卓勝微表示，射頻前端模組市場(chǎng)空間廣闊，從公司當(dāng)前面臨的市場(chǎng)需求來(lái)看，一方面當(dāng)前5G技術(shù)核心射頻前端芯片及模組生產(chǎn)的國(guó)產(chǎn)替代需求迫切，產(chǎn)能需求有望不斷增加；另一方面公司通過(guò)持續(xù)依托自有產(chǎn)線深耕技術(shù)工藝研發(fā)，發(fā)揮快速產(chǎn)品迭代優(yōu)勢(shì)，推出更加定制化及模組化的新產(chǎn)品，可觸達(dá)更加高端化、定制化的客戶需求與更豐富的應(yīng)用場(chǎng)景，從而進(jìn)一步擴(kuò)大與主要客戶的合作，獲取更多市場(chǎng)份額。

隨著公司產(chǎn)線建設(shè)順利、自研自產(chǎn)芯片產(chǎn)品獲得廣泛的客戶認(rèn)可，既存市場(chǎng)的產(chǎn)品需求保持旺盛、高端產(chǎn)品定制化差異化發(fā)展路徑的優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，公司本次擬投資的射頻芯片制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，可保障公司穩(wěn)固現(xiàn)有供應(yīng)鏈的基礎(chǔ)上，強(qiáng)化應(yīng)變能力，進(jìn)一步滿足下游市場(chǎng)群體不同的產(chǎn)品與技術(shù)需求，持續(xù)提升品牌影響力和市場(chǎng)滲透率。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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近期，市場(chǎng)傳出元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司在氮化鎵領(lǐng)域的新動(dòng)態(tài)。

元芯推出高性能氮化鎵功率器件

近日，元芯半導(dǎo)體正式發(fā)布全新一代集成化GaN功率芯片ezGaN系列，采用全集成設(shè)計(jì)，將高壓GaN晶體管、智能驅(qū)動(dòng)電路、多重保護(hù)功能（過(guò)壓/過(guò)流/過(guò)溫）及無(wú)損電流監(jiān)測(cè)模塊整合于單一封裝內(nèi)。

上述產(chǎn)品具備如下特點(diǎn)：精準(zhǔn)無(wú)損電流采樣；超寬范圍VCC供電 （5V to 40V）；可配置驅(qū)動(dòng)速度，優(yōu)化EMI設(shè)計(jì)；超短驅(qū)動(dòng)延時(shí)（5ns)；超短有效PWM脈寬（1.4ns)；支持更高頻率工作(50MHz)；集成溫度采樣和過(guò)溫保護(hù)；200V/ns dv/dt耐受能力。

‍資料顯示，元芯半導(dǎo)體以高性能高可靠性模擬芯片解決方案和第三代半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)為核心，面向光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、5G通訊等領(lǐng)域，提供硅基高性能模擬芯片和第三代半導(dǎo)體功率芯片一站式系統(tǒng)整體解決方案，推動(dòng)低能耗高性能高可靠性功率電子技術(shù)的發(fā)展以滿足節(jié)能減碳的迫切需求。

比亞迪&大疆：車載無(wú)人機(jī)采用氮化鎵技術(shù)

近期，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無(wú)人機(jī)系統(tǒng)——靈鳶。

靈鳶系統(tǒng)采用雙側(cè)對(duì)夾式100W快充模塊，采用氮化鎵材料將充電效率提升至94%，-30℃低溫環(huán)境下仍可30分鐘補(bǔ)電60%。

這不是大疆無(wú)人家首次采用氮化鎵技術(shù)，去年7月，大疆發(fā)布了電助力山地車 Amflow PL、Avinox 電助力系統(tǒng)兩大產(chǎn)品，后者就支持氮氮化鎵3倍快充技術(shù)，其采用的12A/508W 快充充電器的充電速度是 4A/168W普通充電器的 3 倍，800瓦時(shí)電池電量從0%充到75%僅需約1.5小時(shí)。

