圖片來源：牡丹江日報

據(jù)一棵竹新材料科技發(fā)展有限公司（簡稱“一棵竹科技”）總經(jīng)理杜帛霖介紹，項目總投資高達10.5億元，分兩期推進。此次投產(chǎn)的一期工程投資1.5億元，利用牡丹江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)現(xiàn)有廠房，購置了高溫真空燒結爐、擠出機、混料機、雕刻機、打砂機等上百臺（套）先進設備，目前已完成全部投資。

備受關注的二期工程計劃投資9億元，預計今年5月末將完成工業(yè)用地購置，并從6月份起全面啟動廠房建設與設備采購工作，力爭在2026年底前建成投產(chǎn)。項目全面投產(chǎn)后，預計將形成年產(chǎn)值30億元、年繳稅3.6億元的經(jīng)營規(guī)模，為地方經(jīng)濟發(fā)展注入強勁動力。

目前，一棵竹科技已與科達、貝特瑞、奧豐、中建材以及國家電投集團旗下100多家火電廠建立了深度合作關系。其高性能碳化硅產(chǎn)品廣泛應用于鋰電、光伏、化工及火電等多個核心產(chǎn)業(yè)領域。一期工程的竣工投產(chǎn)，將助力公司順利實現(xiàn)年產(chǎn)15萬件重結晶耐火磚、脫硫噴嘴、匣缽、輥棒等產(chǎn)品，預計年產(chǎn)值可達3億元。

在技術創(chuàng)新方面，一棵竹科技積極聯(lián)合哈爾濱工業(yè)大學、中南大學等多家國內(nèi)知名高等院校及科研院所，深度開展“產(chǎn)學研”合作。項目建設過程中，公司還引進了德國FCT精細技術陶瓷公司的先進技術以及世界領先的氣相沉積（CVD）鍍膜技術，致力于碳化硅新材料的技術創(chuàng)新，并已成功開發(fā)出一系列擁有自主知識產(chǎn)權的新技術和新產(chǎn)品。

杜帛霖總經(jīng)理表示，結合項目二期工程建設，公司將進一步引進世界頂尖的技術團隊和研發(fā)人才，著力攻克碳化硅高質(zhì)量產(chǎn)品量產(chǎn)化難題。未來，一棵竹科技將積極開拓半導體、航空航天、新能源電子元器件、光刻機吸盤等碳化硅深加工高精端產(chǎn)品銷售市場，提升企業(yè)核心競爭力。

值得關注的是，牡丹江作為國內(nèi)重要的碳化硅工業(yè)材料產(chǎn)地，擁有悠久的生產(chǎn)歷史。然而，過去受多種因素制約，主要以碳化硅粉末生產(chǎn)為主，產(chǎn)品附加值較低。近年來，隨著國家科技創(chuàng)新戰(zhàn)略的深入實施和發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力熱潮的興起，牡丹江在碳化硅領域深厚的產(chǎn)業(yè)基礎吸引了眾多投資者的青睞，此次高性能碳化硅項目的投產(chǎn)正是其中的一個縮影，預示著牡丹江碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來新的發(fā)展機遇。

（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

01、超200億，長飛先進武漢基地首片晶圓正式下線

5月28日，長飛先進武漢基地首片6英寸碳化硅晶圓正式下線，這一事件標志著總投資超過200億元人民幣的長飛先進武漢基地正式投產(chǎn)。該項目自2023年9月破土動工，僅用21個月便實現(xiàn)投產(chǎn)，比原計劃提前了兩個月。

圖片來源：中國光谷

官方資料顯示，長飛先進武漢基地項目總投資超過200億元，占地面積498畝，其中一期占地344畝。項目一期規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，達產(chǎn)后每年可為144萬輛新能源汽車提供核心芯片。這將使長飛先進武漢基地成為全國最大的碳化硅晶圓廠，有望打破國際壟斷，填補湖北在高端碳化硅器件制造領域的空白。

據(jù)悉，目前該基地首款芯片的良率已達97%，處于國際先進水平。此外，長飛先進已與全球頭部車企廣泛合作，部分產(chǎn)品即將進入量產(chǎn)交付階段。這得益于基地在全球率先部署了A3級別天車系統(tǒng)，實現(xiàn)了自動生產(chǎn)、搬運和派工，大大降低了人工干擾。該基地還建立了覆蓋材料、化學分析、可靠性測試、失效分析、產(chǎn)品特性和產(chǎn)品應用的全產(chǎn)業(yè)鏈實驗室，致力于打造集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。

