圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)悉,新工廠初期將具備每月生產(chǎn)1萬片碳化硅晶圓的能力,并計劃在未來兩至三年內(nèi)增至每月生產(chǎn)5萬片碳化硅晶圓。
2024年以來,碳化硅產(chǎn)業(yè)在印度市場的熱度持續(xù)上漲,各大廠商動作頻頻。
2024年6月中旬,總部位于印度欽奈的SiCSem宣布,計劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅制造、組裝、測試流程的工廠。
與此同時,SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校(IIT-BBS)就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,雙方之間首個項目是在IIT-BBS實現(xiàn)碳化硅晶體生長的本土化。這一項目專注于6英寸和8英寸碳化硅晶圓的大批量生產(chǎn),預(yù)估耗資4.5億盧比。
9月4日,美國Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布,公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)的碳化硅制造工廠已奠基動工。該工廠將用于生產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓,預(yù)計2025年全面投產(chǎn)。
9月20日,印度Zoho集團宣布,計劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設(shè)一座碳化硅制造工廠。該工廠的設(shè)計將覆蓋整個碳化硅生產(chǎn)鏈,從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊,再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產(chǎn)能預(yù)計包括7.2萬片碳化硅外延晶圓、7.2萬個MOSFET和模塊,產(chǎn)品將應(yīng)用于電動汽車、汽車及可再生能源領(lǐng)域。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>source:京東方華燦光電
京東方華燦與晶通半導(dǎo)體氮化鎵布局及進展
早在2020年,京東方華燦就已進入氮化鎵功率器件領(lǐng)域,產(chǎn)品面向多領(lǐng)域應(yīng)用。
京東方華燦義烏工廠氮化鎵功率器件晶圓級全流程工藝已經(jīng)打通,并在2024年底進行封裝級可靠性評估和650V GaN產(chǎn)品小批量戰(zhàn)略客戶送樣,預(yù)期2025年Q2進行大規(guī)模市場推廣。
晶通半導(dǎo)體成專注于氮化鎵功率器件、氮化鎵集成驅(qū)動芯片和氮化鎵肖特基二極管的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,是國內(nèi)少數(shù)能提供氮化鎵功率器件和驅(qū)動芯片共同優(yōu)化及設(shè)計集成方案的功率半導(dǎo)體公司。其已于2024年9月完成6000萬元的Pre-A輪融資。
幾大潛力應(yīng)用推動氮化鎵產(chǎn)業(yè)加速成長
京東方華燦與晶通半導(dǎo)體的合作,瞄準(zhǔn)的是消費類、AI數(shù)據(jù)中心、車用、光伏及儲能等市場的多元化需求。
其中,消費電子是目前氮化鎵功率器件的主戰(zhàn)場,且正在由PD快充延伸至家電、智能手機等領(lǐng)域。具體而言,氮化鎵已經(jīng)在低功率的手機快速充電器中被大規(guī)模采用,下一步氮化鎵將進入可靠性要求更為嚴格的筆電、家電電源等場景。
AI技術(shù)的演進,帶動算力需求持續(xù)攀升,CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應(yīng)對更高端的AI運算,服務(wù)器電源的能效、功率密度必須進一步提高,氮化鎵正在提升服務(wù)器電源能效、功率密度等方面扮演關(guān)鍵角色。
隨著新能源汽車市場的強勢崛起,碳化硅功率器件大放異彩,而氮化鎵的汽車應(yīng)用亦不斷吸引著業(yè)界關(guān)注,其中車載充電機(OBC)被視為最佳突破點。第一個符合車規(guī)級AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率氮化鎵產(chǎn)品在2017年由Transphorm(現(xiàn)Renesas-瑞薩電子)發(fā)布,截至目前,已有多家廠商推出汽車級氮化鎵產(chǎn)品。