貝爾金發(fā)布11合1 Pro GaN擴(kuò)展塢

近期，貝爾金（Belkin）推出升級(jí)版移動(dòng)電源、頭戴式耳機(jī)以及11 合 1 Pro GaN 擴(kuò)展塢等多款新品。

這款擴(kuò)展塢內(nèi)置電源適配器，供電方面，僅需一根電源線連接插座。該擴(kuò)展塢最大供電功率150W，單個(gè)USB-C端口支持96W，滿足16英寸MacBook Pro 需求，此外提供7.5W、15W和20W充電端口，適用于iPhone、iPad等設(shè)備。

同時(shí)，該款擴(kuò)展塢配備 11 個(gè)端口，包括10Gb/s USB-A、10Gb/s USB-C、5Gb/s USB-C、96W PD USB-C、3.5mm音頻輸入/輸出、SD卡槽、micro SD卡槽、兩個(gè)HDMI 2.0端口和千兆以太網(wǎng)端口。

賽微電子：氮化鎵芯片處于工藝開(kāi)發(fā)階段

近期，賽微電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露了相關(guān)產(chǎn)線進(jìn)展情況，其表示：

深圳產(chǎn)線的相關(guān)工作正在開(kāi)展中；MEMS先進(jìn)封裝測(cè)試業(yè)務(wù)目前仍處于建設(shè)階段。

在試驗(yàn)線層面，截至目前已在公司MEMS基地（北京FAB3）建成并運(yùn)營(yíng)，與客戶需求對(duì)接、工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)、部分產(chǎn)品試制等相關(guān)活動(dòng)已在公司現(xiàn)有條件下展開(kāi)，工藝技術(shù)團(tuán)隊(duì)搭建持續(xù)進(jìn)行，與項(xiàng)目相關(guān)的設(shè)備采購(gòu)已大規(guī)模實(shí)施，該項(xiàng)目實(shí)施主體賽積國(guó)際目前已在公司控股子公司賽萊克斯北京MEMS基地內(nèi)租賃部分空間并建成一條小規(guī)模試驗(yàn)線。

在商業(yè)線層面，基于產(chǎn)線選址、資源要素、發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃等方面的考量，公司仍在謹(jǐn)慎商討決策具體建設(shè)方案，有可能是在現(xiàn)有廠房中推進(jìn)建設(shè)；基于MEMS工藝的氮化鎵芯片仍處于工藝開(kāi)發(fā)階段，還需要時(shí)間；公司已持續(xù)開(kāi)發(fā)、量產(chǎn)各自不同型號(hào)類別的濾波器；公司與武漢敏聲保持長(zhǎng)期、穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體flora整理）

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01新疆北屯40億元半導(dǎo)體材料項(xiàng)目簽約，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

據(jù)第十師北屯市公眾號(hào)消息，近日，新疆第十師北屯市與北京卓融和遠(yuǎn)科技發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱“北京卓融和遠(yuǎn)科技”）正式簽約總投資40億元的半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，標(biāo)志著該地區(qū)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

據(jù)了解，新疆北屯卓融和遠(yuǎn)半導(dǎo)體材料項(xiàng)目位于北屯市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，總投資40億元。項(xiàng)目選址北屯市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，將依托當(dāng)?shù)刎S富的礦產(chǎn)資源、區(qū)位優(yōu)勢(shì)及政策環(huán)境，重點(diǎn)發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及材料研發(fā)制造，涵蓋碳化硅（SiC）、金剛石等核心材料。

企查查顯示，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司間接持有北京卓融和遠(yuǎn)科技30%股權(quán)。江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體成立于2018年，是一家以創(chuàng)新開(kāi)發(fā)為主導(dǎo)，以先進(jìn)技術(shù)為基石的第三代半導(dǎo)體高新科技企業(yè)。公司自成立以來(lái)一直專注于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營(yíng)業(yè)務(wù)有寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)裝備、金剛石與碳化硅SiC晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用。

02廣西梧州龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園開(kāi)工，年產(chǎn)30噸合成碳化硅晶體

