根據(jù)協(xié)議，臺達(dá)電子將在其設(shè)計中采用微芯的mSiC 產(chǎn)品和技術(shù)，此合作將優(yōu)先驗(yàn)證微芯的碳化硅解決方案，協(xié)議包括技術(shù)培訓(xùn)、提前獲取產(chǎn)品樣品等內(nèi)容。

碳化硅技術(shù)在電力應(yīng)用中變得越來越重要，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，它能夠在更高的溫度和電壓下運(yùn)行，同時減少能量損失。

臺達(dá)電子計劃利用微芯在碳化硅和數(shù)字控制方面的經(jīng)驗(yàn)，加速其在高增長市場領(lǐng)域解決方案的上市時間。

微芯的mSiC 產(chǎn)品組合包括碳化硅MOSFET、二極管和柵極驅(qū)動器等多種選項(xiàng)。該公司在開發(fā)和制造碳化硅器件和電力解決方案方面擁有超過20年的經(jīng)驗(yàn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：AOS官網(wǎng)新聞稿截圖

據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈透露消息，此次收購AOS所持萬國半導(dǎo)體股權(quán)的是上海新微科技集團(tuán)，該公司是一家以集成電路為核心，專注于微電子材料、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)和高可靠性集成電路領(lǐng)域的國有投資企業(yè)。其關(guān)聯(lián)企業(yè)新微半導(dǎo)體作為先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)，專注于為功率和光電兩大應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務(wù)。目前，上海新微科技集團(tuán)并未對該消息進(jìn)行回復(fù)。

AOS的此次股權(quán)出售交易金額為1.5億美元，約合人民幣10.76億元。根據(jù)協(xié)議，交易完成后，AOS將不再持有重慶萬國半導(dǎo)體的股權(quán)。值得注意的是，此次交易在財務(wù)處理上存在一定的復(fù)雜性。根據(jù)美國通用會計準(zhǔn)則（GAAP），AOS將因此次股權(quán)出售確認(rèn)一定的減值損失。然而，在非GAAP財務(wù)指標(biāo)下，AOS選擇排除這一影響，這顯示出公司對此次交易的戰(zhàn)略價值有著更長遠(yuǎn)的考量。

出售股權(quán)所得的1.5億美元資金將被AOS用于兩個主要方向：研發(fā)投入和并購活動。這一資金分配計劃表明，AOS正在積極調(diào)整其業(yè)務(wù)重心，以應(yīng)對全球半導(dǎo)體市場的快速變化和技術(shù)迭代。通過加大研發(fā)投入，AOS有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得更多技術(shù)突破，提升其產(chǎn)品的競爭力。同時，通過并購活動，AOS可以快速整合行業(yè)資源，拓展市場份額，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體行業(yè)的地位。

重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“重慶萬國”）成立于2016年4月22日，是由美國AOS半導(dǎo)體公司、重慶戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金和重慶兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金共同出資組建的合資企業(yè)。公司注冊資本3.55億美元，總投資額達(dá)10億美元。

圖片來源：重慶萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

據(jù)悉，重慶萬國是全球首家集12英寸芯片制造及封裝測試于一體的功率半導(dǎo)體企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計、研發(fā)、制造（芯片制造與封裝測試）、銷售與服務(wù)。重慶萬國半導(dǎo)體的項(xiàng)目分兩期建設(shè)。一期項(xiàng)目已于2018年6月開始試生產(chǎn)，具備月產(chǎn)2萬片12英寸功率半導(dǎo)體芯片和月產(chǎn)5億顆功率半導(dǎo)體芯片封裝測試的能力。2019年12英寸晶圓廠與封裝測試廠雙雙進(jìn)入正式量產(chǎn)。二期項(xiàng)目計劃將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)5萬片12英寸功率半導(dǎo)體芯片和月產(chǎn)12.5億顆功率半導(dǎo)體芯片封裝測試。

