英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉參觀兩款首次于國內(nèi)進(jìn)行實體展示的晶圓

01材料革新與系統(tǒng)重構(gòu)：英飛凌定義能效新范式

作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌科技通過在氮化鎵（GaN）、機(jī)器人及人工智能領(lǐng)域的深度布局，持續(xù)展現(xiàn)出強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新能力與市場競爭力。

在此次峰會中，英飛凌重點發(fā)布的四大創(chuàng)新產(chǎn)品矩陣尤為矚目：

PSOC Control C3 MCU：實現(xiàn)電機(jī)和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的實時控制?；贏rm? Cortex?-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列產(chǎn)品，具有實時控制功能和差異化控制外圍元件，頻率最高可達(dá)180MHz。在ModusToolbox系統(tǒng)設(shè)計工具和軟件的支持下，這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率、高可靠性且安全的電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。無論是在家用電器、智能家居，還是在光伏逆變器等應(yīng)用中，PSOC Control C3都能提供卓越的性能和可靠性。

新一代中壓CoolGaN半導(dǎo)體器件：具備出色的性能、更高的功率密度和高可靠性，可以將系統(tǒng)效率提升至96%，同時有助于降低能耗與運(yùn)營成本。該系列半導(dǎo)體器件能夠助力中壓電機(jī)系統(tǒng)實現(xiàn)更小的尺寸，為電信和數(shù)據(jù)中心提供更高的效率，在音頻應(yīng)用中實現(xiàn)更高的功率密度、更輕量級的系統(tǒng)和更佳的音頻性能。

CoolMOS 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET：提供了全新的“一體化”超級結(jié)（SJ）技術(shù)，產(chǎn)品系列覆蓋了從低功率到高功率的所有消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用。作為寬禁帶半導(dǎo)體的高性價比替代方案之一，能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的功率密度，同時確保器件的可靠性。CoolMOS 8可以輕松替換CoolMOS 7，集成了快速二極管，可提供600V和650V兩種電壓等級，其中650V特別提供了額外的50V緩沖，用于滿足數(shù)據(jù)中心和電信領(lǐng)域?qū)涣鬏斎腚妷旱奶囟ㄒ蟆?/p>

XDP數(shù)字電源（DigitalPower）：包括XDP XDPP1140/48數(shù)字控制器和3kW DR-HSC 12V-48V穩(wěn)壓IBC，均能夠?qū)崿F(xiàn)效率與功率密度的雙提升，展示出在系統(tǒng)設(shè)計與可靠性層面的雙重優(yōu)勢，使用靈活，同時又能夠優(yōu)化成本。

同時，英飛凌還于近期推出了新一代高密度功率模塊，即OptiMOSTDM2454xx四相功率模塊也在國內(nèi)首次亮相。而在大會的主題展區(qū)，英飛凌還展示了雙足機(jī)器人、具身智能人形機(jī)器人“五指靈巧手”、IoT智能小車、8kW高效高密AI數(shù)據(jù)中心電源模塊、用于數(shù)據(jù)中心和人工智能訓(xùn)練模型的12kW PSU等展品。

ICIC 2025主題展區(qū)吸引了大量與會者參觀體驗

總體來看，在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域，該公司不僅實現(xiàn)了300mm GaN功率半導(dǎo)體晶圓的量產(chǎn)突破，其新一代中壓CoolGaN器件更將系統(tǒng)效率提升至96%，顯著降低數(shù)據(jù)中心、電信及家電領(lǐng)域的能耗和成本。與此同時，英飛凌在硅基半導(dǎo)體領(lǐng)域也持續(xù)突破創(chuàng)新，推出的20μm超薄硅晶圓技術(shù)助于大幅提高功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性。

在機(jī)器人領(lǐng)域，英飛凌提供從電源產(chǎn)品、傳感器、微控制器、連接芯片到電機(jī)驅(qū)動的全棧解決方案，通過模塊化設(shè)計加速產(chǎn)品上市周期，推動機(jī)器人領(lǐng)域的創(chuàng)新。其展示的”五指靈巧手”具身智能系統(tǒng)與雙足機(jī)器人技術(shù)，展現(xiàn)了在人機(jī)協(xié)作與智能制造等智能機(jī)器人應(yīng)用場景中的前沿探索。
針對人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的高能效需求，英飛凌全面構(gòu)建了硅、碳化硅與氮化鎵協(xié)同共進(jìn)的混合技術(shù)矩陣，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供高效電源解決方案。特別值得一提的是，英飛凌推出的12kW PSU電源模塊可用于數(shù)據(jù)中心及支持AI訓(xùn)練模型部署。得益于AI浪潮的推動，預(yù)計2025財年，英飛凌AI業(yè)務(wù)營收將突破6億歐元，2027年有望突破10億歐元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉在ICIC 2025上發(fā)表主題演講

