鋁基碳化硅復(fù)合材料薄板
(1)厚度0.05mm至1.0mm；(2)屈服強度≥320MPa；(3)延伸率≥3%；(4)熱導(dǎo)率≥120 W/(m·K)。

碳化硅單晶生長坩堝用高純石墨
(1)密度>1.80g/cm3；(2)電阻率(uΩ·m)：8-13；(3)熱脹系（室溫-1000℃℃）：≤5.8；(4)灰分≤50ppm；(5)碳化硅長晶坩堝使用壽命≥5次；(6)碳化硅長晶厚度≥60mm。

碳化硅晶圓襯底精磨液
(1)粒度：D50=2.0um；(2)圓度：0.94-0.95；(3)電導(dǎo)率：40-90uS/cm；(4)粘度：210-400；(5)去除速率>19.00nm/min。

資料顯示，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，在新能源汽車、光伏、5G通信等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。近年，全國各省市積極發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，河南也不例外。

作為全國重要的材料生產(chǎn)基地，河南依托豐富的資源與前瞻布局，在碳化硅材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)崛起。

2023年，平煤神馬集團旗下的中宜創(chuàng)芯公司在平頂山建成國內(nèi)首條第三代半導(dǎo)體碳化硅粉體生產(chǎn)線，填補了河南在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的空白。該產(chǎn)線成功生長出全省首塊8英寸碳化硅單晶晶錠，相比傳統(tǒng)6英寸襯底，芯片切割效率提高近90%，為下游器件制造提供高性價比原料。

source：中國平煤神馬集團

區(qū)域協(xié)同方面，平頂山市則依托平煤神馬集團的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，打造碳化硅集成電路的全產(chǎn)業(yè)鏈垂直示范園區(qū)。許昌襄城縣依托煤炭資源優(yōu)勢，建設(shè)千億級硅碳新材料產(chǎn)業(yè)園，已形成從煤炭到高純硅烷、碳化硅的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

政策方面，《河南省加快材料產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢再造換道領(lǐng)跑行動計劃（2022—2025年）》，明確將碳化硅作為重點發(fā)展的半導(dǎo)體材料之一，目標(biāo)是到2025年基本實現(xiàn)材料產(chǎn)業(yè)的綠色低碳轉(zhuǎn)型，成為全國重要的材料創(chuàng)新高地。此外，《河南省培育壯大智能傳感器和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈行動方案（2023—2025年）》也提出推動碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展，支持許昌等地加速半導(dǎo)體材料研發(fā)。（集邦化合物半導(dǎo)體秦妍整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。

此外，英諾賽科表示該產(chǎn)品已經(jīng)過驗證，已在中大功率電源方面實現(xiàn)量產(chǎn)，下一步將被應(yīng)用在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
英諾賽科指出，氮化鎵技術(shù)對實現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。

在不久前，英諾賽科與全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方將共同推動該技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

source：SK hynix

此次出售的股份總計70.6%，其中包括SK集團直接持有的51%股份，以及通過總收益互換（TRS）合約持有的19.6%股份。這一舉措是SK集團業(yè)務(wù)重組計劃的一部分，旨在全球經(jīng)濟不確定性加劇的背景下，通過出售資產(chǎn)以提高資金流動性。如果最終敲定，這將成為Hahn & Company第十次成功收購SK集團資產(chǎn)的交易。

公開資料顯示，SK Siltron是韓國唯一的半導(dǎo)體硅晶圓制造商，在半導(dǎo)體價值鏈中扮演著至關(guān)重要的角色，其市場份額僅次于日本Sumco和信越。根據(jù)2024年的財務(wù)數(shù)據(jù)，SK Siltron實現(xiàn)了2.1268萬億韓元的銷售額，其息稅折舊攤銷前利潤（EBITDA）達到6400億韓元。自2017年被SK集團收購以來，SK Siltron的估值已從當(dāng)時的6200億韓元增長至目前的5萬億韓元，增長了近八倍。

