source：杰平方半導(dǎo)體

雙方一致認為，當(dāng)前，國內(nèi)新能源汽車市場發(fā)展勢頭迅猛，碳化硅作為新能源汽車的關(guān)鍵器件，市場需求持續(xù)攀升。預(yù)計到2029 年，中國市場的新能源汽車年銷量將超過 2200 萬臺，其中 800V 系統(tǒng)將占到 60%以上，碳化硅市場的需求將超過 70 億美元。面對如此廣闊的市場前景，行業(yè)內(nèi)公司唯有緊密合作，才能快速占領(lǐng)市場高地。

本土化產(chǎn)品是指英飛凌將根據(jù)中國需求進行產(chǎn)品定義。

本土化生產(chǎn)方面，英飛凌指出，公司汽車業(yè)務(wù)目前已有多種產(chǎn)品完成本土化量產(chǎn)并計劃于2027年覆蓋主流產(chǎn)品的本土化，將涵蓋微控制器、高低壓功率器件、模擬混合信號、傳感器及存儲器件等產(chǎn)品。

未來網(wǎng)絡(luò)、第三代半導(dǎo)體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“賽道名片”。

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，南京已經(jīng)將第三代半導(dǎo)體納入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，出臺專項政策扶持，江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導(dǎo)體作為重點發(fā)展方向，打造全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

科研攻堅方面，依托南京大學(xué)、東南大學(xué)、南京理工大學(xué)等高校，南京持續(xù)推進碳化硅器件、氮化鎵外延片等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。

其中，東南大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)教育部重點實驗室，致力于攻克GaN垂直結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵技術(shù)，導(dǎo)通電阻降低40%；南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術(shù)有所突破。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：意法半導(dǎo)體中國

技術(shù)方面，兩家廠商的合作致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。

產(chǎn)能供應(yīng)上，英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在中國以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，而意法半導(dǎo)體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。

意法半導(dǎo)體指出，公司與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），兩家公司合作將發(fā)揮IDM模式優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體將加速氮化鎵功率技術(shù)部署，進一步完善現(xiàn)有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合，同時公司也將通過靈活的制造模式更好地服務(wù)于全球客戶。

英諾賽科指出，氮化鎵技術(shù)對實現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。公司率先實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領(lǐng)域市場。此次與意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術(shù)普及，雙方團隊將共同致力于開發(fā)下一代氮化鎵技術(shù)。

3月27日，日本三墾電氣株式會社（Sanken Electric）宣布，在董事會會議上決定以13億日元（約6262萬元人民幣）的價格收購氮化鎵公司POWDEC的股份。本次收購預(yù)計于4月1日完成，具體持股比例未公開披露。

source：日本三墾電氣株式會社官網(wǎng)

據(jù)悉，此次投資旨在強化其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)布局，尤其是在GaN功率器件方面的研發(fā)與生產(chǎn)能力。POWDEC的GaN技術(shù)將與三墾現(xiàn)有的硅基功率器件業(yè)務(wù)形成互補，助力公司拓展新能源汽車、工業(yè)電源等高端市場。

三墾電氣株式會社成立于1946年，是國際知名的功率半導(dǎo)體及電源管理解決方案供應(yīng)商，擁有IDM（垂直整合制造）模式，覆蓋硅器件、GaN及SiC第三代半導(dǎo)體研發(fā)。此次收購POWDEC，標(biāo)志著公司正式進軍GaN功率半導(dǎo)體市場。

source：三墾電氣株式會社官網(wǎng)

POWDEC成立于2001年，專注于氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，成立以來，POWDEC取得了GaN外延片、GaN晶體生長的開發(fā)和生產(chǎn)、GaN功率器件等多方面的技術(shù)突破。

source：POWDEC官網(wǎng)

近年來，氮化鎵成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點，各大企業(yè)加速布局氮化鎵領(lǐng)域。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，預(yù)估2030年全球氮化鎵功率器件市場規(guī)模有望上升至43.76億美元（約318.75億人民幣）。

source：集邦化合物半導(dǎo)體

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，僅在2024年，氮化鎵領(lǐng)域共產(chǎn)生7起收并購動態(tài)。

source：中國電科

胡北辰博士指出，SiC單晶生長與切磨拋加工是第三代半導(dǎo)體器件成本降低、良率提升的重要工藝環(huán)節(jié)。針對這一重點問題，2所以“裝備+工藝+服務(wù)”的理念，面向行業(yè)迫切需求，將電科裝備的單晶生長、激光剝離、晶錠/晶圓減薄、化學(xué)機械拋光、缺陷檢測等核心設(shè)備產(chǎn)品有機結(jié)合，并融入信息化系統(tǒng)，形成了大尺寸碳化硅晶片生長加工的整線智能制造解決方案。

