英諾賽科最新業(yè)績出爐，車規(guī)級氮化鎵交付量增長986.7%

近日，氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科發(fā)布公告稱，2024年公司營業(yè)收入為人民幣8.28億元，同比增長39.8%。毛利率持續(xù)大幅改善，毛損率由2023的-61.6%，縮減至2024年的-19.5%，提升42.1個百分點(diǎn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

海外市場英諾賽科增勢迅猛，報告期內(nèi)實現(xiàn)1.26億元營收，同比增長118.1%。據(jù)悉，英諾賽科已與歐美多個傳統(tǒng)功率芯片大廠展開戰(zhàn)略合作，共同推動氮化鎵芯片大規(guī)模應(yīng)用，完善氮化鎵系統(tǒng)生態(tài)。

終端應(yīng)用領(lǐng)域，報告期內(nèi)，英諾賽科在消費(fèi)電子、新能源汽車、AI與人行機(jī)器人等均有亮眼表現(xiàn)。

英諾賽科產(chǎn)品在消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域占比持續(xù)增長，收入同比增長48%。在新能源汽車、AI以及人形機(jī)器人領(lǐng)域取得重大突破：車規(guī)級芯片交付數(shù)量同比增長986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付數(shù)量同比增長669.8%。

在人形機(jī)器人方面，推出150V/100V全系列氮化鎵產(chǎn)品，覆蓋關(guān)節(jié)及靈巧手電機(jī)驅(qū)動、智慧電源轉(zhuǎn)換及電池管等各類應(yīng)用，其中100W關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)。

展望2025年，英諾賽科將繼續(xù)完善氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域的布局，提高市場滲透率；同時開展全球戰(zhàn)略合作；提升產(chǎn)能、優(yōu)化工藝。未來，英諾賽科也將繼續(xù)優(yōu)化供應(yīng)鏈、持續(xù)降本增效。

馬自達(dá)與羅姆聯(lián)合開發(fā)車規(guī)GaN組件

近日，馬自達(dá)與羅姆宣布聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體技術(shù)——氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的汽車零部件。

source：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

據(jù)悉，兩家公司2022年起，在“針對電驅(qū)動單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進(jìn)搭載碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的逆變器的聯(lián)合開發(fā)。此次，雙方著手開發(fā)采用GaN功率半導(dǎo)體的汽車零部件，旨在為下一代電動汽車打造創(chuàng)新型汽車零部件。

與傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體相比，氮化鎵不僅能夠抑制功率轉(zhuǎn)換過程中的損耗，還可高頻驅(qū)動，有助于實現(xiàn)產(chǎn)品的小型化。

馬自達(dá)與羅姆將利用氮化鎵的上述特點(diǎn)，將氮化鎵轉(zhuǎn)化為整車的總布置、輕量化及設(shè)計方面的創(chuàng)新型解決方案。該方案有望于2025年實現(xiàn)概念落地， 并通過Demo車進(jìn)行試驗，雙方力爭在2027年度投入實際應(yīng)用。

羅姆透露，在GaN的開發(fā)與量產(chǎn)方面，公司已與眾多合作伙伴建立了多樣化的合作關(guān)系。此次與馬自達(dá)合作，將能夠從應(yīng)用和終端產(chǎn)品開發(fā)的角度深入了解對GaN產(chǎn)品的需求，從而為推動GaN功率半導(dǎo)體的普及，進(jìn)而為創(chuàng)造可持續(xù)出行的未來社會做出貢獻(xiàn)。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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source：天岳先進(jìn)2024年度報告

天岳先進(jìn)表示，2024年公司立足全球市場，全面提升核心產(chǎn)品的產(chǎn)能產(chǎn)量。全年濟(jì)南工廠的產(chǎn)能產(chǎn)量穩(wěn)步推進(jìn)。上海工廠已于年中提前達(dá)到年產(chǎn)30萬片導(dǎo)電型襯底的產(chǎn)能規(guī)劃，同時公司將繼續(xù)推進(jìn)二階段產(chǎn)能提升規(guī)劃。2024年，碳化硅襯底產(chǎn)量41.02萬片，較2023年增長56.56%。受益于產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長，公司規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，成本逐步優(yōu)化，推動產(chǎn)品毛利達(dá)到32.92%，相較去年同期增加15.39個百分點(diǎn)。