Hahn & Company一直積極投資SK集團的關(guān)聯(lián)公司，并已收購SK集團此前擁有的17家投資組合公司中9家的股份。該公司2024年7月成立第四支盲投基金，規(guī)模達4.7萬億韓元，并在2024年底以約27億美元價格收購SK Specialty電子特氣公司85%的股份。

據(jù)悉，SK Siltron的潛在出售預(yù)計將對SK集團產(chǎn)生重大的財務(wù)影響。成功出售該公司可使SK集團的負債率從目前的86%降至50%左右，將增強SK集團的財務(wù)健康和靈活性。此外，SK集團也在加速業(yè)務(wù)重組，以獲取人工智能（AI）、能源解決方案等未來增長引擎。（集邦化合物半導(dǎo)體秦妍整理）

核心技術(shù)突破：氮化鎵（GaN）功率器件

“黑豹2.0”的革命性突破在于其電機驅(qū)動系統(tǒng)，其中核心技術(shù)之一是采用了第三代氮化鎵（GaN）功率器件。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高頻、高效、高功率密度等優(yōu)勢，相較于傳統(tǒng)硅基器件，能夠顯著提升電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能。

具體而言，氮化鎵器件的應(yīng)用使得“黑豹2.0”的電機驅(qū)動系統(tǒng)實現(xiàn)了以下突破：功率密度大幅提升：功率密度提升至15kW/kg，達到行業(yè)新高，驅(qū)動系統(tǒng)更加緊湊高效。

能效轉(zhuǎn)換效率高達95%：氮化鎵器件的高頻開關(guān)特性（可達3MHz）和零反向恢復(fù)損耗特性，有效降低了開關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)效率。

控制響應(yīng)延遲壓縮至2毫秒以內(nèi)：為機器人提供了更快的動態(tài)響應(yīng)能力，支持其實現(xiàn)10米/秒的極限奔跑速度。

驅(qū)動系統(tǒng)小型化與輕量化：通過減小器件體積，氮化鎵器件助力驅(qū)動系統(tǒng)實現(xiàn)了小型化與輕量化設(shè)計。

浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心人形機器人創(chuàng)新研究院院長王宏濤教授表示：在研發(fā)“黑豹2.0”的過程中，團隊實現(xiàn)了兩大顛覆性突破之一就是設(shè)計出了國際領(lǐng)先的具有高功率密度、高載荷能力的電機驅(qū)動器，為下一代工業(yè)四足機器人的研發(fā)奠定了堅實的基礎(chǔ)。

氮化鎵功率器件的應(yīng)用不僅提升了“黑豹2.0”的運動性能，還為機器人動力系統(tǒng)的輕量化與能效革新提供了標(biāo)桿案例。其高頻開關(guān)特性和高功率密度特性，解決了傳統(tǒng)硅基器件在功率密度、熱損耗與響應(yīng)速度上的瓶頸，助力電機驅(qū)動系統(tǒng)在更高頻率下工作，同時降低功率損耗。

氮化鎵技術(shù)的引入，為機器人產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展機遇。隨著技術(shù)的進一步突破和市場需求增加，氮化鎵有望成為推動機器人領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

彭建華：方正微電子從2023年底實現(xiàn)車規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片量產(chǎn)，2024年進一步提升生產(chǎn)制造質(zhì)量與良率，夯實基礎(chǔ)。

在關(guān)鍵的新能源汽車市場，無論是產(chǎn)品性能質(zhì)量，還是出貨量，方正微電子均處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。另外在光儲充UPS等工規(guī)應(yīng)用領(lǐng)域，公司也取得顯著進展，我司SiC產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于行業(yè)頭部客戶的光儲充UPS系統(tǒng)解決方案。

我們將實現(xiàn)交付車規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片上新能源乘用車數(shù)量從幾萬輛車到數(shù)十萬輛車的歷史跨越。

