source：杰平方半導(dǎo)體

雙方一致認(rèn)為，當(dāng)前，國內(nèi)新能源汽車市場發(fā)展勢頭迅猛，碳化硅作為新能源汽車的關(guān)鍵器件，市場需求持續(xù)攀升。預(yù)計到2029 年，中國市場的新能源汽車年銷量將超過 2200 萬臺，其中 800V 系統(tǒng)將占到 60%以上，碳化硅市場的需求將超過 70 億美元。面對如此廣闊的市場前景，行業(yè)內(nèi)公司唯有緊密合作，才能快速占領(lǐng)市場高地。

未來網(wǎng)絡(luò)、第三代半導(dǎo)體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“賽道名片”。

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，南京已經(jīng)將第三代半導(dǎo)體納入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，出臺專項政策扶持，江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導(dǎo)體作為重點發(fā)展方向，打造全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

科研攻堅方面，依托南京大學(xué)、東南大學(xué)、南京理工大學(xué)等高校，南京持續(xù)推進(jìn)碳化硅器件、氮化鎵外延片等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。

其中，東南大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)教育部重點實驗室，致力于攻克GaN垂直結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵技術(shù)，導(dǎo)通電阻降低40%；南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術(shù)有所突破。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：中國電科

胡北辰博士指出，SiC單晶生長與切磨拋加工是第三代半導(dǎo)體器件成本降低、良率提升的重要工藝環(huán)節(jié)。針對這一重點問題，2所以“裝備+工藝+服務(wù)”的理念，面向行業(yè)迫切需求，將電科裝備的單晶生長、激光剝離、晶錠/晶圓減薄、化學(xué)機(jī)械拋光、缺陷檢測等核心設(shè)備產(chǎn)品有機(jī)結(jié)合，并融入信息化系統(tǒng)，形成了大尺寸碳化硅晶片生長加工的整線智能制造解決方案。

source：天岳先進(jìn)2024年度報告

天岳先進(jìn)表示，2024年公司立足全球市場，全面提升核心產(chǎn)品的產(chǎn)能產(chǎn)量。全年濟(jì)南工廠的產(chǎn)能產(chǎn)量穩(wěn)步推進(jìn)。上海工廠已于年中提前達(dá)到年產(chǎn)30萬片導(dǎo)電型襯底的產(chǎn)能規(guī)劃，同時公司將繼續(xù)推進(jìn)二階段產(chǎn)能提升規(guī)劃。2024年，碳化硅襯底產(chǎn)量41.02萬片，較2023年增長56.56%。受益于產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長，公司規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，成本逐步優(yōu)化，推動產(chǎn)品毛利達(dá)到32.92%，相較去年同期增加15.39個百分點。

展望未來，天岳先進(jìn)將依托在產(chǎn)能布局、技術(shù)沉淀以及所處行業(yè)等多方面所具備的領(lǐng)先優(yōu)勢，持續(xù)提升公司產(chǎn)品品質(zhì)及產(chǎn)能規(guī)模，進(jìn)而實現(xiàn)公司整體盈利能力的向上發(fā)展。

天岳先進(jìn)專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。在近日召開的Semicon China 2025展會上，該公司全方位展示了6/8/12英寸全系列碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣，包括12英寸半絕緣型，12英寸N型，12英寸P型碳化硅襯底。

今年2月，天岳先進(jìn)在港交所遞交招股書，擬在香港主板上市。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉參觀兩款首次于國內(nèi)進(jìn)行實體展示的晶圓

01材料革新與系統(tǒng)重構(gòu)：英飛凌定義能效新范式

作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌科技通過在氮化鎵（GaN）、機(jī)器人及人工智能領(lǐng)域的深度布局，持續(xù)展現(xiàn)出強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新能力與市場競爭力。

