山東力冠發(fā)布的12英寸PVT電阻設(shè)備及8英寸多坩堝設(shè)備，是碳化硅晶圓制備的核心工藝設(shè)備，可以決定了碳化硅晶錠的生長效率、質(zhì)量和成本，與碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展密切相關(guān)。

據(jù)了解，12英寸PVT電阻爐單爐次生長效率提升達40%，且集成先進多溫區(qū)精準控制技術(shù)，可有效確保晶格質(zhì)量與厚度一致性，能滿足嚴苛的量產(chǎn)質(zhì)量要求。

8英寸多坩堝設(shè)備采用3-5個坩堝同步生長，單次產(chǎn)出能力成倍提升，可大幅攤薄晶錠的制造成本。同時，其創(chuàng)新的硬件架構(gòu)與智能控制軟件融合，可實現(xiàn)高精度溫度與真空壓力動態(tài)調(diào)控，獨家多坩堝協(xié)同溫場技術(shù)還解決了傳統(tǒng)超大尺寸設(shè)備熱場分布不均的問題。

公開資料顯示，山東力冠成立2013年，是國內(nèi)半導體裝備制造行業(yè)的頭部企業(yè)。其產(chǎn)品涵蓋第一代至第四代半導體材料工藝裝備，包括PVT單晶生長設(shè)備、HVPE設(shè)備、SiC籽晶粘接設(shè)備等。產(chǎn)品廣泛應用于集成電路、5G芯片、光通信等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域，已進入比亞迪半導體等頭部企業(yè)產(chǎn)線，還出口至中國臺灣、俄羅斯、韓國、新加坡等國家和地區(qū)。

（集邦化合物半導體整理）

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英飛凌分撥中心（中國）定制項目簽約

7月29日，英飛凌分撥中心（中國）定制項目簽約暨奠基儀式在上海浦東機場綜合保稅區(qū)內(nèi)舉行，標志著該項目正式進入建設(shè)階段。

圖片來源：英飛凌官微

該項目建筑面積4.3萬平方米，定位為英飛凌全球三大物流樞紐之一，是目前英飛凌在全球單體建筑面積最大的成品分撥中心。項目建成后，將通過引入智能化管理系統(tǒng)實現(xiàn)訂單與發(fā)貨的無縫銜接，為客戶提供更高效、更可持續(xù)、更具韌性的服務體驗。英飛凌透露，升級后的英飛凌分撥中心（中國）預計將于2027年8月正式投入運營。

資料顯示，英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導體公司，年營收超150億歐元。公司連續(xù)五年蟬聯(lián)全球車用半導體市場榜首、連續(xù)二十一年在全球功率半導體市場穩(wěn)居第一。

今年6月，英飛凌正式發(fā)布“在中國，為中國”本土化戰(zhàn)略。英飛凌表示，1995年，英飛凌落子無錫，開啟了中國市場的發(fā)展征程；2003年，英飛凌大學計劃啟動；2014年，英飛凌中國物流中心落戶上海自貿(mào)區(qū)；2018年，大中華區(qū)成立；2024年，英飛凌科技（上海）有限公司正式運營。三十年來，英飛凌始終與時代同頻共振，深耕本土需求，以穩(wěn)健、務實的風格推進在本土市場的卓越運營、創(chuàng)新應用、本土制造和生態(tài)整合。2024財年，英飛凌大中華區(qū)營收占比達34%，是英飛凌在全球最重要也是最具活力的區(qū)域市場之一。

未來，包括“汽車業(yè)務”、“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務”、“消費、計算與通訊業(yè)務”在內(nèi)的英飛凌三大核心業(yè)務，將全面落實公司“在中國、為中國”本土化戰(zhàn)略，積極支持和推動英飛凌在華的本土化深耕與實踐，并在其中發(fā)揮重要作用。

英飛凌落實在馬來西亞300億令吉額外投資

近期，媒體報道英飛凌已經(jīng)落實在馬來西亞300億令吉額外投資，在吉打居林高科技工業(yè)園興建全球最大200毫米（8英寸）碳化硅功率半導體工廠，為汽車、綠色工業(yè)電力和電源等領(lǐng)域提供助力。