此外,在人形機器人等電機驅(qū)動場景,氮化鎵的應(yīng)用潛力也正在逐漸浮現(xiàn)。相對工業(yè)機器人,人形機器人由于自由度大幅上升,對電機驅(qū)動器的需求量大幅增加。人形機器人的關(guān)節(jié)模組承擔(dān)了主要的發(fā)力與制動任務(wù),為了獲得更高的爆發(fā)力,需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機驅(qū)動器,氮化鎵技術(shù)因此受到關(guān)注,特別是在腿部等負載較高的部位。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示,2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長率)高達49%。其中非消費類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。
氮化鎵加速“上車”
目前看來,氮化鎵功率器件的多元化應(yīng)用趨勢已不可阻擋,未來具有較高能見度的應(yīng)用市場較多,但根據(jù)最新的產(chǎn)業(yè)動態(tài),氮化鎵車用探索似乎走的更遠。
2024年12月,業(yè)內(nèi)披露了2起關(guān)于車用氮化鎵的合作,包括羅姆與臺積電合作開發(fā)車用氮化鎵器件、氮化鎵器件廠商VisIC與移動技術(shù)公司AVL共同研發(fā)電動汽車(EV)用高效率氮化鎵逆變器技術(shù)。
在火熱的新能源汽車市場,豐田、寶馬等車企以及氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已開始將氮化鎵用于汽車場景,特別是在OBC和高壓直流轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部位。有數(shù)據(jù)顯示,將氮化鎵器件應(yīng)用于新能源汽車的OBC、DC-DC轉(zhuǎn)換器等部件時,可在節(jié)能70%的同時使充電效率達到98%,增加5%續(xù)航。
隨著氮化鎵耐壓能力的進一步提升,在可承受800V甚至1200V高電壓而又具備更高性價比時,氮化鎵車用范圍有望進一步擴大,進而提高在新能源汽車市場滲透率。
小結(jié)
盡管氮化鎵產(chǎn)業(yè)未來將保持增長態(tài)勢,但市場體量仍然較小,短期內(nèi)的發(fā)展阻力相對較大,有限的資源將更多流向重磅玩家,產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷整合期,在2024年誕生了多起收并購事件。
除了并購整合,攜手合作、共同開拓市場也是破局的可行之法,例如京東方華燦和晶通半導(dǎo)體的強強聯(lián)手,有利于實現(xiàn)降本增效和協(xié)同發(fā)展。展望2025年,氮化鎵產(chǎn)業(yè)或?qū)鞒龈嗪献飨灿?。(文:集邦化合物半?dǎo)體Zac)
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公告顯示,投資標(biāo)的中微半導(dǎo)體設(shè)備(成都)有限公司將于2025年2月成立,注冊資本1億元。該項目用地約50畝,建設(shè)包含研發(fā)中心、生產(chǎn)基地和配套設(shè)施。項目計劃2025年開工,2027年投入生產(chǎn),2025年至2030年期間,項目總投資約30.5億元。
中微公司表示,項目公司將面向高端邏輯及存儲芯片,開展化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)工作。項目的實施將有助于公司擴展集成電路設(shè)備業(yè)務(wù)范圍,增強技術(shù)研發(fā)能力,提升市場占有率。
與此同時,中微公司發(fā)布了2024年業(yè)績預(yù)告。其預(yù)計2024年實現(xiàn)營收約90.65億元,較2023年增加約28.02億元,同比增長約44.73%。其中,2024年刻蝕設(shè)備銷售約72.76億元,同比增長約54.71%;MOCVD設(shè)備銷售約3.79億元,同比下降約18.11%;LPCVD薄膜設(shè)備2024年實現(xiàn)首臺銷售,全年設(shè)備銷售約1.56億元。
中微公司預(yù)計2024年度實現(xiàn)歸母凈利潤為15.00-17.00億元;預(yù)計2024年度實現(xiàn)歸母扣非凈利潤為12.80億元至14.30億元,同比增加約7.43%至20.02%。
關(guān)于業(yè)績預(yù)增原因,中微公司表示,其近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設(shè)備和ALD薄膜設(shè)備,目前已有多款新型設(shè)備產(chǎn)品進入市場并獲得重復(fù)性訂單。其中,LPCVD薄膜設(shè)備累計出貨量已突破100個反應(yīng)臺,其他多個關(guān)鍵薄膜沉積設(shè)備研發(fā)項目正在順利推進;EPI設(shè)備已順利進入客戶端量產(chǎn)驗證階段。此外,其在Micro-LED和高端顯示領(lǐng)域的MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得了良好進展,并積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場。