在此次峰會中，英飛凌重點發(fā)布的四大創(chuàng)新產(chǎn)品矩陣尤為矚目：

PSOC Control C3 MCU：實現(xiàn)電機(jī)和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的實時控制?；贏rm? Cortex?-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列產(chǎn)品，具有實時控制功能和差異化控制外圍元件，頻率最高可達(dá)180MHz。在ModusToolbox系統(tǒng)設(shè)計工具和軟件的支持下，這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率、高可靠性且安全的電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。無論是在家用電器、智能家居，還是在光伏逆變器等應(yīng)用中，PSOC Control C3都能提供卓越的性能和可靠性。

新一代中壓CoolGaN半導(dǎo)體器件：具備出色的性能、更高的功率密度和高可靠性，可以將系統(tǒng)效率提升至96%，同時有助于降低能耗與運營成本。該系列半導(dǎo)體器件能夠助力中壓電機(jī)系統(tǒng)實現(xiàn)更小的尺寸，為電信和數(shù)據(jù)中心提供更高的效率，在音頻應(yīng)用中實現(xiàn)更高的功率密度、更輕量級的系統(tǒng)和更佳的音頻性能。

CoolMOS 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET：提供了全新的“一體化”超級結(jié)（SJ）技術(shù)，產(chǎn)品系列覆蓋了從低功率到高功率的所有消費類和工業(yè)應(yīng)用。作為寬禁帶半導(dǎo)體的高性價比替代方案之一，能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的功率密度，同時確保器件的可靠性。CoolMOS 8可以輕松替換CoolMOS 7，集成了快速二極管，可提供600V和650V兩種電壓等級，其中650V特別提供了額外的50V緩沖，用于滿足數(shù)據(jù)中心和電信領(lǐng)域?qū)涣鬏斎腚妷旱奶囟ㄒ蟆?/p>

XDP數(shù)字電源（DigitalPower）：包括XDP XDPP1140/48數(shù)字控制器和3kW DR-HSC 12V-48V穩(wěn)壓IBC，均能夠?qū)崿F(xiàn)效率與功率密度的雙提升，展示出在系統(tǒng)設(shè)計與可靠性層面的雙重優(yōu)勢，使用靈活，同時又能夠優(yōu)化成本。

同時，英飛凌還于近期推出了新一代高密度功率模塊，即OptiMOSTDM2454xx四相功率模塊也在國內(nèi)首次亮相。而在大會的主題展區(qū)，英飛凌還展示了雙足機(jī)器人、具身智能人形機(jī)器人“五指靈巧手”、IoT智能小車、8kW高效高密AI數(shù)據(jù)中心電源模塊、用于數(shù)據(jù)中心和人工智能訓(xùn)練模型的12kW PSU等展品。

ICIC 2025主題展區(qū)吸引了大量與會者參觀體驗

總體來看，在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域，該公司不僅實現(xiàn)了300mm GaN功率半導(dǎo)體晶圓的量產(chǎn)突破，其新一代中壓CoolGaN器件更將系統(tǒng)效率提升至96%，顯著降低數(shù)據(jù)中心、電信及家電領(lǐng)域的能耗和成本。與此同時，英飛凌在硅基半導(dǎo)體領(lǐng)域也持續(xù)突破創(chuàng)新，推出的20μm超薄硅晶圓技術(shù)助于大幅提高功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性。

在機(jī)器人領(lǐng)域，英飛凌提供從電源產(chǎn)品、傳感器、微控制器、連接芯片到電機(jī)驅(qū)動的全棧解決方案，通過模塊化設(shè)計加速產(chǎn)品上市周期，推動機(jī)器人領(lǐng)域的創(chuàng)新。其展示的”五指靈巧手”具身智能系統(tǒng)與雙足機(jī)器人技術(shù)，展現(xiàn)了在人機(jī)協(xié)作與智能制造等智能機(jī)器人應(yīng)用場景中的前沿探索。
針對人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的高能效需求，英飛凌全面構(gòu)建了硅、碳化硅與氮化鎵協(xié)同共進(jìn)的混合技術(shù)矩陣，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供高效電源解決方案。特別值得一提的是，英飛凌推出的12kW PSU電源模塊可用于數(shù)據(jù)中心及支持AI訓(xùn)練模型部署。得益于AI浪潮的推動，預(yù)計2025財年，英飛凌AI業(yè)務(wù)營收將突破6億歐元，2027年有望突破10億歐元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉在ICIC 2025上發(fā)表主題演講