展望未來，天岳先進(jìn)將依托在產(chǎn)能布局、技術(shù)沉淀以及所處行業(yè)等多方面所具備的領(lǐng)先優(yōu)勢，持續(xù)提升公司產(chǎn)品品質(zhì)及產(chǎn)能規(guī)模，進(jìn)而實現(xiàn)公司整體盈利能力的向上發(fā)展。

天岳先進(jìn)專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。在近日召開的Semicon China 2025展會上，該公司全方位展示了6/8/12英寸全系列碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣，包括12英寸半絕緣型，12英寸N型，12英寸P型碳化硅襯底。

今年2月，天岳先進(jìn)在港交所遞交招股書，擬在香港主板上市。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉參觀兩款首次于國內(nèi)進(jìn)行實體展示的晶圓

01材料革新與系統(tǒng)重構(gòu)：英飛凌定義能效新范式

作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌科技通過在氮化鎵（GaN）、機(jī)器人及人工智能領(lǐng)域的深度布局，持續(xù)展現(xiàn)出強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新能力與市場競爭力。

在此次峰會中，英飛凌重點(diǎn)發(fā)布的四大創(chuàng)新產(chǎn)品矩陣尤為矚目：

PSOC Control C3 MCU：實現(xiàn)電機(jī)和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的實時控制?；贏rm? Cortex?-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列產(chǎn)品，具有實時控制功能和差異化控制外圍元件，頻率最高可達(dá)180MHz。在ModusToolbox系統(tǒng)設(shè)計工具和軟件的支持下，這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率、高可靠性且安全的電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。無論是在家用電器、智能家居，還是在光伏逆變器等應(yīng)用中，PSOC Control C3都能提供卓越的性能和可靠性。

新一代中壓CoolGaN半導(dǎo)體器件：具備出色的性能、更高的功率密度和高可靠性，可以將系統(tǒng)效率提升至96%，同時有助于降低能耗與運(yùn)營成本。該系列半導(dǎo)體器件能夠助力中壓電機(jī)系統(tǒng)實現(xiàn)更小的尺寸，為電信和數(shù)據(jù)中心提供更高的效率，在音頻應(yīng)用中實現(xiàn)更高的功率密度、更輕量級的系統(tǒng)和更佳的音頻性能。

CoolMOS 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET：提供了全新的“一體化”超級結(jié)（SJ）技術(shù)，產(chǎn)品系列覆蓋了從低功率到高功率的所有消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用。作為寬禁帶半導(dǎo)體的高性價比替代方案之一，能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的功率密度，同時確保器件的可靠性。CoolMOS 8可以輕松替換CoolMOS 7，集成了快速二極管，可提供600V和650V兩種電壓等級，其中650V特別提供了額外的50V緩沖，用于滿足數(shù)據(jù)中心和電信領(lǐng)域?qū)涣鬏斎腚妷旱奶囟ㄒ蟆?/p>

XDP數(shù)字電源（DigitalPower）：包括XDP XDPP1140/48數(shù)字控制器和3kW DR-HSC 12V-48V穩(wěn)壓IBC，均能夠?qū)崿F(xiàn)效率與功率密度的雙提升，展示出在系統(tǒng)設(shè)計與可靠性層面的雙重優(yōu)勢，使用靈活，同時又能夠優(yōu)化成本。

同時，英飛凌還于近期推出了新一代高密度功率模塊，即OptiMOSTDM2454xx四相功率模塊也在國內(nèi)首次亮相。而在大會的主題展區(qū)，英飛凌還展示了雙足機(jī)器人、具身智能人形機(jī)器人“五指靈巧手”、IoT智能小車、8kW高效高密AI數(shù)據(jù)中心電源模塊、用于數(shù)據(jù)中心和人工智能訓(xùn)練模型的12kW PSU等展品。

