官網(wǎng)顯示，思銳智能成立于2018年，總部位于青島，在北京、上海設(shè)有研發(fā)中心。公司主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。公司產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備，廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。

從股權(quán)結(jié)構(gòu)來(lái)看，思銳智能無(wú)控股股東、無(wú)實(shí)際控制人，第一大股東為中車(chē)青島四方車(chē)輛研究所有限公司，持股比例為19.48%。

在2018年，思銳智能完成了對(duì)ALD技術(shù)公司倍耐克100%股權(quán)的收購(gòu)工作。思銳智能整合倍耐克海外前沿技術(shù)研發(fā)資源，開(kāi)展ALD技術(shù)國(guó)內(nèi)外聯(lián)合研發(fā)與國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化落地工作，建立了完善的ALD產(chǎn)品體系，覆蓋全球眾多頭部客戶(hù)并在眾多細(xì)分領(lǐng)域取得領(lǐng)先的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)地位。目前思銳智能及其子公司擁有300余項(xiàng)相關(guān)專(zhuān)利，在A(yíng)LD技術(shù)及應(yīng)用方面具備雄厚的技術(shù)積累。

source：思銳智能官網(wǎng)

思銳智能在推進(jìn)ALD業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型升級(jí)后，布局離子注入設(shè)備業(yè)務(wù)并取得突破。2024年，該公司在半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)突破。繼2023年成功交付高能離子注入機(jī)并獲得市場(chǎng)認(rèn)可后，2024年其順利交付大束流離子注入機(jī)，標(biāo)志著思銳智能離子注入裝備全線(xiàn)布局落地。

思銳智能以高能離子注入機(jī)為切入點(diǎn)開(kāi)展研發(fā)，解決國(guó)內(nèi)高端離子注入機(jī)”卡脖子“問(wèn)題，逐步完成硅基及化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域全系列機(jī)型的布局。

在資本運(yùn)作上，思銳智能也動(dòng)作頻頻。2024年5月，公司宣布完成B+輪融資，投資方包括中車(chē)四方車(chē)輛研究所、中車(chē)資本、中金資本等。同年9月，該公司發(fā)生工商變更，股東新增上汽旗下嘉興上汽創(chuàng)永股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、河南尚頎匯融尚成一號(hào)產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)（有限合伙）等，同時(shí)注冊(cè)資本由約9.5億人民幣增至約11.2億人民幣。

此前，該公司還成功完成數(shù)億元B輪融資，上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投，尚頎資本、鼎暉投資聯(lián)合領(lǐng)投，老股東持續(xù)加持。2025年2月7日，思銳智能順利完成股份制改制，公司名稱(chēng)正式變更為“青島思銳智能科技股份有限公司”，這為其IPO之路奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

此次思銳智能擬A股IPO，若成功上市，思銳智能將獲得更充足的資金用于技術(shù)研發(fā)、市場(chǎng)拓展和產(chǎn)能提升，進(jìn)一步提升并鞏固其在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的地位。未來(lái)，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，思銳智能有望在資本市場(chǎng)的助力下，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控和高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)更大力量。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專(zhuān)注于高端邏輯及存儲(chǔ)芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備。

同時(shí)，中微公司還將建設(shè)研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資額約30.5億元，注冊(cè)資本1億元，并計(jì)劃購(gòu)地約50余畝，用于建設(shè)研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設(shè)施，以滿(mǎn)足量產(chǎn)需求。項(xiàng)目擬于2025年啟動(dòng)建設(shè)，2027年正式投入生產(chǎn)。

中微公司成立于2004年，是一家以中國(guó)為基地、面向全球的微觀(guān)加工高端設(shè)備公司。公司是國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)之一，其主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋了多個(gè)領(lǐng)域，包括集成電路、MEMS、LED等不同的下游半導(dǎo)體應(yīng)用。近年，中微公司積極布局第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，其用于氮化鎵基LED外延生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在行業(yè)領(lǐng)先客戶(hù)生產(chǎn)線(xiàn)上大規(guī)模投入量產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

其中，杭州高裕電子科技股份有限公司的第三代半導(dǎo)體可靠性測(cè)試設(shè)備生產(chǎn)基地項(xiàng)目備受矚目。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)在未來(lái)三年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收超7.5億元，將有力推動(dòng)杭州在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