總體來看，方正微電子是目前國內(nèi)對SiC領(lǐng)域投入最大的廠家，無論是產(chǎn)線建設(shè)還是技術(shù)研發(fā)的投入都是最大的，已建成目前國內(nèi)車規(guī)SiC MOS最大的實際產(chǎn)能。且公司非常重視供應(yīng)可連續(xù)性、供應(yīng)鏈安全，構(gòu)建了從原材料到生產(chǎn)制造的國產(chǎn)供應(yīng)鏈，積極支持國產(chǎn)材料、設(shè)備的發(fā)展。

source：方正微電子

Q2：新能源汽車對SiC器件的需求激增，貴公司在該領(lǐng)域的進展如何？

彭建華：方正微電子的車規(guī)SiC MOSFET已經(jīng)大規(guī)模交付國內(nèi)頭部OEM廠商以及Tier1廠商，尤其是乘用車主驅(qū)SiC MOS出貨進入行業(yè)第一梯隊。主驅(qū)用SiC MOS產(chǎn)品的核心性能指標(biāo)可比肩國際頭部同行產(chǎn)品，個別指標(biāo)處于領(lǐng)先地位，產(chǎn)品質(zhì)量獲得了客戶的高度認可。

公司的車規(guī)產(chǎn)品在行業(yè)內(nèi)率先通過了3000小時的可靠性測試，測試時長3倍于行業(yè)車規(guī)認證要求，在可靠性等關(guān)鍵技術(shù)工藝上有關(guān)鍵突破以及長期積累。

source：方正微電子

Q3：您怎樣看待8英寸SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，貴公司目前進展如何？

彭建華：?英寸SiC轉(zhuǎn)型的主要動機之一是降低成本，但近年來6英寸襯底價格下降速度太快，因此8英寸晶圓與6英寸晶圓的成本平衡點會推遲。另外，國內(nèi)的6英寸SiC產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力還有很大的提升空間，加上目前產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能過剩，供應(yīng)遠大于需求，因此應(yīng)謹慎對待8英寸技術(shù)升級與投資。

方正微電子的整個FAB 2是基于8寸做的設(shè)計，目前我司基于8寸線已成功產(chǎn)出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS，方正微電子在8英寸的進展上，處于行業(yè)一梯隊。

Q4：您認為當(dāng)前國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板是什么？如何突破？

彭建華：當(dāng)前國內(nèi)最主要的短板還是體現(xiàn)在晶圓制造和設(shè)備環(huán)節(jié)。雖然SiC芯片制程難度不如邏輯芯片的先進制程，但要把產(chǎn)品做好并不容易，在車規(guī)質(zhì)量與關(guān)鍵工藝上等同先進制程工藝難度。

部分國內(nèi)廠商過于追求性能指標(biāo)，忽視了產(chǎn)品質(zhì)量，犧牲比如柵氧等環(huán)節(jié)的工藝質(zhì)量，導(dǎo)致器件壽命大幅縮短，可靠性存在風(fēng)險，引發(fā)應(yīng)用端的失效事故。另外，目前仍有少部分碳化硅設(shè)備高度依賴進口，也是國內(nèi)的短板的之一。

我們呼吁，國內(nèi)供應(yīng)商，要守住質(zhì)量的底線，投資在可靠性等核心工藝上的研發(fā)技術(shù)與制造工藝上。

Q5：?國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)競爭激烈，貴公司如何通過差異化策略突圍？

彭建華：方正微電子始終瞄準下游頭部客戶的核心需求，從產(chǎn)品質(zhì)量、性能等角度提升公司實力，通過技術(shù)提升與制造規(guī)模實現(xiàn)成本降低。

秉承“探索一代，研究一代，開發(fā)一代、量產(chǎn)一代”的發(fā)展理念，通過大規(guī)模的研發(fā)技術(shù)與制造工藝投入，進行持續(xù)的工藝迭代，并與實驗室、高校、科研平臺進行合作，促進技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。

另外一點是穩(wěn)步推進產(chǎn)能建設(shè)，確保對客戶的穩(wěn)定交付，提升客戶滿意度。以客戶為中心，通過提供高品質(zhì)產(chǎn)品與服務(wù)以及高強度的研發(fā)與產(chǎn)能規(guī)模，贏得競爭優(yōu)勢。

