據(jù)介紹，超晶光電專注于化合物半導(dǎo)體光電芯片與器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。公司構(gòu)建了一條光電芯片IDM模式生產(chǎn)線，超凈間面積超6000平方米，并配置了數(shù)百臺高性能半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備。

soruce：超晶光電

今年7月，超晶光電研究院項目在浙江寧波開工。該項目總占地面積約8000平方米，總投資達(dá)3億元。此前預(yù)計是在2024年底前將完成超凈間和芯片研發(fā)線的調(diào)試工作。

據(jù)介紹，研究院專注于全波段光電材料，研發(fā)內(nèi)容包括III-V族光電材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料外延和芯片研發(fā)。研究院內(nèi)部設(shè)有芯片研發(fā)中心、光電系統(tǒng)中心、智能信息中心和光學(xué)材料中心等部門。

超晶光電表示，公司未來將利用本輪融資所得資金，聚焦新型光電芯片和器件的創(chuàng)新研發(fā)，加速在科技產(chǎn)出和關(guān)鍵器件應(yīng)用等領(lǐng)域推出標(biāo)志性成果。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：英諾賽科

本次英諾賽科向全球發(fā)售4536.4萬股H股，每股發(fā)行價為30.86港元。此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及應(yīng)用研發(fā)等。

據(jù)悉，英諾賽科成立于2017年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括分立器件、集成電路、晶圓、模組等。截至2023年末，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中市場份額排名第一，市占率高達(dá)42.4%。

01、搶先駛?cè)?英寸氮化鎵領(lǐng)域

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體代表材料，與硅及其他半導(dǎo)體材料相比，氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、導(dǎo)通電阻低、無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢。氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片能夠有效降低能量損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本，實現(xiàn)更小的器件尺寸。

在制造方面，氮化鎵（GaN）晶體可以在各種襯底上生長，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長氮化鎵外延層（GaN-on-Si）可以使用現(xiàn)有的硅半導(dǎo)體設(shè)備，而且可采用低成本、大直徑的硅晶片。

此外，目前8英寸硅的設(shè)備及流程較6英寸硅更為成熟高效，8英寸氮化鎵的生產(chǎn)更具競爭優(yōu)勢。在全球其他氮化鎵功率半導(dǎo)體公司如EPC、英飛凌、納微半導(dǎo)體、Power Integrations等公司提供6英寸產(chǎn)品為主時，英諾賽科已切入8英寸領(lǐng)域。

早在2017年底，英諾賽科珠海制造工廠建成投產(chǎn)，成為中國首條完整的8英寸硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。

2021年10月，英諾賽科位于蘇州的制造廠建成投產(chǎn)，該制造廠是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。

source：英諾賽科

在招股說明書中，英諾賽科表示其已成為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)。受益于先進(jìn)的8英寸工藝，其每片晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%，且良率超過95%。

據(jù)TrendForce集邦咨詢報告顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景為核心。

2024年上半年，英諾賽科氮化鎵晶圓總產(chǎn)能提升至7.3萬片。其中，蘇州生產(chǎn)基地產(chǎn)能為4.9萬片/年，利用率為71.8%；珠海生產(chǎn)基地2.4萬片/年，利用率為74.8%。

source：英諾賽科招股書

本次公開募資，資金主要也將用于氮化鎵產(chǎn)能擴(kuò)張，其中約60%用來擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。約20%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場（如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。

02、企業(yè)盈利能力不斷增強(qiáng)

眾所周知，IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中耗資最多、難度最大的一種商業(yè)模式。英諾賽科一成立便選用了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，目標(biāo)實現(xiàn)從設(shè)計、制造到測試的整個過程的自主控制。

短期來看，IDM模式在產(chǎn)能提升階段經(jīng)歷需投入大量資本及研發(fā)支出的周期過程，可能會導(dǎo)致業(yè)績的短期虧損。

但從長期看，相較于無晶圓廠設(shè)計公司，英諾賽科的設(shè)計與制造過程協(xié)同度更高、產(chǎn)能供應(yīng)鏈更為穩(wěn)定、工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)更具成本優(yōu)勢以及工藝技術(shù)可持續(xù)升級。