杭州高裕電子科技股份有限公司成立于2009年10月16日，注冊(cè)資本5250萬(wàn)元人民幣，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件可靠性試驗(yàn)設(shè)備、測(cè)試設(shè)備研制及元器件可靠性整體解決方案集成商。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于國(guó)防電子工業(yè)和國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)等，已在行業(yè)內(nèi)樹(shù)立起良好口碑。

該公司業(yè)務(wù)范圍全面覆蓋電子元器件可靠性試驗(yàn)設(shè)備與測(cè)試設(shè)備研制，除主機(jī)設(shè)備及試驗(yàn)電源、老化測(cè)試板、老化測(cè)試座等相關(guān)配件銷(xiāo)售外，還為客戶(hù)定制自動(dòng)化老化測(cè)試產(chǎn)線(xiàn)，并提供第三方可靠性測(cè)試、失效分析和技術(shù)咨詢(xún)服務(wù)，構(gòu)建了完整的產(chǎn)業(yè)服務(wù)生態(tài)。

隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新焦點(diǎn)，高裕電子在杭州西湖區(qū)建設(shè)的生產(chǎn)基地將進(jìn)一步提升其在半導(dǎo)體可靠性測(cè)試領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，助力杭州在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)賽道上再進(jìn)一步，推動(dòng)區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善與升級(jí)，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新與高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)力量。（集邦化合物半導(dǎo)體viki整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。

ISG612xTD SolidGaN IC

ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范圍為 22m?~59m?（最大25C）。

ISG612xTD系列采用精密Vgs柵極驅(qū)動(dòng)器、快速短路保護(hù)和 TO247-4L 封裝，具有出色的熱性能。這些配置使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)具有 Titanium Plus 效率的高頻開(kāi)關(guān)，功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

產(chǎn)品包含

ISG6121TD
ISG6122TD
ISG6123TD
ISG6124TD

該系列產(chǎn)品還配備了內(nèi)置保護(hù)，包括DESAT保護(hù)、輸入U(xiǎn)VLO和OTP，能夠進(jìn)一步確保設(shè)備的穩(wěn)健性和系統(tǒng)安全性。

產(chǎn)品性能

集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引腳，可直接替換
10V~24V輸入電壓范圍支持主流驅(qū)動(dòng)器和控制器生態(tài)
內(nèi)置米勒鉗位，無(wú)需負(fù)壓關(guān)斷，支持高達(dá)100V/ns開(kāi)關(guān)速度
集成短路保護(hù)，欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)，增加系統(tǒng)魯棒性

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

高開(kāi)關(guān)頻率
高功率密度
高散熱能力
高抗干擾能力
簡(jiǎn)單易用
高可靠性

應(yīng)用領(lǐng)域

適合500W-4KW大功率電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源，空調(diào)電源，汽車(chē)OBC

作為行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品，ISG612XTD SolidGaN IC將先進(jìn)的700V E型GaN FET無(wú)縫集成，為電力電子的性能、易用性和可靠性設(shè)定了全新標(biāo)準(zhǔn)，有望成為高效率、高安全性的終端應(yīng)用系統(tǒng)的關(guān)鍵器件。

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室SiC襯底激光剝離技術(shù)新進(jìn)展

近期，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。

SiC由于莫氏硬度高達(dá)9.5，是很難加工的材料，傳統(tǒng)加工流程材料損耗率大，為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部開(kāi)發(fā)激光剝離工藝來(lái)替代傳統(tǒng)的多線(xiàn)切割工，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

該實(shí)驗(yàn)室認(rèn)為，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對(duì)于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布碳化硅最新研究進(jìn)展

近期，香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組報(bào)告了多項(xiàng)氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展。其中，“高速且具備優(yōu)越開(kāi)關(guān)速度控制能力的3D堆疊式GaN/SiC cascode 功率器件”研究提出，GaN/SiC 混合型cascode 器件將SiC MOSFET的低遷移率MOS 溝道替換為基于GaN的2DEG溝道，將溝道遷移率大幅提升至2000 c㎡/V·s左右。為充分發(fā)揮GaN/SiC cascode 器件的開(kāi)關(guān)性能，該團(tuán)隊(duì)為該器件開(kāi)發(fā)了3D堆疊式的封裝方案，有效解決了合封器件長(zhǎng)期存在的寄生電感瓶頸。與最新一代寬禁帶半導(dǎo)體1.2 kV高功率商業(yè)器件相比，新器件的開(kāi)關(guān)速度有顯著提升（圖1-1）。

