根據(jù)1Q19財報數(shù)據(jù)表明，歐司朗三大業(yè)務(wù)類別的營收同比均有所下降。具體來看，2019財年第一季度，汽車事業(yè)部（AM）的營收達到4.43億歐元，數(shù)字事業(yè)部（DI）的營收為2.02億歐元，光電半導(dǎo)體事業(yè)部（OS）營收為3.5億歐元。

歐司朗三大業(yè)務(wù)類別營收情況（單位：百萬歐元）

（圖片、數(shù)據(jù)來源：歐司朗財報）

由于多項不確定因素，未來幾個季度的市場能見度仍然十分有限。管理委員會已經(jīng)采取了一系列對策，旨在增加收入。為了確保年度預(yù)期，公司已在光電半導(dǎo)體部門啟動重要的結(jié)構(gòu)性措施。然而，由于即將到來的幾個月的訂單，年度目標(biāo)極有可能實現(xiàn)。

如之前公布的，歐司朗將在未來重點關(guān)注照明以外的光子學(xué)和光學(xué)技術(shù)。公司在2019財年初采用新的業(yè)務(wù)劃分結(jié)構(gòu)很好地證明了這點。歐司朗正在進一步提升其業(yè)績，并專注于高增長市場，包括光學(xué)半導(dǎo)體，汽車和數(shù)字應(yīng)用。

歐司朗集團（持續(xù)經(jīng)營）1Q19關(guān)鍵財務(wù)數(shù)據(jù)

1Q19市場分類數(shù)據(jù)

制表：LEDinside，數(shù)據(jù)來源：歐司朗財報

Micro LED技術(shù)瓶頸分析

目前Micro LED 所面臨的技術(shù)瓶頸，共區(qū)分幾個面向，包括磊晶、晶片、巨量轉(zhuǎn)移、全彩化、接合、電源驅(qū)動、背板、檢測與維修技術(shù)，此份研究報告將針對Micro LED技術(shù)瓶頸做深入之探討及分析。

磊晶技術(shù)：目前Micro LED磊晶技術(shù)的挑戰(zhàn)，其一是希望提升波長一致性與厚度均勻性，使得波長更集中，大幅降低磊晶廠的后段檢測成本，其二，當(dāng)LED Chip微縮至100微米以下時，LED Chip周圍因切割損傷造成不均勻的問題會造成漏電問題，并影響整體發(fā)光特性。

晶片技術(shù)：為了符合巨量轉(zhuǎn)移的制程，晶片需經(jīng)過弱化結(jié)構(gòu)的改變，以利自暫存基板上拾取晶片，并且增加絕緣層避免在轉(zhuǎn)移過程中晶片的受損，以保護及絕緣晶片。

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)：拾取放置技術(shù)可應(yīng)用在大于10µm以上之產(chǎn)品，但UPH、轉(zhuǎn)移設(shè)備的精準(zhǔn)度及穩(wěn)定度是一大隱憂，流體組裝技術(shù)可應(yīng)用在大于20µm以上之產(chǎn)品，雖然可以提升UPH但需要分別轉(zhuǎn)移三次才能完成全彩化目標(biāo)，激光轉(zhuǎn)移技術(shù)可應(yīng)用在大于1µm以上之產(chǎn)品，但激光設(shè)備的價格昂貴，將會造成初期投資的負擔(dān)。

全彩化技術(shù)： RGB晶片的色轉(zhuǎn)換方案，目前在小于20μm的技術(shù)上將面臨光效率、良率不足等問題，量子點的色轉(zhuǎn)換方案，進而補足在小尺寸色轉(zhuǎn)換不足的技術(shù)，但量子點也有部分涂佈均勻性與信賴性等問題產(chǎn)生，須待技術(shù)克服。

接合技術(shù)：由于Micro LED的晶片過于微小，錫膏金屬成份粒徑較大，容易造成Micro LED正負極性導(dǎo)通，形成微短路現(xiàn)象，因此黏著技術(shù)將會是Micro LED制程關(guān)鍵的挑戰(zhàn)，現(xiàn)狀Micro LED的Bonding技術(shù)有Metal Bump、Glue、Wafer Bonding及Micro Tube四大方向。

電源驅(qū)動技術(shù)：主動式驅(qū)動陣列中，每個像素連接到電路并單獨驅(qū)動，這樣將允許Micro LED以較低的電流工作，同時在整個點亮?xí)r間內(nèi)持續(xù)維持亮度，不會有明顯的顯示亮度損失，但Micro LED驅(qū)動電流極小，使得電路設(shè)計複雜，驅(qū)動電源模組空間佈局將更為密集。

背板技術(shù)：背板形式共分為四種型態(tài)，玻璃、軟性基板、硅基板、PCB等?，F(xiàn)階段以PCB背板應(yīng)用最廣泛，主要是因為其尺寸相容性高，可利用拼接符合各種所需的尺寸，以及可依需求選擇符合的基材做相對應(yīng)的背板。

檢測技術(shù)： Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品所使用的晶片數(shù)量甚多，并且Micro LED模組的光性及電性須正確且快速的判定之下，必須以巨量檢測的方式才能減少檢測時間及成本，要如何快速且準(zhǔn)確的測試出良品是制程的一大問題，也是現(xiàn)階段Micro LED檢測技術(shù)瓶頸的主要原因之一 。

維修技術(shù)： Micro LED維修方案，現(xiàn)階段有紫外線照射維修技術(shù)、激光融斷維修技術(shù) 、選擇性拾取維修技術(shù)、選擇性激光維修技術(shù)及備援電路設(shè)計方案等。

2019年1月LEDinside針對于2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)進行分析。如需詳細資料，歡迎來電或來信。謝謝您！

LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報告
出刊時間：2019年01月31日
檔案格式：PDF 
報告語系：繁體中文 /英文
頁數(shù)： 213
季度更新：Micro / Mini LED市場觀點分析 – 廠商動態(tài)、新技術(shù)導(dǎo)入、Display Week / Touch Taiwan展場直擊（2019年3月、6月、9月；約計10-15頁/季）

第一章 Micro LED定義與市場規(guī)模分析

Micro LED產(chǎn)品定義
Micro LED產(chǎn)值分析與預(yù)測
Micro LED產(chǎn)量分析與預(yù)測
Micro LED市場產(chǎn)量分析
Micro LED Display滲透率預(yù)測