據(jù)招股書顯示，2021年、2022年和2023年，英諾賽科的營收分別約為6821.5萬元、1.36億元和5.93億元，經(jīng)調(diào)整凈虧損分別約為10.81億元、12.77億元和10.16億元。

2024上半年，英諾賽科營收約為3.86億元，較2023年同期的3.08億元增長25.22%，經(jīng)調(diào)整凈虧損約為3.78億元，相較于2023年同期減少虧損1.71億元。

source：英諾賽科招股書

營收快速成長，虧損逐年收窄，從側(cè)面體現(xiàn)出市場對英諾賽科產(chǎn)品的認(rèn)可度正在逐步增強(qiáng)。

英諾賽科的快速成長也吸引了資本市場的青睞。2018年至2024年，英諾賽科累計進(jìn)行了5輪融資，融資總額達(dá)到62.3億元。投資方包含鈦信資本、毅達(dá)資本、創(chuàng)新證券、海富產(chǎn)業(yè)基金、永剛集團(tuán)、國民創(chuàng)投、招銀國際資本、朗瑪峰創(chuàng)投、SK中國、ARM等機(jī)構(gòu)和企業(yè)。

在開啟全球招股之后，英諾賽科與基石投資者意法半導(dǎo)體、江蘇國有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項母基金(有限合伙)及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司訂立基石投資協(xié)議，基石投資者們將購入總金額為1億美元的股票。

03、全球氮化鎵行業(yè)加速洗牌

氮化鎵功率半導(dǎo)體從2018年正式進(jìn)入消費(fèi)電子，在實現(xiàn)了一定規(guī)模的商業(yè)化之后迎來了高速發(fā)展期。隨著市場逐漸成型，競爭開始白熱化，一些企業(yè)放棄了獨(dú)立運(yùn)行，選擇倚靠行業(yè)巨頭。

從2023年至今，氮化鎵功率半導(dǎo)體頭部玩家 GaN Systems、Transphorm分別被英飛凌、瑞薩電子收購。此外，還有一些小型氮化鎵企業(yè)被頭部企業(yè)吞并，如Power Integrations收購美國垂直氮化鎵晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey、格芯收購Tagore氮化鎵技術(shù)和相關(guān)團(tuán)隊。

這些企業(yè)之間的并購有利于氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈資源的整合，也重塑了市場格局。面對全球市場競爭格局的加速洗牌，英諾賽科有希望通過本次上市來獲取資金和資源，增強(qiáng)自身實力以抵抗外界壓力。

04、結(jié)語

英諾賽科此次成功上市，對企業(yè)自身和產(chǎn)業(yè)都有著重大意義。從產(chǎn)業(yè)來看，英諾賽科的成功上市，為氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)注入信心與動力。從企業(yè)自身出發(fā)，隨著英諾賽科在港交所主板的成功上市，有望借助國際資本市場的力量進(jìn)一步提升其在全球氮化鎵市場的地位。

展望未來，英諾賽科將進(jìn)一步加速技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)拓展的步伐，提升品牌影響力和市場競爭力，鞏固其作為全球龍頭的地位。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty）

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source：港交所

據(jù)了解，天域半導(dǎo)體成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)。2010年，天域半導(dǎo)體與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作，共同創(chuàng)建了碳化硅研究所，成為全球碳化硅外延晶片的主要生產(chǎn)商之一。

融資方面，天眼查顯示，從2021年7月至今，天域半導(dǎo)體共完成四輪融資，每次均收獲重量級投資方。其中，2021年7月獲華為哈勃投資天使輪融資；2022年6月獲比亞迪、上汽集團(tuán)入股。目前，天域半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資方包括比亞迪、上汽尚頎、海爾資本、晨道資本、東莞大中和申能欣銳等。

在業(yè)務(wù)方面，天域半導(dǎo)體指出，2024年公司開始量產(chǎn)8英寸碳化硅外延片，并與海外領(lǐng)先的整合器件制造商(IDM)汽車客戶就8英寸碳化硅外延片達(dá)成戰(zhàn)略合作。source：天域半導(dǎo)體產(chǎn)能方面，截止到2024年10月31日，天域半導(dǎo)體6英寸及8英寸外延片的年度產(chǎn)能約為42萬片。