ICIC 2025主題展區(qū)吸引了大量與會者參觀體驗

總體來看，在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域，該公司不僅實現(xiàn)了300mm GaN功率半導(dǎo)體晶圓的量產(chǎn)突破，其新一代中壓CoolGaN器件更將系統(tǒng)效率提升至96%，顯著降低數(shù)據(jù)中心、電信及家電領(lǐng)域的能耗和成本。與此同時，英飛凌在硅基半導(dǎo)體領(lǐng)域也持續(xù)突破創(chuàng)新，推出的20μm超薄硅晶圓技術(shù)助于大幅提高功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性。

在機(jī)器人領(lǐng)域，英飛凌提供從電源產(chǎn)品、傳感器、微控制器、連接芯片到電機(jī)驅(qū)動的全棧解決方案，通過模塊化設(shè)計加速產(chǎn)品上市周期，推動機(jī)器人領(lǐng)域的創(chuàng)新。其展示的”五指靈巧手”具身智能系統(tǒng)與雙足機(jī)器人技術(shù)，展現(xiàn)了在人機(jī)協(xié)作與智能制造等智能機(jī)器人應(yīng)用場景中的前沿探索。
針對人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的高能效需求，英飛凌全面構(gòu)建了硅、碳化硅與氮化鎵協(xié)同共進(jìn)的混合技術(shù)矩陣，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供高效電源解決方案。特別值得一提的是，英飛凌推出的12kW PSU電源模塊可用于數(shù)據(jù)中心及支持AI訓(xùn)練模型部署。得益于AI浪潮的推動，預(yù)計2025財年，英飛凌AI業(yè)務(wù)營收將突破6億歐元，2027年有望突破10億歐元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉在ICIC 2025上發(fā)表主題演講

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉強(qiáng)調(diào)，英飛凌正通過覆蓋”電網(wǎng)-核心-邊緣-用戶”的全鏈路能效解決方案，為AI、機(jī)器人及家電行業(yè)提供更環(huán)保、更高效、更智能的技術(shù)解決方案，賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用場景的擴(kuò)維升級，特別是其邊緣AI方案結(jié)合安全芯片和連接產(chǎn)品的組合，已在IoT智能小車等場景實現(xiàn)落地應(yīng)用。

02英飛凌加速布局機(jī)器人產(chǎn)業(yè)：從核心器件到生態(tài)協(xié)同

英飛凌將機(jī)器人視為未來有高增長潛力的核心賽道，其布局貫穿“以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)-涵蓋感知、連接、人機(jī)交互等核心環(huán)節(jié)的全面半導(dǎo)體產(chǎn)品組合-系統(tǒng)級解決方案”全鏈條。

氮化鎵正驅(qū)動著機(jī)器人走向輕量化革命，據(jù)英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“在機(jī)器人關(guān)節(jié)中，將氮化鎵技術(shù)用于電機(jī)驅(qū)動可將系統(tǒng)的體積縮小、重量降低，并顯著提升電池的續(xù)航能力?！?這一點(diǎn)在業(yè)界的相關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)中也可以窺見一斑，數(shù)據(jù)顯示，以人形機(jī)器人為例，若搭載30個采用氮化鎵技術(shù)的關(guān)節(jié)，其總重量可減少20kg，充電周期延長50%。

此外，英飛凌的創(chuàng)新技術(shù)和全棧解決方案正賦能機(jī)器人走向智能化、高效化和輕量化。英飛凌提供從MEMS傳感器、到支持實時決策的MCU，再到連接芯片和安全芯片的完整方案。在雙足機(jī)器人中，基于CoolGaN的驅(qū)動系統(tǒng)使動態(tài)響應(yīng)速度提升25-50%。

目前，英飛凌正與本土伙伴聯(lián)合開發(fā)專用方案，如為某頭部企業(yè)定制的模塊化關(guān)節(jié)控制器，集成驅(qū)動、傳感與安全功能，成本降低20%。其技術(shù)團(tuán)隊深度參與客戶設(shè)計，提供從器件選型到系統(tǒng)優(yōu)化的全流程支持。