根據(jù)今年6月的報道，重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司的12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測試基地項(xiàng)目已經(jīng)完成封裝測試，預(yù)計10月份正式在渝投產(chǎn)。重慶萬國半導(dǎo)體是AOS在中國的重要資產(chǎn)之一，自成立以來，一直為AOS提供穩(wěn)定的產(chǎn)能支持。此次股權(quán)出售并不意味著AOS將放棄這一重要市場。相反，根據(jù)協(xié)議，AOS將繼續(xù)享有重慶萬國半導(dǎo)體的產(chǎn)能供應(yīng)，其在合資企業(yè)中的技術(shù)和知識產(chǎn)權(quán)也將繼續(xù)受到保護(hù)。這表明AOS對重慶萬國半導(dǎo)體的長期發(fā)展仍抱有積極態(tài)度，并希望通過股權(quán)結(jié)構(gòu)調(diào)整，進(jìn)一步優(yōu)化其在全球的產(chǎn)業(yè)布局。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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時代電氣表示，公司擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當(dāng)前已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。

當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計定型，達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平，第五代SiC技術(shù)也已完成布局。目前SiC重點(diǎn)產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiCMOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiCMOSFET，1200VSBD等，1200V溝槽柵SiCMOSFET性能指標(biāo)基本對標(biāo)國際龍頭企業(yè)。

公司SiCMOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級，適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運(yùn)輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

株洲三期于2024年11月份啟動建設(shè)，2025年5月主體廠房封頂，預(yù)計2025年下半年啟動設(shè)備搬入，2025年底有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線拉通，該項(xiàng)目為8英寸SiC晶圓。

圖片來源：時代電氣

三安光電在投資者互動平臺披露多項(xiàng)業(yè)務(wù)進(jìn)展。

12英寸碳化硅襯底正在開發(fā)中；湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)向通合、科士達(dá)、致瞻等充電樁客戶批量供貨，以及臺達(dá)、光寶、長城、維諦技術(shù)等數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源客戶供貨。

湖南三安的主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內(nèi)頭部電動車企客戶處的摸底模塊驗(yàn)證已完成。此外，湖南三安已布局氧化鎵、金剛石等第四代半導(dǎo)體材料的研發(fā)。

產(chǎn)能方面，三安光電介紹，湖南三安已擁有6吋碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8吋碳化硅襯底產(chǎn)能1,000片/月、外延產(chǎn)能2,000片/月，8吋碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中。安意法已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月；重慶三安首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，已開始逐步釋放產(chǎn)能。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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廣東致能團(tuán)隊全球首創(chuàng)在硅襯底上實(shí)現(xiàn)垂直GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)及垂直二維電子氣溝道（2DEG）的直接外延生長，通過精準(zhǔn)工藝調(diào)控，制備出低位錯密度的氮化鎵鰭狀結(jié)構(gòu)，該方法具備極高的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計自由度。

基于這一創(chuàng)新平臺，團(tuán)隊成功研制出全球首個具有垂直2DEG溝道的常開型器件（D-mode VHEMT）及閾值電壓可調(diào)的常關(guān)型器件（E-mode VHEMT）。在工藝集成方面，通過源/柵電極選擇性刻蝕及硅襯底完全去除工藝，實(shí)現(xiàn)了全垂直電極結(jié)構(gòu)布局，可顯著提升器件散熱效率。該創(chuàng)新技術(shù)在先進(jìn)工藝平臺加持下具備極高的量產(chǎn)可行性，同時還為器件微縮和大電流性能迭代（功率密度）提供了廣闊空間。

圖片來源：廣東致能半導(dǎo)體有限公司——圖1（左） x-SEM 結(jié)構(gòu)，圖2（右）剝離硅襯底

廣東致能展示全球首個垂直二維電子氣氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)(如圖1)，此時生長用硅襯底還未被去除。圖2則是垂直氮化鎵器件晶圓，此時生長用硅襯底已被去除，觀察面為原硅襯底面。