Q6：2025年貴公司的運營重點和業(yè)務(wù)規(guī)劃是怎樣的？

彭建華：首先是做好客戶交付工作，確保給頭部OEM廠以及Tier1的產(chǎn)品供應(yīng)高質(zhì)量；其次是持續(xù)壓強投入技術(shù)研發(fā)與工藝提升，加快新一代工藝平臺的開發(fā)；另外就是做好FAB 2的擴產(chǎn)工作。2025年是方正微電子發(fā)展過程中最關(guān)鍵的一年，我們將實現(xiàn)交付車規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片上新能源乘用車數(shù)量從幾萬輛到數(shù)十萬輛的歷史跨越。

我們相信，首先要把產(chǎn)品做好，交付服務(wù)做好，產(chǎn)能供應(yīng)建設(shè)好，產(chǎn)品有競爭力，構(gòu)建方正微電子的高質(zhì)量品牌，與客戶做長期的戰(zhàn)略發(fā)展伙伴，做中長跑選手，不犧牲質(zhì)量去追求短期的利益，樹立好的口碑，這是我們的經(jīng)營理念。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

股權(quán)穿透顯示，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司由華域汽車旗下華域汽車系統(tǒng)（上海）有限公司、上海國策綠色科技制造私募投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等共同持股。

其中，華域汽車系統(tǒng)是國內(nèi)汽車零部件龍頭企業(yè)，電動系統(tǒng)方面，公司聚焦新能源電驅(qū)動系統(tǒng)、驅(qū)動電機及電力電子箱、電空調(diào)與熱管理系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、新能源電池托盤、電動空調(diào)壓縮機、電子轉(zhuǎn)向機等產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

因此，業(yè)界認為，結(jié)合華域汽車在汽車電子領(lǐng)域的既有布局，海馭能科可能成為其向新能源、智能化汽車產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸的關(guān)鍵載體。

資料顯示，半導(dǎo)體分立器件與電力電子元器件制造屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游環(huán)節(jié)。前者涵蓋二極管、晶閘管等基礎(chǔ)元件，后者涉及IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體器件，均為新能源車電驅(qū)系統(tǒng)、充電樁及工業(yè)變頻設(shè)備的核心組件。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場強，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來發(fā)展?jié)摿薮螅蚋傁嘟侵鹧邪l(fā)，其中亞洲市場表現(xiàn)亮眼，近期傳出新動態(tài)。

1、日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件

近期，日本株式會社（NCT）宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢壘二極管）器件。該器件基于全氧化鎵材料制造，標(biāo)志著NCT在氧化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大突破。

此次推出的Planar SBD器件為Research Sample（RS）級別，專為科研及早期應(yīng)用探索而設(shè)計。產(chǎn)品提供兩種電極尺寸規(guī)格供客戶選擇：

規(guī)格一：電極尺寸為2.4mm square，適用于特定測試及應(yīng)用場景。
規(guī)格二：電極尺寸為3.2mm square，提供更大的電極面積，滿足不同客戶的測試需求。此次發(fā)布的

Planar SBD器件旨在滿足客戶對氧化鎵器件的測試、分析及應(yīng)用探索需求，進一步推動氧化鎵行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

氧化鎵布局上，NCT公司于2021年推出了全球首個量產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓，并計劃2028年實現(xiàn)8英寸氧化鎵量產(chǎn)。

2、鎵仁半導(dǎo)體成功制備全球首款8英寸氧化鎵晶圓襯底

今年3月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布，基于自主創(chuàng)新的氧化鎵單晶生長技術(shù)與大尺寸襯底加工技術(shù)，公司成功制備了全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底，國內(nèi)第四代半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時代。

source：鎵仁半導(dǎo)體

資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底尺寸快速演進：2022年推出2英寸襯底，2023年推出4英寸襯底，2024年推出6英寸襯底，2025年推出8英寸襯底。