此外，長飛先進已與全球頭部車企廣泛合作，部分產(chǎn)品即將進入量產(chǎn)交付階段。其碳化硅器件將廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁及電力電網(wǎng)等領域。例如，在新能源汽車領域，碳化硅器件可使主驅(qū)逆變器重量減輕40%、體積縮小30%、功率密度提升25%，并顯著提高能量轉(zhuǎn)換效率。

02、投資50億元，中導信力項目落戶鄂州

5月28日，由眾普控股（湖北）集團有限公司投資50億元的中導信力蝕刻制程專用設備零部件制造項目正式簽約落戶鄂州臨空經(jīng)濟區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)園。

圖片來源：鄂州融媒

據(jù)悉，該項目分三期建設，將打造國內(nèi)首個集“材料研發(fā)—設備制造—零部件量產(chǎn)”于一體的全鏈條碳化硅產(chǎn)業(yè)基地。一期項目占地35畝，擬建成6條CVD碳化硅聚焦環(huán)和噴淋頭生產(chǎn)線，年產(chǎn)半導體蝕刻制程專用設備零部件4萬件。

中導信力項目的落地，將為鄂州地區(qū)帶來顯著的經(jīng)濟和社會效益。項目達產(chǎn)后，預計年營收突破25億元，貢獻稅收超3.5億元，帶動上下游形成20億元產(chǎn)業(yè)集群。該項目的建設不僅將推動鄂州地區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，還將為湖北省乃至全國的半導體產(chǎn)業(yè)鏈提供關鍵的設備零部件支持。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：杰平方半導體

資料顯示， 奧斯達克作為車載電源及OBC領域的資深供應商，多年來深耕重卡、工程機械、新能源汽車等行業(yè)，為其提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及系統(tǒng)級解決方案。

杰平方半導體聚焦車載芯片研發(fā)和生產(chǎn)，致力于滿足中國汽車產(chǎn)業(yè)對國產(chǎn)自主車載芯片的旺盛需求，打造世界領先的碳化硅垂直整合晶圓廠的標桿企業(yè)，并結合芯片代工廠的既有優(yōu)勢，創(chuàng)新IDM+的商務模式，打造芯片供應鏈的核心競爭力。

目前，杰平方半導體已成功開發(fā)出多款針對該市場需求的SiC功率器件產(chǎn)品。

采用杰平方SiC功率器件的50kW DC/DC 電源（支持 N+1）及36KW高壓DC/DC 電源，已在挖掘機、重型礦卡等行業(yè)實現(xiàn)批量裝機；采用杰平方SIC功率器件設計的850V轉(zhuǎn)27.5V-6KW DCDC電源和特高壓1500V轉(zhuǎn)380V DCDC電源, 已在燃料電池系統(tǒng)/無人駕駛系統(tǒng)/工程機械等行業(yè)實現(xiàn)批量裝機。

通過本次合作，雙方將持續(xù)擴展更深層次的合作，進一步鞏固和發(fā)揮雙方在器件及應用方面的優(yōu)勢。強強聯(lián)合為功率半導體在車載電源、OBC應用領域奉獻出完美商品和服務，共同為重卡、工程機械、新能源汽車等行業(yè)安全可靠運轉(zhuǎn)提供堅實基礎，增添安全保障。

（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：基本半導體上市申請書截圖

基本半導體成立于2016年，總部位于深圳，作為國內(nèi)少數(shù)具備碳化硅功率模塊全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋能力的企業(yè)，基本半導體已實現(xiàn)從芯片設計到模塊封裝的垂直整合，其產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能等戰(zhàn)略新興領域。

據(jù)悉，基本半導體在深圳光明碳化硅晶圓制造基地、無錫新吳碳化硅功率模塊封裝基地、深圳坪山功率半導體驅(qū)動測試基地均已開始量產(chǎn)。而此次IPO募資將主要用于深圳晶圓廠與無錫封裝產(chǎn)線的產(chǎn)能擴張，以應對下游市場爆發(fā)式增長的需求。

