順應國家對第三代半導體的重視以及業(yè)界的高需求，產業(yè)鏈企業(yè)紛紛擴大產能。近日，又有兩個第三代半導體項目迎來新進展。
總投資1.5億，浙江嘉興耐思威項目開工
根據“海鹽黨建”的消息，4月1日，年產40萬套光伏及半導體設備用陶瓷制品、3.5萬套半導體設備用純硅夾具、0.5萬套光伏及半導體設備用碳化硅制品生產建設項目開工儀式在海鹽百步經濟開發(fā)區(qū)（百步鎮(zhèn)）舉行。
圖源：海鹽黨建
據悉，該項目由浙江耐思威智能制造有限公司投資，于2022年11月簽約落戶。
項目總投資1.5億元，主要服務于光伏設備、半導體設備、精密電子設備、機床等領域設備公司。項目計劃2025年年初正式投產，達產后可實現銷售額2億元。
芯導科技第三代半導體簽約無錫經開區(qū)
根據“無錫新傳媒”消息，3月29日，無錫經開區(qū)舉行2023集成電路產業(yè)懇談會（上海專場）。
會議上，芯導科技第三代半導體、此芯科技高性能ArmCPU總部、浙江大學—巍宇先進光電探測成像技術聯合研究中心等8個項目簽約無錫經開區(qū)，簽約金額8.5億元。
其中，芯導科技主營業(yè)務為功率半導體的研發(fā)與銷售，其功率半導體產品包括功率器件（如TVS、MOSFET、SBD、GaN HEMT等）和功率IC（如單節(jié)鋰電池充電芯片、過壓保護芯片、音頻功率放大器、DC-DC類電源轉換芯片、氮化鎵驅動IC等）兩大類，可應用于消費類電子、網絡通訊、安防、工業(yè)、汽車、儲能等領域。
2022年11月28日，芯導科技發(fā)布公告稱，公司擬在無錫設立全資子公司無錫芯導，并新增該子公司為公司募投項目“高性能分立功率器件開發(fā)和升級”、“高性能數?；旌想娫垂芾硇酒_發(fā)及產業(yè)化”、“硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發(fā)項目”實施主體之一，以上募投項目實施地點相應由上海調整為上海、無錫。具體如下：
據了解，芯導科技目前正在推進第三代半導體的技術研發(fā)和產品驗證工作，包括GaN和SiC產品，并嘗試應用于汽車電子、光伏逆變器、充電樁等更加豐富的場景。
3月7日，芯導科技在投資者互動平臺表示，配合公司第三代半導體650V GaN HEMT器件的高整合度驅動器芯片正處于客戶端測試階段，并在一些客戶端的驗證過程中。產品性能表現良好，已具備量產條件，目前在等待客戶后續(xù)項目計劃。（化合物半導體 Winter整理）
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