鎵仁半導(dǎo)體指出，未來氧化鎵應(yīng)用前景廣闊，主要表現(xiàn)在三個領(lǐng)域：

功率器件領(lǐng)域，尤其是大于650V的中壓、高壓以及特高壓功率器件領(lǐng)域，比如新能源汽車快充、工業(yè)電源、電網(wǎng)高壓功率模塊等。

高功率射頻器件領(lǐng)域，氧化鎵的電子飽和速度、約翰遜優(yōu)值較高，在射頻器件領(lǐng)域具有很大應(yīng)用潛力，比如通信基站和雷達系統(tǒng)等，對于通信、國防、航空航天等領(lǐng)域具有重要意義。

深紫外光電器件領(lǐng)域，氧化鎵還可用于日盲探測、輻射探測等特有領(lǐng)域?！叭彰ぁ弊贤馓綔y是近年來迅速發(fā)展起來的一種新型探測技術(shù)，主要應(yīng)用于紫外預(yù)警、紫外偵察、紫外制導(dǎo)和紫外非視線通訊等軍事領(lǐng)域，以及環(huán)境監(jiān)測、生化檢測、工業(yè)燃燒過程控制、醫(yī)學(xué)紫外成像等民用領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體秦妍整理）

其中，晶馳機電成功開發(fā)出電阻法12英寸碳化硅晶體生長設(shè)備，實現(xiàn)了同一爐臺8英寸和12英寸碳化硅單晶的穩(wěn)定量產(chǎn)；山西天成的12英寸碳化硅長晶爐也已進入爐體組裝和工藝調(diào)試階段，計劃于2025年第三季度投放市場；江蘇天晶智能正式發(fā)布12英寸碳化硅超硬材料超高速多線切割機。

1、晶馳機電成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長設(shè)備

近期，浙江企業(yè)晶馳機電科技有限公司（以下簡稱“晶馳機電”）官方宣布，他們在12寸碳化硅晶體生長技術(shù)上取得新進展，成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長設(shè)備。據(jù)悉，該晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準控制在2.4mm以內(nèi)，成功突破同一爐臺多尺寸生長技術(shù)壁壘，實現(xiàn)了同一臺設(shè)備既可穩(wěn)定量產(chǎn)八寸碳化硅單晶，又完全具備生長十二寸碳化硅單晶的能力。

source：晶馳機電

據(jù)悉，晶馳機電該設(shè)備采用電阻式物理氣相傳輸（PVT）方法生長碳化硅晶錠，通過創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)和熱場設(shè)計，結(jié)合先進的過程控制理論和自動化控制方法，實現(xiàn)了均勻的徑向溫度和寬范圍精準可調(diào)的軸向溫度梯度。這使得設(shè)備能夠精準控制長晶過程中的工藝參數(shù)，并實現(xiàn)高度智能化運行。更重要的是，該設(shè)備能夠無縫“一鍵切換”生產(chǎn)8英寸和12英寸的碳化硅單晶。
與傳統(tǒng)6英寸和8英寸的襯底相比，12英寸碳化硅襯底材料顯著擴大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積。在同等生產(chǎn)條件下，這不僅提高了芯片產(chǎn)量，還顯著降低了單位芯片制造成本。通過該設(shè)備生長出來的晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準控制在2.4毫米以內(nèi)。此外，該設(shè)備的爐間工藝穩(wěn)定，操作方法簡單，可實現(xiàn)快速投產(chǎn)，整個工藝流程全部自動化控制，適合產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

與傳統(tǒng)6英寸和8英寸的襯底相比，12英寸碳化硅襯底材料顯著擴大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積。 在同等生產(chǎn)條件下，這不僅提高了芯片產(chǎn)量，還顯著降低了單位芯片制造成本。 通過該設(shè)備生長出來的晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準控制在2.4毫米以內(nèi)。 此外，該設(shè)備的爐間工藝穩(wěn)定，操作方法簡單，可實現(xiàn)快速投產(chǎn)，整個工藝流程全部自動化控制，適合產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