第二章 Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品與技術(shù)發(fā)展趨勢

Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品總覽
Micro LED產(chǎn)品應(yīng)用規(guī)格總覽
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT 顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏出貨量與時程表預(yù)估

第三章 Micro LED專利布局分析

2000-2018 Micro LED專利布局 – 歷年專利家族分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 區(qū)域分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 技術(shù)分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 廠商分析
2001-2018 Micro LED專利布局 – 歷年巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)總覽
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)分類
2001-2018 Micro LED專利布局 – 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 品牌廠商技術(shù)布局分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 新創(chuàng)公司與研究機構(gòu)技術(shù)布局分析

第四章 Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案

Micro LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)總覽分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 制造流程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – LED磊晶與芯片制程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 轉(zhuǎn)移技術(shù)/黏接技術(shù)/驅(qū)動與背板技術(shù)

第五章 磊晶技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

磊晶技術(shù) – 解決方案
磊晶技術(shù) – 磊晶架構(gòu)與發(fā)光原理
磊晶技術(shù) – 磊晶發(fā)光層材料與光效
磊晶技術(shù) – 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)比較
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 波長均一性
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶缺陷控制
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技術(shù) – 適用性分析

第六章 芯片制程技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

芯片制程技術(shù) – LED芯片微縮的發(fā)展
芯片制程技術(shù) – LED芯片生產(chǎn)流程
芯片制程技術(shù) – 水平，覆晶與垂直芯片結(jié)構(gòu)性之差異
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（含藍寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（不含藍寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 激光剝離基板技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)與絕緣層
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)設(shè)計
芯片制程技術(shù) – 巨量轉(zhuǎn)移頭設(shè)計
芯片制程技術(shù) – 傳統(tǒng)LED與Micro LED芯片制程差異

第七章 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 拾取放置技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 非選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 選擇性拾取技術(shù)以提升晶圓利用率
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 修補應(yīng)用上的選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 影響產(chǎn)能的因素
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 大型轉(zhuǎn)移頭尺寸提升產(chǎn)能的方案
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移頭精準(zhǔn)度要求更高
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移次數(shù)和晶圓利用率比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移運轉(zhuǎn)周期與產(chǎn)能比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Apple (LuxVue)
靜電吸附+相變化轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Samsung
芯片轉(zhuǎn)移與翻轉(zhuǎn)方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 凡得瓦力轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：X-Celeprint
凡得瓦力轉(zhuǎn)印方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：ITRI
電磁力轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹： Mikro Mesa
利用黏合力與反作用力轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：AUO
靜電吸附力與反作用力方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：VueReal
Solid Printing技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Rohinni
頂針對位轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 流體組裝技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：eLux
流體裝配方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：PlayNitride
流體分散轉(zhuǎn)印技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Sony
激光轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：QMAT
BAR轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Uniqarta
多光束轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)-薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：KIMM
滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上面臨七大挑戰(zhàn)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移制程良率取決于制程能力的控制
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 適用性分析

第八章 檢測技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 檢測技術(shù)流程
檢測技術(shù) – 檢測方式
檢測技術(shù) – 電特性檢測
檢測技術(shù) – 電致發(fā)光(EL)原理
檢測技術(shù) – 光特性檢測
檢測技術(shù) – 光致發(fā)光(PL)原理
檢測技術(shù) – 巨量檢測技術(shù)總覽
巨量檢測方式 – 光致發(fā)光檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 數(shù)碼相機光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 接觸式光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 非接觸式光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 非接觸式EL檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 紫外線照射光電檢測技術(shù)
巨量檢測技術(shù)差異性比較

第九章 維修技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 維修技術(shù)
Micro LED維修技術(shù)方案
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
Micro LED的壞點維修流程
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
壞點維修技術(shù)分析
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
轉(zhuǎn)移頭拾取之過程
維修技術(shù)方案 – 激光熔接維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性拾取維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性激光維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 備援電路設(shè)計方案
Micro LED的主動缺陷偵測設(shè)計

第十章 全彩化技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

全彩化技術(shù)解決方案種類
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB芯片色彩化技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB在相同晶圓上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點色轉(zhuǎn)換技術(shù)與應(yīng)用
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子井的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 總覽
全彩化技術(shù)解決方案 – 適用性分析

第十一章 接合技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

接合技術(shù) – 技術(shù)分類
接合技術(shù) – 表面黏著技術(shù)方案
接合技術(shù) – 共晶波焊組裝技術(shù)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠(ACF)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠水(SAP)方案
接合技術(shù) – 晶圓結(jié)合技術(shù)(Wafer Bonding)方案
接合技術(shù) – 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
接合技術(shù) – Micro TUBE方案
接合技術(shù) – 技術(shù)困難度分析
接合技術(shù) – 適用性分析

第十二章 驅(qū)動技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

驅(qū)動技術(shù) – 驅(qū)動方案分類
驅(qū)動技術(shù) – 驅(qū)動IC的重要性
驅(qū)動技術(shù) – LED的伏安特性與光通量關(guān)系
驅(qū)動技術(shù) – 開關(guān)電源控制技術(shù)分類
驅(qū)動技術(shù) – 開關(guān)電源控制PWM與Duty Cycle的關(guān)系
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動與被動式驅(qū)動比較
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 掃描方式與畫面更新率
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 小間距顯示屏問題點分析
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 液晶顯示器之驅(qū)動架構(gòu)
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 主動式驅(qū)動 V.S 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 影響顯示品質(zhì)之干擾因素分析
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – OLED的光電特性
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – Micro LED驅(qū)動方案 – 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – Micro LED驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動
OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅(qū)動模組差異性

第十三章 驅(qū)動技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

背板技術(shù) – 顯示器背板的架構(gòu)
背板技術(shù) – 背板材料的分類
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件運作原理
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板的尺寸發(fā)展
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板脹縮挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 整合式背板-玻璃基板搭配開關(guān)元件應(yīng)用現(xiàn)況
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板a-Si畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板IGZO畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板LTPS畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件解析度差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件功耗差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件漏電性差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板材料特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板材料特性
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板外觀架構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板結(jié)構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材熱效應(yīng)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材差異性比較
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板制作挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板尺寸限制
背板技術(shù)差異性比較
背板技術(shù) – 適用性分析

第十四章 Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析

全球Micro LED主要廠商供應(yīng)鏈分析
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 中國臺灣廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 中國大陸廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 韓國廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 日本廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 歐美廠商

