圖片來源：羅姆半導(dǎo)體

圖為BM6GD11BFJ-LB，SOP-JW8 Package(4.90mmx6.00mm,H=Max. 1.65mm）

新產(chǎn)品是羅姆首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號的安全傳輸。

新產(chǎn)品通過采用羅姆自主開發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實現(xiàn)高達2MHz的高頻驅(qū)動。通過充分發(fā)揮GaN器件的高速開關(guān)特性，不僅有助于應(yīng)用產(chǎn)品更加節(jié)能和實現(xiàn)更高性能，還可通過助力外圍元器件的小型化來削減安裝面積。

另外，隔離型柵極驅(qū)動器IC的抗擾度指標——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）達到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關(guān)時令人困擾的高轉(zhuǎn)換速率引發(fā)的誤動作，從而有助于系統(tǒng)實現(xiàn)穩(wěn)定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導(dǎo)通時間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。

GaN器件的柵極驅(qū)動電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機功耗。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：納微半導(dǎo)體

當前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配電系統(tǒng)，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨著AI算力需求激增，單個機架功率突破200kW時，傳統(tǒng)架構(gòu)面臨效率下降、銅材消耗劇增等物理極限問題。800V架構(gòu)通過減少銅材使用量45%、降低電流傳輸損耗，可支撐吉瓦級AI計算負載。

根據(jù)納微半導(dǎo)體官方披露，其GaNFast氮化鎵功率芯片與GeneSiC碳化硅技術(shù)將在合作中發(fā)揮核心作用。其GaNFast功率芯片集成驅(qū)動、控制與保護功能，支持高達800V的瞬態(tài)電壓，并通過GaNSense技術(shù)實現(xiàn)超高功率密度（92.36W/cm3）和97.9%的半載效率，顯著優(yōu)化了數(shù)據(jù)中心的能源利用率。

英偉達規(guī)劃顯示，該架構(gòu)將直接服務(wù)于其“Kyber”機架級電力系統(tǒng)，配套維諦技術(shù)計劃于2026年推出的800VDC電源產(chǎn)品組合，包括集中式整流器、高效直流母線槽及機架級DC-DC轉(zhuǎn)換器。

800V高壓技術(shù)的應(yīng)用不僅限于數(shù)據(jù)中心。新能源汽車領(lǐng)域已率先布局800V平臺，以解決充電速度與續(xù)航焦慮。例如，保時捷、小鵬、比亞迪等車企已推出相關(guān)車型，帶動碳化硅器件需求激增。

英偉達與納微半導(dǎo)體的合作，將AI計算需求與功率半導(dǎo)體創(chuàng)新深度綁定。從數(shù)據(jù)中心到電動汽車，800V高壓架構(gòu)正成為提升能效、突破功率密度的核心路徑。隨著技術(shù)成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，這一架構(gòu)或?qū)⒅匦露x全球半導(dǎo)體及新能源產(chǎn)業(yè)格局。

此前5月5日，納微半導(dǎo)體公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務(wù)業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，納微半導(dǎo)體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。

圖片來源：納微半導(dǎo)體公告截圖

納微半導(dǎo)體表示預(yù)計2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預(yù)計為38.5%，上下浮動0.5%，非GAAP運營費用預(yù)計約為1,550萬美元。

稍早一些3月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動器。4月，納微半導(dǎo)體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司正式達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動的機器人關(guān)節(jié)模組（型號：ZK-RI 0–PRO–B），具有250Hz高頻神經(jīng)反射與5ms全鏈路時延，峰值扭矩<18Nm和長時間持續(xù)工作低溫升特點，適用于工業(yè)機器人、具身機器人及特種寬溫機器人設(shè)備等智能傳動領(lǐng)域。

source：中科阿爾法

據(jù)介紹，該模組內(nèi)置中科無線半導(dǎo)體自研AI ASIC動力系統(tǒng)芯片陣列GaN HEMT器件，可實現(xiàn)開關(guān)頻率2MHz以上99.2%能量轉(zhuǎn)換效率，同時支持10ns級快速開關(guān)特性，與傳統(tǒng)Si基MOS管方案相比提升40%。

同時，上述模組獨創(chuàng)即時通信接口，兼容15-60V寬壓輸入，采用自研曼徹斯特編碼即時通信接口(可選配 CAN/485)，并行通信全鏈路時延低于5ms，滿足ISO 13849-1 PLd級安全通信要求及“3D物理大模型”控制。

