根據(jù)1Q19財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)表明，歐司朗三大業(yè)務(wù)類別的營(yíng)收同比均有所下降。具體來(lái)看，2019財(cái)年第一季度，汽車事業(yè)部（AM）的營(yíng)收達(dá)到4.43億歐元，數(shù)字事業(yè)部（DI）的營(yíng)收為2.02億歐元，光電半導(dǎo)體事業(yè)部（OS）營(yíng)收為3.5億歐元。

歐司朗三大業(yè)務(wù)類別營(yíng)收情況（單位：百萬(wàn)歐元）

（圖片、數(shù)據(jù)來(lái)源：歐司朗財(cái)報(bào)）

由于多項(xiàng)不確定因素，未來(lái)幾個(gè)季度的市場(chǎng)能見度仍然十分有限。管理委員會(huì)已經(jīng)采取了一系列對(duì)策，旨在增加收入。為了確保年度預(yù)期，公司已在光電半導(dǎo)體部門啟動(dòng)重要的結(jié)構(gòu)性措施。然而，由于即將到來(lái)的幾個(gè)月的訂單，年度目標(biāo)極有可能實(shí)現(xiàn)。

如之前公布的，歐司朗將在未來(lái)重點(diǎn)關(guān)注照明以外的光子學(xué)和光學(xué)技術(shù)。公司在2019財(cái)年初采用新的業(yè)務(wù)劃分結(jié)構(gòu)很好地證明了這點(diǎn)。歐司朗正在進(jìn)一步提升其業(yè)績(jī)，并專注于高增長(zhǎng)市場(chǎng)，包括光學(xué)半導(dǎo)體，汽車和數(shù)字應(yīng)用。

歐司朗集團(tuán)（持續(xù)經(jīng)營(yíng)）1Q19關(guān)鍵財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)

1Q19市場(chǎng)分類數(shù)據(jù)

制表：LEDinside，數(shù)據(jù)來(lái)源：歐司朗財(cái)報(bào)

Micro LED技術(shù)瓶頸分析

目前Micro LED 所面臨的技術(shù)瓶頸，共區(qū)分幾個(gè)面向，包括磊晶、晶片、巨量轉(zhuǎn)移、全彩化、接合、電源驅(qū)動(dòng)、背板、檢測(cè)與維修技術(shù)，此份研究報(bào)告將針對(duì)Micro LED技術(shù)瓶頸做深入之探討及分析。

磊晶技術(shù)：目前Micro LED磊晶技術(shù)的挑戰(zhàn)，其一是希望提升波長(zhǎng)一致性與厚度均勻性，使得波長(zhǎng)更集中，大幅降低磊晶廠的后段檢測(cè)成本，其二，當(dāng)LED Chip微縮至100微米以下時(shí)，LED Chip周圍因切割損傷造成不均勻的問題會(huì)造成漏電問題，并影響整體發(fā)光特性。

晶片技術(shù)：為了符合巨量轉(zhuǎn)移的制程，晶片需經(jīng)過弱化結(jié)構(gòu)的改變，以利自暫存基板上拾取晶片，并且增加絕緣層避免在轉(zhuǎn)移過程中晶片的受損，以保護(hù)及絕緣晶片。

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)：拾取放置技術(shù)可應(yīng)用在大于10µm以上之產(chǎn)品，但UPH、轉(zhuǎn)移設(shè)備的精準(zhǔn)度及穩(wěn)定度是一大隱憂，流體組裝技術(shù)可應(yīng)用在大于20µm以上之產(chǎn)品，雖然可以提升UPH但需要分別轉(zhuǎn)移三次才能完成全彩化目標(biāo)，激光轉(zhuǎn)移技術(shù)可應(yīng)用在大于1µm以上之產(chǎn)品，但激光設(shè)備的價(jià)格昂貴，將會(huì)造成初期投資的負(fù)擔(dān)。

全彩化技術(shù)： RGB晶片的色轉(zhuǎn)換方案，目前在小于20μm的技術(shù)上將面臨光效率、良率不足等問題，量子點(diǎn)的色轉(zhuǎn)換方案，進(jìn)而補(bǔ)足在小尺寸色轉(zhuǎn)換不足的技術(shù)，但量子點(diǎn)也有部分涂佈均勻性與信賴性等問題產(chǎn)生，須待技術(shù)克服。

接合技術(shù)：由于Micro LED的晶片過于微小，錫膏金屬成份粒徑較大，容易造成Micro LED正負(fù)極性導(dǎo)通，形成微短路現(xiàn)象，因此黏著技術(shù)將會(huì)是Micro LED制程關(guān)鍵的挑戰(zhàn)，現(xiàn)狀Micro LED的Bonding技術(shù)有Metal Bump、Glue、Wafer Bonding及Micro Tube四大方向。

電源驅(qū)動(dòng)技術(shù)：主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)陣列中，每個(gè)像素連接到電路并單獨(dú)驅(qū)動(dòng)，這樣將允許Micro LED以較低的電流工作，同時(shí)在整個(gè)點(diǎn)亮?xí)r間內(nèi)持續(xù)維持亮度，不會(huì)有明顯的顯示亮度損失，但Micro LED驅(qū)動(dòng)電流極小，使得電路設(shè)計(jì)複雜，驅(qū)動(dòng)電源模組空間佈局將更為密集。

背板技術(shù)：背板形式共分為四種型態(tài)，玻璃、軟性基板、硅基板、PCB等?，F(xiàn)階段以PCB背板應(yīng)用最廣泛，主要是因?yàn)槠涑叽缦嗳菪愿?，可利用拼接符合各種所需的尺寸，以及可依需求選擇符合的基材做相對(duì)應(yīng)的背板。

檢測(cè)技術(shù)： Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品所使用的晶片數(shù)量甚多，并且Micro LED模組的光性及電性須正確且快速的判定之下，必須以巨量檢測(cè)的方式才能減少檢測(cè)時(shí)間及成本，要如何快速且準(zhǔn)確的測(cè)試出良品是制程的一大問題，也是現(xiàn)階段Micro LED檢測(cè)技術(shù)瓶頸的主要原因之一 。

維修技術(shù)： Micro LED維修方案，現(xiàn)階段有紫外線照射維修技術(shù)、激光融斷維修技術(shù) 、選擇性拾取維修技術(shù)、選擇性激光維修技術(shù)及備援電路設(shè)計(jì)方案等。

2019年1月LEDinside針對(duì)于2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行分析。如需詳細(xì)資料，歡迎來(lái)電或來(lái)信。謝謝您！

LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報(bào)告
出刊時(shí)間：2019年01月31日
檔案格式：PDF 
報(bào)告語(yǔ)系：繁體中文 /英文
頁(yè)數(shù)： 213
季度更新：Micro / Mini LED市場(chǎng)觀點(diǎn)分析 – 廠商動(dòng)態(tài)、新技術(shù)導(dǎo)入、Display Week / Touch Taiwan展場(chǎng)直擊（2019年3月、6月、9月；約計(jì)10-15頁(yè)/季）

第一章 Micro LED定義與市場(chǎng)規(guī)模分析

Micro LED產(chǎn)品定義
Micro LED產(chǎn)值分析與預(yù)測(cè)
Micro LED產(chǎn)量分析與預(yù)測(cè)
Micro LED市場(chǎng)產(chǎn)量分析
Micro LED Display滲透率預(yù)測(cè)