值得注意的是，此前2024年年末，晶馳機電曾在河北石家莊建有一個半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)項目，并于11月初投產(chǎn)。該項目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計劃時間為2025年—2026年。該項目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。

2、山西天成：12英寸碳化硅長晶爐量產(chǎn)在即

近日，據(jù)“尖草坪發(fā)布”消息，該公司自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶爐已進入爐體組裝和工藝調(diào)試階段，計劃于今年第三季度投放市場。

source：山西天成

公開資料顯示，山西天成成立于2021年8月，由第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域高層次人才發(fā)起，團隊在碳化硅單晶襯底制備科研領(lǐng)域具有核心競爭優(yōu)勢。 該公司技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)涉及碳化硅粉料合成、裝備設(shè)計等制造全流程，形成了碳化硅襯底材料生產(chǎn)的優(yōu)勢閉環(huán)。

此外，山西天成在2024年實現(xiàn)了8英寸SiC單晶技術(shù)研發(fā)突破，開發(fā)出了直徑為202mm的8英寸SiC單晶，各項參數(shù)指標(biāo)良好。2024年該公司組合營收達到2100萬元，其中80%的收入來自碳化硅單晶襯底生長裝備的銷售。另外，2025年第一季度已收到500萬元的訂單。

據(jù)悉，山西天成位于山西太原中北開發(fā)區(qū)的項目一期已經(jīng)建成投產(chǎn)，建設(shè)完成后可年產(chǎn)5萬片碳化硅襯底。2024年，公司還開始建設(shè)項目二期，包括廠房擴建、設(shè)備擴充以及構(gòu)建多條切磨拋加工線。

3、江蘇天晶智能發(fā)布12英寸碳化硅超硬材料超高速多線切割機

4月8日，據(jù)江蘇淮安官方消息，江蘇天晶智能裝備有限公司（以下簡稱“天晶智能”）在12英寸碳化硅（SiC）切割設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破，正式推出TJ320型超高速多線切割機。

據(jù)悉，TJ320機型集成了自主研發(fā)的超高速伺服張力控制系統(tǒng)和金剛石線循環(huán)切割技術(shù)，在線運行速度高達3000米/分鐘，切割效率較傳統(tǒng)設(shè)備提升300%，切割過程中張力控制精度大幅提高，極大地提升了加工穩(wěn)定性。并且其支持4-12英寸晶圓兼容，單臺年產(chǎn)能達20萬片，可滿足500輛新能源汽車的碳化硅電驅(qū)需求。

source：天晶智能（圖為天晶智能TJ3545多線切割機）

天晶智能總經(jīng)理張耀在發(fā)布會上透露，通過與中科院、江蘇師范大學(xué)物電學(xué)院等機構(gòu)合作驗證，設(shè)備良率已提升至98%以上，且完成1000小時連續(xù)切割穩(wěn)定性測試，技術(shù)可靠性獲得權(quán)威認可。

在設(shè)備成本及價格方面，天晶TJ320通過模塊化設(shè)計和核心部件國產(chǎn)化，將成本壓縮至行業(yè)平均水平的1/10至1/20。值得一提的是，該設(shè)備已獲歐洲、東南亞客戶訂單，預(yù)計2026年全球市場份額將突破30%。目前，天晶智能淮安生產(chǎn)基地年產(chǎn)能已達880臺，二期工程將于2026年投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

source：意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體計劃在2025至2027財年進行大規(guī)模投資，重點聚焦于300毫米硅和200毫米碳化硅的先進制造基礎(chǔ)設(shè)施及技術(shù)研發(fā)。未來三年，該公司將重塑并強化其全球制造布局，構(gòu)建互補的生態(tài)系統(tǒng)，以實現(xiàn)資源的高效配置和協(xié)同效應(yīng)的最大化。

具體來看，法國克羅爾（Crolles）工廠將圍繞數(shù)字技術(shù)進行優(yōu)化，意大利阿格拉泰（Agrate）工廠專注于模擬和電源技術(shù)，而新加坡宏茂橋（Ang Mo Kio）工廠將繼續(xù)聚焦成熟技術(shù)。