對于氮化鎵在人形機器人領(lǐng)域的應(yīng)用，業(yè)界指出，盡管氮化鎵已展現(xiàn)出顛覆性潛力，但其大規(guī)模商用仍需跨越成本與可靠性門檻。當前，單臺人形機器人需使用200余顆氮化鎵器件，導(dǎo)致BOM成本增加15%。不過，隨著技術(shù)瓶頸的逐個突破，一個由氮化鎵驅(qū)動的機器人時代，或許比我們想象的更早到來。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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外延生產(chǎn)基地正式通線

據(jù)官方披露，該外延生產(chǎn)基地自立項至通線僅耗時九個月，總建筑面積6238.38平方米，配套附屬設(shè)施占地面積2966.6平方米，專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料及電子元器件生產(chǎn)。
華潤微電子副總裁莊恒前在致辭中強調(diào)，此基地是華潤微在氮化鎵產(chǎn)線布局的關(guān)鍵里程碑，標志著公司形成從外延材料制備到器件工藝優(yōu)化的全鏈條技術(shù)能力。大連高新區(qū)管委會副主任國翔宇表示，該基地是央地合作典范，將助力區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級。

source：華潤微電子

潤新微電子是華潤微旗下專注第三代半導(dǎo)體材料和電子元器件技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)品應(yīng)用的半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)。前身為大連芯冠科技有限公司，由海外歸國團隊2016年創(chuàng)立。2022年5月20日，芯冠科技引入重量級產(chǎn)業(yè)合作伙伴華潤微電子，并正式更名為潤新微電子。

依托華潤微IDM全產(chǎn)業(yè)鏈資源，潤新微已構(gòu)建起涵蓋6英寸硅基氮化鎵外延生長、功率器件設(shè)計及制造的完整技術(shù)鏈。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源管理、太陽能逆變器等領(lǐng)域，成功進入頭部企業(yè)供應(yīng)鏈。

氮化鎵芯片累計出貨量突破一億顆

潤新微電子氮化鎵芯片出貨量破億，產(chǎn)品遍布多個細分市場。在消費電子領(lǐng)域，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于PD快充充電器，如Nothing CMF 65W、愛莎瓦特65W等品牌產(chǎn)品，憑借高功率密度和低損耗特性，助力設(shè)備實現(xiàn)小型化與高效能。

source：華潤微電子

在工業(yè)領(lǐng)域，潤新微電子的氮化鎵器件已進入通信設(shè)備、伺服電機及高端電機驅(qū)動市場，例如古石188W多口桌面充電器采用其XG65T125HS1B器件，支持高頻率開關(guān)且無需續(xù)流二極管，顯著提升系統(tǒng)效率。

此外，潤新微電子正加速拓展新能源汽車市場，規(guī)劃汽車級氮化鎵產(chǎn)品，并聯(lián)合華潤微電子推動氮化鎵在電源管理、電池系統(tǒng)等場景的應(yīng)用。公司已與多家行業(yè)頭部客戶建立合作，市場品牌影響力大幅提升。

華潤微電子表示，未來將持續(xù)加大研發(fā)投入，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，助力我國在高端功率器件市場實現(xiàn)技術(shù)突圍。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

source：成都市發(fā)展改革委

據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實際尺寸僅有0.14平方毫米，但其發(fā)光范圍、出射亮度、糾纏質(zhì)量等關(guān)鍵指標均處于國際先進水平。

值得注意的是，該芯片攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次運用氮化鎵材料，使芯片的輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并朝著單片集成方向發(fā)展。

周強教授表示，包括氮化鎵量子光源芯片在內(nèi)的量子產(chǎn)品有望在2026年實現(xiàn)多場景技術(shù)驗證。

氮化鎵材料因其在LED燈中的廣泛應(yīng)用而被熟知，其在量子光源領(lǐng)域具有獨特優(yōu)勢。它不僅具備高亮度和高效率的特點，還能提供更廣泛的輸出波長范圍，滿足量子通信的需求。周強教授表示，氮化鎵材料中蘊含的量子資源使芯片能夠承載更復(fù)雜的量子算法，為人工智能、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域的算力瓶頸提供破局可能。

氮化鎵量子光源芯片的發(fā)布為量子通信和算力支撐等領(lǐng)域帶來了巨大潛力。在量子通信層面，其特有的物理屬性可將信息安全等級提升至量子維度，為金融、政務(wù)等敏感數(shù)據(jù)傳輸構(gòu)筑“量子護城河”。此外，該芯片有望在2026年完成多場景技術(shù)驗證，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供關(guān)鍵支持。