3月5日，廣西梧州市長(zhǎng)洲區(qū)舉行重大項(xiàng)目集中開(kāi)竣工活動(dòng)，其中龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目正式啟動(dòng)。該項(xiàng)目總投資約50億元，占地面積250畝，聚焦合成立方氧化鋯與合成碳化硅晶體材料生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)1萬(wàn)噸合成立方氧化鋯晶體及30噸合成碳化硅晶體，建成后將形成集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)加工、銷售貿(mào)易于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

作為長(zhǎng)洲區(qū)寶石產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心項(xiàng)目，產(chǎn)業(yè)園將引入智能化生產(chǎn)設(shè)備，推動(dòng)傳統(tǒng)珠寶加工向綠色化、高端化轉(zhuǎn)型。同時(shí)，項(xiàng)目將聯(lián)動(dòng)京東科技等企業(yè)，深化數(shù)字經(jīng)濟(jì)與實(shí)體經(jīng)濟(jì)融合，預(yù)計(jì)帶動(dòng)就業(yè)超千人，并為村級(jí)集體經(jīng)濟(jì)增收提供新路徑。長(zhǎng)洲區(qū)政府表示，將通過(guò)“專班推進(jìn)+要素保障”模式，確保項(xiàng)目2025年內(nèi)投產(chǎn)見(jiàn)效。

03元山電子啟動(dòng)二期車規(guī)級(jí)SiC項(xiàng)目，加速國(guó)產(chǎn)碳化硅模組量產(chǎn)

據(jù)“濟(jì)南報(bào)業(yè)時(shí)政融媒”報(bào)道，2月24日，元山（濟(jì)南）電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“元山電子”）投資建設(shè)的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組自動(dòng)化產(chǎn)線”已取得新的進(jìn)展。該項(xiàng)目的一期試線建設(shè)已全面完成，二期正加快建設(shè)，今年一季度完成自動(dòng)化產(chǎn)線搭建并開(kāi)始投產(chǎn)。

此前2024年12月，元山電子宣布車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組全自動(dòng)量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷，標(biāo)志著其二期項(xiàng)目進(jìn)入投產(chǎn)沖刺階段。該項(xiàng)目總投資3億元，規(guī)劃建設(shè)60萬(wàn)只碳化硅功率模塊產(chǎn)線，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值超5億元，可滿足新能源汽車、儲(chǔ)能、光伏等領(lǐng)域的高功率需求。

在2024年12月元山電子車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組全自動(dòng)量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷的同時(shí)，晶能微電子的車規(guī)級(jí) Si/SiC 封測(cè)產(chǎn)線擴(kuò)建項(xiàng)目（總投資超億元）也在同期推進(jìn)，雙方通過(guò)技術(shù)互補(bǔ)與產(chǎn)能協(xié)同，加速國(guó)產(chǎn)碳化硅模組的規(guī)?；瘧?yīng)用。

公開(kāi)資料顯示，元山電子成立于2020年，專注于碳化硅模組研發(fā)，其產(chǎn)品性能已達(dá)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。此次二期項(xiàng)目將進(jìn)一步優(yōu)化工藝，引入全自動(dòng)封裝技術(shù)，提升車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的可靠性與一致性。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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資料顯示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系統(tǒng)通過(guò)與環(huán)境的互動(dòng)，利用身體的感知和運(yùn)動(dòng)能力來(lái)實(shí)現(xiàn)學(xué)習(xí)和推理的能力。這種智能形式強(qiáng)調(diào)身體在認(rèn)知過(guò)程中的重要性，認(rèn)為智能不僅僅是腦部的活動(dòng)，還包括身體的運(yùn)動(dòng)和感知。它強(qiáng)調(diào)智能體（如機(jī)器人）與其物理形態(tài)和所處環(huán)境之間的密切聯(lián)系，認(rèn)為智能行為是通過(guò)身體與環(huán)境的交互而產(chǎn)生的，且在實(shí)踐過(guò)程中通過(guò)循環(huán)的感知、決策、行動(dòng)和反饋來(lái)實(shí)現(xiàn)“智能增長(zhǎng)”。