03英飛凌深耕中國：本土化戰(zhàn)略的四維進(jìn)階

作為深耕中國市場30年的領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)，英飛凌將繼續(xù)持續(xù)堅持“在中國、為中國”為本土化戰(zhàn)略，深化覆蓋運(yùn)營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)的立體化本土布局。

在此次ICIC 2025大會上，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“2025年是英飛凌在華30周年。在30年行業(yè)深耕的基礎(chǔ)之上，英飛凌將深入推進(jìn)本土化戰(zhàn)略，圍繞‘運(yùn)營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)’等方面，持續(xù)為客戶增加價值，推動在華業(yè)務(wù)的長期、穩(wěn)健、可持續(xù)發(fā)展?！?/p>

對于英飛凌消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)在本土的發(fā)展，他圍繞“從電網(wǎng)到核心，驅(qū)動AI算力”、“從云到端，賦能AI生態(tài)”、“從首到足，加速機(jī)器人發(fā)展”系統(tǒng)介紹了英飛凌的市場策略及優(yōu)勢，表示將以機(jī)器人、AI數(shù)據(jù)中心和邊緣計算等市場為主要驅(qū)動力，依托領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)和本土應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)賦能客戶的價值創(chuàng)造，推動各種應(yīng)用場景落地，引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

談及本土化生產(chǎn)，英飛凌表示將擴(kuò)大MCUs、MOSFETs等通用半導(dǎo)體產(chǎn)品的本地化生產(chǎn)制造。潘大偉指出，這兩款器件作為通用的半導(dǎo)體產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源、汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，市場需求穩(wěn)定且規(guī)模龐大。通過優(yōu)先擴(kuò)大此類通用半導(dǎo)體器件的本地化生產(chǎn)，既能快速響應(yīng)本土客戶需求，增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性，又能為后續(xù)探討更復(fù)雜產(chǎn)品（如汽車高壓模塊、傳感器等）的本地化生產(chǎn)積累經(jīng)驗。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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1、新凱來展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！

SEMICON China 2025展會期間，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備新銳創(chuàng)企新凱來“首秀”，引發(fā)現(xiàn)場極大關(guān)注。新凱來展出了工藝裝備、量檢測裝備等全系列產(chǎn)品，并發(fā)布了五款新品，涉及先進(jìn)制程、第三代半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域。

五款新品分別是：

EPI（峨眉山）：專攻先進(jìn)制程及第三代半導(dǎo)體。
ALD（阿里山）：支持5nm及更先進(jìn)制程。
PVD（普陀山）：金屬鍍膜精度微米級，已進(jìn)入國內(nèi)晶圓代工大廠驗證階段。
ETCH（武夷山）：聚焦第三代半導(dǎo)體刻蝕。
CVD（長白山）：適配5nm，兼容多種制程節(jié)點(diǎn)。

據(jù)悉，EPI外延層是半導(dǎo)體制造中的重要技術(shù)，尤其是在先進(jìn)制程和第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。ETCH蝕刻是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一道相當(dāng)重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝，目前主要由國際巨頭主導(dǎo)；CVD化學(xué)氣相沉積是半導(dǎo)體制造中需求量最大的設(shè)備之一，PVD物理氣相沉積、ALD原子層沉積等都是半導(dǎo)體制造工藝當(dāng)中非常重要的高端設(shè)備。

資料顯示，新凱來致力于半導(dǎo)體裝備及零部件、電子制造設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與服務(wù)，該公司核心團(tuán)隊具備20年以上電子設(shè)備技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗。近年，新凱來完成了全系列裝備開發(fā)，初步滿足邏輯、存儲等半導(dǎo)體制造企業(yè)的需求。截至2024年底，大部分裝備已經(jīng)取得突破，開始驗證和應(yīng)用。

2、電科裝備大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案亮相

SEMICON China 2025期間，媒體聚焦電科裝備最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案進(jìn)行報道。