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盡管照明市場規(guī)模依舊在擴大，但是眾所周知，照明市場已成為“血腥的紅海”，市場競爭愈發(fā)殘酷，各照明企業(yè)間的“價格戰(zhàn)”已經(jīng)進入白日化，利潤日趨薄弱，很多LED照明企業(yè)都在感嘆“日子不好過”。

面對競爭加劇的國內(nèi)市場以及不斷壓縮的利潤空間，照明企業(yè)于是紛紛將目光投向海外市場，期望“走出去”，為企業(yè)發(fā)展謀得新機遇與新市場。

傳統(tǒng)的進入國際市場的模式分為出口進入模式，契約進入模式和投資進入模式，過去中國照明企業(yè)走出去的模式更加依賴出口模式，而近年來投資進入模式逐漸成為新的趨勢。2019年，中國照明企業(yè)如何走出去？

LEDinside特別梳理了五家比較具有代表性的中國照明企業(yè)：陽光照明、雷士照明、歐普照明、佛山照明、木林森，對其國際化戰(zhàn)略進行一一盤點，分析他們的走出去戰(zhàn)略，為期望走出國門的企業(yè)提供借鑒。

陽光照明：借船出海

自成立以來，陽光照明一直就以海外出口業(yè)務(wù)為主，通過為國際知名照明企業(yè)、境外照明批發(fā)商、境外連鎖型終端超市等代工和自營方式銷售照明產(chǎn)品。

根據(jù)其2017年年報，陽光照明目前主要市場占比分別為：歐洲42.30％、北美洲20.42％、中國15.86％、亞洲13.30％、拉丁美洲2.82％、大洋洲3.32％、非洲1.98％。從出口數(shù)據(jù)來看，歐洲、北美兩大地區(qū)的出口額已占到其營業(yè)總收入的62.72％。歐洲、北美兩大市場同比分別增長30.91%、15.53%，是其業(yè)績增長增長的主要原因。

總的來說，陽光照明的營業(yè)重心主要還是在海外。借著飛利浦、歐司朗等“大船”，陽光照明實現(xiàn)順利“出海”，產(chǎn)品質(zhì)量與制造工藝得以提升，成為名副其實的照明行業(yè)“富士康”。

由于代工模式很容易遇到發(fā)展瓶頸，因此2007年公司提出必須擺脫以代工為主的經(jīng)營模式，堅定不移地向代工和自主市場并重的經(jīng)營模式轉(zhuǎn)變。

為此，公司目前已分別在比利時、德國、美國、法國、丹麥、加拿大、澳大利亞、香港等擁有境外子（孫）公司從事海外銷售業(yè)務(wù)，通過積極開拓國際市場實現(xiàn)自有品牌產(chǎn)品的銷售。

雷士照明：買船出海

作為國內(nèi)知名照明品牌的雷士照明，在發(fā)展國內(nèi)市場的同時，對于海外市場的開拓也是不遺余力。

在海外渠道拓展上，雷士照明聚焦渠道拓展及工程項目突破，重點開拓東南亞及其他發(fā)展中國家以及中東海灣國家。同時，為了增加海外銷售額，雷士照明將其銷售渠道拓展至北美市場。

在2018年，雷士照明相繼收購了香港蔚藍芯光貿(mào)易有限公司及怡達(香港)光電科技有限公司，加速從制造型企業(yè)向渠道型企業(yè)轉(zhuǎn)型。

根據(jù)其2017年年報，海外銷售金額達到12.52億元，比上年增加6.5%。

歐普照明：造船出海

以國內(nèi)市場為主的歐普照明，其90%以上的收入來自于國內(nèi)，海外市場占比不到1成。隨著國內(nèi)市場逐漸趨于飽和，近年來歐普照明加大了海外市場的開拓。

全球照明市場碎片化的特征很明顯，向海外拓展時，企業(yè)選擇并購當(dāng)?shù)氐恼彰髌放茣窍喈?dāng)省力的進入當(dāng)?shù)厥袌龅姆绞健ｏw利浦和OSRAM在崛起階段也是大肆并購才實現(xiàn)了后來的全球化布局。然而歐普矢志打造自己的品牌，選擇了打硬仗，打呆仗的方式。

歐普在海外普遍實行本地化運作，通過在當(dāng)?shù)卣心既藛T，組建當(dāng)?shù)貓F隊，擴充業(yè)務(wù)渠道。同時也通過契約式進入模式，主要通過海外展會、網(wǎng)絡(luò)查詢和目標(biāo)國家實地拜訪等多種方式在海外自建經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)，采用經(jīng)銷模式拓展自有品牌。

對于產(chǎn)品出口國的選擇，歐普照明主要選擇的是中東及印度等新興市場，在海外重點區(qū)域，如南非、泰國、印度、迪拜、歐洲等地設(shè)立子公司，進行國際市場開發(fā)。

根據(jù)其2017年年報，海外銷售金額達到6億元，比上年增加49%。

佛山照明：揚帆出海

作為國內(nèi)老牌照明企業(yè)，佛山照明歷經(jīng)了行業(yè)六十余載的發(fā)展與變遷，在國內(nèi)市場擁有極大的影響力。近年來，佛山照明在海外市場的開拓布局方面下了很大的功夫。

對于歐美等發(fā)達市場，佛山照明極為重視，專門成立佛山照明歐洲有限責(zé)任公司（FSL Europe GmbH）等公司進行專屬區(qū)域的業(yè)務(wù)開拓。同時，開始瞄準(zhǔn)南美、東南亞、中東、阿拉伯等新興市場，逐步向“世界燈王”目標(biāo)推進。

根據(jù)其2017年年報，外銷占其營業(yè)總收入的39.18%，比2016年的36.2%提高了2.98個百分點，境外業(yè)務(wù)比重明顯上升，公司自主品牌銷售收入增長37%。

未來，F(xiàn)SL自主品牌將繼續(xù)在品牌推廣、渠道建設(shè)及產(chǎn)品開發(fā)方面發(fā)力，進一步提高FSL品牌在海外的知名度和美譽度，不斷完善海外渠道網(wǎng)點布局，針對不同區(qū)域市場，開發(fā)不同產(chǎn)品。

沒有哪個中國人家里沒裝過幾盞FSL的燈泡或燈管，六十余年歷史的佛山照明品牌影響力早已隨著全球華人世界的物流人流滲入海外市場，靜待合適的時機去收獲累累碩果?，F(xiàn)在的佛山照明已經(jīng)意識到自身品牌在海外市場巨大潛力，所欠缺的不過是直掛云帆濟滄海。