廣東致能介紹，目前廣泛應(yīng)用的氮化鎵功率器件多采用橫向結(jié)構(gòu)，但在高功率、大電流場景中仍面臨電場管理、器件微縮和散熱困難等技術(shù)瓶頸，難以充分發(fā)揮氮化鎵材料的性能優(yōu)勢。相比之下，垂直氮化鎵器件架構(gòu)可以突破橫向結(jié)構(gòu)在導(dǎo)電能力（功率密度）及散熱性能上的限制，展現(xiàn)出數(shù)量級的優(yōu)異性能和系統(tǒng)集成潛力，被認(rèn)為是推動氮化鎵功率器件邁向更大功率的關(guān)鍵技術(shù)路徑之一。

廣東致能指出，圍繞上述垂直氮化鎵器件架構(gòu)和工藝，公司已在國內(nèi)外布局多項(xiàng)核心知識產(chǎn)權(quán)，形成完整專利組合，構(gòu)筑了堅實(shí)的技術(shù)壁壘。憑借在材料外延、結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝集成上的持續(xù)創(chuàng)新，垂直氮化鎵功率器件平臺有望成為下一代高性能氮化鎵功率器件的關(guān)鍵技術(shù)路徑。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：天岳先進(jìn)

天岳先進(jìn)成立于2010年，2022年上市，是一家專注于碳化硅襯底材料的高科技領(lǐng)軍企業(yè)，目前已掌握世界最大尺寸12英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)技術(shù)，客戶覆蓋博世、英飛凌等國際巨頭，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

舜宇奧來是舜宇光學(xué)科技旗下核心子公司，2019年正式成立，專注于微納光學(xué)領(lǐng)域，作為全球晶圓級微納光學(xué)加工領(lǐng)域的代表企業(yè)，舜宇奧來主要從事微納米結(jié)構(gòu)加工、衍射光學(xué)元件及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)制造。其業(yè)務(wù)范疇廣泛，涵蓋AR光波導(dǎo)等晶圓級微納光學(xué)產(chǎn)品。

碳化硅襯底材料優(yōu)良的物理性能已經(jīng)在以電動汽車、綠色能源為代表的新能源領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，隨著產(chǎn)業(yè)化的不斷進(jìn)展，開始向更多的領(lǐng)域拓展，這其中，高導(dǎo)熱、高折射率等優(yōu)勢得到光學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)注。

天岳先進(jìn)在AR/VR眼鏡領(lǐng)域也早有布局。2025年一季度，公司在AI眼鏡光學(xué)襯底領(lǐng)域持續(xù)投入，并已向多家客戶供貨。在新興領(lǐng)域，其12英寸襯底成功進(jìn)入AR眼鏡供應(yīng)鏈，與Meta等企業(yè)攜手合作開發(fā)衍射光波導(dǎo)技術(shù)，預(yù)計2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

此次雙方合作，將聚焦于SiC襯底材料在光學(xué)領(lǐng)域的深度應(yīng)用開發(fā)。通過整合天岳先進(jìn)的材料優(yōu)勢與舜宇奧來的光學(xué)技術(shù)專長，有望在多個方面取得突破。

在AR/VR設(shè)備的光學(xué)組件中，SiC襯底的引入可能會提升成像質(zhì)量、降低功耗，為用戶帶來更加沉浸式的體驗(yàn)；在高端光學(xué)鏡頭制造中，利用SiC的高穩(wěn)定性，能夠?qū)崿F(xiàn)更精密的光學(xué)設(shè)計，提高鏡頭的解析力與可靠性。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：聞泰科技公告截圖

此次管理層的“大換血”，與公司正在積極推進(jìn)的產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)重大資產(chǎn)出售和業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)深度調(diào)整密切相關(guān)，標(biāo)志著聞泰科技正堅定地邁向“純半導(dǎo)體企業(yè)”的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型之路。

剝離ODM業(yè)務(wù)，全面聚焦半導(dǎo)體

聞泰科技此次戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的核心，在于徹底剝離其傳統(tǒng)優(yōu)勢業(yè)務(wù)產(chǎn)品集成（ODM）業(yè)務(wù)。聞泰科技在2025年3月20日召開董事會和監(jiān)事會，審議通過了《關(guān)于公司重大資產(chǎn)出售方案的議案》。根據(jù)該方案，公司計劃以現(xiàn)金交易方式，向立訊精密工業(yè)股份有限公司及立訊通訊（上海）有限公司轉(zhuǎn)讓公司旗下的多家子公司股權(quán)及相關(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)包。