值得一提的是,半導(dǎo)體設(shè)備廠商盛美上海也在14日發(fā)布了2024年業(yè)績預(yù)告。2024年,盛美上海預(yù)計實現(xiàn)營收56-58.8億元,同比增長44.02%-51.22%。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>根據(jù)報告,北方華創(chuàng)預(yù)計2024年實現(xiàn)營收276-317.8億元,同比增長25.00%-43.93%;歸母凈利潤51.7-59.5億元,同比增長32.60%-52.60%;歸母扣非凈利潤51.2-58.9億元,同比增長42.96%-64.46%。
關(guān)于業(yè)績預(yù)增原因,北方華創(chuàng)表示,2024年,其電容耦合等離子體刻蝕設(shè)備(CCP)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PECVD)、原子層沉積立式爐、堆疊式清洗機等多款新產(chǎn)品進入客戶生產(chǎn)線并實現(xiàn)批量銷售,豐富了公司的產(chǎn)品矩陣,增強了產(chǎn)品布局的完整性。
據(jù)悉,隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,與半導(dǎo)體設(shè)備廠商北方華創(chuàng)業(yè)務(wù)布局范圍高度重合的中微公司、盛美上海等廠商紛紛業(yè)績報喜。
根據(jù)中微公司發(fā)布的2024年第三季度報告。中微公司Q3實現(xiàn)營收20.59億元,同比增長35.96%;歸母凈利潤3.96億元,同比增長152.63%;歸母扣非凈利潤3.30億元,同比增長53.79%。
2024年Q3,盛美上海實現(xiàn)營收15.73億元,同比增長37.96%;歸母凈利潤3.15億元,同比增長35.09%;歸母扣非凈利潤3.06億元,同比增長31.41%。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>source:每日舟山
據(jù)悉,該項目計劃總投資5億元,其中一期總投資約1億元,一期全部投產(chǎn)后預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)值約5億元。
作為該項目投資方,芯干線成立于2020年10月,專注于第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊設(shè)計研發(fā),產(chǎn)品線包括增強型氮化鎵功率器件(X-GaN),碳化硅功率器件(X-SiC)以及第三代半導(dǎo)體電源模塊。
據(jù)了解,近期還有多個第三代半導(dǎo)體項目簽約落地,包括第三代半導(dǎo)體芯片制造項目和車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目。
在近期舉辦的浙西南革命老區(qū)發(fā)展論壇主旨會議上,浙江麗水舉辦項目簽約儀式,其中包括一個第三代半導(dǎo)體芯片制造項目。該項目總投資23億元,屬于新能源汽車、智能電網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈上游,將建設(shè)芯片制造生產(chǎn)線,布局外延制造、封裝測試等生產(chǎn)線。
12月6日,瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目”簽約落地落地浙江東臺高新技術(shù)開發(fā)區(qū)。投資協(xié)議顯示,整個項目投資10-15億元,分兩期實施,首期投資3億元。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>source:杰平方半導(dǎo)體
據(jù)介紹,杰立方半導(dǎo)體晶圓廠項目預(yù)計總投資約69億港元(約65億人民幣),將建立香港首座第三代半導(dǎo)體碳化硅8英寸晶圓廠,計劃于2026年正式投產(chǎn)。達產(chǎn)后年產(chǎn)24萬片晶圓,將能滿足150萬輛新能源車的生產(chǎn)需求,預(yù)計年產(chǎn)值將超過110億港元。
作為該項目投資方,杰立方半導(dǎo)體成立于2023年10月,是杰平方半導(dǎo)體的全資子公司。杰平方半導(dǎo)體聚焦車載芯片研發(fā)設(shè)計,主要面向電能轉(zhuǎn)換、通信等領(lǐng)域,提供高性能碳化硅芯片、車載以太網(wǎng)芯片等產(chǎn)品。
據(jù)了解,第三代半導(dǎo)體是香港近年來重點發(fā)展的科技領(lǐng)域。
