電方面,都提供了GaN方案。

前端PSU電源方面,英諾賽科推出 2kW PSU參考設(shè)計(jì),采用圖騰柱無橋PFC+LLC結(jié)構(gòu),效率高達(dá)96.5%,體積僅為185*65*35(mm3),完美符合 80 Plus 鈦金級能效。

英諾賽科SVP產(chǎn)品負(fù)責(zé)人孫毅表示,目前服務(wù)器電源功率已經(jīng)從800W上升到了現(xiàn)在的1.3KW、甚至有的上升到了4KW,面對這樣大的提升,對功率密度以及效率都提出了高要求。

GaN與SiC和Si器件相比,開通與關(guān)斷損耗下降了至少50%,并且沒有反向恢復(fù)損耗,可以輕松滿足鈦金級效率需求。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

針對目前逐漸流行的48V供電架構(gòu),英諾賽科推出了從420W-1000W的IBC電源模塊,最高功率密度達(dá)2200W/in^3。

與Si方案相比,采用GaN的系統(tǒng)方案可將有效占空比提高7%,死區(qū)降低43.8%,原邊有效電流降低7.3%,副邊有效電流降低5.2%;方案中的器件、變壓器、PCB等總損耗降低20%,可以使效率提升0.5%以上;基于系統(tǒng)38W散熱條件下,Si方案輸出功率960W,GaN方案可以輸出1100W,功率密度可以提高15%以上。

最后到核心供電方面,英諾賽科采用氮化鎵設(shè)計(jì)的Vcore核心供電方案,支持MHz以上開關(guān)頻率,減小無源元件體積從而提高功率密度,同時InnoGaN能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更低的成本,打造系統(tǒng)優(yōu)勢。

相比于700~800kHz 的傳統(tǒng)Si方案,GaN頻率提升至1.5MHz以上,電感等無源元件體積減小,power stage功率密度預(yù)計(jì)提升超過30%;預(yù)計(jì)能夠幫助系統(tǒng)效率提升超過1%,從而減少系統(tǒng)損耗。

如果說SiC能夠快速發(fā)展是借著電動汽車市場起的勁,那么GaN想要快速發(fā)展,AI的東風(fēng)不能不借。

隨著人工智能的市場爆火,許多廠商將目光轉(zhuǎn)向工業(yè)市場,其中數(shù)據(jù)中心為關(guān)鍵場景。ChatGPT已掀起AI云端服務(wù)器建置浪潮,GaN將助力數(shù)據(jù)中心降低運(yùn)營成本,并提高服務(wù)器運(yùn)行效率。

集邦咨詢預(yù)估,全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長率高達(dá)65%。

英諾賽科作為GaN功率元件市場領(lǐng)先廠商,現(xiàn)在開始敲響了GaN功率元件應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的大門。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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