電科裝備經(jīng)過多年發(fā)展，電科裝備培育了晶錠減薄設(shè)備、激光剝離設(shè)備、晶片減薄設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等明星產(chǎn)品，形成8至12英寸碳化硅材料加工智能解決方案。

報道指出，該公司最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案采用最新激光剝離工藝進(jìn)行晶體切片，相較于傳統(tǒng)加工產(chǎn)線采用的多線切割晶體切片技術(shù)，激光剝離設(shè)備可以使激光聚焦在碳化硅晶體內(nèi)部誘導(dǎo)產(chǎn)生一層裂紋，從而避免了傳統(tǒng)多線切割造成的切割線損，平均每片切割研磨損耗僅為原來的40%左右，顯著降低加工成本。

目前該解決方案已獲得市場積極反饋，進(jìn)入用戶產(chǎn)線開展試驗驗證，并與多家頭部企業(yè)達(dá)成意向合作。

3、高測股份展示碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案

高測股份首次亮相該展會，帶來了公司聚焦晶圓加工制造環(huán)節(jié)，全面迭代布局的8英寸碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案。

在切割環(huán)節(jié)，高測股份2018年、2021年，先后推出針對半導(dǎo)體硅、碳化硅切割的金剛線切片專機(jī)，通過持續(xù)優(yōu)化切割工藝和參數(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)對不同尺寸、不同材質(zhì)晶圓的高精度切割，不斷提升線切的切割效率、切片質(zhì)量，降低材料損耗。

在倒角環(huán)節(jié)，高測股份2024年推出全自動晶圓倒角機(jī)，采用獨(dú)特的雙工位獨(dú)立研磨設(shè)計，適用于4寸、6寸、8寸半導(dǎo)體晶圓材料的邊緣倒角加工。

source：高測股份

在研磨環(huán)節(jié)，高測股份全自動減薄機(jī)采用In-feed加工原理，通過砂輪旋轉(zhuǎn)及垂直進(jìn)給對旋轉(zhuǎn)的晶圓進(jìn)行磨削加工，實現(xiàn)高精度、高剛性、高穩(wěn)定性、高效加工能力、低損傷加工，全面兼容6-8英寸晶圓磨削加工，表面粗糙度控制在3nm以下，滿足高端芯片制造對晶圓表面質(zhì)量的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

在第三代半導(dǎo)體材料加工需求激增的背景下，針對市場對工藝整合與效率提升愈發(fā)迫切的訴求，高測股份“切、倒、磨”一體化方案全流程緊密銜接，從切割設(shè)備的高效切割，到倒角設(shè)備對晶圓邊緣的精細(xì)處理，再到減薄設(shè)備對晶圓表面的打磨拋光，實現(xiàn)了從原材料到成品的一站式加工。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

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該創(chuàng)新成果通過革命性散熱架構(gòu)設(shè)計，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基方案的四分之一、碳化硅基方案的二分之一。極大改善了無線通信中高頻半導(dǎo)體GaN晶體管的散熱性能，從而提升了其工作頻率和輸出能力。

source：住友電工

隨著無線通信需求的不斷增長，對于GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）的要求也越來越高，尤其是對其頻率和輸出功率的需求。然而，設(shè)備的自發(fā)熱問題限制了其輸出，進(jìn)而影響了信號傳輸，降低了通信性能和可靠性。

為了解決這一問題，大阪公立大學(xué)通過利用金剛石的高熱導(dǎo)率，成功提升了GaN HEMT的散熱特性。

一般來說，GaN HEMT通常使用硅（Si）或碳化硅（SiC）作為襯底。然而，由于金剛石的熱導(dǎo)率極高（是硅的12倍，碳化硅的4-6倍），金剛石作為襯底可以將熱阻分別降低至1/4和1/2。不過，多晶金剛石由于晶粒較大且表面粗糙度較差，難以直接與GaN層結(jié)合。住友電工采用了先進(jìn)的金剛石襯底拋光技術(shù)，將表面粗糙度降低至傳統(tǒng)技術(shù)的一半，并結(jié)合大阪公立大學(xué)的技術(shù)成功將GaN層從硅襯底轉(zhuǎn)移到多晶金剛石上。