2024年5月,香港立法會財務(wù)委員會批準(zhǔn)了高達28.4億港元(約26.75億人民幣)的撥款,用于設(shè)立一個專注于半導(dǎo)體研發(fā)的中心——香港微電子研發(fā)院。香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導(dǎo)體,包括碳化硅和氮化鎵,該研究中心將率先在大學(xué)、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導(dǎo)體進行合作。
2023年10月,香港科技園與杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄,雙方將在香港科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心,并投資開設(shè)香港首家碳化硅8英寸先進垂直整合晶圓廠。
2024年7月底,香港科技園與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延片中試線啟動儀式。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>公開資料顯示,該公司經(jīng)營范圍含電子專用材料制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、半導(dǎo)體分立器件制造、電子專用材料研發(fā)、電子專用材料銷售、半導(dǎo)體分立器件銷售等。
立昂微成立于2002年3月,專注于集成電路用半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體功率芯片、集成電路芯片設(shè)計、開發(fā)、制造、銷售。其主營業(yè)務(wù)主要分三大板塊,分別是半導(dǎo)體硅片、半導(dǎo)體功率器件芯片、化合物半導(dǎo)體射頻芯片。
據(jù)了解,2024年下半年以來,除立昂微外,還有多家功率器件廠商成立了新公司。
其中,時代電氣旗下中車時代半導(dǎo)體于9月26日全資成立了合肥中車時代半導(dǎo)體有限公司,注冊資本3.1億人民幣,經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。
揚杰科技于11月1日全資成立了揚州東興揚杰研發(fā)有限公司,注冊資本500萬人民幣,經(jīng)營范圍含電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、新材料技術(shù)研發(fā)等。
宏微科技等于11月26日成立了上海宏微愛賽半導(dǎo)體有限公司,注冊資本500萬人民幣,經(jīng)營范圍含電子元器件零售、電子元器件批發(fā)、電子專用設(shè)備銷售、電力電子元器件銷售等。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>2024年以來披露IPO動態(tài)的廠商不算少,但直到2025年1月初,只有英諾賽科和黃山谷捷2家企業(yè)完成了最終的上市。其中,英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè),而黃山谷捷是車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊散熱基板行業(yè)的頭部企業(yè)。
分行業(yè)來看,英諾賽科是披露IPO進展中的少數(shù)氮化鎵企業(yè)之一,而其他大部分廠商都和碳化硅直接相關(guān)。這主要系氮化鎵產(chǎn)業(yè)目前市場規(guī)模較小,國內(nèi)有能力沖刺IPO的廠商并不多,碳化硅產(chǎn)業(yè)體量更大,國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)眾多,已有一部分廠商具備了登錄資本市場的實力。
分產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)來看,英諾賽科是僅有的IDM模式玩家,其他廠商分布在材料、器件、設(shè)備等各個細分領(lǐng)域。其中,材料領(lǐng)域企業(yè)涵蓋了瀚天天成、博雅新材、鑫華半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、天岳先進等。在器件領(lǐng)域,披露IPO進展的廠商較少,僅有芯長征、瑞能半導(dǎo)體、華太電子、英諾賽科等企業(yè)。
在設(shè)備領(lǐng)域,披露IPO進展的廠商相對較多,包括納設(shè)智能、邑文科技、芯三代、萊普科技、高裕電子、志橙股份、頂立科技等。這從側(cè)面反映了在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的趨勢下,設(shè)備領(lǐng)域似乎更加受益。
在碳化硅產(chǎn)業(yè)8英寸轉(zhuǎn)型趨勢下,國內(nèi)碳化硅設(shè)備廠商紛紛積極布局8英寸設(shè)備,商業(yè)化正在加速推進當(dāng)中,這些設(shè)備企業(yè)有望成為第三代半導(dǎo)體下一波IPO的主力軍。