隨著人工智能和機(jī)器人技術(shù)的飛速發(fā)展，具身智能逐漸成為人工智能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，未來(lái)前景廣闊。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的研究，2025年各機(jī)器人大廠逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預(yù)估2027年全球人形機(jī)器人市場(chǎng)產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)154%。

業(yè)界指出，正如AI驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展一樣，具身智能也可以為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)助力，尤其是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。此前，特斯拉的Optimus人形機(jī)器人搭載了28個(gè)關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，而每個(gè)電機(jī)則需要1~2顆IGBT等功率器件。

除IGBT之外，氮化鎵在具身智能產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用潛力也不斷凸顯。

此前，英飛凌詳細(xì)介紹了氮化鎵在機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，該公司認(rèn)為氮化鎵在提升能效與縮小體積方面具備優(yōu)勢(shì)，將推動(dòng)人行機(jī)器人、護(hù)理機(jī)器人和送貨無(wú)人機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)。

英飛凌認(rèn)為，隨著機(jī)器人技術(shù)集成自然語(yǔ)言處理（NLP）和計(jì)算機(jī)視覺(jué)等AI先進(jìn)技術(shù)，氮化鎵將為打造更高效、更緊湊的設(shè)計(jì)帶來(lái)必要的能效?；贕aN的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能提供優(yōu)異能效和性能、更高功率密度、更少電機(jī)損耗和更高速的開(kāi)關(guān)能力。這些技術(shù)帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)，比如無(wú)需笨重的電解電容器、縮小尺寸并提高了可靠性。將逆變器集成到電機(jī)機(jī)箱中，可減少散熱器的需求，同時(shí)優(yōu)化關(guān)節(jié)/軸的布線，并簡(jiǎn)化了EMC設(shè)計(jì)。更高效的控制頻率可改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。

具有高開(kāi)關(guān)頻率的GaN基電機(jī)控制設(shè)計(jì)還支持在緊湊的密封外殼中實(shí)現(xiàn)更高的功率，在高頻下，GaN能夠提供優(yōu)異的性能，這進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的效率（包括逆變器和電機(jī)的損耗），并保持較低工作溫度。

國(guó)內(nèi)應(yīng)用方面，近期，中科半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)推出了首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片，縮短了具身機(jī)器人開(kāi)發(fā)成本和姿態(tài)學(xué)習(xí)時(shí)間，有望加速具身機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的商用化步伐。

該款芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標(biāo)，通過(guò)芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號(hào)控制上100條仿真肌肉及伺服電機(jī)系統(tǒng)來(lái)完成復(fù)雜的原子操作，單個(gè)姿態(tài)運(yùn)動(dòng)達(dá)32個(gè)自由度。通過(guò)“邊緣物理模型”輸出PWM信號(hào)控制物理量信號(hào)，使機(jī)器人具有人一樣的復(fù)雜肢體動(dòng)作和物理質(zhì)量的約束。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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官方資料顯示，先導(dǎo)科技集團(tuán)有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)，先導(dǎo)稀材項(xiàng)目總投資120億元，于2024年3月簽約落戶武漢，并于同年7月底實(shí)質(zhì)開(kāi)工。據(jù)項(xiàng)目經(jīng)理孫全介紹，目前除1號(hào)、4號(hào)廠房沖刺施工，其他主體建筑已于1月封頂。

當(dāng)前國(guó)產(chǎn)光通信、射頻芯片正處于上升期，武漢及周邊相關(guān)生態(tài)集聚度高，對(duì)砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體材料需求較大，先導(dǎo)稀材項(xiàng)目投產(chǎn)后，將年產(chǎn)高端化合物半導(dǎo)體襯底材料數(shù)十萬(wàn)片，可補(bǔ)足本地芯片產(chǎn)業(yè)鏈的上游短板，有力填補(bǔ)光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導(dǎo)體襯底、外延材料的空白。

