第三代半導體氮化鎵（GaN）材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場強高等特性，在功率與射頻領域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點的同時兼顧了可低成本、大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點，是第三代半導體發(fā)展的重要方向。
據(jù)中電材料官微消息，近日，電科材料下屬國盛公司研發(fā)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片完成客戶交付。
資料顯示，國盛公司前身為中電科55所材料研究室外延組，一直致力于高性能半導體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)服務。公司主營硅基、碳化硅基外延片業(yè)務，產(chǎn)品廣泛用于集成電路芯片和半導體分立器件。
2023年11月，國盛公司旗下南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目正式投產(chǎn)。據(jù)悉，該項目一期投資19.3億元，項目達產(chǎn)后，預估新增年收入25億元，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產(chǎn)能力。
圖片source:南京江寧技術開發(fā)區(qū)
2023年12月，國盛公司第一枚碳化硅外延產(chǎn)品誕生。
同月，國盛公司第一枚硅基氮化鎵外延產(chǎn)品正式下線。
中電材料指出，自項目投產(chǎn)以來，大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后實現(xiàn)客戶交付，硅基氮化鎵外延材料順利下線，標志著國盛公司產(chǎn)品多元化布局初步完成。如今，國盛公司硅基氮化鎵外延片成功交付顧客，進入產(chǎn)品試樣驗證階段，為其未來發(fā)展奠定了基礎。（集邦化合物半導體Morty整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。