化合物半導(dǎo)體企業(yè)沖刺IPO的背后
2024年,化合物半導(dǎo)體相關(guān)廠商密集啟動IPO,或與產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展有關(guān)。
碳化硅已在新能源汽車市場實現(xiàn)了大規(guī)模普及應(yīng)用,并向光儲充、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域加速滲透;氮化鎵在消費電子市場已被大規(guī)模采用,并正在向汽車電子、AI數(shù)據(jù)中心、機器人等場景拓展應(yīng)用。市場需求的持續(xù)增長,促使化合物半導(dǎo)體相關(guān)廠商急于通過IPO籌集資金,進而更好地開拓市場、把握機遇。
化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,讓不少投資機構(gòu)和投資者對產(chǎn)業(yè)前景充滿信心,將相關(guān)廠商視為有價值的投資標(biāo)的。在此背景下,化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)有望獲得較高的估值,有利于獲得融資。通過上市融資,企業(yè)能夠進一步完善業(yè)務(wù)布局。
近年來,國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料、器件、設(shè)備等方面取得了顯著進展,部分廠商實現(xiàn)了從追趕到領(lǐng)先的跨越,這些企業(yè)已經(jīng)具備了登錄資本市場的基礎(chǔ)。而通過上市融資,企業(yè)在技術(shù)研發(fā)方面的彈藥將更加充足,有利于進一步實現(xiàn)技術(shù)突破。
當(dāng)前,中國正在加速推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化,也包括化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。歐美和日韓企業(yè)在化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢,國內(nèi)廠商正在奮起直追,各大企業(yè)通過IPO上市有助于壯大國內(nèi)產(chǎn)業(yè)整體實力,進而推動化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化率不斷提升。
國內(nèi)企業(yè)沖刺港交所
縱觀這17家申請IPO的企業(yè),有13家企業(yè)沖刺A股上市,其中,天岳先進(已于2022年在A股上市)、天域半導(dǎo)體、英諾賽科三家企業(yè)的上市目的地為港交所(H股),這3家企業(yè)另辟蹊徑選擇發(fā)力港交所。
國內(nèi)三家化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)為何紛紛選擇赴港上市?
2024年,“嚴監(jiān)管”是國內(nèi)資本市場熱點話題之一。新“國九條”提出嚴把發(fā)行上市準(zhǔn)入關(guān),相關(guān)配套制度已陸續(xù)推出。其中,在IPO新規(guī)方面,主板、創(chuàng)業(yè)板上市門檻提高,科創(chuàng)板科創(chuàng)屬性評價標(biāo)準(zhǔn)也進一步完善,IPO政策進一步收緊,意味著企業(yè)上市的難度加大。
天岳先進早已實現(xiàn)A股上市,其選擇港股上市能夠吸引部分國際投資者,從而在一定程度上增強企業(yè)的全球影響力;同時,A+H上市模式增加了企業(yè)融資渠道,公司可以在A股和港股兩個市場同時融資,更好地滿足研發(fā)創(chuàng)新和市場拓展的資金需求。
對于天域半導(dǎo)體、英諾賽科而言,A股IPO上市收緊并且IPO進程時間漫長,不確定性高,而這兩家廠商估值已經(jīng)較高并且國內(nèi)融資市場環(huán)境低迷,選擇港股上市難度相對較小,同時可以為后續(xù)業(yè)績改善后回歸A股提供助力。
隨著監(jiān)管部門對A股IPO全鏈條從嚴監(jiān)管,選擇門檻相對較低的港股或許為企業(yè)上市提供了一個新的選擇。
結(jié)語
未來幾年受終端應(yīng)用需求增長驅(qū)動,全球碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)上行的趨勢是明朗的,TrendForce集邦咨詢研究報告顯示,碳化硅/氮化鎵功率器件市場規(guī)模呈持續(xù)增長態(tài)勢。但在增長的同時也將伴隨著激烈的競爭,各大廠商通過完成IPO上市,都將在融資、提升品牌影響力等方面獲得一定利好,最終轉(zhuǎn)化為改善業(yè)績的動力。