這項技術(shù)的成功驗證了GaN結(jié)構(gòu)在多晶金剛石上的可行性，并進(jìn)一步提升了散熱特性的一致性。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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其中，優(yōu)睿譜新一輪融資由合肥產(chǎn)投獨(dú)家投資，該公司是一家半導(dǎo)體前道量測設(shè)備研發(fā)商，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測設(shè)備。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，優(yōu)睿譜SICD200設(shè)備已成功交付客戶，這是一款碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢測的全自動設(shè)備，可兼容6&8吋SiC 襯底位錯和微管缺陷檢測。優(yōu)睿譜FTIR設(shè)備Eos200Lite已獲得多家頭部碳化硅基外延廠訂單，主要用于測量外延片外延層的厚度和均勻性。

科瑞爾科技宣布完成數(shù)千萬元A+輪融資，由浙江創(chuàng)投（浙創(chuàng)投）領(lǐng)投。此次融資將用于產(chǎn)品研發(fā)與運(yùn)營資金補(bǔ)充。

據(jù)悉，科瑞爾具備IGBT封裝測試整線自動化解決方案設(shè)計能力，同時自主研發(fā)中高功率IGBT/SiC模塊封裝的關(guān)鍵設(shè)備，包括高精度貼片機(jī)、SiC倒裝貼合設(shè)備等十幾種核心設(shè)備。

近日，“金投致源”官微宣布，他們完成了對芯湛半導(dǎo)體的投資。此次融資旨在推動芯湛的產(chǎn)品性能升級、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場拓展，助力其在晶圓減薄機(jī)領(lǐng)域的技術(shù)突破與國產(chǎn)替代進(jìn)程。

芯湛半導(dǎo)體產(chǎn)品包括全自動和半自動晶圓減薄機(jī)及其配套輔助設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造與封裝測試環(huán)節(jié)。目前，該公司已成功交付多臺設(shè)備，獲得國內(nèi)半導(dǎo)體IDM廠、碳化硅襯底片生產(chǎn)廠商、砂輪廠家等代表性客戶訂單。

source：金投致源

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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這些專利成果聚焦于材料制備、器件制造以及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，有望推動相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，提升產(chǎn)業(yè)競爭力。

1、材料制備革新

3 月 24 日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都天一晶能半導(dǎo)體有限公司取得 “一種新型碳化硅籽晶粘接用炭化爐” 的專利（授權(quán)公告號 CN 222648188 U，申請日期為 2024 年 6 月）。該實用新型公開的炭化爐，通過在支撐座內(nèi)置加熱機(jī)構(gòu)和測溫機(jī)構(gòu)精確控制燒結(jié)溫度，利用上隔熱屏與下隔熱屏降低樣品加熱區(qū)域熱量損失和罩體過熱等問題，有效提高了溫度控制和壓力控制的精度。這對于提升碳化硅籽晶粘接質(zhì)量，進(jìn)而保障碳化硅材料的生產(chǎn)質(zhì)量具有重要意義。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

3月20日，江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種碳化硅晶體的生長工藝及應(yīng)用”的專利（公開號CN 119640393 A，申請日期為2024年12月）。專利摘要顯示，該發(fā)明采用石墨隔板將坩堝內(nèi)部分隔為7個裝料區(qū)域，裝填特定粒徑的碳化硅粉料，再用PVT法進(jìn)行碳化硅晶體的生長 。通過優(yōu)化裝料工藝，可提升粉料在生長過程中升華氣體的均勻性和利用率，有助于爐內(nèi)溫場的穩(wěn)定，降低晶體相變發(fā)生的概率，減少晶體缺陷，從而提升晶體質(zhì)量。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