木林森：買航母出海

木林森原本只是一家以照明用LED為經(jīng)營重點的封裝企業(yè)，在LED照明興起的大趨勢下進軍下游照明產(chǎn)業(yè)。

近年來，木林森更是積極布局全球照明市場，通過大開大合的并購動作，大幅提升公司在國際市場的競爭力和市場份額，是典型的投資進入模式。通過并購照明行業(yè)的航母級企業(yè)朗德萬斯，木林森一步跨越成為全球照明行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，海外市場成為木林森最大的收入增長來源。

根據(jù)其2017年年報，境外業(yè)務(wù)僅占其營業(yè)總收入的14.25%，比2016年的9.60%提高了4.65個百分點，境外業(yè)務(wù)比重明顯上升。

特別是2017年木林森通過收購歐司朗通用照明業(yè)務(wù)后，這一雄心更是顯而易見。憑借LEDVANCE這艘“航母”的渠道、品牌、技術(shù)等優(yōu)勢，以及覆蓋大約150個國家的龐大銷售渠道，木林森極大開拓了公司的出?？冢靡钥焖偬岣吆Ｍ馐袌稣加新?，提升品牌形象。

在2018年半年報中，木林森合并了朗德萬斯的財務(wù)數(shù)據(jù)后，境外業(yè)務(wù)占木林森營業(yè)總收入的48.81%，已占據(jù)其“半壁江山”。在去年11月，木林森又將旗下照明品牌Forest Lighting與LEDVANCE合并，進一步整合海外照明業(yè)務(wù)。預(yù)計2018年全年，木林森的海外收入要超過50%，成功邁入國際市場。

進入國際市場的策略

隨著國內(nèi)市場日趨飽和，LED企業(yè)“走出去”已是大勢所趨，各大企業(yè)也在積極布局國際化戰(zhàn)略。從目前海外市場來看，北美、歐洲仍是中國LED的主要出口地，而進入歐美市場，產(chǎn)品專利則是繞不開的壁壘。隨著“一帶一路”倡議的不斷深入，新興市場的需求不斷加大，讓LED企業(yè)在海外布局時更加多元化。

特別是2018年9月份中美貿(mào)易沖突升級以來，LED照明產(chǎn)業(yè)也成為美國課稅的目標(biāo)，中國照明企業(yè)成為首當(dāng)其沖的關(guān)稅受害者。由于美國針對中國的照明產(chǎn)品征收10%的關(guān)稅，讓依賴美國市場的照明企業(yè)頓時感受到巨大的價格壓力。繞過關(guān)稅壁壘成為照明企業(yè)走出去的動因之一。

“走出去”對國內(nèi)LED企業(yè)而言，是一個值得深入探討的話題，其方式方法也多樣化。企業(yè)為了快速進入國際市場，跨國并購就提供了一條“捷徑”，通過并購，企業(yè)可以快速地獲取海外專利、相關(guān)生產(chǎn)技術(shù)和客戶群體，快速擴大市場份額。

即便大部分企業(yè)無法像木林森那樣直接大手筆買下朗德萬斯，但是通過并購一些小而美的標(biāo)的也不失為一種折中的辦法。

除了并購?fù)?，企業(yè)還可以通過在海外設(shè)立子公司或工廠，布局當(dāng)?shù)丶毞诸I(lǐng)域的市場；或通過與海外當(dāng)?shù)仄髽I(yè)聯(lián)手的方式，進入當(dāng)?shù)厥袌?；或以自身?yōu)勢產(chǎn)品大力發(fā)展海外照明市場，強化海外銷售力量，創(chuàng)新海外銷售模式，針對不同市場推出不同產(chǎn)品。

“八仙過海，各顯神通。”企業(yè)在制定國際化策略時，應(yīng)結(jié)合自身的實際情況與市場要求，立足當(dāng)前，著眼長遠，選擇適合企業(yè)的發(fā)展道路，提早做好籌劃與準(zhǔn)備，有的放矢，才能在開拓海外市場時游刃有余。

相信看過電影《流浪地球》的朋友都有留意這樣一個細節(jié)，朵朵在出地下城之前看中“榴蓮味的蚯蚓干”，老韓在向看守送的禮品，也是“陳年蚯蚓干”，想必那時的人類把蚯蚓干已經(jīng)當(dāng)作一種奢侈的美食來看待。此時，在線君心中不免疑惑，2057年，植物照明已相當(dāng)成熟，根本無需為食物供給發(fā)愁，為何偏偏將蚯蚓干當(dāng)美食？

根據(jù)定義，植物照明是模擬植物需要太陽光進行光合作用的原理，對植物進行補光或者完全代替太陽光。所以，即便是地下城，植物也可以照常生長。

植物照明的產(chǎn)生，源于農(nóng)業(yè)種植的模式發(fā)生變化，因為土地是有限的，人口越來越多。在世界上，越是土地狹小的國家越是發(fā)展得早，比如說日本、荷蘭這些國家在植物照明這一領(lǐng)域目前相對都比較成熟。

隨著科技的不斷發(fā)展，植物照明也在進一步演化。最早是自然光，后來有了溫室補光，有了HID等，現(xiàn)在是LED?？傮w來說，熒光燈也好，HID也好，初期投資比較便宜，因此得到了很大規(guī)模的應(yīng)用。雖然LED應(yīng)用于植物照明中光效更高、可靠性更高、更容易使用，但由于價格居高不下，LED目前在植物照明市場的滲透率持續(xù)低迷。不過，相信在不遠的將來，隨著LED成本的下降，LED植物照明的市場滲透率將逐漸提升。

據(jù)LEDinside預(yù)估，2018年全球LED植物照明燈具市場規(guī)模約為2.24億美金，到2022年將成長至6.33億美金，2018到2022年復(fù)合成長率為30%。

2020年代就已經(jīng)有如此規(guī)模和前景，更何況2050年代，《流浪地球》定位科幻片，如此不考慮植物照明產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商的努力，在線君沒法接受?。?！