圖1-1：GaN/SiC cascode 器件的3D堆疊封裝及其高速開(kāi)關(guān)能力（source：香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組）

cascode器件長(zhǎng)期受制于其較弱的開(kāi)關(guān)速度控制能力。針對(duì)該問(wèn)題，研究團(tuán)隊(duì)首次分析、提出和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了低壓器件的CGD是從根本上提升cascode器件開(kāi)關(guān)速度控制能力的關(guān)鍵（圖1-2）。從而首次在cascode功率器件上實(shí)現(xiàn)了用戶(hù)樂(lè)于使用的通過(guò)外加?xùn)艠O電阻調(diào)控開(kāi)關(guān)速度的方法。

圖1-2：GaN/SiC開(kāi)關(guān)速度控制方案與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn)證。增加低壓器件的CGD之后，cascode器件具備通過(guò)柵極電阻實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的能力。（source：香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組）（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) 撥款 33.4 億盧比（約2.8億人民幣），將用于氮化鎵的技術(shù)研發(fā)，用于電信和電力領(lǐng)域。

報(bào)道指出，IISc的一組跨學(xué)科教員已成功研發(fā)了印度首個(gè)電子模式氮化鎵功率晶體管，其性能達(dá)到高標(biāo)準(zhǔn)，為氮化鎵技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

今年1月，印度首個(gè)碳化硅半導(dǎo)體工廠(chǎng)在奧里薩邦正式奠基，預(yù)計(jì)三年內(nèi)完成建設(shè)，將專(zhuān)注于生產(chǎn)碳化硅等產(chǎn)品，以滿(mǎn)足電力電子、可再生能源系統(tǒng)以及電動(dòng)汽車(chē)的需求。據(jù)悉，該項(xiàng)目由RIR Power Electronics Limited公司打造，總投資額達(dá)62億盧比（約25億元人民幣）。

稍早之前，媒體報(bào)道，印度國(guó)防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室已成功開(kāi)發(fā)出本土一種工藝，可以生長(zhǎng)和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在最高X波段頻率的應(yīng)用中發(fā)揮作用。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

中國(guó)電科：30臺(tái)套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨

近日，據(jù)中國(guó)電科官微消息，其所屬的48所成功實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計(jì)30臺(tái)套。截至目前，中國(guó)電科已累計(jì)出貨百余臺(tái)套，并在客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)穩(wěn)定運(yùn)行。

據(jù)悉，SiC（碳化硅）外延設(shè)備是第三代半導(dǎo)體器件制造的核心關(guān)鍵設(shè)備之一。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC材料具有耐高溫、耐高壓和高導(dǎo)電性等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、5G通信、航空航天等領(lǐng)域。然而，由于技術(shù)門(mén)檻高、設(shè)備復(fù)雜，SiC外延設(shè)備的研制和產(chǎn)業(yè)化一直是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的難題。

此次大規(guī)模發(fā)貨，將有力推動(dòng)國(guó)內(nèi)SiC器件制造企業(yè)的產(chǎn)能提升和技術(shù)升級(jí)。隨著更多SiC外延設(shè)備投入使用，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在材料制備環(huán)節(jié)將更加成熟，有助于降低碳化硅器件成本，提高產(chǎn)品性能，進(jìn)而促進(jìn)碳化硅在新能源汽車(chē)、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

三安光電：湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)向維諦技術(shù)供貨

2月17日，三安光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露重要消息，湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已成功向維諦技術(shù)供貨，供貨金額達(dá)到千萬(wàn)級(jí)別。此前三安光電與維諦技術(shù)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，維諦技術(shù)專(zhuān)注于數(shù)據(jù)中心液冷系統(tǒng)。此次成功供貨，不僅是雙方合作的重要成果，也標(biāo)志著三安光電在碳化硅產(chǎn)品市場(chǎng)拓展上邁出堅(jiān)實(shí)一步。