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉強(qiáng)調(diào)，英飛凌正通過覆蓋”電網(wǎng)-核心-邊緣-用戶”的全鏈路能效解決方案，為AI、機(jī)器人及家電行業(yè)提供更環(huán)保、更高效、更智能的技術(shù)解決方案，賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用場景的擴(kuò)維升級，特別是其邊緣AI方案結(jié)合安全芯片和連接產(chǎn)品的組合，已在IoT智能小車等場景實現(xiàn)落地應(yīng)用。

02英飛凌加速布局機(jī)器人產(chǎn)業(yè)：從核心器件到生態(tài)協(xié)同

英飛凌將機(jī)器人視為未來有高增長潛力的核心賽道，其布局貫穿“以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)-涵蓋感知、連接、人機(jī)交互等核心環(huán)節(jié)的全面半導(dǎo)體產(chǎn)品組合-系統(tǒng)級解決方案”全鏈條。

氮化鎵正驅(qū)動著機(jī)器人走向輕量化革命，據(jù)英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“在機(jī)器人關(guān)節(jié)中，將氮化鎵技術(shù)用于電機(jī)驅(qū)動可將系統(tǒng)的體積縮小、重量降低，并顯著提升電池的續(xù)航能力?！?這一點在業(yè)界的相關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)中也可以窺見一斑，數(shù)據(jù)顯示，以人形機(jī)器人為例，若搭載30個采用氮化鎵技術(shù)的關(guān)節(jié)，其總重量可減少20kg，充電周期延長50%。

此外，英飛凌的創(chuàng)新技術(shù)和全棧解決方案正賦能機(jī)器人走向智能化、高效化和輕量化。英飛凌提供從MEMS傳感器、到支持實時決策的MCU，再到連接芯片和安全芯片的完整方案。在雙足機(jī)器人中，基于CoolGaN的驅(qū)動系統(tǒng)使動態(tài)響應(yīng)速度提升25-50%。

目前，英飛凌正與本土伙伴聯(lián)合開發(fā)專用方案，如為某頭部企業(yè)定制的模塊化關(guān)節(jié)控制器，集成驅(qū)動、傳感與安全功能，成本降低20%。其技術(shù)團(tuán)隊深度參與客戶設(shè)計，提供從器件選型到系統(tǒng)優(yōu)化的全流程支持。

03英飛凌深耕中國：本土化戰(zhàn)略的四維進(jìn)階

作為深耕中國市場30年的領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)，英飛凌將繼續(xù)持續(xù)堅持“在中國、為中國”為本土化戰(zhàn)略，深化覆蓋運營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)的立體化本土布局。

在此次ICIC 2025大會上，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“2025年是英飛凌在華30周年。在30年行業(yè)深耕的基礎(chǔ)之上，英飛凌將深入推進(jìn)本土化戰(zhàn)略，圍繞‘運營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)’等方面，持續(xù)為客戶增加價值，推動在華業(yè)務(wù)的長期、穩(wěn)健、可持續(xù)發(fā)展。”

對于英飛凌消費、計算與通訊業(yè)務(wù)在本土的發(fā)展，他圍繞“從電網(wǎng)到核心，驅(qū)動AI算力”、“從云到端，賦能AI生態(tài)”、“從首到足，加速機(jī)器人發(fā)展”系統(tǒng)介紹了英飛凌的市場策略及優(yōu)勢，表示將以機(jī)器人、AI數(shù)據(jù)中心和邊緣計算等市場為主要驅(qū)動力，依托領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)和本土應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)賦能客戶的價值創(chuàng)造，推動各種應(yīng)用場景落地，引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