第二章 Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品與技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品總覽
Micro LED產(chǎn)品應(yīng)用規(guī)格總覽
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT 顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏出貨量與時(shí)程表預(yù)估

第三章 Micro LED專利布局分析

2000-2018 Micro LED專利布局 – 歷年專利家族分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 區(qū)域分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 技術(shù)分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 廠商分析
2001-2018 Micro LED專利布局 – 歷年巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)總覽
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)分類
2001-2018 Micro LED專利布局 – 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 品牌廠商技術(shù)布局分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 新創(chuàng)公司與研究機(jī)構(gòu)技術(shù)布局分析

第四章 Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案

Micro LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)總覽分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 制造流程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – LED磊晶與芯片制程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 轉(zhuǎn)移技術(shù)/黏接技術(shù)/驅(qū)動(dòng)與背板技術(shù)

第五章 磊晶技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

磊晶技術(shù) – 解決方案
磊晶技術(shù) – 磊晶架構(gòu)與發(fā)光原理
磊晶技術(shù) – 磊晶發(fā)光層材料與光效
磊晶技術(shù) – 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)比較
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 波長(zhǎng)均一性
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶缺陷控制
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技術(shù) – 適用性分析

第六章 芯片制程技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

芯片制程技術(shù) – LED芯片微縮的發(fā)展
芯片制程技術(shù) – LED芯片生產(chǎn)流程
芯片制程技術(shù) – 水平，覆晶與垂直芯片結(jié)構(gòu)性之差異
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（含藍(lán)寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（不含藍(lán)寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 激光剝離基板技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)與絕緣層
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
芯片制程技術(shù) – 巨量轉(zhuǎn)移頭設(shè)計(jì)
芯片制程技術(shù) – 傳統(tǒng)LED與Micro LED芯片制程差異

第七章 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 拾取放置技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 非選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 選擇性拾取技術(shù)以提升晶圓利用率
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 修補(bǔ)應(yīng)用上的選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 影響產(chǎn)能的因素
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 大型轉(zhuǎn)移頭尺寸提升產(chǎn)能的方案
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移頭精準(zhǔn)度要求更高
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移次數(shù)和晶圓利用率比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移運(yùn)轉(zhuǎn)周期與產(chǎn)能比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Apple (LuxVue)
靜電吸附+相變化轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Samsung
芯片轉(zhuǎn)移與翻轉(zhuǎn)方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 凡得瓦力轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：X-Celeprint
凡得瓦力轉(zhuǎn)印方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：ITRI
電磁力轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹： Mikro Mesa
利用黏合力與反作用力轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：AUO
靜電吸附力與反作用力方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：VueReal
Solid Printing技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Rohinni
頂針對(duì)位轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 流體組裝技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：eLux
流體裝配方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：PlayNitride
流體分散轉(zhuǎn)印技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Sony
激光轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：QMAT
BAR轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Uniqarta
多光束轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)-薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：KIMM
滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上面臨七大挑戰(zhàn)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移制程良率取決于制程能力的控制
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 適用性分析

第八章 檢測(cè)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 檢測(cè)技術(shù)流程
檢測(cè)技術(shù) – 檢測(cè)方式
檢測(cè)技術(shù) – 電特性檢測(cè)
檢測(cè)技術(shù) – 電致發(fā)光(EL)原理
檢測(cè)技術(shù) – 光特性檢測(cè)
檢測(cè)技術(shù) – 光致發(fā)光(PL)原理
檢測(cè)技術(shù) – 巨量檢測(cè)技術(shù)總覽
巨量檢測(cè)方式 – 光致發(fā)光檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 數(shù)碼相機(jī)光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 接觸式光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 非接觸式光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 非接觸式EL檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 紫外線照射光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)技術(shù)差異性比較

第九章 維修技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 維修技術(shù)
Micro LED維修技術(shù)方案
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
Micro LED的壞點(diǎn)維修流程
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
壞點(diǎn)維修技術(shù)分析
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
轉(zhuǎn)移頭拾取之過程
維修技術(shù)方案 – 激光熔接維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性拾取維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性激光維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 備援電路設(shè)計(jì)方案
Micro LED的主動(dòng)缺陷偵測(cè)設(shè)計(jì)

第十章 全彩化技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

全彩化技術(shù)解決方案種類
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB芯片色彩化技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB在相同晶圓上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點(diǎn)的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)與應(yīng)用
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子井的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 總覽
全彩化技術(shù)解決方案 – 適用性分析

第十一章 接合技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

接合技術(shù) – 技術(shù)分類
接合技術(shù) – 表面黏著技術(shù)方案
接合技術(shù) – 共晶波焊組裝技術(shù)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠(ACF)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠水(SAP)方案
接合技術(shù) – 晶圓結(jié)合技術(shù)(Wafer Bonding)方案
接合技術(shù) – 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
接合技術(shù) – Micro TUBE方案
接合技術(shù) – 技術(shù)困難度分析
接合技術(shù) – 適用性分析

第十二章 驅(qū)動(dòng)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 驅(qū)動(dòng)方案分類
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 驅(qū)動(dòng)IC的重要性
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – LED的伏安特性與光通量關(guān)系
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 開關(guān)電源控制技術(shù)分類
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 開關(guān)電源控制PWM與Duty Cycle的關(guān)系
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)與被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)比較
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 掃描方式與畫面更新率
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 小間距顯示屏問題點(diǎn)分析
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 液晶顯示器之驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng) V.S 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 影響顯示品質(zhì)之干擾因素分析
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – OLED的光電特性
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – Micro LED驅(qū)動(dòng)方案 – 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – Micro LED驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅(qū)動(dòng)模組差異性

第十三章 驅(qū)動(dòng)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

背板技術(shù) – 顯示器背板的架構(gòu)
背板技術(shù) – 背板材料的分類
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件運(yùn)作原理
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板的尺寸發(fā)展
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板脹縮挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 整合式背板-玻璃基板搭配開關(guān)元件應(yīng)用現(xiàn)況
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板a-Si畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板IGZO畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板LTPS畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件解析度差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件功耗差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件漏電性差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板材料特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板材料特性
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板外觀架構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板結(jié)構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材熱效應(yīng)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材差異性比較
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板制作挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板尺寸限制
背板技術(shù)差異性比較
背板技術(shù) – 適用性分析

第十四章 Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析

全球Micro LED主要廠商供應(yīng)鏈分析
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 中國(guó)臺(tái)灣廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 中國(guó)大陸廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 韓國(guó)廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 日本廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 歐美廠商

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盡管照明市場(chǎng)規(guī)模依舊在擴(kuò)大，但是眾所周知，照明市場(chǎng)已成為“血腥的紅海”，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)殘酷，各照明企業(yè)間的“價(jià)格戰(zhàn)”已經(jīng)進(jìn)入白日化，利潤(rùn)日趨薄弱，很多LED照明企業(yè)都在感嘆“日子不好過”。

面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)加劇的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)以及不斷壓縮的利潤(rùn)空間，照明企業(yè)于是紛紛將目光投向海外市場(chǎng)，期望“走出去”，為企業(yè)發(fā)展謀得新機(jī)遇與新市場(chǎng)。

