source：SweGaN

Navigare Ventures作為一家活躍的風(fēng)險投資公司，專注于早期階段的投資。其具有豐富的投資經(jīng)驗和成功案例，尤其在科技和創(chuàng)新領(lǐng)域展現(xiàn)了其敏銳的投資眼光。

Navigare Ventures的投資案例包括AlixLabs，后者是一家專注于原子層蝕刻工藝的服務(wù)商，通過提供使用原子層蝕刻工藝的納米結(jié)構(gòu)制造方法，實現(xiàn)了在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的創(chuàng)新。Navigare Ventures的投資不僅為AlixLabs提供了資金支持，還幫助AlixLabs加速了技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展。

據(jù)報道，SweGaN本次1200萬歐元融資的投資方還包括全球范圍內(nèi)一系列專注于半導(dǎo)體的投資者：中國臺灣的Wafer Works、RFHIC，韓國的Ignite Innovation和BRV Capital Management，以及美國的Lifelike Capital。

除融資進展外，SweGaN近期在業(yè)務(wù)方面也取得了多項成果。今年8月，SweGaN宣布，其生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。

據(jù)悉，SweGaN新工廠于2023年3月動工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示，旗下新工廠開始出貨標(biāo)志著公司從一家無晶圓廠設(shè)計廠商，正式轉(zhuǎn)型為一家半導(dǎo)體制造商。

此外，2024上半年，SweGaN與未公開的電信和國防公司簽訂了三份重要的供貨協(xié)議，這使其訂單量翻了一番，達到1700萬瑞典克朗（約1182萬人民幣）。

值的一提的是，SweGaN近期還與一家器件制造商完成了首個QuanFINE外延片客戶資格認(rèn)證計劃。

SweGaN首席執(zhí)行官Jr-Tai Chen博士表示：”目前，電信行業(yè)正大力推動從5G到5G Advanced的技術(shù)升級。SweGaN獲得專利的QuanFINE無緩沖區(qū)碳化硅基氮化鎵材料非常適合滿足新技術(shù)的苛刻要求，尤其是在器件效率和熱管理方面。材料適用于電信新標(biāo)準(zhǔn)5G Advanced，以及滿足對國防應(yīng)用中增強傳感能力的迫切需求?！保罨衔锇雽?dǎo)體Zac整理）

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公告顯示，冠鼎半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)項目選址位于江門市新會區(qū)崖門鎮(zhèn)，屬于新建項目，項目總投資1.055億元，租賃江門市旭暉紡織有限公司已建廠房，廠房面積為2630平方米。

該項目計劃年加工氮化鎵功率半導(dǎo)體1500萬件，主要生產(chǎn)設(shè)施包括萬級潔凈室和十萬級潔凈室，將配備固晶機、焊線機、離子清洗機等關(guān)鍵設(shè)備。

資料顯示，冠鼎半導(dǎo)體成立于2023年8月，為江門市鼎翔電子科技有限公司控股（持股比例82%）子公司。鼎翔電子成立于2012年6月，是一家集模具設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的，專業(yè)從事發(fā)光二極管（LED）引線框架（2002系列、2003系列、2004系列、紅外發(fā)射接收管等）、塑封三極管引線框架（TO-92系列、TO-126系列、SOT-23系列、SOD系列）和精密電子元器件生產(chǎn)的工廠。

近期，氮化鎵產(chǎn)線建設(shè)熱度不減，8月18日，WaveLoad對外宣布，其計劃明年年初量產(chǎn)氮化鎵外延片。WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達1000級的無塵室，可批量生產(chǎn)氮化鎵外延片。該設(shè)施可生產(chǎn)4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產(chǎn)能分別為2,000片/月和500片/月。

9月2日晚，國內(nèi)廠商芯聯(lián)集成披露了2024年上半年業(yè)績電話說明會相關(guān)內(nèi)容。會上，芯聯(lián)集成表示，其將增加氮化鎵產(chǎn)品線，來滿足新應(yīng)用的需求。