截至2025年7月2日，部分資產(chǎn)的交割和股權(quán)變更已順利完成。具體來看，昆明智通、深圳聞泰、黃石智通、昆明聞訊已完成工商變更登記手續(xù)；無錫聞泰、無錫聞訊的相關(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)包也已完成轉(zhuǎn)移。此外，印度聞泰部分業(yè)務(wù)資產(chǎn)已完成轉(zhuǎn)移，其余權(quán)屬轉(zhuǎn)移手續(xù)仍在辦理中。香港聞泰及其子公司印尼聞泰的股權(quán)交割，將在完成相關(guān)非交易范圍資產(chǎn)的剝離工作后實(shí)施。

聞泰科技已收到已交割的股權(quán)和業(yè)務(wù)資產(chǎn)包對應(yīng)款項(xiàng)，待全部交割完成后，將繼續(xù)公告具體的收款情況。

從其此前財報數(shù)據(jù)看，產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)一直是聞泰科技的營收支柱。數(shù)據(jù)顯示，該業(yè)務(wù)在2023年和2024年分別實(shí)現(xiàn)收入443.15億元和584.31億元，占公司總營業(yè)收入的比例高達(dá)72.39%和79.39%，即便在2025年第一季度，其營收占比仍超過七成。

然而，盡管營收規(guī)模龐大，這項(xiàng)業(yè)務(wù)卻將公司拖入了“增收不增利”的困境。聞泰科技的財務(wù)報告揭示了這一挑戰(zhàn)。

在2021年至2023年期間，公司營業(yè)收入從527.29億元增長至612.13億元，實(shí)現(xiàn)了1.98%、10.15%和5.40%的同比增長。然而，同期凈利潤卻呈現(xiàn)下滑趨勢，從26.12億元降至11.81億元，同比增速分別為8.12%、-44.16%和-19%。

進(jìn)入2024年，情況進(jìn)一步惡化。聞泰科技在2024年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入735.98億元，同比增長20.23%，但凈利潤卻錄得虧損28.33億元，同比大幅下降339.83%。這主要是受產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)虧損的拖累，也是公司自2016年以來首次出現(xiàn)年度虧損。

相比之下，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收雖僅有147.15億元，但毛利率高達(dá)37.52%。此外，公司在資金方面也存在較大需求。2025年4月，聞泰科技公告擬終止部分可轉(zhuǎn)債募投項(xiàng)目，并將約28.46億元的剩余募集資金永久補(bǔ)充流動性。

在此背景下，聞泰科技選擇出售產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)，意在卸下盈利“包袱”，通過優(yōu)化財務(wù)結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)償債能力和現(xiàn)金流，為前景和利潤空間更為可觀的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展提供有力保障。

半導(dǎo)體業(yè)務(wù)蓄勢，業(yè)績回暖與技術(shù)突破

聞泰科技的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主要源于2019年底對安世集團(tuán)的收購，據(jù)悉，安世集團(tuán)在功率半導(dǎo)體行業(yè)具備較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢，尤其是在功率分立器件領(lǐng)域。

剝離產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)后，聞泰科技的戰(zhàn)略重心將全面轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體領(lǐng)域，其盈利能力已顯現(xiàn)積極信號。

今年一季度聞泰科技財報顯示，營收130.99億元，同比下降19.38%，但凈利潤達(dá)到2.61億元，同比大幅增長82.29%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入37.11億元，同比增長8.40%；毛利率38.32%，同比上升超七個百分點(diǎn)；凈利潤5.78億元，經(jīng)營性凈利潤同比增長65.14%。