據(jù)悉，天域半導(dǎo)體現(xiàn)有的東莞生產(chǎn)基地，主要專注于生產(chǎn)6英寸碳化硅外延片。公司還購置了位于東莞市生態(tài)園生產(chǎn)工廠的一塊土地，并已開始在該地塊上興建新生產(chǎn)基地，未來將包括辦公區(qū)、工廠、研發(fā)樓、宿舍及其他配套設(shè)施。天域半導(dǎo)體預(yù)計其正在擴(kuò)產(chǎn)的新生態(tài)園生產(chǎn)基地將于2025年內(nèi)增加約38萬片碳化硅外延片的年度計劃產(chǎn)能，使公司的年度計劃總產(chǎn)能達(dá)至約800,000片碳化硅外延片。

此外，天域半導(dǎo)體還表示，根據(jù)實際需求，其初步計劃在東南亞擴(kuò)大產(chǎn)能，以更好地服務(wù)公司的海外客戶。營收方面，天域半導(dǎo)體的收入由2021年的人民幣月1.55億元增長至2022年的人民幣4.37億元元，并進(jìn)一步增長至2023年的人民幣11.71億元。

此外，公司的毛利由2021年的人民幣2420萬元增長至2022年的人民幣8750萬元，并進(jìn)一步增長至2023年的人民幣2.17億元，復(fù)合年增長率為199.2%。

本次申請港股上市，天域半導(dǎo)體計劃將IPO募集所得資金凈額將有以下用途：

1.一部分預(yù)計將于未來五年內(nèi)用于擴(kuò)張公司的整體產(chǎn)能，從而提升天域半導(dǎo)體的市場份額及產(chǎn)品競爭力，包括：采購設(shè)備，擴(kuò)張產(chǎn)線；完成基地建設(shè)；招聘人才。

2.一部分預(yù)計將于未來五年內(nèi)用于提升公司的自主研發(fā)及創(chuàng)新能力，以提高產(chǎn)品質(zhì)量及縮短新產(chǎn)品的開發(fā)周期，從而更迅速地回應(yīng)市場需求。

3.一部分預(yù)計將用于戰(zhàn)略投資及/或收購，以擴(kuò)大客戶群豐富公司的產(chǎn)品組合及補(bǔ)充公司的技術(shù)，從而實現(xiàn)天域半導(dǎo)體的長遠(yuǎn)發(fā)展策略。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，深創(chuàng)投基金與遠(yuǎn)致星火將分別出資3億及1億元，認(rèn)購本次鑫耀半導(dǎo)體新增注冊資本1.6億元，增資完成后，深創(chuàng)投基金、遠(yuǎn)致星火將分別持有鑫耀半導(dǎo)體25%、8.3333%的股權(quán)。

對于本次增資擴(kuò)股原因，云南鍺業(yè)表示，是基于鑫耀半導(dǎo)體當(dāng)前的實際情況和經(jīng)營發(fā)展的考慮，符合公司的長遠(yuǎn)發(fā)展規(guī)劃，融入資金鑫耀半導(dǎo)體可以用于研發(fā)、生產(chǎn)運(yùn)營、廠房和設(shè)備設(shè)施購置等。

鑫耀半導(dǎo)體主要業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體材料砷化鎵晶片及磷化銦晶片的生產(chǎn)與銷售。目前在云南國家鍺材料基地建成一條年產(chǎn)砷化鎵拋光晶片30萬片4英寸（或12萬片6英寸）的單晶材料生產(chǎn)線以及一條年產(chǎn)5萬片磷化銦襯底生產(chǎn)線。

據(jù)企查查顯示，鑫耀半導(dǎo)體目前的主要股東為云南鍺業(yè)、哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司（下文簡稱“哈勃科技”）和惠峰，三者分別持股84.5%、9.3%、6.1%。值得一提的是，哈勃投資為華為投資有限公司全資子公司。