值得關(guān)注的是，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展方面，2025年1月，先導(dǎo)科技集團(tuán)成為萬(wàn)業(yè)企業(yè)的股東，將為萬(wàn)業(yè)企業(yè)集成電路業(yè)務(wù)的發(fā)展提供強(qiáng)有力的產(chǎn)業(yè)支持。

1月16日，萬(wàn)業(yè)企業(yè)發(fā)布公告，先導(dǎo)科技集團(tuán)控制的相關(guān)類似業(yè)務(wù)將在12個(gè)月內(nèi)整合至萬(wàn)業(yè)企業(yè)，以此解決同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)業(yè)資源配置，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)的協(xié)同發(fā)展。（集邦化合物半導(dǎo)體KIKI整理）

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該項(xiàng)目計(jì)劃投資120億元，涵蓋生產(chǎn)車間、研發(fā)中心、辦公樓及配套設(shè)施，于2024年3月簽約落戶，同年7月底實(shí)質(zhì)開(kāi)工。

當(dāng)前國(guó)產(chǎn)光通信、射頻芯片正處于上升期，武漢及周邊相關(guān)生態(tài)集聚度高，對(duì)砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體材料需求極大，而先導(dǎo)科技是全球最大稀散金屬生產(chǎn)企業(yè)，砷化鎵襯底材料出貨量全球第一。

項(xiàng)目投產(chǎn)后，將年產(chǎn)高端化合物半導(dǎo)體襯底材料數(shù)十萬(wàn)片，可補(bǔ)足本地芯片產(chǎn)業(yè)鏈的上游短板，并有望助力武漢企業(yè)盡早搶占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，帶動(dòng)周邊產(chǎn)業(yè)鏈共享發(fā)展先機(jī)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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值得注意的是，這并不是該公司首次開(kāi)啟IPO。早在2022年10月，飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)文件曾獲上海證券交易所受理，該公司當(dāng)時(shí)擬募資15.22億元。2024 年 9 月，公司及保薦機(jī)構(gòu)向上海證券交易所撤回發(fā)行上市申請(qǐng)，上海證券交易所于2024年10月終止公司的發(fā)行上市審核。

公開(kāi)資料顯示，飛驤科技成立于2015年，前身為深圳國(guó)民飛驤科技有限公司。該公司法定代表人是公司創(chuàng)始人龍華，其控股股東上海上驤企業(yè)管理中心（有限合伙），直接持股14.30%，通過(guò)特別表決權(quán)股份安排實(shí)際享有37.34%的表決權(quán)。

飛驤科技是一家專注于射頻前端芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售的公司，核心業(yè)務(wù)覆蓋2G – 5G全品類射頻前端芯片，產(chǎn)品包括射頻功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等。

2020年6月，飛驤科技發(fā)布了第一套完整支持所有5G頻段的國(guó)產(chǎn)射頻前端解決方案和第一套采用國(guó)產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)5G性能的射頻前端模塊，提供5G/4G/3G/2G射頻方案、IoT射頻方案、Wi-Fi射頻方案?，F(xiàn)在該公司已量產(chǎn)出貨L-PAMiF、PAMiF、L-FEM等高集成度5G模組，技術(shù)難度更大的高集成度5G模組L-PAMiD和L-DiFEM已完成設(shè)計(jì)并開(kāi)始樣品驗(yàn)證。

其核心終端客戶涵蓋傳音、聯(lián)想（摩托羅拉）、聞泰科技、天瓏移動(dòng)、華勤技術(shù)、中諾通訊、龍旗科技、榮耀等知名品牌，并且成功進(jìn)入這些知名ODM廠商的供應(yīng)鏈體系。

據(jù)飛驤科技公布財(cái)報(bào)，其在2019-2024年上半年分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為1.16億元、3.65億元、9.16億元、10.22億元、17.17億元和11.31億元。2019-2023年五年復(fù)合增長(zhǎng)率為96.19%，其中2023年?duì)I收同比增長(zhǎng)68.08%，2024年上半年同比增長(zhǎng)107.25%。