7月14日，聞泰科技發(fā)布2025年半年度業(yè)績預(yù)告，預(yù)計2025年上半年實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤3.9億元至5.85億元，同比增長178%至317%。業(yè)績增長主要得益于半導(dǎo)體板塊市場需求回暖、降本增效策略深化及供應(yīng)鏈優(yōu)化，業(yè)務(wù)收入和毛利率均同比提升。

圖片來源：聞泰科技公告截圖

公司已成功推出高性能車規(guī)級1200V SiC MOSFET和碳化硅Trench MOS等產(chǎn)品，這些產(chǎn)品目前已廣泛應(yīng)用于電池儲能、光伏逆變器等工業(yè)場景。聞泰科技還計劃在德國漢堡工廠投資2億美元用于SiC等產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。2024年6月，公司宣布了約2億美元的8英寸SiC器件產(chǎn)線投資，預(yù)計將在近年內(nèi)完成建設(shè)投產(chǎn)，目前已經(jīng)完成部分設(shè)備進(jìn)場。

此外，聞泰科技是業(yè)內(nèi)唯一能夠同時提供級聯(lián)型（Cascode）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商。其GaN FET產(chǎn)品已覆蓋40V至700V的電壓規(guī)格，并在消費(fèi)電子快充、通信基站、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付。

2025年第一季度，聞泰科技推出的級聯(lián)型氮化鎵器件采用疊層結(jié)構(gòu)與級聯(lián)配置，融合650V高壓GaN HEMT H4技術(shù)和低壓硅MOSFET技術(shù)，優(yōu)化柵極驅(qū)動，大幅提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。此外，聞泰科技的650V氮化鎵技術(shù)已通過車規(guī)級測試。

聞泰科技也密集發(fā)布了多款第三代半導(dǎo)體及模擬芯片產(chǎn)品，持續(xù)完善其“從低壓到高壓、從功率到模擬”的全面產(chǎn)品布局。根據(jù)公司公開資料，預(yù)計包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和IGBT?在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品，將從2025年底開始逐步實(shí)現(xiàn)放量。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來源：士蘭微公告截圖

公告表示，士蘭微預(yù)計2025年1-6月實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為23,500萬元到27,500萬元，與上年同期相比，將實(shí)現(xiàn)扭虧為盈；預(yù)計2025年1-6月實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤為24,000萬元到28,000萬元，與上年同期相比，將增加11,380.50萬元到15,380.50萬元，同比增加90.18%到121.88%。

士蘭微表示，2025年上半年，士蘭微持續(xù)加大對大型白電、汽車、新能源、工業(yè)、通訊和算力等高門檻市場的拓展力度，公司總體營收保持了較快的增長勢頭。

此外，其子公司士蘭集成5、6吋芯片生產(chǎn)線、子公司士蘭集昕8吋芯片生產(chǎn)線、重要參股企業(yè)士蘭集科12吋芯片生產(chǎn)線均保持滿負(fù)荷生產(chǎn)， 盈利水平進(jìn)一步改善。公司子公司成都士蘭（包括成都集佳）功率模塊和功率器件封裝生產(chǎn)線積極擴(kuò)大產(chǎn)出，盈利水平保持穩(wěn)定。

公開資料顯示，士蘭微成立于1997年，總部位于杭州，2003年于上海證券交易所上市。士蘭微多年來專注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體的設(shè)計、制造和封裝，其特色工藝平臺包括高壓集成電路、功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器等，尤其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，產(chǎn)品涵蓋 IGBT、SiC MOSFET、IPM（智能功率模塊）等核心器件。

近年來，士蘭微在汽車電子、新能源等高端市場加速突破，車規(guī)級IGBT模塊已批量供貨比亞迪、吉利等車企，SiC產(chǎn)品進(jìn)入?yún)R川、零跑等供應(yīng)鏈，成為國產(chǎn)半導(dǎo)體替代的核心力量。

此前7月初，士蘭微宣布其8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）首臺設(shè)備提前搬入。該項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進(jìn)一步鞏固其在中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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產(chǎn)能布局與技術(shù)路線：聚焦8英寸，展望12英寸