本次增資完成后，云南鍺業(yè)所持有的鑫耀半導(dǎo)體股權(quán)由之前的84.5294%下降至56.3529%，公司對其控制地位不變，合并報表范圍不會發(fā)生變更。鑫耀半導(dǎo)體二股東哈勃科技持股比例由9.3454%下降至6.2303%，位列深創(chuàng)投基金、遠(yuǎn)致星火之后，為第四大股東。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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環(huán)球晶圓表示，補(bǔ)助將用于支持公司位于德州謝爾曼市（Texas）及密蘇里州圣彼得斯市（ Missouri）的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠40億美元投資計劃。美國商務(wù)部將根據(jù)GWA和MEMC完成各項專案里程碑的情況，于數(shù)年內(nèi)分次發(fā)放該項補(bǔ)助。

此外，作為獎勵條款的一部分，環(huán)球晶圓已同意將其位于德州謝爾曼市的部分現(xiàn)有硅外延晶圓產(chǎn)線改為碳化硅外延晶圓產(chǎn)線，制造6英寸（150mm）或8英寸（200mm）碳化硅外延。

source：環(huán)球晶圓

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局方面，環(huán)球晶圓旗下業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅和氮化鎵。碳化硅方面，環(huán)球晶圓在中國臺灣生產(chǎn)碳化硅襯底，在美國德州生產(chǎn)6英寸和8英寸碳化硅外延。

據(jù)悉，其碳化硅產(chǎn)品已通過一線大廠認(rèn)證。針對碳化硅襯底，公司的制造產(chǎn)能主要在中國臺灣。

環(huán)球晶圓此前表示，待該地滿載后，出于對美國德州電費(fèi)和土地成本的考量，公司不排除在德州進(jìn)行長晶業(yè)務(wù)。氮化鎵方面，環(huán)球晶母公司中美晶在2021年投資的氮化鎵廠商Transphorm已被日本瑞薩收購，環(huán)球晶圓目前與其保持合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：X-fab

X-fab介紹，XbloX整合了經(jīng)過驗證的SiC工藝開發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊，簡化了入門流程，并顯著降低了設(shè)計風(fēng)險和產(chǎn)品開發(fā)時間。

通過將經(jīng)過驗證的工藝模塊與強(qiáng)大的設(shè)計規(guī)則、控制計劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結(jié)合，XbloX實現(xiàn)了更快的原型制作、更簡便的設(shè)計評估和更短的市場上市時間。該平臺為客戶提供了競爭優(yōu)勢，允許設(shè)計師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合，同時比傳統(tǒng)開發(fā)方法提前多達(dá)九個月實現(xiàn)生產(chǎn)。

新一代平臺在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時，減小了活動區(qū)域設(shè)計單元尺寸。XSICM03平臺憑借穩(wěn)健的設(shè)計規(guī)則，允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。

這一改進(jìn)使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過驗證的工藝模塊，平臺確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫和增強(qiáng)的設(shè)計支持使得客戶能夠快速流片，從而加速產(chǎn)品開發(fā)。

X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評論道：“通過其簡化的方法，我們的下一代工藝平臺滿足了汽車、工業(yè)和能源應(yīng)用中對高性能SiC器件日益增長的需求。公司通過加速原型制作和設(shè)計評估，使現(xiàn)有和新客戶能夠創(chuàng)建應(yīng)用優(yōu)化的產(chǎn)品組合，顯著縮短上市時間。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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2024年12月18日至12月23日招股，預(yù)期定價日為12月24日，預(yù)期股份將于12月30日開始在聯(lián)交所買賣。

source：英諾賽科

文件顯示，英諾賽科已與基石投資者意法半導(dǎo)體（“ST”）、江蘇國有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)（“江蘇國企混改基金”）、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項母基金(有限合伙)（蘇州高端裝備）及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司（“東方創(chuàng)聯(lián)”）訂立基石投資協(xié)議。

基石投資者已同意在若干條件規(guī)限下，按發(fā)售價認(rèn)購或促使其指定實體認(rèn)購（視情況而定）有關(guān)數(shù)目的發(fā)售股份，購入總金額為1億美元（折合人民幣約7.28億元）。

目前，公司主要股東有深圳市招銀成長拾柒號股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)、Inno Holding、SK China、蘇州市吳江產(chǎn)業(yè)投資有限公司、深圳華業(yè)天成投資有限公司、駱薇薇、JAY HYUNG SON。

據(jù)悉，英諾賽科此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及研發(fā)等，具體如下：

一、約60%用來擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2024年6月30日的每月12,500片晶圓增加至未來五年的每月70,000片晶圓）、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。