傳統(tǒng)的進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)的模式分為出口進(jìn)入模式，契約進(jìn)入模式和投資進(jìn)入模式，過去中國(guó)照明企業(yè)走出去的模式更加依賴出口模式，而近年來(lái)投資進(jìn)入模式逐漸成為新的趨勢(shì)。2019年，中國(guó)照明企業(yè)如何走出去？

LEDinside特別梳理了五家比較具有代表性的中國(guó)照明企業(yè)：陽(yáng)光照明、雷士照明、歐普照明、佛山照明、木林森，對(duì)其國(guó)際化戰(zhàn)略進(jìn)行一一盤點(diǎn)，分析他們的走出去戰(zhàn)略，為期望走出國(guó)門的企業(yè)提供借鑒。

陽(yáng)光照明：借船出海

自成立以來(lái)，陽(yáng)光照明一直就以海外出口業(yè)務(wù)為主，通過為國(guó)際知名照明企業(yè)、境外照明批發(fā)商、境外連鎖型終端超市等代工和自營(yíng)方式銷售照明產(chǎn)品。

根據(jù)其2017年年報(bào)，陽(yáng)光照明目前主要市場(chǎng)占比分別為：歐洲42.30％、北美洲20.42％、中國(guó)15.86％、亞洲13.30％、拉丁美洲2.82％、大洋洲3.32％、非洲1.98％。從出口數(shù)據(jù)來(lái)看，歐洲、北美兩大地區(qū)的出口額已占到其營(yíng)業(yè)總收入的62.72％。歐洲、北美兩大市場(chǎng)同比分別增長(zhǎng)30.91%、15.53%，是其業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)增長(zhǎng)的主要原因。

總的來(lái)說，陽(yáng)光照明的營(yíng)業(yè)重心主要還是在海外。借著飛利浦、歐司朗等“大船”，陽(yáng)光照明實(shí)現(xiàn)順利“出海”，產(chǎn)品質(zhì)量與制造工藝得以提升，成為名副其實(shí)的照明行業(yè)“富士康”。

由于代工模式很容易遇到發(fā)展瓶頸，因此2007年公司提出必須擺脫以代工為主的經(jīng)營(yíng)模式，堅(jiān)定不移地向代工和自主市場(chǎng)并重的經(jīng)營(yíng)模式轉(zhuǎn)變。

為此，公司目前已分別在比利時(shí)、德國(guó)、美國(guó)、法國(guó)、丹麥、加拿大、澳大利亞、香港等擁有境外子（孫）公司從事海外銷售業(yè)務(wù)，通過積極開拓國(guó)際市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)自有品牌產(chǎn)品的銷售。

雷士照明：買船出海

作為國(guó)內(nèi)知名照明品牌的雷士照明，在發(fā)展國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的同時(shí)，對(duì)于海外市場(chǎng)的開拓也是不遺余力。

在海外渠道拓展上，雷士照明聚焦渠道拓展及工程項(xiàng)目突破，重點(diǎn)開拓東南亞及其他發(fā)展中國(guó)家以及中東海灣國(guó)家。同時(shí)，為了增加海外銷售額，雷士照明將其銷售渠道拓展至北美市場(chǎng)。

在2018年，雷士照明相繼收購(gòu)了香港蔚藍(lán)芯光貿(mào)易有限公司及怡達(dá)(香港)光電科技有限公司，加速?gòu)闹圃煨推髽I(yè)向渠道型企業(yè)轉(zhuǎn)型。

根據(jù)其2017年年報(bào)，海外銷售金額達(dá)到12.52億元，比上年增加6.5%。

歐普照明：造船出海

以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主的歐普照明，其90%以上的收入來(lái)自于國(guó)內(nèi)，海外市場(chǎng)占比不到1成。隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)逐漸趨于飽和，近年來(lái)歐普照明加大了海外市場(chǎng)的開拓。

全球照明市場(chǎng)碎片化的特征很明顯，向海外拓展時(shí)，企業(yè)選擇并購(gòu)當(dāng)?shù)氐恼彰髌放茣?huì)是相當(dāng)省力的進(jìn)入當(dāng)?shù)厥袌?chǎng)的方式。飛利浦和OSRAM在崛起階段也是大肆并購(gòu)才實(shí)現(xiàn)了后來(lái)的全球化布局。然而歐普矢志打造自己的品牌，選擇了打硬仗，打呆仗的方式。

歐普在海外普遍實(shí)行本地化運(yùn)作，通過在當(dāng)?shù)卣心既藛T，組建當(dāng)?shù)貓F(tuán)隊(duì)，擴(kuò)充業(yè)務(wù)渠道。同時(shí)也通過契約式進(jìn)入模式，主要通過海外展會(huì)、網(wǎng)絡(luò)查詢和目標(biāo)國(guó)家實(shí)地拜訪等多種方式在海外自建經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)，采用經(jīng)銷模式拓展自有品牌。

對(duì)于產(chǎn)品出口國(guó)的選擇，歐普照明主要選擇的是中東及印度等新興市場(chǎng)，在海外重點(diǎn)區(qū)域，如南非、泰國(guó)、印度、迪拜、歐洲等地設(shè)立子公司，進(jìn)行國(guó)際市場(chǎng)開發(fā)。

根據(jù)其2017年年報(bào)，海外銷售金額達(dá)到6億元，比上年增加49%。

佛山照明：揚(yáng)帆出海

作為國(guó)內(nèi)老牌照明企業(yè)，佛山照明歷經(jīng)了行業(yè)六十余載的發(fā)展與變遷，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)擁有極大的影響力。近年來(lái)，佛山照明在海外市場(chǎng)的開拓布局方面下了很大的功夫。

對(duì)于歐美等發(fā)達(dá)市場(chǎng)，佛山照明極為重視，專門成立佛山照明歐洲有限責(zé)任公司（FSL Europe GmbH）等公司進(jìn)行專屬區(qū)域的業(yè)務(wù)開拓。同時(shí)，開始瞄準(zhǔn)南美、東南亞、中東、阿拉伯等新興市場(chǎng)，逐步向“世界燈王”目標(biāo)推進(jìn)。

根據(jù)其2017年年報(bào)，外銷占其營(yíng)業(yè)總收入的39.18%，比2016年的36.2%提高了2.98個(gè)百分點(diǎn)，境外業(yè)務(wù)比重明顯上升，公司自主品牌銷售收入增長(zhǎng)37%。

未來(lái)，F(xiàn)SL自主品牌將繼續(xù)在品牌推廣、渠道建設(shè)及產(chǎn)品開發(fā)方面發(fā)力，進(jìn)一步提高FSL品牌在海外的知名度和美譽(yù)度，不斷完善海外渠道網(wǎng)點(diǎn)布局，針對(duì)不同區(qū)域市場(chǎng)，開發(fā)不同產(chǎn)品。

沒有哪個(gè)中國(guó)人家里沒裝過幾盞FSL的燈泡或燈管，六十余年歷史的佛山照明品牌影響力早已隨著全球華人世界的物流人流滲入海外市場(chǎng)，靜待合適的時(shí)機(jī)去收獲累累碩果?，F(xiàn)在的佛山照明已經(jīng)意識(shí)到自身品牌在海外市場(chǎng)巨大潛力，所欠缺的不過是直掛云帆濟(jì)滄海。