周強教授指出，氮化鎵量子光源芯片的發(fā)布不僅是中國在量子科技領(lǐng)域的重要突破，也為全球量子技術(shù)的發(fā)展提供了新的思路。隨著技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用場景的拓展，氮化鎵量子光源芯片有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，為人類社會帶來更安全、更高效的通信和計算解決方案。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

Source: 氮矽科技

根據(jù)TrendForce 集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長率）高達49%。

報告指出，消費電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領(lǐng)域。TrendForce集邦咨詢認為，功率GaN產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時刻，幾大潛力應(yīng)用同步推動著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。

此次由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10，專為需要深度抗衰人群設(shè)計的新品，支持淺層提拉淡紋、中層嘭彈緊致、深層塑形抗垂三種工作模式，其外形結(jié)構(gòu)精巧，尺寸為52.9*53.42*210mm, 額定輸入為12V3A，內(nèi)部結(jié)構(gòu)更為精密，包含3塊PCB小板以及雙電機，其中，一塊板子區(qū)域內(nèi)采用的是2顆100V低壓氮化鎵驅(qū)動集成方案DXC3510S2CA (GaN PIIP IC)，具體集成了100V E-mode GaN HEMT和氮化鎵柵極驅(qū)動器，具備低電壓、小電阻和大電流以及0-20V 寬范圍輸入耐壓能力。這些特性極大地簡化了外圍電路設(shè)計，并為超聲波的高強度聚焦與高頻能量穩(wěn)定輸出提供了可靠的技術(shù)支持。

氮矽科技向集邦化合物半導(dǎo)體表示“DXC3510S2CA 產(chǎn)品支持超高開關(guān)頻率，有助于提升系統(tǒng)功率密度和響應(yīng)速度。與傳統(tǒng)的低壓MOS管相比，GaN 方案擁有更低的開關(guān)損耗和零反向恢復(fù)損耗特性，有效優(yōu)化了開關(guān)噪音，完美契合了消費類護膚產(chǎn)品對高可靠性的需求。

Source: 氮矽科技

將氮化鎵驅(qū)動集成方案應(yīng)用于個護產(chǎn)品是行業(yè)內(nèi)的首次嘗試，期間面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。氮矽科技及其授權(quán)代理商深圳凌海創(chuàng)電子與 Ulike 的深度合作，專注于前沿電子方案的凌海電子在雙方合作中扮演關(guān)鍵橋梁作用，在客戶解決實際問題中有著豐富的在場應(yīng)用技術(shù)協(xié)調(diào)能力，加速原廠產(chǎn)品導(dǎo)入終端應(yīng)用市場。透過此次三方緊密合作，共同克服了功率GaN元件導(dǎo)入到精巧超聲美容儀產(chǎn)品的技術(shù)障礙，經(jīng)過多次實驗室調(diào)試于優(yōu)化，最終確保了高性能、高品質(zhì) GaN 方案在該美容儀產(chǎn)品中的穩(wěn)定應(yīng)用。(文：TrendForce/Christine)

其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V 雙向器件（VGaN）、大功率合封氮化鎵 ISG6121TD、2kW四相交錯Buck、4.2kW服務(wù)器電源方案以及在數(shù)據(jù)中心和人形機器人應(yīng)用中的多款解決方案。

source：英諾賽科

英諾賽科公開介紹道， 其中一款100V GaN產(chǎn)品，全球首款量產(chǎn)，先進的雙面散熱 En-FCLGA 封裝，與傳統(tǒng)的封裝相比，導(dǎo)熱率高出 65%。

INV100FQ030C是英諾賽科全球首款100V 雙向器件（VGaN），支持雙向?qū)ê碗p向關(guān)斷，采用FCQFN4x6封裝，具備超低導(dǎo)通電阻和更寬的SOA邊界，可在48V BMS系統(tǒng)、48V總線負載開關(guān)中實現(xiàn)電池保護。

大功率合封氮化鎵 ISG6121TD是一款行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品，集成了柵極驅(qū)動和短路保護的GaN功率IC，采用TO-247-4L封裝，能夠幫助設(shè)計人員開發(fā)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關(guān)方案，可應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器PSU，車載OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，實現(xiàn)功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