圖片來源：英飛凌官微——圖為位于居林的英飛凌碳化硅功率半導體晶圓廠

馬來西亞投資、貿(mào)易及工業(yè)部長拿督斯里東姑扎夫魯在社交平臺表示，該廠房第一階段已經(jīng)建成，并正式投入運作。這項設(shè)施的啟用，顯示州政府對聯(lián)邦政府在推動吉打吸引更多投資方面所作努力的肯定。英飛凌科技亦通過今年1月15日推行的本地供應商發(fā)展計劃，支持本地中小企業(yè)，目前已有139家本地公司受惠。

馬來西亞投資發(fā)展局指出，英飛凌將其碳化硅和氮化鎵外延生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到居林高科技園區(qū)，并擴大了其制造基地。到本世紀末，這將為這家全球半導體公司帶來約70億英鎊的年收入潛力。

資料顯示，馬來西亞是英飛凌全球后端制造網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵節(jié)點，主要基地集中在檳城（Penang）和居林（Kulim）。英飛凌在馬來西亞的布局以后端制造為主，產(chǎn)品類型包括功率半導體（IGBT、MOSFET、SiC/GaN寬禁帶器件）、汽車微控制器（MCU）、安全IC、射頻器件等，技術(shù)方向聚焦高可靠性、高功率密度的封裝技術(shù)（如模塊封裝、先進表面貼裝技術(shù)），滿足汽車（電動化/自動駕駛）、工業(yè)（電機控制、光伏）、消費電子（快充）等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒男枨蟆?/p>

（集邦化合物半導體 Flora 整理）

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圖片來源：越通社

1.27億美元新工廠：聚焦碳化硅、光學玻璃等

Coherent仁澤1號工廠負責人Gan YC表示，新工廠設(shè)計注重可擴展性、靈活性和可持續(xù)性，以滿足全球先進技術(shù)需求。Gan YC強調(diào)，這座新設(shè)施不僅是產(chǎn)能的簡單擴充，更是Coherent構(gòu)建區(qū)域卓越中心的關(guān)鍵組成部分，旨在整合先進技術(shù)能力、促進跨部門協(xié)作，并支持公司的全面轉(zhuǎn)型。

越南政府副總理阮志勇在落成典禮上指出，越南正成為英偉達、英特爾、Meta等全球數(shù)據(jù)中心巨頭的重要戰(zhàn)略布局地。他強調(diào)，Coherent通過本地化生產(chǎn)，將更好地融入產(chǎn)業(yè)集群，布局數(shù)據(jù)中心市場，鞏固越南在全球半導體價值鏈中的地位。

早在2023年10月，Coherent已提出在越南同奈仁澤1號和2號工業(yè)園區(qū)投資三大高科技項目（包括SiC半導體制造、先進光學及M-Cubed項目），初期總投資近10億美元，預計年產(chǎn)值超12億美元。同奈省當局已于2024年5月頒發(fā)了投資登記證。

全球落子，產(chǎn)能與市場雙躍升

Coherent近期兩年業(yè)務表現(xiàn)亮眼。2025財年第二季度，公司營收增長27%，通信市場營收占比57%，工業(yè)市場占31%。電信業(yè)務營收連續(xù)三個季度環(huán)比增長，本季度同比上升21%，數(shù)據(jù)中心互聯(lián)（DCI）是主要驅(qū)動力。受人工智能和機器學習（AI/ML）收發(fā)器件需求推動，Coherent過去四個季度在手訂單和積壓訂單首次連續(xù)增長。為聚焦高增長領(lǐng)域，公司已戰(zhàn)略性終止非核心業(yè)務，集中資源投向潛力市場。

圖片來源：Coherent新聞稿截圖

在技術(shù)創(chuàng)新方面，Coherent持續(xù)發(fā)力。2025年，公司推出了新型100G ZR、400G ZR/ZR+和800G ZR相干收發(fā)器，以及光學電路交換機（OCS）平臺，展現(xiàn)其在下一代光通信網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的技術(shù)實力。此外，公司還發(fā)布了用于醫(yī)療應用的“ACE FL”系列摻銩光纖激光器，以及用于OLED顯示器生產(chǎn)的“Python”工業(yè)激光器。

Coherent在碳化硅業(yè)務的戰(zhàn)略調(diào)整引人注目。2023年10月，公司宣布取消碳化硅器件和模塊業(yè)務，并與日本電裝（DENSO）和三菱電機達成股權(quán)合作。