談及本土化生產(chǎn)，英飛凌表示將擴(kuò)大MCUs、MOSFETs等通用半導(dǎo)體產(chǎn)品的本地化生產(chǎn)制造。潘大偉指出，這兩款器件作為通用的半導(dǎo)體產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源、汽車、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域，市場需求穩(wěn)定且規(guī)模龐大。通過優(yōu)先擴(kuò)大此類通用半導(dǎo)體器件的本地化生產(chǎn)，既能快速響應(yīng)本土客戶需求，增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性，又能為后續(xù)探討更復(fù)雜產(chǎn)品（如汽車高壓模塊、傳感器等）的本地化生產(chǎn)積累經(jīng)驗。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

1、新凱來展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！

SEMICON China 2025展會期間，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備新銳創(chuàng)企新凱來“首秀”，引發(fā)現(xiàn)場極大關(guān)注。新凱來展出了工藝裝備、量檢測裝備等全系列產(chǎn)品，并發(fā)布了五款新品，涉及先進(jìn)制程、第三代半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域。

五款新品分別是：

EPI（峨眉山）：專攻先進(jìn)制程及第三代半導(dǎo)體。
ALD（阿里山）：支持5nm及更先進(jìn)制程。
PVD（普陀山）：金屬鍍膜精度微米級，已進(jìn)入國內(nèi)晶圓代工大廠驗證階段。
ETCH（武夷山）：聚焦第三代半導(dǎo)體刻蝕。
CVD（長白山）：適配5nm，兼容多種制程節(jié)點。

據(jù)悉，EPI外延層是半導(dǎo)體制造中的重要技術(shù)，尤其是在先進(jìn)制程和第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。ETCH蝕刻是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一道相當(dāng)重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝，目前主要由國際巨頭主導(dǎo)；CVD化學(xué)氣相沉積是半導(dǎo)體制造中需求量最大的設(shè)備之一，PVD物理氣相沉積、ALD原子層沉積等都是半導(dǎo)體制造工藝當(dāng)中非常重要的高端設(shè)備。

資料顯示，新凱來致力于半導(dǎo)體裝備及零部件、電子制造設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與服務(wù)，該公司核心團(tuán)隊具備20年以上電子設(shè)備技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗。近年，新凱來完成了全系列裝備開發(fā)，初步滿足邏輯、存儲等半導(dǎo)體制造企業(yè)的需求。截至2024年底，大部分裝備已經(jīng)取得突破，開始驗證和應(yīng)用。

2、電科裝備大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案亮相

SEMICON China 2025期間，媒體聚焦電科裝備最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案進(jìn)行報道。

電科裝備經(jīng)過多年發(fā)展，電科裝備培育了晶錠減薄設(shè)備、激光剝離設(shè)備、晶片減薄設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等明星產(chǎn)品，形成8至12英寸碳化硅材料加工智能解決方案。

報道指出，該公司最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案采用最新激光剝離工藝進(jìn)行晶體切片，相較于傳統(tǒng)加工產(chǎn)線采用的多線切割晶體切片技術(shù)，激光剝離設(shè)備可以使激光聚焦在碳化硅晶體內(nèi)部誘導(dǎo)產(chǎn)生一層裂紋，從而避免了傳統(tǒng)多線切割造成的切割線損，平均每片切割研磨損耗僅為原來的40%左右，顯著降低加工成本。

目前該解決方案已獲得市場積極反饋，進(jìn)入用戶產(chǎn)線開展試驗驗證，并與多家頭部企業(yè)達(dá)成意向合作。

3、高測股份展示碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案

高測股份首次亮相該展會，帶來了公司聚焦晶圓加工制造環(huán)節(jié)，全面迭代布局的8英寸碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案。

在切割環(huán)節(jié)，高測股份2018年、2021年，先后推出針對半導(dǎo)體硅、碳化硅切割的金剛線切片專機(jī)，通過持續(xù)優(yōu)化切割工藝和參數(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)對不同尺寸、不同材質(zhì)晶圓的高精度切割，不斷提升線切的切割效率、切片質(zhì)量，降低材料損耗。