二、約20.0%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場（如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。英諾賽科計劃推出新產(chǎn)品，包括低電壓及高電壓氮化鎵晶圓、分立器件及集成電路。

三、約10%將用于擴(kuò)大英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。四、約10.0%將用于公司運(yùn)營資金及其他一般企業(yè)用途。集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理

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據(jù)介紹，芯辰半導(dǎo)體目前已實現(xiàn)波長范圍760nm~1700nm外延片的量產(chǎn)，外延均勻性為激射中心波長外2nm之內(nèi)。其中典型波長的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主產(chǎn)線實現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗證。

source：芯辰半導(dǎo)體

此外，相關(guān)外延片已獲客戶長期合作訂單，其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓，同時配套有相關(guān)晶圓質(zhì)量檢測設(shè)備。公開資料顯示，芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片。

其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)、生物醫(yī)學(xué)和先進(jìn)裝備等多個領(lǐng)域。公司采用IDM模式，致力于在太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。

今年9月初，芯辰半導(dǎo)體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產(chǎn)線完成試運(yùn)行。該產(chǎn)線包含了從芯片設(shè)計、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測試的完整工藝研發(fā)平臺和產(chǎn)品生產(chǎn)線。同月，公司光芯片封測平臺建設(shè)完成并對外開放。

10月底，總投資達(dá)8億元的芯辰半導(dǎo)體項目一期在江蘇太倉實現(xiàn)了投產(chǎn)，預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)8000萬顆光芯片、產(chǎn)值10億元。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，該項目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，于2023年12月開工建設(shè)。據(jù)稱項目將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補(bǔ)國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

據(jù)“睿悅投資”消息，截至日前，福建晶旭半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)能75萬片氧化鎵外延生產(chǎn)基地，主體結(jié)構(gòu)已全部封頂，預(yù)計明年可以達(dá)到初步生產(chǎn)使用狀態(tài)。

公開資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家專注于5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，該項目總投資約2.3億元，采用租賃芯屏高科技產(chǎn)業(yè)園廠房形式，用于建設(shè)IGBT及碳化硅（SiC）產(chǎn)線核心設(shè)備項目，生產(chǎn)智能測試分選機(jī)設(shè)備、甲酸真空焊接爐、SiC芯片測試分選機(jī)及晶圓老化測試設(shè)備等，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值約2.8億元。

項目于今年7月正式簽約，10月企業(yè)順利投產(chǎn)，11月產(chǎn)品交付客戶端，截至目前訂單已超5000萬元。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，近期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)投產(chǎn)、出貨等消息不斷。除賽美泰克之外，近兩月還有多個設(shè)備企業(yè)項目有新進(jìn)展。

·晶馳機(jī)電

11月2日，晶馳機(jī)電在河北石家莊投建半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目投產(chǎn)。該項目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，項目分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計劃時間為2025年—2026年。項目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。

11月26日，晶馳機(jī)電在浙江嘉興投建的半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目也實現(xiàn)了投產(chǎn)。項目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計實現(xiàn)年產(chǎn)值1.4億元。

·廣州粵升

11月18日，廣州粵升實現(xiàn)碳化硅（SiC）外延設(shè)備的大批量出貨。

·中導(dǎo)光電

11月20日，中導(dǎo)光電宣布獲得國內(nèi)功率半導(dǎo)體頭部客戶的8英寸碳化硅（SiC）晶圓缺陷檢測設(shè)備訂單。

·芯谷半導(dǎo)體

11月20日，芯谷半導(dǎo)體研發(fā)智造項目兩幢研發(fā)樓主體結(jié)構(gòu)正式封頂，預(yù)計明年12月底即可交付使用。

該項目占地面積110.9畝，建筑面積約30萬平方米，計劃總投資16.8億元，規(guī)劃建造2幢研發(fā)辦公樓、4幢高標(biāo)準(zhǔn)廠房。項目建成后將用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)。

·弗昂元

11月28日，上海弗昂元科技有限公司（簡稱“弗昂元”）投建的SiC模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項目簽約江蘇姜堰。項目總投資1.15億元，租用廠房約9200㎡ ，主要從事SiC模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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