根據(jù)協(xié)議，電裝和三菱電機各投資5億美元，獲得Coherent碳化硅業(yè)務12.5%的非控股所有權(quán)。三方還簽訂了長期供應協(xié)議，Coherent將為這兩家公司供應6英寸和8英寸的碳化硅襯底和外延片。此舉旨在優(yōu)化業(yè)務布局，集中資源于高增長潛力的碳化硅襯底和外延業(yè)務，并通過與行業(yè)巨頭合作，提升其在碳化硅領(lǐng)域的市場地位。

在對越南進行產(chǎn)能布局之前，Coherent已于2023年3月宣布在未來10年內(nèi)投資10億美元，擴大碳化硅襯底和外延生產(chǎn)規(guī)模，并通過全球化布局強化供應能力。這包括美國賓夕法尼亞州伊斯頓工廠的擴建，以提升碳化硅襯底和外延片的生產(chǎn)能力；歐洲瑞典希斯塔工廠的擴建，以擴大其在歐洲的生產(chǎn)和市場覆蓋。

此外，Coherent中國福州碳化硅切磨拋工廠已于2023年5月投產(chǎn)，設(shè)計年產(chǎn)能10萬片6英寸SiC襯底，預計到2025年底總產(chǎn)能達50萬片/年。目前，福州工廠正積極推進8英寸SiC的研發(fā)生產(chǎn)，這將顯著提升Coherent在全球碳化硅市場的供應能力。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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“汶上縣投資促進服務中心”消息，7月28日，山東汶上縣舉行氮化鎵半導體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約儀式。這是繼蘇立科技、華爾實金屬包裝、北駿專用車等項目簽約落地之后，汶上縣項目招引工作取得的又一重要突破，為汶上培育新質(zhì)生產(chǎn)力、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級注入了強勁動力。

圖片來源：汶上縣投資促進服務中心

儀式現(xiàn)場，縣委書記李強指出，氮化鎵作為第三代半導體核心材料，是未來電子信息產(chǎn)業(yè)的 “基石”，項目的簽約不僅填補了我縣半導體產(chǎn)業(yè)的空白，同時也將成為新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)裂變倍增的強勁引擎。希望雙方以此次簽約為契機，攜手并肩、精誠合作，共同推動項目早建成、早達產(chǎn)、早見效，為汶上經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展作出新的更大貢獻。

投資方代表在致辭時表示，企業(yè)將充分發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢，把多年的技術(shù)積累與汶上扎實的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)深度融合，全力打造具有核心競爭力的半導體產(chǎn)品，帶動上下游企業(yè)協(xié)同發(fā)展，形成產(chǎn)業(yè)集聚效應，用高質(zhì)量的成果回報汶上的信任與支持。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：中電三公司

奠基儀式上，士蘭半導體制造事業(yè)總部總裁范偉宏表示，成都基地是士蘭微三大生產(chǎn)基地中唯一的封裝核心，其IPM模塊已占據(jù)全球30%以上市場份額。二期項目的落地將破解產(chǎn)能瓶頸，構(gòu)建“連續(xù)生產(chǎn)、安全交付”的保障體系，助力士蘭微在汽車半導體賽道上跑得更穩(wěn)、更快。

近年來，士蘭微在汽車電子領(lǐng)域取得了顯著進展。其車規(guī)級IGBT模塊已批量供貨比亞迪、吉利等知名車企，SiC產(chǎn)品也進入了匯川、零跑等供應鏈。2025年，成都士蘭汽車半導體封裝二期項目的奠基將進一步提升其在汽車半導體封裝領(lǐng)域的產(chǎn)能，滿足市場對汽車級功率模塊和功率器件的封裝需求。

士蘭微正全面推進其在碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局，多個關(guān)鍵項目取得顯著進展。

廈門士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目于2024年6月開工，總投資120億元，兩期建設(shè)完成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線項目在今年4月已形成月產(chǎn)9000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。目前，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預計將于2025年上量。

此外，士蘭集宏8英寸SiC mini line已實現(xiàn)通線，預計將在2025年4季度實現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)。