木林森：買航母出海

木林森原本只是一家以照明用LED為經(jīng)營(yíng)重點(diǎn)的封裝企業(yè)，在LED照明興起的大趨勢(shì)下進(jìn)軍下游照明產(chǎn)業(yè)。

近年來(lái)，木林森更是積極布局全球照明市場(chǎng)，通過大開大合的并購(gòu)動(dòng)作，大幅提升公司在國(guó)際市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)份額，是典型的投資進(jìn)入模式。通過并購(gòu)照明行業(yè)的航母級(jí)企業(yè)朗德萬(wàn)斯，木林森一步跨越成為全球照明行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，海外市場(chǎng)成為木林森最大的收入增長(zhǎng)來(lái)源。

根據(jù)其2017年年報(bào)，境外業(yè)務(wù)僅占其營(yíng)業(yè)總收入的14.25%，比2016年的9.60%提高了4.65個(gè)百分點(diǎn)，境外業(yè)務(wù)比重明顯上升。

特別是2017年木林森通過收購(gòu)歐司朗通用照明業(yè)務(wù)后，這一雄心更是顯而易見。憑借LEDVANCE這艘“航母”的渠道、品牌、技術(shù)等優(yōu)勢(shì)，以及覆蓋大約150個(gè)國(guó)家的龐大銷售渠道，木林森極大開拓了公司的出?？冢靡钥焖偬岣吆Ｍ馐袌?chǎng)占有率，提升品牌形象。

在2018年半年報(bào)中，木林森合并了朗德萬(wàn)斯的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)后，境外業(yè)務(wù)占木林森營(yíng)業(yè)總收入的48.81%，已占據(jù)其“半壁江山”。在去年11月，木林森又將旗下照明品牌Forest Lighting與LEDVANCE合并，進(jìn)一步整合海外照明業(yè)務(wù)。預(yù)計(jì)2018年全年，木林森的海外收入要超過50%，成功邁入國(guó)際市場(chǎng)。

進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)的策略

隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)日趨飽和，LED企業(yè)“走出去”已是大勢(shì)所趨，各大企業(yè)也在積極布局國(guó)際化戰(zhàn)略。從目前海外市場(chǎng)來(lái)看，北美、歐洲仍是中國(guó)LED的主要出口地，而進(jìn)入歐美市場(chǎng)，產(chǎn)品專利則是繞不開的壁壘。隨著“一帶一路”倡議的不斷深入，新興市場(chǎng)的需求不斷加大，讓LED企業(yè)在海外布局時(shí)更加多元化。

特別是2018年9月份中美貿(mào)易沖突升級(jí)以來(lái)，LED照明產(chǎn)業(yè)也成為美國(guó)課稅的目標(biāo)，中國(guó)照明企業(yè)成為首當(dāng)其沖的關(guān)稅受害者。由于美國(guó)針對(duì)中國(guó)的照明產(chǎn)品征收10%的關(guān)稅，讓依賴美國(guó)市場(chǎng)的照明企業(yè)頓時(shí)感受到巨大的價(jià)格壓力。繞過關(guān)稅壁壘成為照明企業(yè)走出去的動(dòng)因之一。

“走出去”對(duì)國(guó)內(nèi)LED企業(yè)而言，是一個(gè)值得深入探討的話題，其方式方法也多樣化。企業(yè)為了快速進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)，跨國(guó)并購(gòu)就提供了一條“捷徑”，通過并購(gòu)，企業(yè)可以快速地獲取海外專利、相關(guān)生產(chǎn)技術(shù)和客戶群體，快速擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

即便大部分企業(yè)無(wú)法像木林森那樣直接大手筆買下朗德萬(wàn)斯，但是通過并購(gòu)一些小而美的標(biāo)的也不失為一種折中的辦法。

除了并購(gòu)?fù)?，企業(yè)還可以通過在海外設(shè)立子公司或工廠，布局當(dāng)?shù)丶?xì)分領(lǐng)域的市場(chǎng)；或通過與海外當(dāng)?shù)仄髽I(yè)聯(lián)手的方式，進(jìn)入當(dāng)?shù)厥袌?chǎng)；或以自身優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品大力發(fā)展海外照明市場(chǎng)，強(qiáng)化海外銷售力量，創(chuàng)新海外銷售模式，針對(duì)不同市場(chǎng)推出不同產(chǎn)品。

“八仙過海，各顯神通。”企業(yè)在制定國(guó)際化策略時(shí)，應(yīng)結(jié)合自身的實(shí)際情況與市場(chǎng)要求，立足當(dāng)前，著眼長(zhǎng)遠(yuǎn)，選擇適合企業(yè)的發(fā)展道路，提早做好籌劃與準(zhǔn)備，有的放矢，才能在開拓海外市場(chǎng)時(shí)游刃有余。

相信看過電影《流浪地球》的朋友都有留意這樣一個(gè)細(xì)節(jié)，朵朵在出地下城之前看中“榴蓮味的蚯蚓干”，老韓在向看守送的禮品，也是“陳年蚯蚓干”，想必那時(shí)的人類把蚯蚓干已經(jīng)當(dāng)作一種奢侈的美食來(lái)看待。此時(shí)，在線君心中不免疑惑，2057年，植物照明已相當(dāng)成熟，根本無(wú)需為食物供給發(fā)愁，為何偏偏將蚯蚓干當(dāng)美食？

根據(jù)定義，植物照明是模擬植物需要太陽(yáng)光進(jìn)行光合作用的原理，對(duì)植物進(jìn)行補(bǔ)光或者完全代替太陽(yáng)光。所以，即便是地下城，植物也可以照常生長(zhǎng)。

植物照明的產(chǎn)生，源于農(nóng)業(yè)種植的模式發(fā)生變化，因?yàn)橥恋厥怯邢薜?，人口越?lái)越多。在世界上，越是土地狹小的國(guó)家越是發(fā)展得早，比如說日本、荷蘭這些國(guó)家在植物照明這一領(lǐng)域目前相對(duì)都比較成熟。

隨著科技的不斷發(fā)展，植物照明也在進(jìn)一步演化。最早是自然光，后來(lái)有了溫室補(bǔ)光，有了HID等，現(xiàn)在是LED?？傮w來(lái)說，熒光燈也好，HID也好，初期投資比較便宜，因此得到了很大規(guī)模的應(yīng)用。雖然LED應(yīng)用于植物照明中光效更高、可靠性更高、更容易使用，但由于價(jià)格居高不下，LED目前在植物照明市場(chǎng)的滲透率持續(xù)低迷。不過，相信在不遠(yuǎn)的將來(lái)，隨著LED成本的下降，LED植物照明的市場(chǎng)滲透率將逐漸提升。

據(jù)LEDinside預(yù)估，2018年全球LED植物照明燈具市場(chǎng)規(guī)模約為2.24億美金，到2022年將成長(zhǎng)至6.33億美金，2018到2022年復(fù)合成長(zhǎng)率為30%。

2020年代就已經(jīng)有如此規(guī)模和前景，更何況2050年代，《流浪地球》定位科幻片，如此不考慮植物照明產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商的努力，在線君沒法接受?。?！