具體來(lái)看，2019-2023年飛驤科技處于虧損狀態(tài)，其中2019年到2022年分別虧損1.2億元、1.75億元、3.41億元、3.62億元，2023年則大幅縮窄到虧損1.93億元。五年累計(jì)虧損額約為11.91億元。在2024年上半年。飛驤科技持續(xù)大幅扭虧，至凈利潤(rùn)在1327.99萬(wàn)元至1827.99萬(wàn)元的區(qū)間，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。

官方表示，業(yè)績(jī)轉(zhuǎn)好主要得益于5G模組及泛連接等產(chǎn)品的良好表現(xiàn)。自從銷售5G產(chǎn)品以來(lái)，飛驤科技5G產(chǎn)品營(yíng)收從2020年的不足億元增長(zhǎng)至2023年的4億元，毛利率達(dá)22.19%。該公司泛連接產(chǎn)品營(yíng)收也從2021年的418萬(wàn)元增長(zhǎng)至2023年的1.17億元。此外，飛驤科技還披露其高技術(shù)門(mén)檻的L-PAMiD產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)突破并放量出貨。

飛驤科技表示，2024年至2025年，預(yù)計(jì)公司將綜合受益于Wi-Fi、L-PAMiD、車載、衛(wèi)星通信等高附加值產(chǎn)品的導(dǎo)入帶來(lái)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化以及客戶結(jié)構(gòu)優(yōu)化（A 公司、榮耀、vivo）等品牌客戶占比提升，以及期間費(fèi)用將趨于穩(wěn)定或緩增，預(yù)計(jì)會(huì)迎來(lái)盈利拐點(diǎn)。

另外，公開(kāi)資料顯示，從2015年至今，飛驤科技共計(jì)完成14輪融資，引入招商證券、聞泰科技等戰(zhàn)略投資者，研發(fā)投入累計(jì)超10億元，公司專利206項(xiàng)。

值得注意的是，飛驤科技自2015年起便錨定國(guó)產(chǎn)砷化鎵（GaAs）工藝替代，其5G模組采用自主設(shè)計(jì)的國(guó)產(chǎn)GaAs工藝平臺(tái)量產(chǎn)，較進(jìn)口方案成本降低30%，并率先進(jìn)入三星Galaxy系列供應(yīng)鏈。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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芯片采用SIP封裝技術(shù)，內(nèi)置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號(hào)陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類傳感器及生物信息采集的高速接口。

應(yīng)用領(lǐng)域

該芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標(biāo)，通過(guò)芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號(hào)控制上100條仿真肌肉及伺服電機(jī)系統(tǒng)來(lái)完成復(fù)雜的原子操作，單個(gè)姿態(tài)運(yùn)動(dòng)達(dá)32個(gè)自由度。

通過(guò)“邊緣物理模型”輸出PWM信號(hào)控制物理量信號(hào)，使機(jī)器人具有人一樣的復(fù)雜肢體動(dòng)作和物理質(zhì)量的約束。

當(dāng)前，隨著人口老齡化問(wèn)題日益突出，機(jī)器人市場(chǎng)需求逐步提升，氮化鎵在其中的作用逐漸受到關(guān)注。

此前，英飛凌預(yù)計(jì)氮化鎵功率半導(dǎo)體正處于高速增長(zhǎng)軌道，并在多個(gè)行業(yè)逐步邁向關(guān)鍵拐點(diǎn)。

在機(jī)器人領(lǐng)域，英飛凌指出，得益于氮化鎵在提升能效和縮小體積方面的優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)人形機(jī)器人、護(hù)理機(jī)器人和送貨無(wú)人機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)。隨著機(jī)器人技術(shù)集成自然語(yǔ)言處理（NLP）和計(jì)算機(jī)視覺(jué)等AI先進(jìn)技術(shù)，GaN將為打造更高效、更緊湊的設(shè)計(jì)帶來(lái)必要的能效。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。

