英飛凌擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列
近日，英飛凌宣布采用新的行業(yè)標準封裝，以擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列。
該款經(jīng)過驗證的62mm器件采用半橋拓撲設計，并基于最近推出的先進M1H碳化硅（SiC）MOSFET技術打造。該封裝使SiC適合250 kW以上的中功率應用，其中通過IGBT技術可使硅達到功率密度極限。
與62mm IGBT模塊相比，新系列模塊還可應用于太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電器、機車、商用感應烹飪和電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等領域。
M1H 技術可實現(xiàn)顯著更寬的柵極電壓窗口，確保對驅(qū)動器和布局引起的柵極電壓尖峰具有高魯棒性，即使在高開關頻率下也不受任何限制。
除此之外，極低的開關和傳輸損耗最大限度地減少了散熱需求，并且通過使用英飛凌的 CoolSiC芯片技術，可以提高轉(zhuǎn)換器設計的效率，提高每個逆變器的標稱功率并降低系統(tǒng)成本。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
巨子半導體推出100A1200V大功率碳化硅MOSFET單管器件
11月24日，成都巨子半導體有限公司（下文簡稱“巨子半導體”）推出100A1200V大功率碳化硅MOSFET單管器件，GC2M016120S1。
GC2M016120S1產(chǎn)品是由巨子半導體新開發(fā)推出的大功率碳化硅MOSFET單管器件。產(chǎn)品采用SOT-227封裝形式，屬于內(nèi)絕緣封裝的一種，電流大于100A，耐壓超過1200V，可廣泛應用于感應電源、等離子電源、太陽能逆變器等場景。
據(jù)悉，巨子半導體是一家深耕中國先進功率半導體碳化硅（SiC）器件的應用型高新科技企業(yè)，目前主營業(yè)務為SiC芯片器件的研發(fā)、設計與銷售。（集邦化合物Rick整理）
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