2kW四相交錯Buck是2025年全新發(fā)布的方案，該方案采用四相交錯Buck拓撲，每相使用1顆INS2002FQ和4顆INN100EA035A實現(xiàn)功率傳輸，具備靈活的拓展性，效率超98%。

4.2kW服務(wù)器電源方案是英諾賽科與客戶合作開發(fā)，與傳統(tǒng)電源相比，其輕中載電能損耗可減少至少30%，實現(xiàn)超過96%的轉(zhuǎn)換效率。

此外，本月早些英諾賽科發(fā)布公告宣布其自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本。

作為氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒，英諾賽科致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造。此次多款突破性產(chǎn)品的集中亮相，不僅印證了氮化鎵材料在高頻、高效場景中的核心價值，更彰顯了英諾賽科通過技術(shù)深耕推動產(chǎn)業(yè)升級的戰(zhàn)略定力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

source：深圳平湖實驗室

通過展示和交流，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺能夠更好的發(fā)揮自身在科研、中試、分析檢測、設(shè)計仿真等領(lǐng)域的綜合優(yōu)勢，協(xié)同產(chǎn)業(yè)合作伙伴開展深度合作，打造第三代及第四代功率半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新高地。

資料顯示，根據(jù)科技部統(tǒng)一部署，深圳市從2021年開始承接國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺建設(shè)任務(wù)，2022年設(shè)立深圳平湖實驗室作為建設(shè)和運營主體， “一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同創(chuàng)新聯(lián)動”為建設(shè)原則，聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域器件物理研究、材料研究、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品中試，第四代半導(dǎo)體材料器件前沿研究，致力于打造世界領(lǐng)先的第三代及第四代功率半導(dǎo)體創(chuàng)新、中試及共享的平臺。

2024年11月，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺正式建成發(fā)布。
目前，該綜合平臺已在碳化硅、氧化鎵等多個領(lǐng)域取得了重要進展。

SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域

SiC由于莫氏硬度高達9.5，是很難加工的材料。1顆SiC晶錠，厚度為20 mm，單片損失按照300μm，理論產(chǎn)出晶片30片，單片材料損耗率達到46%。為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝。其工藝過程示意圖如下所示：

source：深圳平湖實驗室

激光剝離工藝與多線切割工對照：

source：深圳平湖實驗室

深圳平湖實驗室表示，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進程有著重要意義。

氧化鎵理論研究方面

深圳平湖實驗室第四代材料與器件課題組針對氧化鎵價帶能級低和p-型摻雜困難等問題，采用銠固溶方式理論開發(fā)了新型β相銠鎵氧三元寬禁帶半導(dǎo)體。該成果已在《Advanced Electronic Materials》期刊上發(fā)表并受邀提供期刊封面設(shè)計。該文章也被收錄到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》專題。

半導(dǎo)體材料的功率特性（巴利加優(yōu)值）與其帶隙的立方成正比。氧化鎵具有超寬的帶隙（4.9電子伏）和成熟的制備方法，是功率器件的理想材料。

然而，已有氧化鎵器件的功率特性仍顯著低于材料的理論極限，原因在于氧化鎵價帶頂能級低，能帶色散關(guān)系平坦。雜質(zhì)摻雜受主能級多在1電子伏以上，難以實現(xiàn)有效的p-型導(dǎo)電。目前氧化鎵器件多基于肖特基勢壘或與其他氧化物(如氧化鎳)形成p-n異質(zhì)結(jié)。較低的肖特基勢壘及p-n異質(zhì)結(jié)的高界面態(tài)限制了氧化鎵器件的功率特性。如何實現(xiàn)氧化鎵的p-型摻雜成為當下研究的一個關(guān)鍵問題。

source：深圳平湖實驗室（β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖）

本工作基于第一性原理考察了銠固溶氧化鎵結(jié)構(gòu)。由于銠的原子半徑與鎵接近，銠固溶氧化鎵具有較低的混合焓，固溶構(gòu)型具有高穩(wěn)定性。這種現(xiàn)象在實驗上也得到了證實，采用Pt-Rh坩堝生長氧化鎵晶體時，銠易進入氧化鎵晶格。基于能帶結(jié)構(gòu)分析，銠固溶氧化鎵仍是寬禁帶半導(dǎo)體，其價帶頂由銠和鄰近的氧原子軌道雜化形成，對應(yīng)能級較氧化鎵價帶頂顯著上升。