英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張。公司計劃將當(dāng)前每月13000片的產(chǎn)能提升至2025年底的20000片。長遠(yuǎn)目標(biāo)是未來五年內(nèi)將月產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大至70000片。這一增長得益于其8英寸晶圓制造工藝的持續(xù)成熟與超過95%的良率。

全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場技術(shù)路線的深度博弈。近期，臺積電宣布計劃在兩年內(nèi)退出GaN晶圓代工業(yè)務(wù)，其主要原因可能在于GaN代工模式的投資回報率不如預(yù)期，且市場競爭激烈，公司內(nèi)容調(diào)整聚焦先進(jìn)制程等。與此同時，英飛凌則高調(diào)推進(jìn)12英寸GaN晶圓樣品，并預(yù)計在2025年第四季度向客戶提供首批樣品，試圖通過大尺寸晶圓實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)勢和產(chǎn)能擴(kuò)張，這無疑引發(fā)了行業(yè)對未來主流技術(shù)路線的激烈討論。

面對這種分歧，英諾賽科堅定推行其IDM（設(shè)計-制造-封測一體化）模式，并把戰(zhàn)略重心明確放在8英寸GaN產(chǎn)線的工程化成熟度上。公司高層判斷，盡管12英寸晶圓理論上可帶來更高的芯片產(chǎn)出，但其大規(guī)模商業(yè)化仍面臨核心挑戰(zhàn)，尤其是MOCVD設(shè)備（金屬有機(jī)化合物氣相沉積設(shè)備）的成熟度不足，尚無公開的12英寸GaN外延解決方案。

英諾賽科預(yù)計，12英寸GaN的產(chǎn)業(yè)化最早要到2030年才能進(jìn)入大規(guī)模商業(yè)化階段。在此之前，公司將致力于最大化8英寸平臺的規(guī)模效應(yīng)和成本優(yōu)勢，持續(xù)提升良率并擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足當(dāng)前及未來幾年市場對高性能、高可靠性氮化鎵器件的旺盛需求。

產(chǎn)品與技術(shù)創(chuàng)新：700V平臺發(fā)布，多領(lǐng)域技術(shù)突破

近期，英諾賽科發(fā)布了基于700V SolidGaN平臺的四款新品：ISG6123TA/TP、ISG6124TA/TP。這些產(chǎn)品采用TOLL/TOLT主流大功率封裝，旨在實(shí)現(xiàn)對現(xiàn)有硅/SiC控制器生態(tài)的“無感替換”。其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在兼容性、性能表現(xiàn)和應(yīng)用效益三個方面。

圖片來源：英諾賽科

在兼容性上，新品支持10–24V寬柵壓驅(qū)動，兼容SiC/IGBT控制器，具備引腳兼容設(shè)計，并集成了LDO柵極鉗位，有效消除了Vgs過沖風(fēng)險。

圖片來源：英諾賽科

性能表現(xiàn)方面，新品提供100V/ns dv/dt保護(hù)、0.5Ω米勒鉗位，零反向恢復(fù)電荷（Qrr=0）使得開關(guān)損耗降低40%，并擁有超低熱阻（最低0.46℃/W）。

在應(yīng)用效益方面，新品在1–6kW服務(wù)器、空調(diào)、工業(yè)電源等大功率應(yīng)用中，可提升效率1–2%，功率密度提高50%。與650kHz SiC方案相比，這些新器件的開關(guān)頻率可推高至2MHz，系統(tǒng)元件數(shù)量可減少60%。

近期，英諾賽科董事長駱薇薇與CEO吳金剛在蘇州總部接受《科創(chuàng)板日報》專訪時透露，公司正在三大方向加速迭代，公司車規(guī)級高壓雙向?qū)℅aN器件已完成送樣并獲得客戶積極反饋，有望成為新能源汽車OBC、DC-DC及激光雷達(dá)電源的核心部件。另外，面向AI服務(wù)器/GPU供電的低壓高頻平臺目標(biāo)開關(guān)頻率達(dá)8–10MHz，旨在通過顯著縮減磁性元件體積，滿足下一代機(jī)柜對極致功率密度的需求。同時，100V半橋合封芯片已批量導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心48V轉(zhuǎn)12V模塊、機(jī)器人伺服電機(jī)等應(yīng)用場景，助力系統(tǒng)效率提升1–2%，功率密度提高50%。