據(jù)悉，在碳化硅功率器件方面，三安光電成績(jī)斐然。針對(duì)工業(yè)級(jí)市場(chǎng)，湖南三安的1200V20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V27mΩ/50mΩ及1700V 1Ω SiCMOSFET已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；面向車(chē)規(guī)級(jí)市場(chǎng)，車(chē)載充電機(jī)、空調(diào)壓縮機(jī)用SiCMOSFET已實(shí)現(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已在重點(diǎn)新能源汽車(chē)客戶(hù)處導(dǎo)入可靠性驗(yàn)證。隨著供貨維諦技術(shù)，其在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額有望進(jìn)一步擴(kuò)大。

中瓷電子：國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾公司SiC?MOSFET芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

中瓷電子近期在碳化硅業(yè)務(wù)上也有新進(jìn)展，其全資子公司國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾SiC MOSFET芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，模塊產(chǎn)品目前處于小批量供貨階段。此前，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾公司電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功并交付客戶(hù)上車(chē)驗(yàn)證，還有小批量銷(xiāo)售。

在電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品方面，中瓷電子產(chǎn)品主要面向比亞迪，其他客戶(hù)也在密切接觸、合作協(xié)商、送樣驗(yàn)證等階段。據(jù)悉，中瓷電子目前相關(guān)產(chǎn)能正在建設(shè)中，已具備一定生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)今年底月產(chǎn)能達(dá)到5000片，2024年預(yù)計(jì)月產(chǎn)能在5000-10000片。

另外，該公司募投項(xiàng)目已進(jìn)行初期投資，產(chǎn)能逐步建設(shè)，近兩年預(yù)期相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)能可被下游客戶(hù)消化。隨著芯片量產(chǎn)和模塊小批量供貨，中瓷電子在電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域有望獲得更多市場(chǎng)機(jī)會(huì)，進(jìn)一步提升其在碳化硅功率器件市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：先導(dǎo)科技集團(tuán)

消息稱(chēng)，該項(xiàng)目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬(wàn)平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個(gè)項(xiàng)目力爭(zhēng)2025年年底實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。未來(lái)，半導(dǎo)體襯底、外延材料就將自這4座生產(chǎn)廠(chǎng)房下線(xiàn)，有力補(bǔ)強(qiáng)光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。

此次封頂?shù)?棟生產(chǎn)廠(chǎng)房將承擔(dān)核心材料制造，具體來(lái)看：

M1廠(chǎng)房?? 砷化鎵襯底生產(chǎn)線(xiàn)（應(yīng)用于5G射頻芯片）
M2廠(chǎng)房?? 磷化銦襯底生產(chǎn)線(xiàn)（光通信激光器核心材料）
M3廠(chǎng)房?? 可調(diào)諧激光器量產(chǎn)線(xiàn)
M4廠(chǎng)房?? 鍺片生產(chǎn)基地（紅外探測(cè)器關(guān)鍵材料）

資料顯示，先導(dǎo)科技集團(tuán)有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)。2024年3月，該項(xiàng)目落戶(hù)光谷，投資120億元建設(shè)高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目。項(xiàng)目投產(chǎn)后具備砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調(diào)諧激光器及其他產(chǎn)品等生產(chǎn)能力。

“這相當(dāng)于在光谷建造了一個(gè)‘化合物半導(dǎo)體超市’。”項(xiàng)目總工程師李明透露，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)8英寸襯底材料50萬(wàn)片，滿(mǎn)足全球15%的高端需求。

化合物半導(dǎo)體呈現(xiàn)多元化態(tài)勢(shì)化合物半導(dǎo)體被視為“后摩爾時(shí)代”的戰(zhàn)略材料。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)砷化鎵襯底進(jìn)口依存度仍高達(dá)83%，磷化銦更是超過(guò)90%。

化合物半導(dǎo)體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展與關(guān)鍵變革的重要節(jié)點(diǎn)。從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，隨著5G通信、光通信、汽車(chē)電子、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料需求的持續(xù)攀升，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)出增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。業(yè)界預(yù)測(cè)，未來(lái)幾年全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率，市場(chǎng)前景極為廣闊。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，各國(guó)科研團(tuán)隊(duì)與企業(yè)不斷加大研發(fā)投入，致力于攻克技術(shù)難題。在材料生長(zhǎng)工藝上，分子束外延（MBE）和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等先進(jìn)技術(shù)持續(xù)優(yōu)化，能夠生長(zhǎng)出更高質(zhì)量、更大尺寸的化合物半導(dǎo)體材料，為后續(xù)芯片制造奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。在芯片設(shè)計(jì)與制造工藝方面，也取得了諸多突破，例如新型器件結(jié)構(gòu)的研發(fā)，有效提升了化合物半導(dǎo)體芯片的性能與集成度。