ISG612xTD SolidGaN IC

ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范圍為 22m?~59m?（最大25C）。

ISG612xTD系列采用精密Vgs柵極驅(qū)動(dòng)器、快速短路保護(hù)和 TO247-4L 封裝，具有出色的熱性能。這些配置使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)具有 Titanium Plus 效率的高頻開(kāi)關(guān)，功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

產(chǎn)品包含

ISG6121TD
ISG6122TD
ISG6123TD
ISG6124TD

該系列產(chǎn)品還配備了內(nèi)置保護(hù)，包括DESAT保護(hù)、輸入U(xiǎn)VLO和OTP，能夠進(jìn)一步確保設(shè)備的穩(wěn)健性和系統(tǒng)安全性。

產(chǎn)品性能

集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引腳，可直接替換
10V~24V輸入電壓范圍支持主流驅(qū)動(dòng)器和控制器生態(tài)
內(nèi)置米勒鉗位，無(wú)需負(fù)壓關(guān)斷，支持高達(dá)100V/ns開(kāi)關(guān)速度
集成短路保護(hù)，欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)，增加系統(tǒng)魯棒性

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

高開(kāi)關(guān)頻率
高功率密度
高散熱能力
高抗干擾能力
簡(jiǎn)單易用
高可靠性

應(yīng)用領(lǐng)域

適合500W-4KW大功率電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源，空調(diào)電源，汽車OBC

作為行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品，ISG612XTD SolidGaN IC將先進(jìn)的700V E型GaN FET無(wú)縫集成，為電力電子的性能、易用性和可靠性設(shè)定了全新標(biāo)準(zhǔn)，有望成為高效率、高安全性的終端應(yīng)用系統(tǒng)的關(guān)鍵器件。

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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室SiC襯底激光剝離技術(shù)新進(jìn)展

近期，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。

SiC由于莫氏硬度高達(dá)9.5，是很難加工的材料，傳統(tǒng)加工流程材料損耗率大，為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部開(kāi)發(fā)激光剝離工藝來(lái)替代傳統(tǒng)的多線切割工，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

該實(shí)驗(yàn)室認(rèn)為，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對(duì)于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布碳化硅最新研究進(jìn)展

近期，香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組報(bào)告了多項(xiàng)氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展。其中，“高速且具備優(yōu)越開(kāi)關(guān)速度控制能力的3D堆疊式GaN/SiC cascode 功率器件”研究提出，GaN/SiC 混合型cascode 器件將SiC MOSFET的低遷移率MOS 溝道替換為基于GaN的2DEG溝道，將溝道遷移率大幅提升至2000 c㎡/V·s左右。為充分發(fā)揮GaN/SiC cascode 器件的開(kāi)關(guān)性能，該團(tuán)隊(duì)為該器件開(kāi)發(fā)了3D堆疊式的封裝方案，有效解決了合封器件長(zhǎng)期存在的寄生電感瓶頸。與最新一代寬禁帶半導(dǎo)體1.2 kV高功率商業(yè)器件相比，新器件的開(kāi)關(guān)速度有顯著提升（圖1-1）。

圖1-1：GaN/SiC cascode 器件的3D堆疊封裝及其高速開(kāi)關(guān)能力（source：香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組）

cascode器件長(zhǎng)期受制于其較弱的開(kāi)關(guān)速度控制能力。針對(duì)該問(wèn)題，研究團(tuán)隊(duì)首次分析、提出和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了低壓器件的CGD是從根本上提升cascode器件開(kāi)關(guān)速度控制能力的關(guān)鍵（圖1-2）。從而首次在cascode功率器件上實(shí)現(xiàn)了用戶樂(lè)于使用的通過(guò)外加?xùn)艠O電阻調(diào)控開(kāi)關(guān)速度的方法。

圖1-2：GaN/SiC開(kāi)關(guān)速度控制方案與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn)證。增加低壓器件的CGD之后，cascode器件具備通過(guò)柵極電阻實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的能力。（source：香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組）（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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