LEDinside榮幸于Photonics West采訪VEECO副總裁Somit Joshi。對(duì)于手機(jī)3D感測(cè)和LiDAR市場(chǎng)的發(fā)展，特別是后鏡頭市場(chǎng)的未來(lái)潛力，VEECO保持樂觀態(tài)度。因此，在面對(duì)市場(chǎng)需求之下，VEECO基于TurboDisc技術(shù)的先進(jìn)MOCVD設(shè)備，旨在滿足下一波高功率VCSEL的嚴(yán)格要求。與目前的設(shè)備表現(xiàn)相比，VEECO提升六英寸晶圓均勻性，穩(wěn)定控制鋁成分，缺陷和Doping控制提高25-50％，以TurboDisc技術(shù)支援下提高40％的生產(chǎn)力。除了MOCVD，VEECO's Wafer Storm & Wafer Erch Solvent-based Equipment提供卓越的Wet Process制程，其制造控制能力，達(dá)到領(lǐng)先的產(chǎn)能與滿足企業(yè)營(yíng)運(yùn)成本。

光達(dá)市場(chǎng)

因應(yīng)光達(dá)市場(chǎng)需求，歐司朗不斷擴(kuò)展其光達(dá)激光產(chǎn)品功率，以滿足客戶的需求，包括將SPL DS90A_3的峰值功率提高到120W，此外，歐司朗計(jì)劃在2019年推出四通道SMT激光。

LiDAR技術(shù)主要面臨到的問題為難以短脈衝達(dá)到高峰值功率的激光傳輸，以確保遠(yuǎn)距離感測(cè)和人眼安全的必要性。為了滿足這一需求，OSRAM與GaN Systems合作開發(fā)同時(shí)以40 A驅(qū)動(dòng)所有四個(gè)通道，以提供480 W的峰值功率。

Excelitas 為知名光達(dá)激光廠商，會(huì)場(chǎng)中展示1×4 脈衝激光 (Pulsed Laser)，其產(chǎn)品功率可達(dá)到70W。此外也展示APD，積極朝向光達(dá)市場(chǎng)布局。

除了光達(dá)激光光源外、光偵測(cè)器也是構(gòu)成光達(dá)發(fā)展的另一重要關(guān)鍵。光偵測(cè)器一般是用光電二極體 (Photodiode, PD)、雪崩二極體 (Avalanche photodiode, APD)、單光子雪崩二極體 (Single Photon Avalanche Diodes, SPAD)、或是硅光電倍增器 (Silicon Photomultiplier, SiPM)。主要廠商包含 Hamamatsu、First Sensor、On Semiconductor 與Excelitas。First Sensor自部分收購(gòu)Sensortechnics，擴(kuò)增硅光電倍增器 (Silicon Photomultiplier, SiPM)產(chǎn)品。

長(zhǎng)波長(zhǎng)市場(chǎng)趨勢(shì)

根據(jù)LEDinside紅外線感測(cè)應(yīng)用市場(chǎng)報(bào)告表示1,000nm 以上長(zhǎng)波長(zhǎng)應(yīng)用多為手術(shù)治療、光通訊 (Optical Communication)、利基健康監(jiān)測(cè) (血糖感測(cè))、設(shè)備檢測(cè)、氣體感測(cè)、車用光達(dá)、光譜分析市場(chǎng)為主。

DOWA為知名的紅外線LED廠商，于展場(chǎng)推出1,000-1,600nm 紅外線LED產(chǎn)品，于20mA 可達(dá)到2mW，產(chǎn)品應(yīng)用于氣體感測(cè)、酒精感測(cè)等。同時(shí)與客戶共同開發(fā)之下，3,000-5,000nm 紅外線LED產(chǎn)品也即將于市面上推出，勢(shì)必將為紅外線市場(chǎng)帶來(lái)新的應(yīng)用需求與市場(chǎng)動(dòng)能。此外680nm 紅光VCSEL也是主要發(fā)展產(chǎn)品之一。

USHIO主要發(fā)展UV-A LED與紅外線LED廠商，于長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外線LED的發(fā)展也有最新的重大突破。不僅在原先耕耘的1,650nm的紅外線產(chǎn)品，其輸出功率已領(lǐng)先業(yè)界達(dá)到80mW (500mA)；并在1,750nm紅外線LED產(chǎn)品達(dá)到突破，輸出功率以50mA驅(qū)動(dòng)之下可達(dá)到2mW，若是採(cǎi)用500mA驅(qū)動(dòng)之下可達(dá)到15mW。

手機(jī)3D感測(cè)

OSRAM收購(gòu)Vixar后推出手機(jī)3D感測(cè)用的VCSEL產(chǎn)品，期待將于今年進(jìn)入手機(jī)品牌之中。

Fuji Xerox為日本知名的VCSEL廠商，Dr. Takashi Kondo于研討會(huì)發(fā)表Self-scanning VCSEL，可借由磊晶與芯片的設(shè)計(jì)不僅可以大幅降低產(chǎn)品面積，也可以控制點(diǎn)陣 (Emitter)的排列，進(jìn)而達(dá)到3D感測(cè)所需要的效果。

ams Dr. Serdal Okur同樣的也于研討會(huì)發(fā)表其晶片產(chǎn)品，借由磊晶設(shè)計(jì)進(jìn)而調(diào)整出光角度 (Divergence Angle)。

Lumentum 為知名3D感測(cè)供應(yīng)廠商。本次展覽如同去年模式，展出一系列與感測(cè)模組客戶合作的產(chǎn)品案例。包含採(cǎi)用邊射型激光的光達(dá)產(chǎn)品與VCSEL的結(jié)構(gòu)光產(chǎn)品。

Viavi 收購(gòu)PRC Photonics 后正式跨足擴(kuò)散片 (Diffuser) 產(chǎn)品市場(chǎng)，會(huì)場(chǎng)中展出多項(xiàng)採(cǎi)用擴(kuò)散片后達(dá)到的光形效果。

Finisar積極看好后續(xù)后鏡頭 (World Facing) 市場(chǎng)發(fā)展，目前積極與品牌廠商共同開發(fā)。

集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）最新報(bào)告《2019 紅外線感測(cè)應(yīng)用市場(chǎng)新趨勢(shì)- 手機(jī)感測(cè)、光達(dá)、光學(xué)感測(cè)》表示，眾多紅外線產(chǎn)品應(yīng)用持續(xù)發(fā)展，為紅外線產(chǎn)業(yè)帶來(lái)無(wú)限商機(jī)。LEDinside 聚焦以下主要應(yīng)用市場(chǎng)，包含安全監(jiān)控、行動(dòng)裝置生物辨識(shí) (虹膜、2D臉部、屏下指紋辨識(shí)-光學(xué)式與超聲波式、3D 臉部辨識(shí)-結(jié)構(gòu)光、飛時(shí)測(cè)距、雙目視覺)、數(shù)位醫(yī)療 (心跳、血氧、血糖感測(cè))、光譜感測(cè)、車內(nèi)感測(cè) (臉部辨識(shí)、手勢(shì)辨識(shí)) 與車用光達(dá)、無(wú)人機(jī)、無(wú)人搬運(yùn)車、距離感測(cè)器、光通訊等，探討與分析市場(chǎng)規(guī)模、機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)、產(chǎn)品規(guī)格與供應(yīng)鏈，提供讀者對(duì)于紅外線應(yīng)用市場(chǎng)更全面的了解。（文：Joanne / LEDinside）