今年7月初，廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）迎來重大進展，首臺設(shè)備提前搬入。該項目作為2025年福建省及廈門市重點建設(shè)項目，規(guī)劃總建筑面積達23.45萬平方米，定位為具備國際先進水平的8英寸SiC功率器件制造平臺。項目建成投產(chǎn)后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進一步鞏固其在中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位

在各項戰(zhàn)略項目穩(wěn)步推進的同時，士蘭微的財務表現(xiàn)也呈現(xiàn)出強勁的增長態(tài)勢。2025年上半年，士蘭微預計實現(xiàn)凈利潤2.35億元至2.75億元，同比扭虧為盈。此外，預計2025年上半年實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤為2.4億元至2.8億元，同比增加90.18%至121.88%。這一業(yè)績增長得益于公司在電源管理芯片、IGBT器件、MEMS傳感器等產(chǎn)品出貨量的增長，以及對大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場的持續(xù)拓展。

圖片來源：士蘭微公告截圖

近期，士蘭微還通過全資設(shè)立廈門士蘭集華微電子有限公司，進一步拓展其業(yè)務版圖。天眼查App顯示，近期廈門士蘭集華微電子有限公司正式成立，注冊資本為1000萬元人民幣。該公司由杭州士蘭微電子股份有限公司全資持股，法定代表人為陳向東。公司的經(jīng)營范圍包括集成電路設(shè)計、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、集成電路制造、集成電路銷售、半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售、電子元器件制造。

另外，今年6月25日，士蘭微發(fā)布公告稱，公司獨立董事何樂年因連續(xù)任職滿六年提交辭職報告，在新任選出前仍履職。目前士蘭微第八屆董事會即將到期屆滿，公司擬進行換屆選舉。第九屆董事會擬由15名董事組成，其中非獨立董事9名，獨立董事5名。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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7月29日，根據(jù)天岳先進官微消息，天岳先進宣布已經(jīng)開始向日本市場批量供應碳化硅襯底材料。2024年公司來自境外的收入為8.40億元，同比增長104.43%，占總營收比例為47.53%，并表示未來這一比例有望繼續(xù)提升。

圖片來源：天岳先進

天岳先進在碳化硅領(lǐng)域具有深厚技術(shù)經(jīng)驗，目前已實現(xiàn)8英寸導電型襯底的批量供應并率先實現(xiàn)海外客戶批量銷售，并在去年11月推出業(yè)內(nèi)首款12英寸碳化硅襯底，以及向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底。

7月中旬，天岳先進與舜宇奧來正式簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，進一步深化布局AR眼鏡領(lǐng)域，雙方將聚焦碳化硅光波導鏡片領(lǐng)域展開深度合作。

在產(chǎn)能方面，天岳先進已經(jīng)構(gòu)建了山東濟南、上海臨港兩大主要碳化硅半導體材料生產(chǎn)基地，現(xiàn)在年產(chǎn)能超過40萬片。

其中，上海臨港工廠以8-12英寸襯底研發(fā)和全球化產(chǎn)能擴張為核心，已具備年30萬片導電型襯底的生產(chǎn)能力，8英寸襯底已實現(xiàn)批量銷售，計劃未來產(chǎn)能將持續(xù)提升。山東濟南基地聚焦8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)與產(chǎn)業(yè)鏈自主可控，該基地于今年6月獲批的10億元項目專注于8英寸導電型襯底生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)10萬片襯底及48.5噸碳化硅單晶。

此外，在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域也有最新動態(tài)。

7月28日，根據(jù)“廣州粵升”官微消息，廣州粵升自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）外延設(shè)備成功完成研發(fā)并順利交付標桿客戶。

圖片來源：粵升設(shè)備

公開資料顯示，廣州粵升成立于2021年，為東莞中科匯珠全資子公司，專注于液相法SiC單晶生長設(shè)備、氣相法SiC外延設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)。據(jù)了解，其自研的SiC外延設(shè)備所生長的8英寸SiC外延片膜層厚度不均勻性小于0.5%，摻雜濃度不均勻性小于1.2%，表面粗糙度均小于0.160 nm，多項關(guān)鍵指標達國際先進水平。

在8英寸碳化硅（SiC）外延設(shè)備領(lǐng)域，目前我國還有納設(shè)智能、中國電科48所、晶盛機電、先為科技、瀚天天成等廠商在市場上占據(jù)一定份額。