3月24日，九峰山實驗室科研團(tuán)隊取得重大突破，成功在全球范圍內(nèi)首次實現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。這一成果打破國際技術(shù)壟斷，采用硅基襯底，兼容8英寸主流半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)備，集成硅基CMOS工藝，降低生產(chǎn)成本。材料性能顯著提升，兼具高電子遷移率和優(yōu)異的可靠性，鍵合界面良率超過99%，為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化奠定基礎(chǔ)。氮極性氮化鎵材料在高頻段表現(xiàn)出色，適用于5G/6G通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域，未來有望推動多個高科技領(lǐng)域發(fā)展。

source：九峰山實驗室

2、器件制造優(yōu)化

3 月 22 日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息表明，福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司申請了 “一種大尺寸硅基的氮化鎵外延器件及生長方法” 的專利（公開號 CN 119653841 A，申請日期為 2024 年 12 月）。通過設(shè)置應(yīng)力釋放層，該發(fā)明可緩解緩沖層過厚產(chǎn)生的過高應(yīng)力，制作更厚緩沖層提升器件耐壓能力，同時使緩沖層缺陷和位錯湮滅，提升結(jié)晶質(zhì)量，得到更平整器件表面利于芯片制作。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

3 月 22 日，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請 “一種氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件” 的專利（公開號 CN 119651346 A，申請日期為 2024 年 12 月）。該發(fā)明通過在特定結(jié)構(gòu)中設(shè)置電流誘導(dǎo)自旋極化層，利用菲利普電離度特性，使激光器在注入電流時產(chǎn)生自旋極化效應(yīng)，中和內(nèi)部極化場，減少量子限制 stark 效應(yīng)，降低電子泄漏和載流子去局域化，提升峰值增益和光功率。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

比亞迪集團(tuán)執(zhí)行副總裁廉玉波于 3 月 17 日正式宣布，比亞迪自主研發(fā)的全新一代 1500V 車規(guī)級碳化硅（SiC）功率芯片誕生，這是行業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用的最高電壓等級車規(guī)級 SiC 功率芯片。該芯片是比亞迪超級 e 平臺的核心組成部分，支持兆瓦級快速充電，配合全域千伏高壓架構(gòu)，可實現(xiàn) “油電同速” 的超快充體驗，如漢 L 車型能達(dá)到充電 5 分鐘續(xù)航 400 公里。此芯片的研發(fā)成功，體現(xiàn)了比亞迪在碳化硅功率芯片領(lǐng)域的技術(shù)實力，也為新能源汽車的性能提升提供了關(guān)鍵支撐。

source：比亞迪

3、應(yīng)用拓展提效

3 月 21 日，浙江綠源電動車有限公司取得 “一種集成充電和逆變雙向電源的氮化鎵充電器散熱結(jié)構(gòu)” 的專利（授權(quán)公告號 CN 222638962 U，申請日期為 2024 年 6 月）。通過將氮化鎵電路板組件安裝在充電器散熱框架的散熱空間內(nèi)，有效提升了氮化鎵充電器的散熱性能。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司于2025年3月取得一項名為“一種前驅(qū)體封裝容器及氣相沉積系統(tǒng)”的專利，授權(quán)公告號CN 222648108 U，申請日期為2024年6月。專利摘要顯示，該前驅(qū)體封裝容器包括第一腔體，第二腔體，緩沖腔體，通斷控制組件和充抽組件。該專利的設(shè)計能夠有效延長封裝容器的使用時限，對于提高生產(chǎn)效率、降低成本具有重要意義。

source：國家知識產(chǎn)權(quán)局

4、結(jié)語

碳化硅和氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，在電動汽車、5G通訊、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。此次一系列專利突破，將有助于解決行業(yè)長期面臨的材料制備難題，推動相關(guān)產(chǎn)品性能提升和成本下降，加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，隨著這些專利技術(shù)的逐步落地應(yīng)用，碳化硅和氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)將迎來新的發(fā)展機(jī)遇，有望帶動整個半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)升級和產(chǎn)業(yè)變革，為經(jīng)濟(jì)社會的高質(zhì)量發(fā)展提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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1、西湖儀器率先實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

3月26日消息，西湖儀器近日成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。

此前，西湖儀器已推出“8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底激光剝離設(shè)備”，并于今年1月榮獲“國內(nèi)首臺（套）裝備”認(rèn)定。