Nichia本次展出工業(yè)用激光與UV LED產(chǎn)品。工業(yè)用UV激光主要應(yīng)用于PCB曝光機(jī)市場(chǎng)之中，相較于UV LED，更容易達(dá)到準(zhǔn)直光的設(shè)計(jì)。此外，Nichia新推出UV-C LED產(chǎn)品，將于今年四月正式發(fā)表，目前正對(duì)客戶積極送樣，其產(chǎn)品光學(xué)輸出功率最高可達(dá)到60mW。

DOWA展示出一系列265nm-340nm深紫外線芯片產(chǎn)品。340nm UV-B LED產(chǎn)品功率可達(dá)到150mW（600mA），而265nm UV-C LED可達(dá)到60mW（600mA）?，F(xiàn)場(chǎng)以DOWA模組客戶Eotron的產(chǎn)品微粒，其UV-C LED模組以25個(gè)UV-C LED芯片封裝之下，其產(chǎn)品功率可達(dá)到1.25W，在8.3mm x 8.3 mm的照射面積之下，可達(dá)1.8W/cm² 的光強(qiáng)度。

Violumas是Cofan Group Flip Chip Opto的UV部門，提供UV LED產(chǎn)品和解決方案的供應(yīng)商。Cofan Group鋁基板采用CMC制程嵌入銅管，提升散熱能力，結(jié)合UV-A LED可達(dá)到2500W的模組能力，并應(yīng)用于快速印刷 （Inkjet Printing）設(shè)備市場(chǎng)之中。其UV-C LED產(chǎn)品則應(yīng)用于捕蚊燈 （Insert Attraction）與食物保鮮市場(chǎng)之中。未來(lái)持續(xù)看好眾多應(yīng)用發(fā)展。

UVphotonics將與Ferdinand-BraunInstitut （FBH）聯(lián)合展示最新的深紫外LED發(fā)展。UVphotonics Photonics West 2019的特色產(chǎn)品包括310nm UV-B LED，達(dá)到30mW（350mA）；265nm UV-C LED，達(dá)到25mW（350mA）；還有233nm UV-C LED，可達(dá)到0.3mW（100mA） 的輸出功率。

LG Innotek展示100mW 280nm UV-C LED產(chǎn)品，并持續(xù)朝向150mW產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展。

三安光電卓昌正博士于Photonics West論文發(fā)表研討會(huì)針對(duì)于深紫外線技術(shù)與目前進(jìn)展進(jìn)行依深入探討。深紫外線LED產(chǎn)品高效率化主要包含三大因素: 內(nèi)部量子效率、載子注入效率與光取出效率。此報(bào)告主要以內(nèi)部量子效率與載子注入效率提升。目前三安光電于市面上的銷售的UV-C LED產(chǎn)品以1-4mW （20mA）為主，大功率最高可到達(dá)30~60mW （350mA）。此外也提供模組客製化服務(wù)。應(yīng)用市場(chǎng)包含洗衣機(jī)、馬桶消毒、飲用水殺菌等。

Nikkiso收購(gòu)美商AquiSense發(fā)展UV-C LED殺菌淨(jìng)化模組，于2018年取得不錯(cuò)的成績(jī)。

根據(jù)LEDinside觀察，多家LED廠商積極開發(fā)UV-C LED產(chǎn)品，其產(chǎn)品應(yīng)用可包含家電、靜態(tài)水殺菌、照明、食物保鮮、甚至是可帶來(lái)現(xiàn)存既有產(chǎn)品的附加價(jià)值。隨著產(chǎn)品技術(shù)提升，更可以朝向動(dòng)態(tài)水殺菌、水處理、食物處理殺菌、商業(yè)與制造業(yè)市場(chǎng)。

LEDinside即將于2019年4月推出《LEDinside 2019深紫外線LED應(yīng)用市場(chǎng)報(bào)告- 殺菌、凈化與潛在市場(chǎng)》，除了UV LED市場(chǎng)產(chǎn)值、數(shù)量、價(jià)格與廠商動(dòng)態(tài)更新外，將聚焦在深紫外線市場(chǎng)應(yīng)用研究與分析，提供讀者對(duì)于深紫外線應(yīng)用市場(chǎng)更全面的了解。（文：Joanne / LEDinside）

Micro LED的發(fā)展，早期以專利布局為主，在2000年至2013年期間屬于“萌芽期”，市場(chǎng)需求不明下僅有少數(shù)先驅(qū)者進(jìn)行專利的布局，以SONY、Cree及University of Illinois為最早布局的廠商及研究機(jī)構(gòu)， 2014年之后躍入“成長(zhǎng)期”，主要原因是來(lái)自于APPLE收購(gòu)LuxVue之后，并且展現(xiàn)出對(duì)于Micro LED顯示技術(shù)的信心，進(jìn)而帶動(dòng)其他業(yè)者及新創(chuàng)公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL等，這兩年來(lái)已經(jīng)出現(xiàn)面板廠的專利布局，比如AUO、BOE 、 CSOT等。其中，在眾多Micro LED的專利申請(qǐng)中，前三大專利的技術(shù)為巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、顯示模組技術(shù)及芯片制程技術(shù)，合計(jì)占所有專利的80%。

Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析

而這幾年來(lái)國(guó)際大廠也紛紛加入Micro LED的技術(shù)開發(fā)，大多是以購(gòu)并、成立公司內(nèi)部新事業(yè)單位或新創(chuàng)公司的方式，來(lái)進(jìn)行Micro LED的發(fā)展，這些公司以本身既有的專精領(lǐng)域來(lái)做垂直或橫向的發(fā)展，大致可以分為L(zhǎng)ED磊晶、轉(zhuǎn)移、面板及品牌等方面，在LED磊晶方面，主要以LED磊晶廠發(fā)展最適合，而巨量轉(zhuǎn)移部份是技術(shù)門檻也是較多廠商投入的領(lǐng)域。中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、日本及歐美的廠商對(duì)Micro LED布局程度也有所不同，比如：中國(guó)臺(tái)灣廠商多半是以專業(yè)代工為主，包括友達(dá)光電，晶元光電，以及PlayNitride等公司，都與國(guó)際大廠進(jìn)行深入的合作。

中國(guó)大陸廠商在Micro LED的發(fā)展腳步較慢。最主要原因中國(guó)大陸廠商偏好能夠快入導(dǎo)入量產(chǎn)的技術(shù)。因此對(duì)于Micro LED技術(shù)多半處于研究與評(píng)估階段。但部分廠商已經(jīng)悄悄布局與投資。

韓國(guó)廠商在顯示器領(lǐng)域的技術(shù)布局完整。但是由于韓國(guó)廠商的主要資源均集中于OLED產(chǎn)品上，因此對(duì)于Micro LED技術(shù)則是采取策略合作的方式來(lái)參與該技術(shù)的開發(fā)與研究。

日本廠商在Micro LED領(lǐng)域，以SONY最為領(lǐng)先，并且布局完整。但是由于日本廠商的供應(yīng)鏈相對(duì)封閉，并且多半在集團(tuán)內(nèi)自制完成。因此其他的日本廠商主要是以設(shè)備商，或是材料商才有辦法參與其中。而值得關(guān)注的是，日韓廠商由于本身在大尺寸的電視領(lǐng)域已占據(jù)主導(dǎo)地位，因此多半聚焦在大尺寸Micro LED顯示器技術(shù)的開發(fā)。