納設(shè)智能成立于2018 年，7月初宣布其自主研發(fā)的全自動雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備及多臺8英寸單腔設(shè)備已交付龍頭客戶。瀚天天成作為頭部碳化硅外延供應商，其8英寸外延片已覆蓋15家客戶，推動國產(chǎn)外延環(huán)節(jié)競爭力顯著增強。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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據(jù)悉，48所自研的MOCVD設(shè)備是一款專用于III-V族化合物半導體材料外延生長的關(guān)鍵裝備，該設(shè)備以砷/磷材料體系為核心，可高效制備砷化鎵、磷化銦等材料。

同時，該設(shè)備適用于光電激光器、射頻器件、空間太陽電池等領(lǐng)域，為5G通信、人工智能和自動駕駛等新興技術(shù)提供了核心材料制備平臺。設(shè)備集成了在線監(jiān)測、全自動傳輸?shù)认冗M技術(shù)，在材料均勻性、界面陡峭度和摻雜精度等關(guān)鍵指標上均達到行業(yè)領(lǐng)先水平。

資料顯示，48所是國內(nèi)化合物半導體外延裝備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一，已成功推出SiC外延爐、MBE設(shè)備及MOCVD等系列化設(shè)備。此次MOCVD設(shè)備的最新突破，將進一步拓寬48所在半導體領(lǐng)域的業(yè)務范疇，更好助力國家半導體裝備產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)的建設(shè)。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：安森美

根據(jù)協(xié)議，安森美的EliteSiC碳化硅MOSFET將集成至舍弗勒的牽引逆變器設(shè)計中，重點優(yōu)化系統(tǒng)能效與可靠性。EliteSiC技術(shù)以行業(yè)領(lǐng)先的低傳導損耗（相比同類產(chǎn)品降低20%）和卓越的短路魯棒性為核心優(yōu)勢，可實現(xiàn)緊湊、熱效率高的逆變器設(shè)計，顯著提升整車續(xù)航里程與動力輸出穩(wěn)定性。例如，在典型工況下，采用EliteSiC的逆變器系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率可提升3-5%，直接轉(zhuǎn)化為車輛續(xù)航里程增加約10%。

作為全球碳化硅功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導者，安森美擁有從襯底、外延到器件封裝的垂直整合能力，其EliteSiC系列產(chǎn)品已通過車規(guī)級認證并廣泛應用于新能源汽車主驅(qū)系統(tǒng)。2025年3月推出的EliteSiC SPM 31智能功率模塊，更在AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)驅(qū)動等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)能效突破，年能耗降低達52%。

圖片來源：安森美

舍弗勒集團（Schaeffler Group）是全球領(lǐng)先的驅(qū)動技術(shù)解決方案供應商，總部位于德國巴伐利亞州，成立于1946年，業(yè)務覆蓋汽車、工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，旗下?lián)碛蠭NA、FAG和LuK三大品牌，產(chǎn)品涵蓋軸承、電驅(qū)動系統(tǒng)、智能底盤、熱管理模塊等全鏈條驅(qū)動技術(shù)解決方案。2024年完成對緯湃科技（Vitesco）的合并后，其業(yè)務范圍擴展至 “驅(qū)動導向、驅(qū)動傳遞、驅(qū)動控制” 全鏈條，形成獨特的機電一體化能力。

隨著全球車企加速布局800V高壓平臺，傳統(tǒng)硅基IGBT已難以滿足高效能需求。碳化硅器件憑借更高的開關(guān)頻率、更低的導通損耗和更強的耐高溫特性，成為提升續(xù)航、縮短充電時間的關(guān)鍵。

今年3月，全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)導者Wolfspeed與汽車半導體巨頭恩智浦（NXP）宣布聯(lián)合推出800V牽引逆變器參考設(shè)計，該方案集成Wolfspeed最新YM3碳化硅功率模塊與恩智浦高性能車規(guī)級芯片，旨在為下一代電動汽車提供高效、可靠的動力解決方案。

碳化硅器件憑借低傳導損耗、高可靠性等優(yōu)勢，不僅能顯著提升車輛續(xù)航里程，還能優(yōu)化動力輸出穩(wěn)定性，為電動汽車的發(fā)展注入強大動力。隨著技術(shù)的不斷進步和成本的逐步降低，碳化硅將在更多電動汽車車型中得到廣泛應用。