值得一提的是，英飛凌近日宣布已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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公開資料顯示，日本礙子成立于1919年5月5日，主要業(yè)務(wù)包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的各種工業(yè)用陶瓷產(chǎn)品、電子及電氣設(shè)備用陶瓷產(chǎn)品、特殊金屬產(chǎn)品、蓄電系統(tǒng)、絕緣子和電力相關(guān)設(shè)備等。

除了展示8英寸SiC晶圓以外，日本礙子還將披露“在多種襯底上生長低BPD密度4H-SiC單晶的新方法”。

日本礙子表示，減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產(chǎn)量和可靠性的重要手段。公司開發(fā)出了一種工藝，利用其陶瓷加工技術(shù)在多個襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。今年3月，日本礙子表示，通過該工藝，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時生長了9個晶體的實驗。

除了碳化硅，日本礙子在氮化鎵（GaN）方面也有布局。

早在2012年，日本礙子便在其他研究機構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發(fā)光性能試驗。據(jù)介紹，日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長法生產(chǎn)，整個晶圓表面的BPD密度大幅降低。

目前，日本礙子已開發(fā)出用于激光二極管等光源器件的2英寸GaN晶圓的量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。日本礙子現(xiàn)正開發(fā)射頻器件和功率器件應(yīng)用，努力進一步增大直徑并降低位錯密度，旨在早日開發(fā)出量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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資料顯示，芯動半導(dǎo)體無錫“第三代半導(dǎo)體模組封測項目”制造基地，總投資 8 億元，建筑面積約 30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能 120 萬套。項目于2023年2月開工，2024年2月完工。

據(jù)悉，2022年10月，長城汽車公告稱，公司擬使用自有資金與魏建軍、穩(wěn)晟科技共同出資設(shè)立芯動半導(dǎo)體，注冊資本5000萬元，其中公司認(rèn)繳出資額1000萬元，占比20%；穩(wěn)晟科技認(rèn)繳出資3500萬元，占比70%。

集邦化合物半導(dǎo)體了解到，魏建軍是長城汽車公司的董事長、實控人，也是穩(wěn)晟科技的直接控制人。也就是說，芯動半導(dǎo)體是長城汽車進入功率半導(dǎo)體賽道的重要一環(huán)，承載著長城汽車自主造芯的遠(yuǎn)大目標(biāo)。

除了建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率模塊封測項目外，芯動半導(dǎo)體還與業(yè)內(nèi)碳化硅大廠開展了相關(guān)業(yè)務(wù)合作。

2023年12月1日，芯動半導(dǎo)體與博世汽車電子在上海簽署碳化硅長期訂單合作協(xié)議。

2024年，3月8日，芯動半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在深圳簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議。

芯動半導(dǎo)體與博世汽車電子、意法半導(dǎo)體就SiC產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作，有助于穩(wěn)定長城汽車SiC功率模塊供應(yīng)鏈，也反映了功率模組公司和OEM提前鎖定上游SiC芯片資源的產(chǎn)業(yè)趨勢。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：安森美

法人預(yù)估，2024年安森美整體產(chǎn)能約40萬片，2025年將達到60萬片。法人推算碳化硅廠商整體擴產(chǎn)情況，以及逆變器、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器、快充站碳化硅總體需求量，并依照各國際大廠擴產(chǎn)計劃推算2025年碳化硅產(chǎn)能，總體來看，碳化硅供需缺口將隨著電動車放量持續(xù)擴大。

另在今年8月初據(jù)外媒報道，安森美計劃于今年晚些時候推出8英寸碳化硅晶圓，并于2025年投產(chǎn)。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury稱：“我們?nèi)匀话从媱澩七M，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠的整個流程。8英寸碳化硅的認(rèn)證將在今年通過，明年開始的收入將符合我們的預(yù)期?！?/p>

針對8英寸碳化硅，安森美于2023年10月完成其位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建。據(jù)悉，該工廠滿載時，每年能生產(chǎn)超過100萬片8英寸碳化硅晶圓。富川碳化硅生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸碳化硅工藝驗證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

2024年以來，安森美進一步加碼碳化硅投資。6月19日，安森美宣布將在捷克共和國建造先進的垂直整合碳化硅制造工廠。該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動汽車等應(yīng)用的能效。