競(jìng)爭(zhēng)格局呈現(xiàn)多元化態(tài)勢(shì)。國(guó)際上，歐美日等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)的企業(yè)憑借長(zhǎng)期積累的技術(shù)、品牌和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，在高端產(chǎn)品領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。

美國(guó)的Wolfspeed在碳化硅（SiC）領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)電源等對(duì)功率器件要求嚴(yán)苛的高端領(lǐng)域，為提升系統(tǒng)效率與可靠性發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

博通有限公司在砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品方面技術(shù)成熟，產(chǎn)品在5G通信、航空航天等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，例如其生產(chǎn)的射頻芯片為眾多通信設(shè)備提供了穩(wěn)定高效的信號(hào)處理能力。

同時(shí)，韓國(guó)的三星、LG等企業(yè)依托自身在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積淀與大規(guī)模生產(chǎn)能力，積極布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，在中低端市場(chǎng)通過(guò)成本控制與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。

隨著中國(guó)政策的大力扶持以及企業(yè)自身的努力，近年來(lái)取得了顯著進(jìn)展。

source：穩(wěn)懋半導(dǎo)體

穩(wěn)懋半導(dǎo)體等企業(yè)專(zhuān)注于化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，憑借豐富的代工經(jīng)驗(yàn)與較高的生產(chǎn)效率，在全球化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)占據(jù)重要份額，為全球眾多設(shè)計(jì)公司提供生產(chǎn)制造服務(wù)。

而上述提到的先導(dǎo)科技集團(tuán)在光谷投資建設(shè)的120億元化合物半導(dǎo)體基地，更是國(guó)內(nèi)行業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要縮影。

越來(lái)越多的國(guó)內(nèi)企業(yè)開(kāi)始涉足化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從無(wú)到有的突破，逐步縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距。但整體而言，國(guó)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)實(shí)力、高端人才儲(chǔ)備以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善程度等方面，與國(guó)際領(lǐng)先水平仍存在一定差距。

從應(yīng)用領(lǐng)域拓展來(lái)看，除了傳統(tǒng)的通信、電子領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)的功率器件、光伏的高效逆變器、醫(yī)療的高靈敏度探測(cè)器等新興領(lǐng)域的應(yīng)用也日益廣泛。業(yè)界表示，可預(yù)見(jiàn)的是，隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步降低，化合物半導(dǎo)體將在更多領(lǐng)域大放異彩，成為推動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導(dǎo)體南清整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：連云港市生態(tài)環(huán)境局

據(jù)介紹，本項(xiàng)目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料等領(lǐng)域；碳化硅陶瓷被廣泛應(yīng)用于機(jī)械加工、石油、化工、微電子、汽車(chē)、航天、航空、造紙、激光、礦業(yè)及原子能等工業(yè)領(lǐng)域。

據(jù)公開(kāi)資料顯示，鴻蒙硅材主要產(chǎn)品是線(xiàn)切割碳化硅微粉，同時(shí)經(jīng)營(yíng)普通石英砂，精制石英砂，高純石英砂，硅微粉等系列產(chǎn)品，其線(xiàn)切割微粉年產(chǎn)量2萬(wàn)噸左右，年銷(xiāo)售額3億元左右。

鴻蒙硅材表示，碳化硅粉因其具有很大的硬度、耐熱性、耐氧化性、耐腐蝕性，它已被確認(rèn)為一種磨料、耐火材料、電熱元件、黑色有色金屬冶煉等用的原料?，F(xiàn)在又被應(yīng)用在機(jī)械工程中的結(jié)構(gòu)件和化學(xué)工程中的密封件等。由于近兩年來(lái)碳化硅的價(jià)格大幅上揚(yáng)，大型碳化硅生產(chǎn)企業(yè)忙于為長(zhǎng)期訂單客戶(hù)供貨，小型碳化硅生產(chǎn)企業(yè)的質(zhì)量不穩(wěn)定且成本較高，導(dǎo)致我國(guó)碳化硅深加工企業(yè)的原材料質(zhì)量無(wú)法保證。