（集邦化合物半導體? Niko 整理）

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圖片來源：新微科技集團

重慶萬國成立于2016年，由中國及兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)基金與美國功率半導體巨頭AOS共同出資設(shè)立，是中國首家、全球第二家12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試一體化基地。此次收購完成后，新微集團將分兩階段進行增資。

第一階段增資金額將用于擴充晶圓廠產(chǎn)能、加強技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)、優(yōu)化封測產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、提高產(chǎn)品附加價值。

第二階段計劃在重慶萬國已有平臺基礎(chǔ)上引進和建設(shè)BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝，突破12英寸90nm BCD on SOI技術(shù)，打造世界先進的車規(guī)級數(shù)?；旌霞呻娐分圃炱脚_，同時開發(fā)12英寸硅光工藝平臺。

公開資料顯示，BCD工藝是一種高度集成的半導體制造技術(shù)，它能在同一顆芯片上巧妙地融合Bipolar（雙極性晶體管）、CMOS（互補金屬氧化物半導體）、DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）三種不同類型晶體管的優(yōu)勢。

除了功率半導體，新微集團同步開發(fā)的12英寸硅光工藝平臺則代表了其對未來光電集成技術(shù)的前瞻性布局。硅光技術(shù)利用成熟的CMOS工藝在硅基底上制造光學器件，實現(xiàn)光信號的傳輸、處理和轉(zhuǎn)換。

此次收購是新微集團向“超越摩爾特色工藝制造集團”轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵舉措。至此，新微集團已成功集結(jié)上海工研院、新微半導體、易卜半導體及重慶萬國四大制造平臺，構(gòu)建了覆蓋MEMS及硅光、化合物半導體、先進封裝及硅基功率器件的完整超越摩爾特色工藝制造平臺布局，加速推進了新微集團“SIMIC FOR AI”的戰(zhàn)略落地。

此外，新微集團還將聯(lián)合兩江新區(qū)共建“新微重慶超越摩爾創(chuàng)新中心”，聚焦智能汽車、機器人、智能終端、無人機、商業(yè)航天、AI等前沿領(lǐng)域，打造完整產(chǎn)業(yè)集群。

在2024年底至2025年初，新微集團獲得了包括交銀投資、工銀資本、中銀資產(chǎn)等銀行系機構(gòu)，混改基金、國調(diào)基金等國家級基金，以及上海國投、孚騰資本等地方國資機構(gòu)在內(nèi)的十家機構(gòu)的注資。這標志著新微集團獲得了強大的資本支持，加速其戰(zhàn)略目標的實現(xiàn)。

2024年上半年，新微集團已將新微西部創(chuàng)新中心落戶成都武侯，并設(shè)立了投資基金；同時，與重慶市永川區(qū)、渝富基金等簽訂合作協(xié)議。

圖片來源：武侯發(fā)布

值得注意的是，新微資本作為新微集團旗下的投資機構(gòu)，持續(xù)圍繞半導體芯片、設(shè)備和材料進行布局，并延伸拓展至智能汽車和新能源領(lǐng)域。這與新微集團的整體戰(zhàn)略高度協(xié)同，通過投資賦能產(chǎn)業(yè)鏈上下游。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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山西國科表示，此次融資將推動公司實現(xiàn)”研發(fā)—生產(chǎn)—市場”的良性循環(huán)，加速光電半導體技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進程。

資料顯示，山西國科創(chuàng)立于2020年12月，是一家由中國科學院半導體研究所科研人員創(chuàng)辦的高科技企業(yè)。該公司實控人及核心技術(shù)團隊成員深耕行業(yè)近二十年，擁有全國首個全鏈條Ⅲ-Ⅴ族兼容銻化物半導體產(chǎn)線，專注于收光器件、發(fā)光器件、光電系統(tǒng)及IT系統(tǒng)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

自2023年下半年首期產(chǎn)線正式投產(chǎn)至今，山西國科創(chuàng)已形成三大業(yè)務體系：激光器芯片模組、系統(tǒng)；紅外探測器器件、系統(tǒng)；指揮與控制系統(tǒng)。當前業(yè)務已延伸至量子通信、航空航天、國土防御、低空安全、半導體加工、交通市政及醫(yī)療美容等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域。

（集邦化合物半導體整理）

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