LEDinside榮幸于Photonics West采訪VEECO副總裁Somit Joshi。對于手機3D感測和LiDAR市場的發(fā)展，特別是后鏡頭市場的未來潛力，VEECO保持樂觀態(tài)度。因此，在面對市場需求之下，VEECO基于TurboDisc技術(shù)的先進MOCVD設(shè)備，旨在滿足下一波高功率VCSEL的嚴(yán)格要求。與目前的設(shè)備表現(xiàn)相比，VEECO提升六英寸晶圓均勻性，穩(wěn)定控制鋁成分，缺陷和Doping控制提高25-50％，以TurboDisc技術(shù)支援下提高40％的生產(chǎn)力。除了MOCVD，VEECO's Wafer Storm & Wafer Erch Solvent-based Equipment提供卓越的Wet Process制程，其制造控制能力，達到領(lǐng)先的產(chǎn)能與滿足企業(yè)營運成本。

光達市場

因應(yīng)光達市場需求，歐司朗不斷擴展其光達激光產(chǎn)品功率，以滿足客戶的需求，包括將SPL DS90A_3的峰值功率提高到120W，此外，歐司朗計劃在2019年推出四通道SMT激光。

LiDAR技術(shù)主要面臨到的問題為難以短脈衝達到高峰值功率的激光傳輸，以確保遠距離感測和人眼安全的必要性。為了滿足這一需求，OSRAM與GaN Systems合作開發(fā)同時以40 A驅(qū)動所有四個通道，以提供480 W的峰值功率。

Excelitas 為知名光達激光廠商，會場中展示1×4 脈衝激光 (Pulsed Laser)，其產(chǎn)品功率可達到70W。此外也展示APD，積極朝向光達市場布局。

除了光達激光光源外、光偵測器也是構(gòu)成光達發(fā)展的另一重要關(guān)鍵。光偵測器一般是用光電二極體 (Photodiode, PD)、雪崩二極體 (Avalanche photodiode, APD)、單光子雪崩二極體 (Single Photon Avalanche Diodes, SPAD)、或是硅光電倍增器 (Silicon Photomultiplier, SiPM)。主要廠商包含 Hamamatsu、First Sensor、On Semiconductor 與Excelitas。First Sensor自部分收購Sensortechnics，擴增硅光電倍增器 (Silicon Photomultiplier, SiPM)產(chǎn)品。

長波長市場趨勢

根據(jù)LEDinside紅外線感測應(yīng)用市場報告表示1,000nm 以上長波長應(yīng)用多為手術(shù)治療、光通訊 (Optical Communication)、利基健康監(jiān)測 (血糖感測)、設(shè)備檢測、氣體感測、車用光達、光譜分析市場為主。

DOWA為知名的紅外線LED廠商，于展場推出1,000-1,600nm 紅外線LED產(chǎn)品，于20mA 可達到2mW，產(chǎn)品應(yīng)用于氣體感測、酒精感測等。同時與客戶共同開發(fā)之下，3,000-5,000nm 紅外線LED產(chǎn)品也即將于市面上推出，勢必將為紅外線市場帶來新的應(yīng)用需求與市場動能。此外680nm 紅光VCSEL也是主要發(fā)展產(chǎn)品之一。

USHIO主要發(fā)展UV-A LED與紅外線LED廠商，于長波長紅外線LED的發(fā)展也有最新的重大突破。不僅在原先耕耘的1,650nm的紅外線產(chǎn)品，其輸出功率已領(lǐng)先業(yè)界達到80mW (500mA)；并在1,750nm紅外線LED產(chǎn)品達到突破，輸出功率以50mA驅(qū)動之下可達到2mW，若是採用500mA驅(qū)動之下可達到15mW。

手機3D感測

OSRAM收購Vixar后推出手機3D感測用的VCSEL產(chǎn)品，期待將于今年進入手機品牌之中。

Fuji Xerox為日本知名的VCSEL廠商，Dr. Takashi Kondo于研討會發(fā)表Self-scanning VCSEL，可借由磊晶與芯片的設(shè)計不僅可以大幅降低產(chǎn)品面積，也可以控制點陣 (Emitter)的排列，進而達到3D感測所需要的效果。

ams Dr. Serdal Okur同樣的也于研討會發(fā)表其晶片產(chǎn)品，借由磊晶設(shè)計進而調(diào)整出光角度 (Divergence Angle)。

Lumentum 為知名3D感測供應(yīng)廠商。本次展覽如同去年模式，展出一系列與感測模組客戶合作的產(chǎn)品案例。包含採用邊射型激光的光達產(chǎn)品與VCSEL的結(jié)構(gòu)光產(chǎn)品。

Viavi 收購PRC Photonics 后正式跨足擴散片 (Diffuser) 產(chǎn)品市場，會場中展出多項採用擴散片后達到的光形效果。

Finisar積極看好后續(xù)后鏡頭 (World Facing) 市場發(fā)展，目前積極與品牌廠商共同開發(fā)。

集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）最新報告《2019 紅外線感測應(yīng)用市場新趨勢- 手機感測、光達、光學(xué)感測》表示，眾多紅外線產(chǎn)品應(yīng)用持續(xù)發(fā)展，為紅外線產(chǎn)業(yè)帶來無限商機。LEDinside 聚焦以下主要應(yīng)用市場，包含安全監(jiān)控、行動裝置生物辨識 (虹膜、2D臉部、屏下指紋辨識-光學(xué)式與超聲波式、3D 臉部辨識-結(jié)構(gòu)光、飛時測距、雙目視覺)、數(shù)位醫(yī)療 (心跳、血氧、血糖感測)、光譜感測、車內(nèi)感測 (臉部辨識、手勢辨識) 與車用光達、無人機、無人搬運車、距離感測器、光通訊等，探討與分析市場規(guī)模、機會與挑戰(zhàn)、產(chǎn)品規(guī)格與供應(yīng)鏈，提供讀者對于紅外線應(yīng)用市場更全面的了解。（文：Joanne / LEDinside）

Nichia本次展出工業(yè)用激光與UV LED產(chǎn)品。工業(yè)用UV激光主要應(yīng)用于PCB曝光機市場之中，相較于UV LED，更容易達到準(zhǔn)直光的設(shè)計。此外，Nichia新推出UV-C LED產(chǎn)品，將于今年四月正式發(fā)表，目前正對客戶積極送樣，其產(chǎn)品光學(xué)輸出功率最高可達到60mW。

DOWA展示出一系列265nm-340nm深紫外線芯片產(chǎn)品。340nm UV-B LED產(chǎn)品功率可達到150mW（600mA），而265nm UV-C LED可達到60mW（600mA）。現(xiàn)場以DOWA模組客戶Eotron的產(chǎn)品微粒，其UV-C LED模組以25個UV-C LED芯片封裝之下，其產(chǎn)品功率可達到1.25W，在8.3mm x 8.3 mm的照射面積之下，可達1.8W/cm² 的光強度。