安森美計劃通過一項高達20億美元（約141.79億人民幣）的多年期投資來擴大碳化硅生產(chǎn)，這是該公司之前披露的長期資本支出目標(biāo)的一部分。這項投資將以安森美目前在捷克共和國的業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，包括硅晶體生長、硅和SiC晶片制造（拋光和 EPI）以及硅晶片工廠。目前，該廠每年可生產(chǎn)300多萬片硅片，其中包括10億多個功率器件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該項目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，據(jù)稱將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

公開資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)，已取得多項技術(shù)創(chuàng)新。

據(jù)悉，晶旭半導(dǎo)體致力于打造寬禁帶和超寬禁帶化合物半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，主要產(chǎn)品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等，廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應(yīng)用領(lǐng)域。

今年2月2日，晶旭半導(dǎo)體與深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱：睿悅投資）舉行了戰(zhàn)略投資簽署儀式。

本次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力晶旭半導(dǎo)體實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項目落成達產(chǎn)。

近期，氧化鎵材料熱度持續(xù)上漲，在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能建設(shè)等方面不時傳出新進展。

研發(fā)方面，7月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報道的最大尺寸。

產(chǎn)能方面，9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國內(nèi)目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司，開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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據(jù)了解，AVITIC是Applied Ventures, LLC（應(yīng)用材料的風(fēng)險投資部門）和 ITIC-Taiwan（中國臺灣工研院旗下的投資公司）的合資基金。

資料顯示，Wise-integration是一家成立于2020年的法國無晶圓廠公司，專注于創(chuàng)新GaN技術(shù)和數(shù)字控制解決方案。其產(chǎn)品組合能提高充電器的效率、減小體積和重量，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心和汽車等領(lǐng)域。

今年2月，Wise-integration宣布其B輪融資額為1500萬歐元（折合人民幣約1.18億元），由IMEC.XPAND領(lǐng)投，上一輪領(lǐng)投方Supernova Invest跟投。此次的增資金額尚未披露。

Wise-integration表示，B輪融資將推動公司旗艦產(chǎn)品WiseGan和WiseWare的量產(chǎn)和商業(yè)部署，以及其顛覆性數(shù)字控制技術(shù)，并為全球采用這些解決方案的客戶提供支持。這家成立了4年的公司還將加大對工業(yè)、電信和汽車等高價值市場的關(guān)注。

除了加大旗艦產(chǎn)品的產(chǎn)量外，Wise-integration還計劃利用B輪融資的資金，加速開發(fā)新一代高性能GaN技術(shù)，旨在與數(shù)字控制無縫集成，并提高各個領(lǐng)域電力系統(tǒng)的效率和性能。

ITIC總裁Michel Chu表示：“借助Wise-integration的WiseWare數(shù)字控制和WiseGaN，可以進一步釋放GaN的潛力并提高電力電子的效率。”

Applied Ventures副總裁兼全球主管Anand Kamannavar表示：“推動下一代電力電子技術(shù)的發(fā)展是可持續(xù)發(fā)展的重要支柱。我們期待并支持Wise-integration開發(fā)其差異化的GaN技術(shù)?！保罨衔锇雽?dǎo)體Morty編譯）

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9月10日，據(jù)“沈陽高新區(qū)”官微消息，天科合達近日摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項目。

據(jù)悉，遼寧省集成電路裝備及零部件產(chǎn)業(yè)園即北方芯谷，位于沈陽市渾南區(qū)，總占地面積5.1平方公里，包括建成區(qū)五三片區(qū)和新建區(qū)張沙布片區(qū)，規(guī)劃建設(shè)集整機裝備、零部件、系統(tǒng)集成等于一體的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

而天科合達本次摘牌的地塊位于北方芯谷新建區(qū)，計劃建設(shè)碳化硅單晶生長爐、高溫CVD真空爐等裝備研發(fā)制造生產(chǎn)基地和半導(dǎo)體設(shè)備高溫零部件碳化物涂層等終端產(chǎn)品生產(chǎn)基地。項目預(yù)計明年初開工建設(shè)，年底前投入使用。

作為全球碳化硅襯底主要生產(chǎn)商之一，天科合達目前正在持續(xù)加碼碳化硅襯底產(chǎn)能。

今年2月，天科合達控股子公司深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運營的碳化硅材料產(chǎn)業(yè)園項目在深圳市寶安區(qū)正式揭牌啟用，將重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線。