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉強(qiáng)調(diào)，英飛凌正通過覆蓋”電網(wǎng)-核心-邊緣-用戶”的全鏈路能效解決方案，為AI、機(jī)器人及家電行業(yè)提供更環(huán)保、更高效、更智能的技術(shù)解決方案，賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用場景的擴(kuò)維升級，特別是其邊緣AI方案結(jié)合安全芯片和連接產(chǎn)品的組合，已在IoT智能小車等場景實現(xiàn)落地應(yīng)用。

02英飛凌加速布局機(jī)器人產(chǎn)業(yè)：從核心器件到生態(tài)協(xié)同

英飛凌將機(jī)器人視為未來有高增長潛力的核心賽道，其布局貫穿“以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)-涵蓋感知、連接、人機(jī)交互等核心環(huán)節(jié)的全面半導(dǎo)體產(chǎn)品組合-系統(tǒng)級解決方案”全鏈條。

氮化鎵正驅(qū)動著機(jī)器人走向輕量化革命，據(jù)英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“在機(jī)器人關(guān)節(jié)中，將氮化鎵技術(shù)用于電機(jī)驅(qū)動可將系統(tǒng)的體積縮小、重量降低，并顯著提升電池的續(xù)航能力。” 這一點在業(yè)界的相關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)中也可以窺見一斑，數(shù)據(jù)顯示，以人形機(jī)器人為例，若搭載30個采用氮化鎵技術(shù)的關(guān)節(jié)，其總重量可減少20kg，充電周期延長50%。

此外，英飛凌的創(chuàng)新技術(shù)和全棧解決方案正賦能機(jī)器人走向智能化、高效化和輕量化。英飛凌提供從MEMS傳感器、到支持實時決策的MCU，再到連接芯片和安全芯片的完整方案。在雙足機(jī)器人中，基于CoolGaN的驅(qū)動系統(tǒng)使動態(tài)響應(yīng)速度提升25-50%。

目前，英飛凌正與本土伙伴聯(lián)合開發(fā)專用方案，如為某頭部企業(yè)定制的模塊化關(guān)節(jié)控制器，集成驅(qū)動、傳感與安全功能，成本降低20%。其技術(shù)團(tuán)隊深度參與客戶設(shè)計，提供從器件選型到系統(tǒng)優(yōu)化的全流程支持。

03英飛凌深耕中國：本土化戰(zhàn)略的四維進(jìn)階

作為深耕中國市場30年的領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)，英飛凌將繼續(xù)持續(xù)堅持“在中國、為中國”為本土化戰(zhàn)略，深化覆蓋運(yùn)營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)的立體化本土布局。

在此次ICIC 2025大會上，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“2025年是英飛凌在華30周年。在30年行業(yè)深耕的基礎(chǔ)之上，英飛凌將深入推進(jìn)本土化戰(zhàn)略，圍繞‘運(yùn)營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)’等方面，持續(xù)為客戶增加價值，推動在華業(yè)務(wù)的長期、穩(wěn)健、可持續(xù)發(fā)展。”

對于英飛凌消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)在本土的發(fā)展，他圍繞“從電網(wǎng)到核心，驅(qū)動AI算力”、“從云到端，賦能AI生態(tài)”、“從首到足，加速機(jī)器人發(fā)展”系統(tǒng)介紹了英飛凌的市場策略及優(yōu)勢，表示將以機(jī)器人、AI數(shù)據(jù)中心和邊緣計算等市場為主要驅(qū)動力，依托領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)和本土應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)賦能客戶的價值創(chuàng)造，推動各種應(yīng)用場景落地，引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