Violumas是Cofan Group Flip Chip Opto的UV部門，提供UV LED產(chǎn)品和解決方案的供應(yīng)商。Cofan Group鋁基板采用CMC制程嵌入銅管，提升散熱能力，結(jié)合UV-A LED可達到2500W的模組能力，并應(yīng)用于快速印刷 （Inkjet Printing）設(shè)備市場之中。其UV-C LED產(chǎn)品則應(yīng)用于捕蚊燈 （Insert Attraction）與食物保鮮市場之中。未來持續(xù)看好眾多應(yīng)用發(fā)展。

UVphotonics將與Ferdinand-BraunInstitut （FBH）聯(lián)合展示最新的深紫外LED發(fā)展。UVphotonics Photonics West 2019的特色產(chǎn)品包括310nm UV-B LED，達到30mW（350mA）；265nm UV-C LED，達到25mW（350mA）；還有233nm UV-C LED，可達到0.3mW（100mA） 的輸出功率。

LG Innotek展示100mW 280nm UV-C LED產(chǎn)品，并持續(xù)朝向150mW產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展。

三安光電卓昌正博士于Photonics West論文發(fā)表研討會針對于深紫外線技術(shù)與目前進展進行依深入探討。深紫外線LED產(chǎn)品高效率化主要包含三大因素: 內(nèi)部量子效率、載子注入效率與光取出效率。此報告主要以內(nèi)部量子效率與載子注入效率提升。目前三安光電于市面上的銷售的UV-C LED產(chǎn)品以1-4mW （20mA）為主，大功率最高可到達30~60mW （350mA）。此外也提供模組客製化服務(wù)。應(yīng)用市場包含洗衣機、馬桶消毒、飲用水殺菌等。

Nikkiso收購美商AquiSense發(fā)展UV-C LED殺菌淨(jìng)化模組，于2018年取得不錯的成績。

根據(jù)LEDinside觀察，多家LED廠商積極開發(fā)UV-C LED產(chǎn)品，其產(chǎn)品應(yīng)用可包含家電、靜態(tài)水殺菌、照明、食物保鮮、甚至是可帶來現(xiàn)存既有產(chǎn)品的附加價值。隨著產(chǎn)品技術(shù)提升，更可以朝向動態(tài)水殺菌、水處理、食物處理殺菌、商業(yè)與制造業(yè)市場。

LEDinside即將于2019年4月推出《LEDinside 2019深紫外線LED應(yīng)用市場報告- 殺菌、凈化與潛在市場》，除了UV LED市場產(chǎn)值、數(shù)量、價格與廠商動態(tài)更新外，將聚焦在深紫外線市場應(yīng)用研究與分析，提供讀者對于深紫外線應(yīng)用市場更全面的了解。（文：Joanne / LEDinside）

Micro LED的發(fā)展，早期以專利布局為主，在2000年至2013年期間屬于“萌芽期”，市場需求不明下僅有少數(shù)先驅(qū)者進行專利的布局，以SONY、Cree及University of Illinois為最早布局的廠商及研究機構(gòu)， 2014年之后躍入“成長期”，主要原因是來自于APPLE收購LuxVue之后，并且展現(xiàn)出對于Micro LED顯示技術(shù)的信心，進而帶動其他業(yè)者及新創(chuàng)公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL等，這兩年來已經(jīng)出現(xiàn)面板廠的專利布局，比如AUO、BOE 、 CSOT等。其中，在眾多Micro LED的專利申請中，前三大專利的技術(shù)為巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、顯示模組技術(shù)及芯片制程技術(shù)，合計占所有專利的80%。

Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析

而這幾年來國際大廠也紛紛加入Micro LED的技術(shù)開發(fā)，大多是以購并、成立公司內(nèi)部新事業(yè)單位或新創(chuàng)公司的方式，來進行Micro LED的發(fā)展，這些公司以本身既有的專精領(lǐng)域來做垂直或橫向的發(fā)展，大致可以分為LED磊晶、轉(zhuǎn)移、面板及品牌等方面，在LED磊晶方面，主要以LED磊晶廠發(fā)展最適合，而巨量轉(zhuǎn)移部份是技術(shù)門檻也是較多廠商投入的領(lǐng)域。中國大陸、中國臺灣、韓國、日本及歐美的廠商對Micro LED布局程度也有所不同，比如：中國臺灣廠商多半是以專業(yè)代工為主，包括友達光電，晶元光電，以及PlayNitride等公司，都與國際大廠進行深入的合作。

中國大陸廠商在Micro LED的發(fā)展腳步較慢。最主要原因中國大陸廠商偏好能夠快入導(dǎo)入量產(chǎn)的技術(shù)。因此對于Micro LED技術(shù)多半處于研究與評估階段。但部分廠商已經(jīng)悄悄布局與投資。

韓國廠商在顯示器領(lǐng)域的技術(shù)布局完整。但是由于韓國廠商的主要資源均集中于OLED產(chǎn)品上，因此對于Micro LED技術(shù)則是采取策略合作的方式來參與該技術(shù)的開發(fā)與研究。

日本廠商在Micro LED領(lǐng)域，以SONY最為領(lǐng)先，并且布局完整。但是由于日本廠商的供應(yīng)鏈相對封閉，并且多半在集團內(nèi)自制完成。因此其他的日本廠商主要是以設(shè)備商，或是材料商才有辦法參與其中。而值得關(guān)注的是，日韓廠商由于本身在大尺寸的電視領(lǐng)域已占據(jù)主導(dǎo)地位，因此多半聚焦在大尺寸Micro LED顯示器技術(shù)的開發(fā)。

歐美廠商多半以新創(chuàng)公司以及學(xué)術(shù)機構(gòu)布局于該領(lǐng)域。近年來隨系統(tǒng)大廠逐漸投入開發(fā)該技術(shù)，并且透過轉(zhuǎn)投資與收購的方式進行專利布局在巨量轉(zhuǎn)移的領(lǐng)域。至于面板領(lǐng)域，則是由于面板的投資金額過高，因此主要與亞洲的面板廠商進行合作開發(fā)。特別是歐美廠商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED顯示應(yīng)用，如手機、投影與穿戴裝置，因此技術(shù)局領(lǐng)域多朝此方面發(fā)展。

2019年1月LEDinside針對于2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)進行分析。如需詳細資料，歡迎來電或來信。謝謝您！

LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報告
出刊時間：2019年01月31日
檔案格式：PDF 
報告語系：繁體中文 /英文
頁數(shù)： 213
季度更新：Micro / Mini LED市場觀點分析 – 廠商動態(tài)、新技術(shù)導(dǎo)入、Display Week / Touch Taiwan展場直擊（2019年3月、6月、9月；約計10-15頁/季）

第一章 Micro LED定義與市場規(guī)模分析

Micro LED產(chǎn)品定義
Micro LED產(chǎn)值分析與預(yù)測
Micro LED產(chǎn)量分析與預(yù)測
Micro LED市場產(chǎn)量分析
Micro LED Display滲透率預(yù)測

第二章 Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品與技術(shù)發(fā)展趨勢

Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品總覽
Micro LED產(chǎn)品應(yīng)用規(guī)格總覽
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT 顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視出貨量與時程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏出貨量與時程表預(yù)估

第三章 Micro LED專利布局分析

2000-2018 Micro LED專利布局 – 歷年專利家族分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 區(qū)域分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 技術(shù)分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 廠商分析
2001-2018 Micro LED專利布局 – 歷年巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)總覽
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)分類
2001-2018 Micro LED專利布局 – 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 品牌廠商技術(shù)布局分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 新創(chuàng)公司與研究機構(gòu)技術(shù)布局分析

第四章 Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案

Micro LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)總覽分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 制造流程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – LED磊晶與芯片制程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 轉(zhuǎn)移技術(shù)/黏接技術(shù)/驅(qū)動與背板技術(shù)

第五章 磊晶技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

磊晶技術(shù) – 解決方案
磊晶技術(shù) – 磊晶架構(gòu)與發(fā)光原理
磊晶技術(shù) – 磊晶發(fā)光層材料與光效
磊晶技術(shù) – 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)比較
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 波長均一性
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶缺陷控制
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技術(shù) – 適用性分析

第六章 芯片制程技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

芯片制程技術(shù) – LED芯片微縮的發(fā)展
芯片制程技術(shù) – LED芯片生產(chǎn)流程
芯片制程技術(shù) – 水平，覆晶與垂直芯片結(jié)構(gòu)性之差異
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（含藍寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（不含藍寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 激光剝離基板技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)與絕緣層
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)設(shè)計
芯片制程技術(shù) – 巨量轉(zhuǎn)移頭設(shè)計
芯片制程技術(shù) – 傳統(tǒng)LED與Micro LED芯片制程差異

第七章 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 拾取放置技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 非選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 選擇性拾取技術(shù)以提升晶圓利用率
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 修補應(yīng)用上的選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 影響產(chǎn)能的因素
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 大型轉(zhuǎn)移頭尺寸提升產(chǎn)能的方案
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移頭精準(zhǔn)度要求更高
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移次數(shù)和晶圓利用率比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移運轉(zhuǎn)周期與產(chǎn)能比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Apple (LuxVue)
靜電吸附+相變化轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Samsung
芯片轉(zhuǎn)移與翻轉(zhuǎn)方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 凡得瓦力轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：X-Celeprint
凡得瓦力轉(zhuǎn)印方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：ITRI
電磁力轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹： Mikro Mesa
利用黏合力與反作用力轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：AUO
靜電吸附力與反作用力方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：VueReal
Solid Printing技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Rohinni
頂針對位轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 流體組裝技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：eLux
流體裝配方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：PlayNitride
流體分散轉(zhuǎn)印技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Sony
激光轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：QMAT
BAR轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Uniqarta
多光束轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)-薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：KIMM
滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上面臨七大挑戰(zhàn)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移制程良率取決于制程能力的控制
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 適用性分析

第八章 檢測技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 檢測技術(shù)流程
檢測技術(shù) – 檢測方式
檢測技術(shù) – 電特性檢測
檢測技術(shù) – 電致發(fā)光(EL)原理
檢測技術(shù) – 光特性檢測
檢測技術(shù) – 光致發(fā)光(PL)原理
檢測技術(shù) – 巨量檢測技術(shù)總覽
巨量檢測方式 – 光致發(fā)光檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 數(shù)碼相機光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 接觸式光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 非接觸式光電檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 非接觸式EL檢測技術(shù)
巨量檢測方式 – 紫外線照射光電檢測技術(shù)
巨量檢測技術(shù)差異性比較

第九章 維修技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 維修技術(shù)
Micro LED維修技術(shù)方案
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
Micro LED的壞點維修流程
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
壞點維修技術(shù)分析
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
轉(zhuǎn)移頭拾取之過程
維修技術(shù)方案 – 激光熔接維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性拾取維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性激光維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 備援電路設(shè)計方案
Micro LED的主動缺陷偵測設(shè)計

第十章 全彩化技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

全彩化技術(shù)解決方案種類
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB芯片色彩化技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB在相同晶圓上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點色轉(zhuǎn)換技術(shù)與應(yīng)用
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子井的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 總覽
全彩化技術(shù)解決方案 – 適用性分析

第十一章 接合技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

接合技術(shù) – 技術(shù)分類
接合技術(shù) – 表面黏著技術(shù)方案
接合技術(shù) – 共晶波焊組裝技術(shù)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠(ACF)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠水(SAP)方案
接合技術(shù) – 晶圓結(jié)合技術(shù)(Wafer Bonding)方案
接合技術(shù) – 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
接合技術(shù) – Micro TUBE方案
接合技術(shù) – 技術(shù)困難度分析
接合技術(shù) – 適用性分析

第十二章 驅(qū)動技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

驅(qū)動技術(shù) – 驅(qū)動方案分類
驅(qū)動技術(shù) – 驅(qū)動IC的重要性
驅(qū)動技術(shù) – LED的伏安特性與光通量關(guān)系
驅(qū)動技術(shù) – 開關(guān)電源控制技術(shù)分類
驅(qū)動技術(shù) – 開關(guān)電源控制PWM與Duty Cycle的關(guān)系
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動與被動式驅(qū)動比較
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 掃描方式與畫面更新率
驅(qū)動技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動方案 – 小間距顯示屏問題點分析
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 液晶顯示器之驅(qū)動架構(gòu)
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 主動式驅(qū)動 V.S 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 影響顯示品質(zhì)之干擾因素分析
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – OLED的光電特性
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – OLED驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – Micro LED驅(qū)動方案 – 被動式驅(qū)動
驅(qū)動技術(shù) – Micro LED驅(qū)動方案 – 主動式驅(qū)動
OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅(qū)動模組差異性