在倒角環(huán)節(jié)，高測股份2024年推出全自動晶圓倒角機(jī)，采用獨特的雙工位獨立研磨設(shè)計，適用于4寸、6寸、8寸半導(dǎo)體晶圓材料的邊緣倒角加工。

source：高測股份

在研磨環(huán)節(jié)，高測股份全自動減薄機(jī)采用In-feed加工原理，通過砂輪旋轉(zhuǎn)及垂直進(jìn)給對旋轉(zhuǎn)的晶圓進(jìn)行磨削加工，實現(xiàn)高精度、高剛性、高穩(wěn)定性、高效加工能力、低損傷加工，全面兼容6-8英寸晶圓磨削加工，表面粗糙度控制在3nm以下，滿足高端芯片制造對晶圓表面質(zhì)量的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

在第三代半導(dǎo)體材料加工需求激增的背景下，針對市場對工藝整合與效率提升愈發(fā)迫切的訴求，高測股份“切、倒、磨”一體化方案全流程緊密銜接，從切割設(shè)備的高效切割，到倒角設(shè)備對晶圓邊緣的精細(xì)處理，再到減薄設(shè)備對晶圓表面的打磨拋光，實現(xiàn)了從原材料到成品的一站式加工。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

其中，優(yōu)睿譜新一輪融資由合肥產(chǎn)投獨家投資，該公司是一家半導(dǎo)體前道量測設(shè)備研發(fā)商，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測設(shè)備。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，優(yōu)睿譜SICD200設(shè)備已成功交付客戶，這是一款碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢測的全自動設(shè)備，可兼容6&8吋SiC 襯底位錯和微管缺陷檢測。優(yōu)睿譜FTIR設(shè)備Eos200Lite已獲得多家頭部碳化硅基外延廠訂單，主要用于測量外延片外延層的厚度和均勻性。

科瑞爾科技宣布完成數(shù)千萬元A+輪融資，由浙江創(chuàng)投（浙創(chuàng)投）領(lǐng)投。此次融資將用于產(chǎn)品研發(fā)與運營資金補充。

據(jù)悉，科瑞爾具備IGBT封裝測試整線自動化解決方案設(shè)計能力，同時自主研發(fā)中高功率IGBT/SiC模塊封裝的關(guān)鍵設(shè)備，包括高精度貼片機(jī)、SiC倒裝貼合設(shè)備等十幾種核心設(shè)備。

近日，“金投致源”官微宣布，他們完成了對芯湛半導(dǎo)體的投資。此次融資旨在推動芯湛的產(chǎn)品性能升級、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場拓展，助力其在晶圓減薄機(jī)領(lǐng)域的技術(shù)突破與國產(chǎn)替代進(jìn)程。

芯湛半導(dǎo)體產(chǎn)品包括全自動和半自動晶圓減薄機(jī)及其配套輔助設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造與封裝測試環(huán)節(jié)。目前，該公司已成功交付多臺設(shè)備，獲得國內(nèi)半導(dǎo)體IDM廠、碳化硅襯底片生產(chǎn)廠商、砂輪廠家等代表性客戶訂單。

source：金投致源

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

1、西湖儀器率先實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

3月26日消息，西湖儀器近日成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。

此前，西湖儀器已推出“8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底激光剝離設(shè)備”，并于今年1月榮獲“國內(nèi)首臺（套）裝備”認(rèn)定。

碳化硅領(lǐng)域，襯底材料成本占據(jù)整體成本的比例居高不下，阻礙了碳化硅器件大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化推廣。西湖儀器指出，降本增效的重要途徑之一是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。

與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸襯底材料能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本。

source：西湖儀器

國內(nèi)碳化硅頭部企業(yè)去年已披露了最新一代12英寸碳化硅襯底，這也帶來了12英寸以上的超大尺寸碳化硅襯底切片需求。

為此，西湖儀器推出了“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)”，率先解決了12英寸及更大尺寸的碳化硅襯底“切片”難題，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對碳化硅晶錠的精準(zhǔn)定位、均勻加工、連續(xù)剝離，具有自動化、低損耗與高效率等優(yōu)勢。