談及本土化生產(chǎn)，英飛凌表示將擴(kuò)大MCUs、MOSFETs等通用半導(dǎo)體產(chǎn)品的本地化生產(chǎn)制造。潘大偉指出，這兩款器件作為通用的半導(dǎo)體產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源、汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，市場需求穩(wěn)定且規(guī)模龐大。通過優(yōu)先擴(kuò)大此類通用半導(dǎo)體器件的本地化生產(chǎn)，既能快速響應(yīng)本土客戶需求，增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性，又能為后續(xù)探討更復(fù)雜產(chǎn)品（如汽車高壓模塊、傳感器等）的本地化生產(chǎn)積累經(jīng)驗。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。這些器件在電池儲能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應(yīng)用場景中表現(xiàn)卓越。此外，在包括充電樁在內(nèi)的電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域同樣能發(fā)揮出眾效能。

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進(jìn)一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設(shè)計有效降低了通過PCB散熱所帶來的負(fù)面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板封裝流程。?新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質(zhì)因數(shù)(FoM)。

其中，RDS(on)作為關(guān)鍵參數(shù)，對導(dǎo)通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關(guān)注該參數(shù)（常溫）的標(biāo)稱值，卻忽略了一個事實，即隨著器件工作溫度的升高，標(biāo)稱值可能會增加100%以上，從而造成相當(dāng)大的導(dǎo)通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加38%。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學(xué)研資源深度融合：

共建創(chuàng)新平臺：意法半導(dǎo)體在智能功率技術(shù)、寬禁帶帶隙半導(dǎo)體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號技術(shù)等多個重要技術(shù)領(lǐng)域，都是公認(rèn)的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新先鋒，今年已是第七次被評為“全球百強(qiáng)創(chuàng)新企業(yè)”。意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)在車聯(lián)網(wǎng)、功率電子等領(lǐng)域的科研能力（依托移動通信終端與網(wǎng)絡(luò)控制國家工程研究中心等平臺）形成合力，雙方將共建新能源汽車人才培養(yǎng)和聯(lián)合創(chuàng)新中心，突破產(chǎn)業(yè)技術(shù)瓶頸。

加速校企人才合作：建立“需求導(dǎo)向”的人才培養(yǎng)機(jī)制，強(qiáng)化實踐性與國際性，通過校企聯(lián)合項目培養(yǎng)適配產(chǎn)業(yè)的高端技術(shù)人才。

助推科研成果轉(zhuǎn)化：搭建技術(shù)轉(zhuǎn)化服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，加速科研成果在重慶本土企業(yè)的應(yīng)用驗證，推動創(chuàng)新鏈與產(chǎn)業(yè)鏈深度融合。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層、上限制層，上波導(dǎo)層與上限制層之間具有強(qiáng)布里淵光力耦合層；強(qiáng)布里淵光力耦合層的In/C元素比例具有函數(shù)y＝A+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/O元素比例具有函數(shù)y＝B+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/H元素比例具有函數(shù)y＝C+x?1/2x第一四象限曲線分布；該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，能夠降低激光光場耗散，抑制光場模式泄漏到襯底形成駐波，提升遠(yuǎn)場圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性。

天眼查資料顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以從事計算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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這些IPM改進(jìn)了熱性能、降低了功耗，支持快速開關(guān)速度，非常適用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用，如AI數(shù)據(jù)中心、熱泵、商用暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、伺服電機(jī)、機(jī)器人、變頻驅(qū)動器（VFD）以及工業(yè)泵和風(fēng)機(jī)等應(yīng)用中的電子換向（EC）風(fēng)機(jī)。

EliteSiC SPM 31 IPM 與安森美IGBT SPM 31 IPM 產(chǎn)品組合（涵蓋15A至35A的低電流）形成互補(bǔ)，提供從40A到70A的多種額定電流。安森美目前以緊湊的封裝提供業(yè)界領(lǐng)先的廣泛可擴(kuò)展、靈活的集成功率模塊解決方案。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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作為一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于成為新能源產(chǎn)業(yè)、智能化產(chǎn)業(yè)核心芯片和模組的支柱性力量。

芯聯(lián)集成通過持續(xù)的高強(qiáng)度研發(fā)來保障技術(shù)的創(chuàng)新性和引領(lǐng)性。過去幾年，公司每年研發(fā)投入在30%左右，保持每1-2年進(jìn)入新的賽道，且每進(jìn)入到一個新賽道，都用3-4年時間做到中國技術(shù)領(lǐng)先水平，6-7年躋身業(yè)界領(lǐng)先行列。