英諾賽科最新業(yè)績出爐，車規(guī)級氮化鎵交付量增長986.7%

近日，氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科發(fā)布公告稱，2024年公司營業(yè)收入為人民幣8.28億元，同比增長39.8%。毛利率持續(xù)大幅改善，毛損率由2023的-61.6%，縮減至2024年的-19.5%，提升42.1個百分點。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

海外市場英諾賽科增勢迅猛，報告期內(nèi)實現(xiàn)1.26億元營收，同比增長118.1%。據(jù)悉，英諾賽科已與歐美多個傳統(tǒng)功率芯片大廠展開戰(zhàn)略合作，共同推動氮化鎵芯片大規(guī)模應(yīng)用，完善氮化鎵系統(tǒng)生態(tài)。

終端應(yīng)用領(lǐng)域，報告期內(nèi)，英諾賽科在消費電子、新能源汽車、AI與人行機器人等均有亮眼表現(xiàn)。

英諾賽科產(chǎn)品在消費電子應(yīng)用領(lǐng)域占比持續(xù)增長，收入同比增長48%。在新能源汽車、AI以及人形機器人領(lǐng)域取得重大突破：車規(guī)級芯片交付數(shù)量同比增長986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付數(shù)量同比增長669.8%。

在人形機器人方面，推出150V/100V全系列氮化鎵產(chǎn)品，覆蓋關(guān)節(jié)及靈巧手電機驅(qū)動、智慧電源轉(zhuǎn)換及電池管等各類應(yīng)用，其中100W關(guān)節(jié)電機驅(qū)動產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)。

展望2025年，英諾賽科將繼續(xù)完善氮化鎵在消費電子領(lǐng)域的布局，提高市場滲透率；同時開展全球戰(zhàn)略合作；提升產(chǎn)能、優(yōu)化工藝。未來，英諾賽科也將繼續(xù)優(yōu)化供應(yīng)鏈、持續(xù)降本增效。

馬自達與羅姆聯(lián)合開發(fā)車規(guī)GaN組件

近日，馬自達與羅姆宣布聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體技術(shù)——氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的汽車零部件。

source：羅姆半導(dǎo)體集團

據(jù)悉，兩家公司2022年起，在“針對電驅(qū)動單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進搭載碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的逆變器的聯(lián)合開發(fā)。此次，雙方著手開發(fā)采用GaN功率半導(dǎo)體的汽車零部件，旨在為下一代電動汽車打造創(chuàng)新型汽車零部件。

與傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體相比，氮化鎵不僅能夠抑制功率轉(zhuǎn)換過程中的損耗，還可高頻驅(qū)動，有助于實現(xiàn)產(chǎn)品的小型化。

馬自達與羅姆將利用氮化鎵的上述特點，將氮化鎵轉(zhuǎn)化為整車的總布置、輕量化及設(shè)計方面的創(chuàng)新型解決方案。該方案有望于2025年實現(xiàn)概念落地， 并通過Demo車進行試驗，雙方力爭在2027年度投入實際應(yīng)用。

羅姆透露，在GaN的開發(fā)與量產(chǎn)方面，公司已與眾多合作伙伴建立了多樣化的合作關(guān)系。此次與馬自達合作，將能夠從應(yīng)用和終端產(chǎn)品開發(fā)的角度深入了解對GaN產(chǎn)品的需求，從而為推動GaN功率半導(dǎo)體的普及，進而為創(chuàng)造可持續(xù)出行的未來社會做出貢獻。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：天岳先進2024年度報告

天岳先進表示，2024年公司立足全球市場，全面提升核心產(chǎn)品的產(chǎn)能產(chǎn)量。全年濟南工廠的產(chǎn)能產(chǎn)量穩(wěn)步推進。上海工廠已于年中提前達到年產(chǎn)30萬片導(dǎo)電型襯底的產(chǎn)能規(guī)劃，同時公司將繼續(xù)推進二階段產(chǎn)能提升規(guī)劃。2024年，碳化硅襯底產(chǎn)量41.02萬片，較2023年增長56.56%。受益于產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長，公司規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，成本逐步優(yōu)化，推動產(chǎn)品毛利達到32.92%，相較去年同期增加15.39個百分點。

展望未來，天岳先進將依托在產(chǎn)能布局、技術(shù)沉淀以及所處行業(yè)等多方面所具備的領(lǐng)先優(yōu)勢，持續(xù)提升公司產(chǎn)品品質(zhì)及產(chǎn)能規(guī)模，進而實現(xiàn)公司整體盈利能力的向上發(fā)展。

天岳先進專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。在近日召開的Semicon China 2025展會上，該公司全方位展示了6/8/12英寸全系列碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣，包括12英寸半絕緣型，12英寸N型，12英寸P型碳化硅襯底。

今年2月，天岳先進在港交所遞交招股書，擬在香港主板上市。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。