國(guó)內(nèi)多個(gè)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展在同行項(xiàng)目進(jìn)展方面，除了上面的項(xiàng)目，今年國(guó)內(nèi)多個(gè)碳化硅項(xiàng)目成果顯著，涉及同光半導(dǎo)體、士蘭集宏等企業(yè)。

同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬(wàn)片8英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目于2月11日開(kāi)工，預(yù)計(jì)總投資8.82億元，2027年全部投產(chǎn)，對(duì)于保定市提升第三代半導(dǎo)體的核心技術(shù)自主化、產(chǎn)業(yè)鏈高端化、產(chǎn)業(yè)集群規(guī)?；揭饬x重大。

根據(jù)廈門(mén)廣電網(wǎng)2025年1月22日消息，士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項(xiàng)目于1月21日鋼結(jié)構(gòu)首吊，預(yù)計(jì)2025年一季度封頂，四季度初步通線(xiàn)，2026年一季度試生產(chǎn)。

值得一提的是，2025年被業(yè)界稱(chēng)作“8英寸碳化硅元年”，全球8英寸碳化硅芯片廠(chǎng)迎來(lái)試產(chǎn)與量產(chǎn)爬坡的關(guān)鍵時(shí)期。這是因?yàn)榻K端應(yīng)用降本需求強(qiáng)烈，而8英寸碳化硅可提升芯片產(chǎn)量，降低單位綜合成本，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向。

總體而言，目前，國(guó)內(nèi)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)雖然取得了一定的進(jìn)展，但整體仍面臨著諸多挑戰(zhàn)。在技術(shù)層面，部分關(guān)鍵技術(shù)仍依賴(lài)進(jìn)口，如高質(zhì)量碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)、芯片制造工藝等，與國(guó)際先進(jìn)水平相比存在一定差距。在產(chǎn)業(yè)生態(tài)方面，上下游協(xié)同發(fā)展還不夠完善，碳化硅材料生產(chǎn)企業(yè)與下游應(yīng)用企業(yè)之間的合作有待進(jìn)一步加強(qiáng)。不過(guò)，隨著國(guó)家政策的大力支持和國(guó)內(nèi)企業(yè)的持續(xù)投入，碳化硅材料產(chǎn)業(yè)正逐步走向成熟，未來(lái)有望在全球碳化硅市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。（集邦化合物半導(dǎo)體南清整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究數(shù)據(jù)指出，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiCPowerDevice市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。

SiC目前有兩大應(yīng)用市場(chǎng)，一是電動(dòng)車(chē)逆變器、充電樁、太陽(yáng)能發(fā)電、直流電網(wǎng)中取代硅基IGBT，二是以SiC襯底承載GaN做5G基地臺(tái)的RF功率放大。而在SiC產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底是最關(guān)鍵的原材料，也是最具技術(shù)含量和含金量的領(lǐng)域，SiC元件成本中，襯底至少占一半。

從國(guó)際市場(chǎng)看，意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi占據(jù)大部分市場(chǎng)，中國(guó)市場(chǎng)則有天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、瀚天天成、三安光電、華潤(rùn)微等。

外媒消息表示，2024年市場(chǎng)供過(guò)于求影響全球SiC行業(yè)，價(jià)格跌破生產(chǎn)成本，擾亂了全球供應(yīng)鏈。徐秀蘭透露，價(jià)格已暴跌超過(guò)50%，達(dá)到前所未有的低點(diǎn)。盡管6英寸SiC襯底價(jià)格現(xiàn)已穩(wěn)定，但短期內(nèi)復(fù)蘇尚不明顯。

而在設(shè)備端，徐秀蘭表示，碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備與切割、研磨、拋光等加工設(shè)備的技術(shù)也在不斷進(jìn)步。新型長(zhǎng)晶設(shè)備能夠提高碳化硅晶體的生長(zhǎng)速度和質(zhì)量，而先進(jìn)的加工設(shè)備則能提升襯底的平整度和表面質(zhì)量，進(jìn)一步滿(mǎn)足高端芯片制造的要求。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。