招股書顯示，基本半導體募集資金將用于未來擴大晶圓及模塊的生產(chǎn)能力以及購買及升級生產(chǎn)設備及機器、對新碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)工作以及技術創(chuàng)新，以及拓展碳化硅產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡。

財務數(shù)據(jù)顯示，2022年至2024年，公司營收從1.17億元穩(wěn)步增長至2.99億元，年復合增長率達59.9%，盡管仍面臨盈利挑戰(zhàn)，但其技術實力與市場潛力已獲得資本市場認可。

自成立以來，基本半導體已完成多輪融資，投資方涵蓋產(chǎn)業(yè)資本、知名投資機構及政府基金。

2017年天使輪由Ascatron AB、力合科創(chuàng)集團啟動研發(fā)；2019年A輪獲力合科創(chuàng)集團等支持中試線投產(chǎn)；2020年B輪由聞泰科技、深圳市投控資本領投，加速車載芯片認證；2021年連續(xù)完成B+輪（博世創(chuàng)投）、C1輪（博世創(chuàng)投、松禾資本等）融資，推動車規(guī)級模塊研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；2022年完成C2輪（廣汽資本等）、兩輪C+輪（粵科金融、中車轉(zhuǎn)型升級基金等），拓展新能源市場并建設制造基地，2023年完成D輪融資，加速車規(guī)級產(chǎn)線建設。

歷次融資均聚焦技術研發(fā)與產(chǎn)能擴張，助力其成為國內(nèi)碳化硅功率器件領域領軍企業(yè)。

多家第三代半導體企業(yè)競相沖刺IPO

在第三代半導體產(chǎn)業(yè)的資本浪潮中，多家頭部企業(yè)相繼沖刺IPO。

天岳先進2022年1月12日登陸上海證券交易所科創(chuàng)板，2025年2月向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H股）的申請，擬在香港聯(lián)交所主板掛牌上市，構建”A+H”雙平臺布局。作為全球第二大碳化硅襯底制造商，天岳先進在半導體材料領域具有顯著的技術優(yōu)勢。公司通過持續(xù)的研發(fā)投入，已掌握碳化硅襯底制備的核心技術，產(chǎn)品性能達到國際先進水平。

英諾賽科于2024年12月30日成功登陸香港聯(lián)交所主板，成為港股“第三代半導體”第一股。英諾賽科位于吳江區(qū)，深耕8英寸芯片制造技術多年，是全球第一家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司，通過打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺，填補了行業(yè)空白，完善了我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈布局。

2025年3月25日，瀚天天成在港交所遞交招股書，擬在香港主板上市。瀚天天成成立于2011年，主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、量產(chǎn)及銷售，是全球率先實現(xiàn)8英吋碳化硅外延芯片大批量外供的生產(chǎn)商，也是中國首家實現(xiàn)商業(yè)化3英吋、4英吋、6英吋和8英吋碳化硅外延芯片全套批量供應的生產(chǎn)商。

天域半導體成立于2009年，于2024年12月向香港聯(lián)交所遞交招股書，擬在主板上市，由中信證券擔任獨家保薦人。作為專業(yè)碳化硅外延片供應商，天域半導體通過自主研發(fā)，已掌握生產(chǎn)600伏至30000伏單極型及雙極型功率器件所需整個碳化硅外延片生產(chǎn)周期的必要核心技術及工藝，目前提供4英寸及6英寸碳化硅外延片，并已開始量產(chǎn)8英寸外延片。

結語

第三代半導體材料，尤其是碳化硅與氮化鎵，因耐高壓、高頻特性，已成為新能源與5G通信領域的核心器件。據(jù)TrendForce預測，2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將達91.7億美元。國內(nèi)企業(yè)紛紛通過IPO加速資本化進程，旨在突破技術封鎖、應對價格戰(zhàn)并綁定頭部客戶。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測建設項目順利封頂

5月27日，瀚薪科技通過全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測建設項目”主體結構正式封頂。

圖片來源：瀚薪科技

這一里程碑的達成，標志著公司在第三代半導體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關鍵一步。未來瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進一步實現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標與新能源產(chǎn)業(yè)升級！

資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年，擁有自主知識產(chǎn)權及國際領先的芯片設計、封裝工藝與測試能力。公司產(chǎn)品已通過車規(guī)級AEC-Q101及工規(guī)級JEDEC認證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關系。