港股上市與戰(zhàn)略合作助推高增長

英諾賽科已于2024年12月30日在香港聯(lián)合交易所主板上市，成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸GaN晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的IDM上市公司。

在戰(zhàn)略合作方面，意法半導(dǎo)體（ST）于6月30日將其所持英諾賽科H股禁售期延長一年至2026年6月29日。此舉體現(xiàn)了ST作為英諾賽科IPO階段重要基石投資者對其長期價值的認(rèn)可。該行動也支持雙方正在執(zhí)行的聯(lián)合開發(fā)與制造協(xié)議，該協(xié)議旨在利用ST的海外晶圓廠拓展全球產(chǎn)能，同時ST可借助英諾賽科珠海、蘇州兩大基地的8英寸GaN產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)其在中國市場的本土化制造。

從市場需求來看，英諾賽科2024年財報數(shù)據(jù)顯示，新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域訂單增長顯著：車規(guī)芯片交付量同比增長986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付量同比增長669.8%。這表明氮化鎵在高功率、高可靠性應(yīng)用場景中的滲透已進(jìn)入快速增長階段。

英諾賽科憑借其完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局和在關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域的突破，正為達(dá)成其未來五年7萬片月產(chǎn)能的目標(biāo)奠定堅實(shí)的技術(shù)與市場基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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1、瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期，瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

瞻芯電子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工藝平臺開發(fā)的重要產(chǎn)品系列，具有4種型號，均按汽車級可靠性標(biāo)準(zhǔn)(AEC-Q101)設(shè)計和測試認(rèn)證，具有低損耗、高可靠、高頻開關(guān)等特點(diǎn)，其驅(qū)動電壓推薦18V，且兼容15V。

該系列產(chǎn)品導(dǎo)通電阻(Ron)具有較低的溫升系數(shù)，能在高溫條件下，仍然保持較低的導(dǎo)通電阻，確保應(yīng)用系統(tǒng)高效運(yùn)行。其中首批量產(chǎn)的2款產(chǎn)品分別為TO247-4插件封裝（IV3Q12035T4Z）和TO263-7貼片封裝（IV3Q12035D7Z），通過了嚴(yán)格的AEC-Q101認(rèn)證，更進(jìn)一步配合多家知名光伏、充電樁客戶完成了系統(tǒng)級測試和驗(yàn)證，進(jìn)入批量交付階段。

為滿足不同應(yīng)用場景的需求，該系列產(chǎn)品開發(fā)了4種封裝型號，不僅具有成熟的TO247-4和TO263-7封裝，而且還有更低寄生參數(shù)的TO247-4Slim封裝，以及支持頂部散熱的TC3Pak封裝。同時，這4種封裝均有開爾文源極引腳，可解耦驅(qū)動和功率回路，降低開關(guān)損耗 。

2、珂瑪科技多尺寸超高純碳化硅產(chǎn)品推進(jìn)中

近期，珂瑪科技在投資者互動平臺披露多項(xiàng)業(yè)務(wù)進(jìn)展，涉及蘇州新基地、超高純碳化硅套件驗(yàn)證等內(nèi)容。

圖片來源：珂瑪科技

珂瑪科技表示位于江蘇蘇州的先進(jìn)材料生產(chǎn)基地已正式投產(chǎn)，重點(diǎn)布局陶瓷加熱器、靜電卡盤及超高純碳化硅套件等“結(jié)構(gòu)-功能”一體化模塊產(chǎn)品。該基地投產(chǎn)后，公司產(chǎn)能將顯著提升，并加速從傳統(tǒng)陶瓷結(jié)構(gòu)零部件向高附加值模塊化產(chǎn)品的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。據(jù)悉，該基地項(xiàng)目覆蓋氧化鋁、氧化鋯、碳化硅、氮化鋁、氮化硅、氧化釔和氧化鈦陶瓷等產(chǎn)品的成熟產(chǎn)線。