此外，價帶頂附近能帶色散曲率增加，這與沿[010]晶向離域的電子態(tài)密度密切相關(guān)，故該工作作者建議在氧化鎵[010]晶向襯底外延生長銠固溶氧化鎵外延層。具體地，銠固溶摩爾比濃度在0-50%范圍內(nèi)，固溶體的半導(dǎo)體帶隙在3.77和4.10電子伏之間，其價帶頂能級相較于氧化鎵上升了至少1.35電子伏。銠摩爾比為25%時，其空穴有效質(zhì)量僅為氧化鎵的52.3%，這有助于實現(xiàn)p型摻雜，擴展材料應(yīng)用范圍和改進器件的性能。

source：深圳平湖實驗室（圖中(a)和(b)分別為銠固溶摩爾比為25%時的晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖，(c) 銠固溶氧化鎵β-(RhxGa1-x)2O3在不同摩爾濃度x下的能帶對齊圖）

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

1、聞泰科技：AI賦能，功率半導(dǎo)體迎來新機遇

聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和通信技術(shù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、光學、無線和功率器件等領(lǐng)域。2024年，公司繼續(xù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大研發(fā)投入，特別是在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料方面取得了顯著進展。

4月25日，聞泰科技發(fā)布2024年年報，顯示公司營收達到735.98億元，同比增長20.23%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為突出，實現(xiàn)營收147.15億元，凈利潤22.97億元，毛利率達37.47%。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

值得強調(diào)的是，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國區(qū)市場表現(xiàn)強勁，收入連續(xù)四個季度實現(xiàn)環(huán)比增長，中國區(qū)收入占比穩(wěn)步提升至46.91%，且在2025年第一季度同比增長約24%。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進展。

碳化硅方面， 公司成功推出了高性能車規(guī)級1200V SiC MOSFET，該產(chǎn)品憑借其卓越的性能，已廣泛應(yīng)用于電池儲能、光伏逆變器等工業(yè)場景，展現(xiàn)出強大的市場潛力。

氮化鎵方面， 聞泰科技作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠同時提供D-mode（耗盡型）和E-mode（增強型）GaN器件的企業(yè)，其產(chǎn)品線覆蓋了40V至700V的電壓規(guī)格，并已在消費電子快充以及通信基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付，進一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

為進一步滿足全球客戶對下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，聞泰科技于2024年6月宣布計劃投資2億美元用于SiC、GaN等產(chǎn)品的研發(fā)，并將在漢堡工廠建設(shè)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)施，彰顯了公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略決心。

此外，由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車規(guī)級晶圓廠已順利完成車規(guī)認證并實現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑事件標志著聞泰科技在車規(guī)級芯片的自主產(chǎn)能和工藝水平邁上了新的臺階，為其包括碳化硅在內(nèi)的模擬芯片國產(chǎn)化進程提供了堅實的保障。

在報告中，聞泰科技指出，AI算力的爆發(fā)為功率半導(dǎo)體開辟了新的增長點。在AI服務(wù)器和AI終端中，公司GaN器件能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗和成本，并實現(xiàn)更小的器件尺寸，從而提高數(shù)據(jù)中心等運算密集型應(yīng)用的效率。同時，隨著端側(cè)算力的發(fā)展，GaN FET芯片已成功在消費電子快充客戶中實現(xiàn)量產(chǎn)。

2、三安光電：深耕化合物半導(dǎo)體，碳化硅業(yè)務(wù)多點開花

三安光電持續(xù)聚焦化合物半導(dǎo)體核心主業(yè)，穩(wěn)步推進LED業(yè)務(wù)，并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術(shù)等集成電路業(yè)務(wù)。

source：三安光電

根據(jù)最新報告，三安光電在2025年第一季度實現(xiàn)主營收入43.12億元，較上年同期增長21.23%。更為顯著的是，歸屬于母公司的凈利潤達到2.12億元，同比大幅增長78.46%?？鄢墙?jīng)常性損益后的凈利潤為7469萬元，較去年同期激增331.43%，展現(xiàn)出強勁的盈利能力。

回顧2024年，三安光電實現(xiàn)營業(yè)收入約118.5億元，同比增長約14.61%。盡管年度凈利潤約為2.5億元，同比下降約31.02%，但值得關(guān)注的是，集成電路業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出，實現(xiàn)主營業(yè)務(wù)收入同比增長23.86%，其中碳化硅產(chǎn)品展現(xiàn)出強勁的增長勢頭，為公司整體營收增長注入了新的動能。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