廣州這個氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

近期，由香港科技大學霍英東研究院與香港科技大學（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進展，其位于南沙的首個先進生產(chǎn)廠房正式啟用。

該廠房配備高標準潔凈室設施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實現(xiàn) “從實驗室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場奠定了堅實基礎。

圖片來源：香港科技大學快訊

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。由香港科技大學（廣州）陳子強教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發(fā)，是全球獨家通過MOCVD工藝實現(xiàn)了穩(wěn)定p型導電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導電空白。

據(jù)悉，拓諾稀科技通過實現(xiàn)p型導電，使得氧化鎵材料具備構建pn結及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機器人、電力能源等領域的應用空間。團隊采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨有的技術體系，支持多層pn結構設計以實現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導體行業(yè)標準設備，具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅實支撐。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：中導光電

相較于傳統(tǒng)6英寸SiC晶圓，8英寸SiC在單位成本、生產(chǎn)效率和良率控制上具有顯著優(yōu)勢，是未來功率半導體產(chǎn)業(yè)的主流方向。中導光電董事長表示，公司NanoPro-150系列設備國產(chǎn)化率已達95%以上，在保證性能的同時大幅降低了客戶的設備投入成本。

此次訂單是客戶繼今年初批量采購后，半年內(nèi)第二次追加。訂單獲取歷經(jīng)三個月嚴格的技術對標，NanoPro-150在檢測效率、穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)追溯性等核心指標上全面達標。

此前1月，中導光電表示，計劃在SiC晶圓納米級缺陷檢測領域投入更多研發(fā)資源，通過高精度多模式缺陷檢測技術的升級、人工智能AI缺陷識別算法的系統(tǒng)優(yōu)化以及設備整體性能的提升，進一步提高SiC晶圓制造的質(zhì)量和效率。

目前，公司正在研發(fā)下一代檢測設備NanoPro-200和NanoPro-300，這些設備將具備更高的檢測精度和更廣泛的工藝覆蓋能力。其中，NanoPro-200的技術規(guī)格已達到40納米，并在AI智能化和自動化方面取得了顯著突破。而第三代NanoPro-300也已進入研發(fā)關鍵期。

（集邦化合物半導體 EMMA 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：A-STAR圖為A-STAR首席執(zhí)行官 Beh Kian Teik?

該生產(chǎn)線由ASTAR微電子研究所（IME）運營，整合了從材料生長、缺陷分析到器件制造與測試的完整流程，旨在解決SiC技術開發(fā)中高成本、技術分散等挑戰(zhàn)，加速其在電動汽車、電網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等高功率應用領域的商業(yè)化進程。

新加坡貿(mào)易和工業(yè)部第二部長陳詩龍透露，該生產(chǎn)線可供新加坡本地公司使用，特別是那些服務于電力電子終端市場的公司。它為本地企業(yè)提供了一個先進的研發(fā)和生產(chǎn)平臺，使企業(yè)能夠更便捷地開展碳化硅相關技術的研究和產(chǎn)品開發(fā)，提升自身的技術水平和市場競爭力。

另據(jù)媒體報道，該產(chǎn)線將與ASM、centrotherm、Soite等公司合作，其中centrotherm提供高溫退火與氧化設備，IME將與Soite聯(lián)合開發(fā)SmartSiC技術，結合Soitec的SmartCut工藝與IME的中試線，目標生產(chǎn)節(jié)能型高質(zhì)量SiC晶圓。

未來，A-STAR還將與意法半導體、ULVAC和新加坡國立大學等達成合作。其中，與意法半導體的合作聚焦研發(fā)SiC功率器件及封裝模塊，優(yōu)化汽車與工業(yè)應用性能，加速綠色出行及能效提升。

作為全球半導體產(chǎn)業(yè)重要樞紐，新加坡正加速布局第三代半導體領域。

政策與資金方面，新加坡政府宣布投入10億新元（約7.45億美元）設立全新半導體研發(fā)中心，聚焦先進封裝、第三代半導體材料等前沿領域。

生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，除了上述8英寸產(chǎn)線外，Soitec新加坡工廠也在積極擴產(chǎn)。Soitec計劃到2026年將全球年產(chǎn)能提升至450萬片，其新加坡工廠擴產(chǎn)300mm SOI晶圓，并涵蓋SiC材料生產(chǎn)。