歐美廠商多半以新創(chuàng)公司以及學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)布局于該領(lǐng)域。近年來(lái)隨系統(tǒng)大廠逐漸投入開發(fā)該技術(shù)，并且透過轉(zhuǎn)投資與收購(gòu)的方式進(jìn)行專利布局在巨量轉(zhuǎn)移的領(lǐng)域。至于面板領(lǐng)域，則是由于面板的投資金額過高，因此主要與亞洲的面板廠商進(jìn)行合作開發(fā)。特別是歐美廠商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED顯示應(yīng)用，如手機(jī)、投影與穿戴裝置，因此技術(shù)局領(lǐng)域多朝此方面發(fā)展。

2019年1月LEDinside針對(duì)于2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行分析。如需詳細(xì)資料，歡迎來(lái)電或來(lái)信。謝謝您！

LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報(bào)告
出刊時(shí)間：2019年01月31日
檔案格式：PDF 
報(bào)告語(yǔ)系：繁體中文 /英文
頁(yè)數(shù)： 213
季度更新：Micro / Mini LED市場(chǎng)觀點(diǎn)分析 – 廠商動(dòng)態(tài)、新技術(shù)導(dǎo)入、Display Week / Touch Taiwan展場(chǎng)直擊（2019年3月、6月、9月；約計(jì)10-15頁(yè)/季）

第一章 Micro LED定義與市場(chǎng)規(guī)模分析

Micro LED產(chǎn)品定義
Micro LED產(chǎn)值分析與預(yù)測(cè)
Micro LED產(chǎn)量分析與預(yù)測(cè)
Micro LED市場(chǎng)產(chǎn)量分析
Micro LED Display滲透率預(yù)測(cè)

第二章 Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品與技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品總覽
Micro LED產(chǎn)品應(yīng)用規(guī)格總覽
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT 顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏出貨量與時(shí)程表預(yù)估

第三章 Micro LED專利布局分析

2000-2018 Micro LED專利布局 – 歷年專利家族分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 區(qū)域分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 技術(shù)分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 廠商分析
2001-2018 Micro LED專利布局 – 歷年巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)總覽
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)分類
2001-2018 Micro LED專利布局 – 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 品牌廠商技術(shù)布局分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 新創(chuàng)公司與研究機(jī)構(gòu)技術(shù)布局分析

第四章 Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案

Micro LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)總覽分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 制造流程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – LED磊晶與芯片制程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 轉(zhuǎn)移技術(shù)/黏接技術(shù)/驅(qū)動(dòng)與背板技術(shù)

第五章 磊晶技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

磊晶技術(shù) – 解決方案
磊晶技術(shù) – 磊晶架構(gòu)與發(fā)光原理
磊晶技術(shù) – 磊晶發(fā)光層材料與光效
磊晶技術(shù) – 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)比較
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 波長(zhǎng)均一性
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶缺陷控制
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技術(shù) – 適用性分析

第六章 芯片制程技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

芯片制程技術(shù) – LED芯片微縮的發(fā)展
芯片制程技術(shù) – LED芯片生產(chǎn)流程
芯片制程技術(shù) – 水平，覆晶與垂直芯片結(jié)構(gòu)性之差異
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（含藍(lán)寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（不含藍(lán)寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 激光剝離基板技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)與絕緣層
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
芯片制程技術(shù) – 巨量轉(zhuǎn)移頭設(shè)計(jì)
芯片制程技術(shù) – 傳統(tǒng)LED與Micro LED芯片制程差異

第七章 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 拾取放置技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 非選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 選擇性拾取技術(shù)以提升晶圓利用率
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 修補(bǔ)應(yīng)用上的選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 影響產(chǎn)能的因素
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 大型轉(zhuǎn)移頭尺寸提升產(chǎn)能的方案
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移頭精準(zhǔn)度要求更高
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移次數(shù)和晶圓利用率比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移運(yùn)轉(zhuǎn)周期與產(chǎn)能比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Apple (LuxVue)
靜電吸附+相變化轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Samsung
芯片轉(zhuǎn)移與翻轉(zhuǎn)方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 凡得瓦力轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：X-Celeprint
凡得瓦力轉(zhuǎn)印方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：ITRI
電磁力轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹： Mikro Mesa
利用黏合力與反作用力轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：AUO
靜電吸附力與反作用力方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：VueReal
Solid Printing技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Rohinni
頂針對(duì)位轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 流體組裝技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：eLux
流體裝配方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：PlayNitride
流體分散轉(zhuǎn)印技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Sony
激光轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：QMAT
BAR轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Uniqarta
多光束轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)-薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：KIMM
滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上面臨七大挑戰(zhàn)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移制程良率取決于制程能力的控制
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 適用性分析

第八章 檢測(cè)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 檢測(cè)技術(shù)流程
檢測(cè)技術(shù) – 檢測(cè)方式
檢測(cè)技術(shù) – 電特性檢測(cè)
檢測(cè)技術(shù) – 電致發(fā)光(EL)原理
檢測(cè)技術(shù) – 光特性檢測(cè)
檢測(cè)技術(shù) – 光致發(fā)光(PL)原理
檢測(cè)技術(shù) – 巨量檢測(cè)技術(shù)總覽
巨量檢測(cè)方式 – 光致發(fā)光檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 數(shù)碼相機(jī)光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 接觸式光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 非接觸式光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 非接觸式EL檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 紫外線照射光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)技術(shù)差異性比較

第九章 維修技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 維修技術(shù)
Micro LED維修技術(shù)方案
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
Micro LED的壞點(diǎn)維修流程
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
壞點(diǎn)維修技術(shù)分析
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
轉(zhuǎn)移頭拾取之過程
維修技術(shù)方案 – 激光熔接維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性拾取維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性激光維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 備援電路設(shè)計(jì)方案
Micro LED的主動(dòng)缺陷偵測(cè)設(shè)計(jì)

第十章 全彩化技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

全彩化技術(shù)解決方案種類
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB芯片色彩化技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB在相同晶圓上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點(diǎn)的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)與應(yīng)用
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子井的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 總覽
全彩化技術(shù)解決方案 – 適用性分析

第十一章 接合技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

接合技術(shù) – 技術(shù)分類
接合技術(shù) – 表面黏著技術(shù)方案
接合技術(shù) – 共晶波焊組裝技術(shù)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠(ACF)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠水(SAP)方案
接合技術(shù) – 晶圓結(jié)合技術(shù)(Wafer Bonding)方案
接合技術(shù) – 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
接合技術(shù) – Micro TUBE方案
接合技術(shù) – 技術(shù)困難度分析
接合技術(shù) – 適用性分析

第十二章 驅(qū)動(dòng)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 驅(qū)動(dòng)方案分類
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 驅(qū)動(dòng)IC的重要性
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – LED的伏安特性與光通量關(guān)系
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 開關(guān)電源控制技術(shù)分類
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 開關(guān)電源控制PWM與Duty Cycle的關(guān)系
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)與被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)比較
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 掃描方式與畫面更新率
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 小間距顯示屏問題點(diǎn)分析
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 液晶顯示器之驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng) V.S 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 影響顯示品質(zhì)之干擾因素分析
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – OLED的光電特性
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – Micro LED驅(qū)動(dòng)方案 – 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – Micro LED驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅(qū)動(dòng)模組差異性