2、天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海

在3月25日于上海舉辦的亞洲化合物半導(dǎo)體大會上，天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品登場，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底。其中，12英寸高純碳化硅襯底、12英寸P型碳化硅襯底為全球首展。

source：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司

天岳先進(jìn)在會上分享了超大尺寸襯底量產(chǎn)經(jīng)驗、液相法制備工藝等前沿成果，與全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游共議碳化硅技術(shù)趨勢。

12英寸產(chǎn)品，在產(chǎn)品面積上較8英寸持續(xù)擴(kuò)大，單片晶圓芯片產(chǎn)出量躍升2.5倍，尺寸擴(kuò)大有效降低單位成本，是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。天岳先進(jìn)認(rèn)為，碳化硅行業(yè)已經(jīng)正式邁入”12英寸時代”，2025年將是大尺寸技術(shù)突破元年。

應(yīng)用領(lǐng)域方面，天岳先進(jìn)表示碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)裂變也將助力新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、5G基站等多種高壓應(yīng)用場景，催生AR眼鏡、衛(wèi)星通信及低空經(jīng)濟(jì)等多重新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，助力萬物互聯(lián)時代的算力革命。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將在陽新設(shè)立全資子公司，重點布局三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)制造，涵蓋MPCVD金剛石長晶設(shè)備、碳化硅長晶系統(tǒng)及12英寸大直徑直拉式硅片長晶設(shè)備等領(lǐng)域。

項目達(dá)產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)MPCVD設(shè)備100臺、碳化硅設(shè)備10臺、大硅片設(shè)備5臺的產(chǎn)能規(guī)模，預(yù)計實現(xiàn)年產(chǎn)值2億元，為陽新構(gòu)建現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系注入核心動能。

卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將依托自身在第三代半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域的專利集群優(yōu)勢和自主可控技術(shù)體系，助力陽新打造長江中游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。

此次簽約不僅是陽新布局戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵落子，更標(biāo)志著該縣在對接長三角產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、融入雙循環(huán)新發(fā)展格局中取得重大突破。 項目建成后，將有效填補中部地區(qū)半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域空白，為陽新建設(shè)新型工業(yè)化示范區(qū)提供硬核支撐，加速實現(xiàn)從傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向智能制造的轉(zhuǎn)型升級。 （集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

清純半導(dǎo)體表示，大眾汽車深耕中國市場，始終秉持“In China, For China”的理念，與中國本土合作伙伴坦誠相待、精誠合作。近年來，在激烈的市場環(huán)境中，大眾汽車集團(tuán)堅定推動轉(zhuǎn)型，建立本土化研發(fā)體系，提升開發(fā)實力，力爭繼續(xù)保持國際車企在華第一的地位，引領(lǐng)汽車市場發(fā)展。

清純半導(dǎo)體此次有幸成為大眾汽車中國本土碳化硅芯片供應(yīng)商，積極配合大眾汽車（中國）科技有限公司的產(chǎn)品開發(fā)及量產(chǎn)項目，將以領(lǐng)先的研發(fā)實力，優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品質(zhì)量，堅實的供應(yīng)鏈和可靠的管理體系，與國際一流車企攜手發(fā)展，共同致力于打造國際一流的車載碳化硅功率產(chǎn)品。

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓等優(yōu)勢，在新能源汽車領(lǐng)域不斷滲透，車企爭相競逐碳化硅賽道，此外國內(nèi)碳化硅廠商也在積極爭取車企訂單，碳化硅“上車”勢不可擋。

稍早之前，媒體報道揚杰科技碳化硅MOSFET已打入小米、比亞迪供應(yīng)鏈。另一家廠商悉智科技自主研發(fā)的SiC模塊已經(jīng)搭載于智己車型，同時也獲得大眾中國體系認(rèn)證。（集邦化合物半導(dǎo)體 flora 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。