據(jù)悉，在2024年，三安光電集成電路業(yè)務(wù)實現(xiàn)顯著進展，其中碳化硅業(yè)務(wù)是三安光電的重點發(fā)展方向，公司圍繞車規(guī)級應(yīng)用，加快碳化硅MOSFET技術(shù)迭代，并穩(wěn)步推進與意法半導(dǎo)體合資的重慶8英寸碳化硅項目落地。湖南三安作為國內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺，已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8英寸碳化硅襯底、外延產(chǎn)能1,000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中，擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。具體來看：

產(chǎn)品布局：湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè)，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應(yīng)用于電源領(lǐng)域。

SiC MOSFET產(chǎn)品：公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級市場，部分產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)并批量供貨。

合資項目進展：湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法已于2025年2月實現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，規(guī)劃達產(chǎn)后8英寸外延、芯片產(chǎn)能為48萬片/年。湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線已實現(xiàn)通線，全橋功率模塊已在2025年一季度實現(xiàn)批量下線。

而在射頻前端領(lǐng)域，該公司構(gòu)建了專業(yè)的射頻代工平臺和產(chǎn)品封裝平臺，提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案，廣泛應(yīng)用于手機、WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站等市場。受益于終端市場需求的回暖以及客戶供應(yīng)鏈的調(diào)整，公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業(yè)務(wù)營業(yè)收入較上年同期實現(xiàn)了大幅增長，鞏固了其在射頻前端國產(chǎn)供應(yīng)鏈中的重要地位。

在氮化鎵射頻代工領(lǐng)域，公司面向通信基站市場提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺，并積極投入消費級射頻及6G應(yīng)用工藝的研發(fā)，客戶結(jié)構(gòu)實現(xiàn)突破，與國際客戶的合作產(chǎn)品已通過初步驗證。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

近年濟南市依托政策扶持、技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)鏈整合，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢。濟南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園匯聚山東天岳、山東晶鎵、比亞迪半導(dǎo)體等龍頭企業(yè)，涵蓋材料、芯片、器件、封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

濟南碳化硅領(lǐng)域，以天岳先進、中晶芯源等公司為代表

山東天岳先進科技股份有限公司成立于2010年，是一家專注于碳化硅襯底材料的高科技領(lǐng)軍企業(yè)，2022年成功登陸A股科創(chuàng)板。目前該公司已掌握世界最大尺寸12英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)技術(shù)。在SEMICON China2025展會上，天岳先進全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電p型及12英寸導(dǎo)電n型碳化硅襯底。

source：天岳先進

天岳先進在p型重摻雜、大尺寸碳化硅襯底制備等關(guān)鍵技術(shù)上已取得系列突破，并穩(wěn)固掌握晶體生長、缺陷控制、加工檢測及部件自制等全技術(shù)鏈條。

山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司成立于2023年05月19日，注冊地位于山東省濟南市歷城區(qū)彩石街道虎山路889號，該公司專注于碳化硅（SiC）單晶襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其技術(shù)來源于山東大學晶體材料國家重點實驗室，擁有20多年的碳化硅單晶襯底開發(fā)經(jīng)驗。

該公司與山東大學建立了全方位的產(chǎn)學研合作關(guān)系，設(shè)有山東大學晶體材料國家重點實驗室產(chǎn)業(yè)化基地、山東大學研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地和山東大學-中晶芯源碳化硅半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室。

氮化鎵領(lǐng)域，以山東晶鎵等公司為代表

山東晶鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2023年8月，主要從事氮化鎵（GaN）自支撐單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

今年4月， 媒體報道山東大學與山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司在4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底制備方面取得的重大突破：結(jié)合多孔襯底技術(shù)和應(yīng)力調(diào)控策略成功獲得了低應(yīng)力、高質(zhì)量的4英寸GaN單晶襯底。該4英寸GaN襯底在尺寸、晶體質(zhì)量（FWHM平均值為57.91″，位錯密度為~9.6×10⁵cm^-2)、應(yīng)力均一性和表面質(zhì)量方面（無損傷、Ra<0.2 nm）均表現(xiàn)優(yōu)異，達到國際先進水平，為高功率、高頻器件的批量制備奠定了基礎(chǔ)。

source：晶鎵半導(dǎo)體（圖為GaN襯底測試結(jié)果）

展望未來，隨著產(chǎn)業(yè)鏈完善和技術(shù)迭代，濟南有望成為全國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心增長極，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控貢獻力量。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）