第十三章 驅(qū)動(dòng)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析

背板技術(shù) – 顯示器背板的架構(gòu)
背板技術(shù) – 背板材料的分類
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件運(yùn)作原理
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板的尺寸發(fā)展
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板脹縮挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 整合式背板-玻璃基板搭配開關(guān)元件應(yīng)用現(xiàn)況
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板a-Si畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板IGZO畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板LTPS畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件解析度差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件功耗差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件漏電性差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板材料特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板材料特性
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板外觀架構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板結(jié)構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材熱效應(yīng)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材差異性比較
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板制作挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板尺寸限制
背板技術(shù)差異性比較
背板技術(shù) – 適用性分析

第十四章 Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析

全球Micro LED主要廠商供應(yīng)鏈分析
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 中國(guó)臺(tái)灣廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 中國(guó)大陸廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 韓國(guó)廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 日本廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 歐美廠商

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所有圖片來(lái)源：洲明科技

除了4K Mini-LED 0.9之外，洲明科技還攜多款海內(nèi)外主推的LED小間距、租賃、固裝顯示應(yīng)用新產(chǎn)品及可視化解決方案亮相ISE展會(huì)12-F60展位，成為展會(huì)上陣容最強(qiáng)大的高能展臺(tái)之一。展位現(xiàn)場(chǎng)氣氛火爆，人氣高漲，吸引了大量專業(yè)買家紛紛前來(lái)咨詢洽談，更有多家主流媒體追蹤報(bào)道。

洲明量產(chǎn)4K Mini-LED0.9斬獲ISE 2019最佳展品獎(jiǎng)

Mini-LED作為當(dāng)下最火熱的新型顯示技術(shù)，無(wú)疑是廣大參展觀眾一致關(guān)注的焦點(diǎn)。展會(huì)上，洲明科技正式發(fā)布了行業(yè)首家量產(chǎn)的新一代小間距LED顯示產(chǎn)品——Mini-LED0.9，該產(chǎn)品結(jié)合最新高可靠性巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)與集成封裝技術(shù)，徹底打破了SMD小間距LED市場(chǎng)長(zhǎng)期存在的1.0mm以下間距瓶頸，并融入了領(lǐng)先的高動(dòng)態(tài)范圍（HDR）顯示技術(shù)，能夠更清晰地展現(xiàn)出畫面的明暗層次與邊緣細(xì)節(jié)，帶給現(xiàn)場(chǎng)觀眾更加逼真震撼的視覺盛宴，吸引了大量客戶圍觀拍照。

目前，洲明科技生產(chǎn)的Mini-LED0.9產(chǎn)品可靠性已超出商業(yè)化量產(chǎn)水平，可滿足全球范圍內(nèi)客戶的訂貨需求。

憑借展品代表的先進(jìn)研發(fā)技術(shù)和高端生產(chǎn)水平，在ISE展會(huì)上，洲明科技展出的量產(chǎn)4K Mini-LED 0.9產(chǎn)品贏得ISE主辦方和參展觀眾的一致認(rèn)可，獲評(píng)ISE 2019最佳展品獎(jiǎng)。Mini-LED 0.9在性價(jià)比、可靠性、觀看舒適性等多方面有諸多優(yōu)勢(shì)，Mini-LED量產(chǎn)將推動(dòng)小間距LED從專用顯示市場(chǎng)，向規(guī)模更大的商業(yè)顯示市場(chǎng)甚至民用市場(chǎng)持續(xù)滲透，打開更廣闊的市場(chǎng)空間。

1. Mini-LED / 性價(jià)比更高

Mini-LED，即芯片尺寸在30-100微米的LED。這種更小的LED晶體顆粒，幾乎是傳統(tǒng)300微米尺寸LED晶體顆粒原料耗費(fèi)的十分之一，可大大節(jié)約上游成本。同時(shí)，Mini-LED直接將Mini LED芯片直接貼裝在PCB板上，省去封裝部分成本，縮短了制程，降低了制造成本，提高了產(chǎn)品的性價(jià)比。

2. Mini-LED / 質(zhì)量更可靠

洲明Mini-LED通過采用性能優(yōu)異的高阻隔薄膜封裝材料，自主研發(fā)的集成封裝技術(shù)，以及成熟完善的制造工藝，全面提升產(chǎn)品的防護(hù)性與可靠性，防塵、防水等級(jí)達(dá)到正面IP54，防靜電、防磕碰效果好，滿足近距離直接觸摸、表面濕毛巾直接擦拭等使用需求。洲明Mini-LED光源面封裝后無(wú)需高溫回流焊操作，最大程度保障了LED晶體的電器和內(nèi)部結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

3. Mini-LED / 觀看更舒適

洲明Mini-LED融入了領(lǐng)先的高動(dòng)態(tài)范圍（HDR）顯示技術(shù)，將圖像最真實(shí)的樣子呈現(xiàn)給觀眾，提供身臨其境的視覺體驗(yàn)；16:9標(biāo)準(zhǔn)分辨率顯示，更柔和的面光源設(shè)計(jì)，符合長(zhǎng)時(shí)間觀看人眼舒適度要求；箱體模組采用無(wú)線拼接，外觀更簡(jiǎn)潔；175°超寬視角，視野更廣闊；完美匹配高端商用顯示、博物館以及家庭影院、豪華住宅大廳等應(yīng)用場(chǎng)所。

行業(yè)首款可戶內(nèi)外兼用的租賃新品UtileⅢ成展會(huì)新秀

除了備受行業(yè)關(guān)注的Mini LED外，本屆ISE上，洲明科技帶來(lái)的行業(yè)首款可戶內(nèi)外兼用的租賃新品UtileⅢ也成為了展會(huì)的一大焦點(diǎn)。產(chǎn)品通過DDC（雙驅(qū)動(dòng)器配置）可實(shí)現(xiàn)室內(nèi)和室外應(yīng)用，免工具操作，高效維護(hù)，創(chuàng)意安裝等為用戶各種不同環(huán)境的安裝使用帶來(lái)了極大的便利，受到廣大客戶商家的高度好評(píng)。

洲明智慧會(huì)議顯示終端UTVIII一體機(jī)刷新行業(yè)認(rèn)知

展會(huì)上，洲明科技的智慧會(huì)議顯示終端UTVIII超級(jí)電視憑借軟硬件一體化設(shè)計(jì)也賺足了眼球，產(chǎn)品內(nèi)置頂級(jí)揚(yáng)聲設(shè)備和Android智能系統(tǒng)，支持手機(jī)、平板、筆記本等設(shè)備內(nèi)容一鍵傳屏，多屏實(shí)時(shí)互動(dòng)，可給會(huì)議室應(yīng)用帶來(lái)展示、交互、協(xié)同于一體的全新體驗(yàn)，刷新了現(xiàn)場(chǎng)參展觀眾對(duì)LED顯示屏的認(rèn)知。

除了以上展品，洲明科技還展出了Unano、漏斗屏等多種可應(yīng)用于不同場(chǎng)景的LED顯示產(chǎn)品及解決方案，向全球?qū)I(yè)觀眾展現(xiàn)了洲明科技強(qiáng)勁的綜合實(shí)力，其中洲明科技的漏斗屏在現(xiàn)場(chǎng)大受歡迎，吸引了眾多參展觀眾拍照傳播。