近年，全球爭相發(fā)力第三代半導體產(chǎn)業(yè)，亞洲國家表現(xiàn)活躍，新加坡是代表之一，此外，中國、日本、韓國同樣在大力布局。

中國“十四五”規(guī)劃明確提出將第三代半導體列為重點發(fā)展方向，通過國家科技重大專項、產(chǎn)業(yè)基金等推動技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)業(yè)鏈布局上，天科合達、山東天岳等公司聚焦SiC襯底生產(chǎn)，產(chǎn)能持續(xù)擴張；比亞迪半導體、斯達半導等公司積極開發(fā)車規(guī)級SiC功率模塊，應用于新能源汽車；英諾賽科全球首個8英寸GaN芯片量產(chǎn)，覆蓋消費電子與數(shù)據(jù)中心；蔚來、小鵬等車企加速SiC電機控制器滲透。

日本第三代半導體產(chǎn)業(yè)代表企業(yè)包括羅姆、住友電工、三菱電機等，該國通過“半導體·數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”提供研發(fā)補貼，強化材料與設備優(yōu)勢。

韓國“K-半導體戰(zhàn)略”提出投資4500億美元建設全球最大半導體集群，第三代半導體為重點方向。此外，三星電子等半導體大廠也在積極研發(fā)SiC模塊，韓國還與Soitec合作，引入法國SmartSiC技術，提升本地SiC晶圓質(zhì)量。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

株洲中車正加快8英寸碳化硅產(chǎn)線建設，其中三期8英寸SiC晶圓項目已于2024年11月啟動，計劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC芯片生產(chǎn)線年產(chǎn)2.5萬片，已具備成熟產(chǎn)能。

圖片來源：株洲中車

在MOSFET技術上，株洲中車已完成第三代精細平面柵SiC MOSFET的定型開發(fā)，技術水平已達到行業(yè)主流。第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設計定型，并達到行業(yè)先進水平，性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。此外，公司已前瞻性布局第五代技術研發(fā)，并透露在超精細溝槽柵7.5代技術方面已達到國際領先水平，展現(xiàn)出強大的持續(xù)創(chuàng)新能力。

公司重點產(chǎn)品涵蓋650V至6500V電壓等級的SiC MOSFET，以及1200V SBD（肖特基二極管）。其中，1200V SBD已在光伏領域?qū)崿F(xiàn)批量出貨。

在封裝層面，SiC TO封裝器件已在充電樁、車載充電機（OBC）、電源管理等領域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模供貨。面向新能源汽車主驅(qū)控制器，公司于2022年底正式發(fā)布了其C-Power 220s平臺，這是國內(nèi)首款基于自主碳化硅研制的大功率電驅(qū)產(chǎn)品，系統(tǒng)效率最高可達94%，目前已進入整車廠驗證階段，預計2025年有望實現(xiàn)主驅(qū)批量出貨。

株洲中車正在構建從襯底、芯片到應用平臺的完整SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)，加速向高壓、高能效電力電子市場滲透。隨著產(chǎn)線升級、技術迭代和產(chǎn)品矩陣的完善，株洲中車有望在碳化硅領域?qū)崿F(xiàn)更大突破，推動相關產(chǎn)業(yè)的升級與發(fā)展。

（集邦化合物半導體 EMMA 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：納微半導體

當前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配電系統(tǒng)，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨著AI算力需求激增，單個機架功率突破200kW時，傳統(tǒng)架構面臨效率下降、銅材消耗劇增等物理極限問題。800V架構通過減少銅材使用量45%、降低電流傳輸損耗，可支撐吉瓦級AI計算負載。

根據(jù)納微半導體官方披露，其GaNFast氮化鎵功率芯片與GeneSiC碳化硅技術將在合作中發(fā)揮核心作用。其GaNFast功率芯片集成驅(qū)動、控制與保護功能，支持高達800V的瞬態(tài)電壓，并通過GaNSense技術實現(xiàn)超高功率密度（92.36W/cm3）和97.9%的半載效率，顯著優(yōu)化了數(shù)據(jù)中心的能源利用率。