正是基于公司不斷推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新，芯聯(lián)集成與聯(lián)合電子之間的合作得以持續(xù)深化。未來，芯聯(lián)集成將進(jìn)一步加強(qiáng)與聯(lián)合電子等全球客戶的緊密合作，充分發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢，賦能客戶產(chǎn)品技術(shù)的創(chuàng)新與升級，攜手為行業(yè)發(fā)展注入新的活力。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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CGD創(chuàng)始人兼CEO Giorgia Longobardi 博士表示：”當(dāng)前新能源車主驅(qū)逆變器要么采用低成本但輕載效率低的IGBT，要么選擇高性能但昂貴的SiC器件。我們?nèi)碌腃ombo ICeGaN 解決方案通過巧妙融合GaN與IGBT技術(shù)的優(yōu)勢，將徹底革新電動汽車產(chǎn)業(yè)——在降低系統(tǒng)成本的同時保持最優(yōu)的能效水平，這意味著更快的充電速度與更長的續(xù)航里程。”（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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功率器件是提高各種電氣和電子設(shè)備能源效率的重要元件，在電力供應(yīng)和能耗控制方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。汽車的持續(xù)電氣化和工業(yè)設(shè)備對更高效率的要求預(yù)計將推動市場對功率半導(dǎo)體的長期需求。東芝將通過對前道和后道生產(chǎn)設(shè)施的投資來應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，并將通過穩(wěn)定供應(yīng)高效、高可靠性產(chǎn)品來滿足市場增長。

新生產(chǎn)設(shè)施將使姬路工廠的車載功率半導(dǎo)體生產(chǎn)能力較2022財年增加一倍以上，為推進(jìn)碳中和作貢獻(xiàn)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計算，400V獨立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢。小體積、高效率、更獨立的模塊電源將釋放出寶貴的機(jī)柜空間，直觀提升算力，降低能源損耗，助力達(dá)成雙碳目標(biāo)。

這款領(lǐng)跑行業(yè)的模塊電源，可輸入范圍為340~420V直流，僅需1/4標(biāo)準(zhǔn)磚大小卻能迸發(fā)出2.5kW的恒定功率，峰值功率高達(dá)3kW，功率密度達(dá)到了全球頂尖的92.36W/cm3，比硅基的1/4磚塊電源的輸出功率高3至5倍。其半載效率高達(dá)97.9%，滿足日益嚴(yán)格的效率要求，可廣泛應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心、電信、工業(yè)設(shè)備等場景。

得益于集成GaNSense技術(shù)的GaNFast NV6169氮化鎵功率芯片，長城電源的這款電源實現(xiàn)了超高功率密度的行業(yè)突破。該芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、輕薄、低電感、8x8mm PQFN封裝，跟上一代產(chǎn)品相比，導(dǎo)通電阻降低36%，功率提高50%，非常適用于高效率、高密度的磚塊電源系統(tǒng)。

采用GaNSense技術(shù)的GaNFast功率芯片具有行業(yè)首創(chuàng)的無損電流檢測和最快的短路保護(hù)，實現(xiàn)“檢測到保護(hù)”的速度僅為30ns，比分立解決方案快6倍。與競爭對手的解決方案不同，NV6169額定工作電壓為650V，額定峰值電壓為800V，可在瞬態(tài)工況期間穩(wěn)定工作。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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中微公司介紹，等離子體刻蝕機(jī)，是光刻機(jī)之外，最關(guān)鍵的、也是市場最大的微觀加工設(shè)備。由于微觀器件越做越小和光刻機(jī)的波長限制，也由于微觀器件從二維到三維發(fā)展，刻蝕機(jī)是半導(dǎo)體設(shè)備過去十年增長最快的市場。

中微公司不斷拓展等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線，以滿足先進(jìn)的芯片器件制造日益嚴(yán)苛的技術(shù)需求。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備不斷擴(kuò)大市場占有率，其中，CCP設(shè)備在線累計裝機(jī)量近四年年均增長大于37%，已突破4000個反應(yīng)臺；ICP設(shè)備在線累計裝機(jī)量近四年年均增長大于100%，已突破1000個反應(yīng)臺。

截至2025年2月底，公司累計已有超過5400個反應(yīng)臺在國內(nèi)外130多條生產(chǎn)線，全面實現(xiàn)了量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售。中微公司表示，這一重要里程碑標(biāo)志著公司在等離子體刻蝕設(shè)備領(lǐng)域持續(xù)得到客戶與市場的廣泛認(rèn)可，并彰顯了公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域已進(jìn)入國際前列。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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