第十三章 驅(qū)動技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

背板技術(shù) – 顯示器背板的架構(gòu)
背板技術(shù) – 背板材料的分類
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件運作原理
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板的尺寸發(fā)展
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板脹縮挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 整合式背板-玻璃基板搭配開關(guān)元件應(yīng)用現(xiàn)況
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板a-Si畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板IGZO畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板LTPS畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件解析度差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件功耗差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件漏電性差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板材料特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板材料特性
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板外觀架構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板結(jié)構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材熱效應(yīng)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材差異性比較
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板制作挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板尺寸限制
背板技術(shù)差異性比較
背板技術(shù) – 適用性分析

第十四章 Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析

全球Micro LED主要廠商供應(yīng)鏈分析
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 中國臺灣廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 中國大陸廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 韓國廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 日本廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 – 歐美廠商

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所有圖片來源：洲明科技

除了4K Mini-LED 0.9之外，洲明科技還攜多款海內(nèi)外主推的LED小間距、租賃、固裝顯示應(yīng)用新產(chǎn)品及可視化解決方案亮相ISE展會12-F60展位，成為展會上陣容最強大的高能展臺之一。展位現(xiàn)場氣氛火爆，人氣高漲，吸引了大量專業(yè)買家紛紛前來咨詢洽談，更有多家主流媒體追蹤報道。

洲明量產(chǎn)4K Mini-LED0.9斬獲ISE 2019最佳展品獎

Mini-LED作為當(dāng)下最火熱的新型顯示技術(shù)，無疑是廣大參展觀眾一致關(guān)注的焦點。展會上，洲明科技正式發(fā)布了行業(yè)首家量產(chǎn)的新一代小間距LED顯示產(chǎn)品——Mini-LED0.9，該產(chǎn)品結(jié)合最新高可靠性巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)與集成封裝技術(shù)，徹底打破了SMD小間距LED市場長期存在的1.0mm以下間距瓶頸，并融入了領(lǐng)先的高動態(tài)范圍（HDR）顯示技術(shù)，能夠更清晰地展現(xiàn)出畫面的明暗層次與邊緣細節(jié)，帶給現(xiàn)場觀眾更加逼真震撼的視覺盛宴，吸引了大量客戶圍觀拍照。

目前，洲明科技生產(chǎn)的Mini-LED0.9產(chǎn)品可靠性已超出商業(yè)化量產(chǎn)水平，可滿足全球范圍內(nèi)客戶的訂貨需求。

憑借展品代表的先進研發(fā)技術(shù)和高端生產(chǎn)水平，在ISE展會上，洲明科技展出的量產(chǎn)4K Mini-LED 0.9產(chǎn)品贏得ISE主辦方和參展觀眾的一致認可，獲評ISE 2019最佳展品獎。Mini-LED 0.9在性價比、可靠性、觀看舒適性等多方面有諸多優(yōu)勢，Mini-LED量產(chǎn)將推動小間距LED從專用顯示市場，向規(guī)模更大的商業(yè)顯示市場甚至民用市場持續(xù)滲透，打開更廣闊的市場空間。

1. Mini-LED / 性價比更高

Mini-LED，即芯片尺寸在30-100微米的LED。這種更小的LED晶體顆粒，幾乎是傳統(tǒng)300微米尺寸LED晶體顆粒原料耗費的十分之一，可大大節(jié)約上游成本。同時，Mini-LED直接將Mini LED芯片直接貼裝在PCB板上，省去封裝部分成本，縮短了制程，降低了制造成本，提高了產(chǎn)品的性價比。

2. Mini-LED / 質(zhì)量更可靠

洲明Mini-LED通過采用性能優(yōu)異的高阻隔薄膜封裝材料，自主研發(fā)的集成封裝技術(shù)，以及成熟完善的制造工藝，全面提升產(chǎn)品的防護性與可靠性，防塵、防水等級達到正面IP54，防靜電、防磕碰效果好，滿足近距離直接觸摸、表面濕毛巾直接擦拭等使用需求。洲明Mini-LED光源面封裝后無需高溫回流焊操作，最大程度保障了LED晶體的電器和內(nèi)部結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

3. Mini-LED / 觀看更舒適

洲明Mini-LED融入了領(lǐng)先的高動態(tài)范圍（HDR）顯示技術(shù)，將圖像最真實的樣子呈現(xiàn)給觀眾，提供身臨其境的視覺體驗；16:9標(biāo)準(zhǔn)分辨率顯示，更柔和的面光源設(shè)計，符合長時間觀看人眼舒適度要求；箱體模組采用無線拼接，外觀更簡潔；175°超寬視角，視野更廣闊；完美匹配高端商用顯示、博物館以及家庭影院、豪華住宅大廳等應(yīng)用場所。

行業(yè)首款可戶內(nèi)外兼用的租賃新品UtileⅢ成展會新秀

除了備受行業(yè)關(guān)注的Mini LED外，本屆ISE上，洲明科技帶來的行業(yè)首款可戶內(nèi)外兼用的租賃新品UtileⅢ也成為了展會的一大焦點。產(chǎn)品通過DDC（雙驅(qū)動器配置）可實現(xiàn)室內(nèi)和室外應(yīng)用，免工具操作，高效維護，創(chuàng)意安裝等為用戶各種不同環(huán)境的安裝使用帶來了極大的便利，受到廣大客戶商家的高度好評。

洲明智慧會議顯示終端UTVIII一體機刷新行業(yè)認知

展會上，洲明科技的智慧會議顯示終端UTVIII超級電視憑借軟硬件一體化設(shè)計也賺足了眼球，產(chǎn)品內(nèi)置頂級揚聲設(shè)備和Android智能系統(tǒng)，支持手機、平板、筆記本等設(shè)備內(nèi)容一鍵傳屏，多屏實時互動，可給會議室應(yīng)用帶來展示、交互、協(xié)同于一體的全新體驗，刷新了現(xiàn)場參展觀眾對LED顯示屏的認知。

除了以上展品，洲明科技還展出了Unano、漏斗屏等多種可應(yīng)用于不同場景的LED顯示產(chǎn)品及解決方案，向全球?qū)I(yè)觀眾展現(xiàn)了洲明科技強勁的綜合實力，其中洲明科技的漏斗屏在現(xiàn)場大受歡迎，吸引了眾多參展觀眾拍照傳播。