碳化硅領(lǐng)域，襯底材料成本占據(jù)整體成本的比例居高不下，阻礙了碳化硅器件大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化推廣。西湖儀器指出，降本增效的重要途徑之一是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。

與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸襯底材料能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本。

source：西湖儀器

國內(nèi)碳化硅頭部企業(yè)去年已披露了最新一代12英寸碳化硅襯底，這也帶來了12英寸以上的超大尺寸碳化硅襯底切片需求。

為此，西湖儀器推出了“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)”，率先解決了12英寸及更大尺寸的碳化硅襯底“切片”難題，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對碳化硅晶錠的精準(zhǔn)定位、均勻加工、連續(xù)剝離，具有自動化、低損耗與高效率等優(yōu)勢。

2、天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海

在3月25日于上海舉辦的亞洲化合物半導(dǎo)體大會上，天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品登場，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底。其中，12英寸高純碳化硅襯底、12英寸P型碳化硅襯底為全球首展。

source：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司

天岳先進(jìn)在會上分享了超大尺寸襯底量產(chǎn)經(jīng)驗、液相法制備工藝等前沿成果，與全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游共議碳化硅技術(shù)趨勢。

12英寸產(chǎn)品，在產(chǎn)品面積上較8英寸持續(xù)擴(kuò)大，單片晶圓芯片產(chǎn)出量躍升2.5倍，尺寸擴(kuò)大有效降低單位成本，是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。天岳先進(jìn)認(rèn)為，碳化硅行業(yè)已經(jīng)正式邁入”12英寸時代”，2025年將是大尺寸技術(shù)突破元年。

應(yīng)用領(lǐng)域方面，天岳先進(jìn)表示碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)裂變也將助力新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、5G基站等多種高壓應(yīng)用場景，催生AR眼鏡、衛(wèi)星通信及低空經(jīng)濟(jì)等多重新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，助力萬物互聯(lián)時代的算力革命。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

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根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將在陽新設(shè)立全資子公司，重點(diǎn)布局三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)制造，涵蓋MPCVD金剛石長晶設(shè)備、碳化硅長晶系統(tǒng)及12英寸大直徑直拉式硅片長晶設(shè)備等領(lǐng)域。

項目達(dá)產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)MPCVD設(shè)備100臺、碳化硅設(shè)備10臺、大硅片設(shè)備5臺的產(chǎn)能規(guī)模，預(yù)計實現(xiàn)年產(chǎn)值2億元，為陽新構(gòu)建現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系注入核心動能。

卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將依托自身在第三代半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域的專利集群優(yōu)勢和自主可控技術(shù)體系，助力陽新打造長江中游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。

此次簽約不僅是陽新布局戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵落子，更標(biāo)志著該縣在對接長三角產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、融入雙循環(huán)新發(fā)展格局中取得重大突破。 項目建成后，將有效填補(bǔ)中部地區(qū)半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域空白，為陽新建設(shè)新型工業(yè)化示范區(qū)提供硬核支撐，加速實現(xiàn)從傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向智能制造的轉(zhuǎn)型升級。 （集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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其中，日本瑞薩電子（Renesas Electronics）調(diào)降稼動率（產(chǎn)能利用率），上季（2024年10-12月）稼動率降至3成左右。而瑞薩原先計劃在2025年初期利用甲府工廠量產(chǎn)功率半導(dǎo)體，不過該量產(chǎn)計劃也已延期。

全球電動汽車市場成長放緩，各家功率半導(dǎo)體廠庫存增加，上季日美歐7大廠的平均庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為99天，較去年同期增加18%。

中國廠商崛起也是原因之一，據(jù)悉， 比亞迪電動汽車用功率半導(dǎo)體工廠在2024年初全面投產(chǎn)。報道指出，比亞迪此前是向瑞薩等廠商采購，日本廠商表示，和中國廠商之間的性能差異，在數(shù)年前就沒了。 SEMI Japna的青木慎一表示，「中國功率半導(dǎo)體已能夠穩(wěn)定生產(chǎn)、進(jìn)入回收投資的階段」。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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