超高純碳化硅套件驗(yàn)證進(jìn)展方面，產(chǎn)品純度達(dá)99.99%，缺陷密度控制在≤1個/cm2，技術(shù)指標(biāo)達(dá)國內(nèi)領(lǐng)先水平。6英寸產(chǎn)品已量產(chǎn)供應(yīng)北方華創(chuàng)等客戶；8英寸產(chǎn)品客戶端驗(yàn)證基本通過，正推進(jìn)Fab端量產(chǎn)；12英寸部件（如晶舟、隔熱片）進(jìn)入設(shè)備驗(yàn)證階段。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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圖片來源：賽晶科技

根據(jù)協(xié)議，賽晶半導(dǎo)體增加注冊資本420.6136萬美元，投資者將以其在湖南虹安的100%股權(quán)出資認(rèn)購，合計占賽晶半導(dǎo)體經(jīng)擴(kuò)大后股權(quán)的9%。

此次股權(quán)變動后，賽晶半導(dǎo)體的注冊資本由42,538,706美元增加至46,734,842美元，本集團(tuán)于賽晶半導(dǎo)體的股權(quán)比例由約70.54%降至64.19%，賽晶半導(dǎo)體的股權(quán)變化不會影響本集團(tuán)的控制權(quán)，賽晶半導(dǎo)體仍為本集團(tuán)的附屬公司。

此外，協(xié)議顯示，賽晶半導(dǎo)體與投資者簽署股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，據(jù)此，賽晶半導(dǎo)體將收購及投資者將出售湖南虹安的全部股權(quán)，總代價為人民幣1.8億元元，將由賽晶半導(dǎo)體擬根據(jù)增資協(xié)議以發(fā)行相當(dāng)于賽晶半導(dǎo)體經(jīng)擴(kuò)大股權(quán)約9.00%的新增注冊資本予投資者的方式償付。

公開資料顯示，賽晶科技是業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先并深具影響力的電力電子器件供應(yīng)商和系統(tǒng)集成商。2010年在香港主板上市，公司在北京、浙江嘉善和寧波、江蘇無錫、湖北武漢，以及歐洲的瑞士、德國、荷蘭，擁有十余家子公司。

賽晶半導(dǎo)體是賽晶科技集團(tuán)旗下子公司，專注于IGBT、FRD以及碳化硅等芯片和模塊等高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)和制造的高科技企業(yè)。公司致力于促進(jìn)能源向更加可持續(xù)、更加綠色方向發(fā)展。其研發(fā)中心位于瑞士蘭茲伯格，技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊由來自歐洲及國內(nèi)頂尖IGBT、SiC設(shè)計和制造各個環(huán)節(jié)的技術(shù)專家組成，制造中心位于中國浙江省嘉善縣。

湖南虹安成立于2023年，總部位于長沙，在昆山、深圳等地設(shè)有研發(fā)中心及辦事處。公司經(jīng)營范圍包括電子專用材料研發(fā)、集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)、集成電路制造、半導(dǎo)體分立器件制造等。其產(chǎn)品主要集中在各類功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究，涵蓋低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET、MCU微控制器等，廣泛應(yīng)用于PC/服務(wù)器、消費(fèi)電子、通訊電源、工業(yè)控制、汽車電子及新能源產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。

此次賽晶半導(dǎo)體收購湖南虹安有助于賽晶半導(dǎo)體系統(tǒng)性整合雙方資源，實(shí)現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)，如補(bǔ)充技術(shù)團(tuán)隊、在碳化硅（SiC）技術(shù)上形成互補(bǔ)，還可共享供應(yīng)鏈和市場資源，提升供應(yīng)鏈穩(wěn)定性，擴(kuò)大市場范圍和份額，對賽晶半導(dǎo)體的長遠(yuǎn)發(fā)展具有戰(zhàn)略意義。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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