其中，阿格拉泰的300毫米晶圓廠將擴張，目標(biāo)是成為意法半導(dǎo)體智能電源和混合信號技術(shù)的旗艦級量產(chǎn)工廠。該公司計劃到2027年將產(chǎn)能翻一番，達到每周4000片晶圓，并根據(jù)市場情況進行模塊化擴建，最終將產(chǎn)能提升至每周14000片晶圓。隨著對300毫米制造的關(guān)注增加，阿格拉泰的200毫米晶圓廠將重新專注于MEMS微機電系統(tǒng)。

在法國克羅爾，意法半導(dǎo)體計劃將300毫米晶圓廠的產(chǎn)能到2027年提升至14000片/周，并根據(jù)市場情況通過模塊化擴建將產(chǎn)能進一步提升至20000片/周。同時，改造克羅爾200毫米晶圓廠，以支持電子晶圓分選的大批量生產(chǎn)和先進封裝技術(shù)，重點關(guān)注光學(xué)傳感和硅光子學(xué)等下一代領(lǐng)先技術(shù)。

此外，意法半導(dǎo)體卡塔尼亞將繼續(xù)作為電力和寬帶隙半導(dǎo)體器件的卓越中心，新的碳化硅園區(qū)建設(shè)正在按計劃進行，預(yù)計將于2025年第四季度開始生產(chǎn)200毫米晶圓，鞏固意法半導(dǎo)體在下一代電力技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

法國Rousset工廠將繼續(xù)專注于200毫米制造，并從其他基地重新分配額外產(chǎn)量，使現(xiàn)有制造能力完全飽和，從而優(yōu)化效率。法國圖爾（Tours）工廠將繼續(xù)專注于其200毫米硅片生產(chǎn)線的部分工藝，其他生產(chǎn)活動（包括原有的150毫米制造業(yè)務(wù)）將轉(zhuǎn)移至意法半導(dǎo)體的其他工廠，同時圖爾工廠還將開展面板級封裝這一新業(yè)務(wù)，成為Chiplet芯片技術(shù)的重要推動力量。

其新加坡的宏茂橋工廠則作為意法半導(dǎo)體的成熟技術(shù)大批量晶圓廠，將繼續(xù)專注于200毫米硅片制造，并整合全球傳統(tǒng)150毫米硅片產(chǎn)能。

意法半導(dǎo)體位于歐洲的Kirkop（馬耳他）大批量測試和封裝工廠將進行升級，并增加先進的自動化技術(shù)，以支持下一代產(chǎn)品的生產(chǎn)需求。根據(jù)意法半導(dǎo)體公布的財報數(shù)據(jù)，2024年全年凈營收為132.7億美元，比2023年下降23.2%；營業(yè)利潤率為12.6%，2023全年為26.7%；凈利潤為15.6億美元，同比下降63.0%。2025年第一季度其業(yè)務(wù)預(yù)測中位數(shù)顯示，凈營收預(yù)計為25.1億美元，同比下降27.6%，環(huán)比下降24.4%；受閑置產(chǎn)能影響，毛利率預(yù)計約33.8%，下降約500個基點。

從各業(yè)務(wù)部門的表現(xiàn)來看，意法半導(dǎo)體2024年第四季度，模擬器件和影像產(chǎn)品銷售滑坡導(dǎo)致相關(guān)業(yè)務(wù)營收下降15.5%，營業(yè)利潤降幅41.2%；汽車產(chǎn)品和CECP（通信、計算機及周邊設(shè)備）符合預(yù)期，但工業(yè)產(chǎn)品收入下降抵消了個人電子產(chǎn)品營收增長帶來的空間。此外，訂單出貨比仍在1以下徘徊，公司持續(xù)面臨工業(yè)領(lǐng)域復(fù)蘇延遲、庫存調(diào)整，以及汽車領(lǐng)域增長放緩的情況，這些問題在歐洲地區(qū)尤為突出。