在部分化合物半導(dǎo)體相關(guān)廠商A股IPO終止的情況下,部分企業(yè)赴港上市成功的利好消息有助于提振其他廠商IPO的信心,未來或?qū)⒂懈嗵蓟?氮化鎵相關(guān)廠商進軍港股,推動企業(yè)及行業(yè)進一步發(fā)展。
A股嚴把IPO入口關(guān),是為從源頭上提高上市公司質(zhì)量,推動資本市場高質(zhì)量發(fā)展。值得一提的是,4月19日晚間,證監(jiān)會還發(fā)布了《資本市場服務(wù)科技企業(yè)高水平發(fā)展的十六項措施》。該文件從上市融資、并購重組、債券發(fā)行、私募投資等多方面為科技型企業(yè)提供精準(zhǔn)支持。
盡管新“國九條”收緊了IPO政策,準(zhǔn)入門檻提高了,但企業(yè)上市的價值也更高了。2024年下半年,仍然有不少化合物半導(dǎo)體廠商啟動A股IPO,表明部分企業(yè)對A股的熱情仍然較高。2025年的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)IPO進展幾何,讓我們拭目以待。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)
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]]>source:中國電科48所
據(jù)介紹,立式氧化爐是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成電路制造關(guān)鍵工藝設(shè)備,主要用于高溫氧化及退火工藝。
據(jù)悉,氧化退火對于碳化硅功率器件制造至關(guān)重要。首先,氧化退火處理能夠優(yōu)化碳化硅表面的氧化層結(jié)構(gòu),形成均勻、高質(zhì)量的SiO?柵氧化層。這有助于提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲,從而提高器件的性能和可靠性。
其次,通過氧化退火,可以填補晶格缺陷,降低殘余應(yīng)力,提高氧化物和晶體的結(jié)合質(zhì)量,改善電學(xué)性能?,這對于提高碳化硅功率器件的整體性能和穩(wěn)定性具有重要意義。
此外,在高溫下,碳化硅晶體中的原子會發(fā)生移動,減少晶格缺陷,從而提高其熱穩(wěn)定性和熱傳導(dǎo)性能。氧化退火還能減少氧化物含量,進一步增強其耐熱性能。
目前,國內(nèi)已有部分設(shè)備廠商涉足碳化硅氧化爐細分市場,除中國電科48所外,還有北方華創(chuàng)、拉普拉斯等企業(yè)。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>source:珠海建安
據(jù)悉,由華芯微電子主導(dǎo)的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目是廣東省重點項目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項目,格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。
該項目于2023年7月正式開工建設(shè)。2024年8月,華芯微電子將首批設(shè)備移入園區(qū)。同年11月,華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通,并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓,預(yù)計將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
據(jù)介紹,該晶圓具備高增益、高效能的特性,可應(yīng)用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設(shè)備。
資料顯示,華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立,是華芯(珠海)半導(dǎo)體有限公司全資子公司,專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù),面向手機、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達等高中低頻射頻應(yīng)用終端市場。
格力集團此前消息顯示,2023年3月,格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體,助力華芯珠海核心團隊完成數(shù)億元融資,推動華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項目落戶珠海,并在珠海投資建設(shè)產(chǎn)能達1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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