英偉達規(guī)劃顯示，該架構將直接服務于其“Kyber”機架級電力系統(tǒng)，配套維諦技術計劃于2026年推出的800VDC電源產(chǎn)品組合，包括集中式整流器、高效直流母線槽及機架級DC-DC轉(zhuǎn)換器。

800V高壓技術的應用不僅限于數(shù)據(jù)中心。新能源汽車領域已率先布局800V平臺，以解決充電速度與續(xù)航焦慮。例如，保時捷、小鵬、比亞迪等車企已推出相關車型，帶動碳化硅器件需求激增。

英偉達與納微半導體的合作，將AI計算需求與功率半導體創(chuàng)新深度綁定。從數(shù)據(jù)中心到電動汽車，800V高壓架構正成為提升能效、突破功率密度的核心路徑。隨著技術成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，這一架構或?qū)⒅匦露x全球半導體及新能源產(chǎn)業(yè)格局。

此前5月5日，納微半導體公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，納微半導體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。

圖片來源：納微半導體公告截圖

納微半導體表示預計2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預計為38.5%，上下浮動0.5%，非GAAP運營費用預計約為1,550萬美元。

稍早一些3月，納微半導體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動器。4月，納微半導體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司正式達成戰(zhàn)略合作伙伴關系。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：小米YU7

據(jù)悉，小米YU7有三個版型–標準版、Pro版和Max版，依舊全系長續(xù)航。作為小米汽車的第二款車型，YU7系列憑借其全系搭載的800V碳化硅高壓平臺、高性能動力系統(tǒng)以及豐富的智能配置，成為了市場關注的焦點。

圖片來源：小米YU7

小米YU7系列的發(fā)布，不僅標志著小米汽車在智能純電SUV市場的正式布局，也展現(xiàn)了小米在高端汽車制造領域的強大實力。憑借其全系800V碳化硅高壓平臺、高性能動力系統(tǒng)、豐富的智能配置以及豪華的內(nèi)飾設計，YU7系列有望在中大型純電SUV市場中脫穎而出，成為“最強國產(chǎn)挑戰(zhàn)者”。

小米最新YU7系列全系采用了自研的800V碳化硅高壓平臺，這一平臺技術的應用為車輛的續(xù)航和補能能力帶來了顯著提升。具體而言，800V碳化硅高壓平臺支持最高897V的峰值電壓，最大充電倍率可達5.2C。這意味著YU7系列能夠在15分鐘內(nèi)實現(xiàn)最快620km的補能，從10%充電至80%僅需12分鐘。這一高效的充電能力不僅大幅縮短了用戶的充電等待時間，也使得車輛的使用體驗更加接近傳統(tǒng)燃油車。

據(jù)悉，800V碳化硅高壓平臺具備高效率、低能耗的特點，能夠在提升車輛動力性能的同時，進一步優(yōu)化能耗表現(xiàn)，為車輛的長續(xù)航能力提供了有力支持。

另外，小米YU7系列提供了三種不同的動力配置，以滿足不同用戶的需求。其中，基礎后驅(qū)版搭載96.3kWh磷酸鐵鋰電池，CLTC工況續(xù)航可達835km；Pro版同樣搭載96.3kWh電池，但由于采用四驅(qū)動力，CLTC工況續(xù)航為770km；而Max版高性能四驅(qū)則搭載101.7kWh三元鋰電池，CLTC工況續(xù)航為760km。

在動力性能方面，YU7系列同樣表現(xiàn)出色?；A后驅(qū)版零百加速時間為5.88秒，峰值功率235kW，峰值扭矩528N?m；Pro版零百加速時間為4.27秒，峰值功率365kW，峰值扭矩690N?m；而Max版則擁有更強悍的動力表現(xiàn)，零百加速時間僅需3.23秒，峰值功率508kW，峰值扭矩866N?m。

圖片來源：小米YU7

而在智能駕駛方面，雷軍全程稱其為輔助駕駛，并表示，小米YU7全新升級了四合一域控制模塊，面向智能時代，擁有更高集成、更強算力。搭載第三代驍龍?8移動平臺，采用4nm工藝制程；全新一代英偉達Thor車載計算平臺，最高算力達700TOPS，帶來更好的輔助駕駛體驗。

（集邦化合物半導體 EMMA 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。