而在今年8月，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目（以下簡稱：二期項目）環(huán)評審批。二期項目用于擴大天科合達碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

隨著本次半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項目落地，天科合達業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)中設(shè)備產(chǎn)品占比有望進一步提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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公告顯示，長光華芯及全資子公司截至本公告披露之日，共獲得政府補助款項共計人民幣1127.40萬元，其中與收益相關(guān)的政府補助1117.40萬元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補助10萬元。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

長光華芯表示，其根據(jù)《企業(yè)會計準(zhǔn)則第16號——政府補助》的有關(guān)規(guī)定，確認(rèn)上述事項并劃分補助類型，上述政府補助預(yù)計對其利潤產(chǎn)生一定積極影響。

根據(jù)長光華芯8月30日晚間發(fā)布的2024年半年度報告，其上半年實現(xiàn)營收1.27億元，同比下滑10.39%；歸母凈利潤-0.42億元，歸母扣非凈利潤-0.73億元。

關(guān)于業(yè)績下滑原因，長光華芯表示，由于春節(jié)前后人員波動，出現(xiàn)產(chǎn)能瓶頸，2024年一季度僅實現(xiàn)營收0.52億元，同比減少41.91%，二季度克服相關(guān)瓶頸實現(xiàn)營收0.75億元，同比增加44.62%；科研類模塊由于生產(chǎn)難度大，出現(xiàn)產(chǎn)出不足，不能完全交付情況，導(dǎo)致收入下降，其本年加大研發(fā)投入，研發(fā)費用同比上升13.56%。

長光華芯主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體激光芯片、器件及模塊等激光行業(yè)核心元器件的研發(fā)、制造與銷售。目前，長光華芯已建成覆蓋芯片設(shè)計、外延生長、晶圓處理工藝（光刻）、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺和2英寸、3英寸、6英寸量產(chǎn)線，應(yīng)用于多款半導(dǎo)體激光芯片開發(fā)。

材料方面，長光華芯構(gòu)建了GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、GaN（氮化鎵）三大材料體系，建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術(shù)和制造平臺，縱向延伸開發(fā)器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器等下游產(chǎn)品，橫向擴展VCSEL及光通信激光芯片領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

資料顯示，富加鎵業(yè)成立于2019年12月，致力于超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，主要從事氧化鎵單晶材料生長、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售工作，產(chǎn)品主要應(yīng)用于功率器件、微波射頻及光電探測等領(lǐng)域。

據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國內(nèi)目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司，開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。

據(jù)富加鎵業(yè)介紹，氧化鎵單晶可以通過熔體法生長，從而在制備成本、單晶質(zhì)量、缺陷或尺寸等方面相對于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料及超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁、金剛石材料有明顯優(yōu)勢。

此外，氧化鎵材料的熱處理溫度及硬度均與單晶硅較為接近，從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為氧化鎵器件線僅僅需要更換5%設(shè)備，相比而言，碳化硅材料硬度較大，且熱處理溫度較高，從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為碳化硅器件線，需要更換25%設(shè)備。

富加鎵業(yè)表示，現(xiàn)存單晶硅的器件線以6英寸及8英寸為主，氧化鎵單晶材料及外延片需要跨過6英寸門檻后才能進入產(chǎn)業(yè)化快車道?，F(xiàn)階段，富加鎵業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)了6英寸導(dǎo)電型及絕緣型氧化鎵單晶襯底的制備，單晶外延技術(shù)也取得重要進展，已達到6英寸硅基器件線產(chǎn)業(yè)化門檻。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，包括富加鎵業(yè)在內(nèi)的國內(nèi)廠商和研究機構(gòu)正在加速布局氧化鎵產(chǎn)業(yè)，并取得了一系列成果。

去年2月，中國電科46所成功制備出6英寸氧化鎵單晶，技術(shù)達到了國際一流水平。

同年10月，北京鎵和半導(dǎo)體有限公司實現(xiàn)了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)。

而在今年2月，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院、硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。在此基礎(chǔ)上，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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