值得注意的是，近期，意法半導(dǎo)體監(jiān)事會否決了意大利人馬塞洛?薩拉（MarcelloSala）進入公司董事會的任命，引發(fā)了業(yè)界的關(guān)注。此外，意大利政府宣布撤回對意法半導(dǎo)體CEOJean-MarcChery的支持，理由是其“表現(xiàn)不佳”，并希望法國方面支持更換他。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

1、揚杰科技

3月31日，揚杰科技披露了其2024年度財務(wù)報告。報告顯示，該公司2024年實現(xiàn)營業(yè)收入60.33億元，同比增長11.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤10.02億元，同比增長8.50%。其中在第一到第四季度的營收逐季增長，分別為13.28億元、15.37億元、15.58億元和16.10億元?？傮w來看，在2024年度，揚杰科技收入、毛利率、凈利潤大體呈現(xiàn)逐季改善走高的趨勢。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

財報中提到，揚杰科技持續(xù)增加對第三代半導(dǎo)體芯片行業(yè)的投入，加大在以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度。其投資的SiC芯片工廠在報告期內(nèi)完成廠房裝修、設(shè)備搬入和產(chǎn)品通線，采用IDM技術(shù)實現(xiàn)了多款SiC產(chǎn)品升級。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市場份額持續(xù)增加，當(dāng)前各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

公開資料顯示，揚杰科技集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計、制造、封裝測試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。報告期內(nèi)，其不斷加大Mosfet、IGBT、SiC等產(chǎn)品在新能源汽車、人工智能、工業(yè)、光伏儲能等市場的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期提升。

2、長電科技

4月9日，長電科技發(fā)布2024年度業(yè)績快報及2025年第一季度主要經(jīng)營情況。財報顯示，2024年，該公司實現(xiàn)營業(yè)收入359.6億元，同比增長21.2%；歸屬于母公司的凈利潤為16.1億元，同比增長9.52％。公司的毛利率為12.07%，同比增長3.16個百分點；凈利率為4.56%，同比增長2.10個百分點。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

此外在2025 年第一季度經(jīng)營報告中，長電科技預(yù)計2025年第一季度實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤人民幣2.00 億元左右（未經(jīng)審計），與上年同期人民幣1.35億元相比，同比增長50.00%左右。

長電科技此前表示，公司正在加速擴充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，特別是在第三代半導(dǎo)體市場，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件。在2024年，長電科技不僅推出兩款碳化硅塑封模塊樣品，還在8月與氮化鎵柵極驅(qū)動器頭部廠商Allegro MicroSystems達成戰(zhàn)略合作，雙方合作重點建立高精度磁傳感器和電源管理解決方案的本地化封裝和測試能力。

3、英諾賽科

英諾賽科也于近日發(fā)布了2024年年報。年報顯示，英諾賽科2024年完成營業(yè)收入8.29億元，同比增長39.8%。利率持續(xù)大幅改善，毛損率由2023年的-61.6%縮減至2024年的-19.5%，提升42.1個百分點。海外銷售收入達人民幣126.4百萬元，同比增長118.1%。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

英諾賽科產(chǎn)品在消費電子應(yīng)用領(lǐng)域占比持續(xù)增長，收入同比增長48%。在新能源汽車、AI以及人形機器人領(lǐng)域取得重大突破：車規(guī)級氮化鎵交付數(shù)量同比增長986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付數(shù)量同比增長669.8%，100萬關(guān)節(jié)電機驅(qū)動產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。

在生產(chǎn)制造方面，2024年其整體良率達95%，單位制造成本下降近40%；全年交付芯片6.6億顆，出貨量呈幾何級數(shù)增長態(tài)勢。

綜合來看，以上三家公司都呈現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿?，未來隨著新能源汽車、AI算力、光伏儲能等新興領(lǐng)域的增長，相關(guān)企業(yè)有望推動中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端化邁進。（集邦化合物半導(dǎo)體niko整理）