廣東致能團(tuán)隊(duì)全球首創(chuàng)在硅襯底上實(shí)現(xiàn)垂直GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)及垂直二維電子氣溝道（2DEG）的直接外延生長(zhǎng)，通過(guò)精準(zhǔn)工藝調(diào)控，制備出低位錯(cuò)密度的氮化鎵鰭狀結(jié)構(gòu)，該方法具備極高的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)自由度。

基于這一創(chuàng)新平臺(tái)，團(tuán)隊(duì)成功研制出全球首個(gè)具有垂直2DEG溝道的常開(kāi)型器件（D-mode VHEMT）及閾值電壓可調(diào)的常關(guān)型器件（E-mode VHEMT）。在工藝集成方面，通過(guò)源/柵電極選擇性刻蝕及硅襯底完全去除工藝，實(shí)現(xiàn)了全垂直電極結(jié)構(gòu)布局，可顯著提升器件散熱效率。該創(chuàng)新技術(shù)在先進(jìn)工藝平臺(tái)加持下具備極高的量產(chǎn)可行性，同時(shí)還為器件微縮和大電流性能迭代（功率密度）提供了廣闊空間。

圖片來(lái)源：廣東致能半導(dǎo)體有限公司——圖1（左） x-SEM 結(jié)構(gòu)，圖2（右）剝離硅襯底

廣東致能展示全球首個(gè)垂直二維電子氣氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)(如圖1)，此時(shí)生長(zhǎng)用硅襯底還未被去除。圖2則是垂直氮化鎵器件晶圓，此時(shí)生長(zhǎng)用硅襯底已被去除，觀察面為原硅襯底面。

廣東致能介紹，目前廣泛應(yīng)用的氮化鎵功率器件多采用橫向結(jié)構(gòu)，但在高功率、大電流場(chǎng)景中仍面臨電場(chǎng)管理、器件微縮和散熱困難等技術(shù)瓶頸，難以充分發(fā)揮氮化鎵材料的性能優(yōu)勢(shì)。相比之下，垂直氮化鎵器件架構(gòu)可以突破橫向結(jié)構(gòu)在導(dǎo)電能力（功率密度）及散熱性能上的限制，展現(xiàn)出數(shù)量級(jí)的優(yōu)異性能和系統(tǒng)集成潛力，被認(rèn)為是推動(dòng)氮化鎵功率器件邁向更大功率的關(guān)鍵技術(shù)路徑之一。

廣東致能指出，圍繞上述垂直氮化鎵器件架構(gòu)和工藝，公司已在國(guó)內(nèi)外布局多項(xiàng)核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)，形成完整專利組合，構(gòu)筑了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)壁壘。憑借在材料外延、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝集成上的持續(xù)創(chuàng)新，垂直氮化鎵功率器件平臺(tái)有望成為下一代高性能氮化鎵功率器件的關(guān)鍵技術(shù)路徑。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：天岳先進(jìn)

天岳先進(jìn)成立于2010年，2022年上市，是一家專注于碳化硅襯底材料的高科技領(lǐng)軍企業(yè)，目前已掌握世界最大尺寸12英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)技術(shù)，客戶覆蓋博世、英飛凌等國(guó)際巨頭，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

舜宇?yuàn)W來(lái)是舜宇光學(xué)科技旗下核心子公司，2019年正式成立，專注于微納光學(xué)領(lǐng)域，作為全球晶圓級(jí)微納光學(xué)加工領(lǐng)域的代表企業(yè)，舜宇?yuàn)W來(lái)主要從事微納米結(jié)構(gòu)加工、衍射光學(xué)元件及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)制造。其業(yè)務(wù)范疇廣泛，涵蓋AR光波導(dǎo)等晶圓級(jí)微納光學(xué)產(chǎn)品。

碳化硅襯底材料優(yōu)良的物理性能已經(jīng)在以電動(dòng)汽車、綠色能源為代表的新能源領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，隨著產(chǎn)業(yè)化的不斷進(jìn)展，開(kāi)始向更多的領(lǐng)域拓展，這其中，高導(dǎo)熱、高折射率等優(yōu)勢(shì)得到光學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)注。

天岳先進(jìn)在AR/VR眼鏡領(lǐng)域也早有布局。2025年一季度，公司在AI眼鏡光學(xué)襯底領(lǐng)域持續(xù)投入，并已向多家客戶供貨。在新興領(lǐng)域，其12英寸襯底成功進(jìn)入AR眼鏡供應(yīng)鏈，與Meta等企業(yè)攜手合作開(kāi)發(fā)衍射光波導(dǎo)技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

此次雙方合作，將聚焦于SiC襯底材料在光學(xué)領(lǐng)域的深度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。通過(guò)整合天岳先進(jìn)的材料優(yōu)勢(shì)與舜宇?yuàn)W來(lái)的光學(xué)技術(shù)專長(zhǎng)，有望在多個(gè)方面取得突破。

在AR/VR設(shè)備的光學(xué)組件中，SiC襯底的引入可能會(huì)提升成像質(zhì)量、降低功耗，為用戶帶來(lái)更加沉浸式的體驗(yàn)；在高端光學(xué)鏡頭制造中，利用SiC的高穩(wěn)定性，能夠?qū)崿F(xiàn)更精密的光學(xué)設(shè)計(jì)，提高鏡頭的解析力與可靠性。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：聞泰科技公告截圖

此次管理層的“大換血”，與公司正在積極推進(jìn)的產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)重大資產(chǎn)出售和業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)深度調(diào)整密切相關(guān)，標(biāo)志著聞泰科技正堅(jiān)定地邁向“純半導(dǎo)體企業(yè)”的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型之路。

剝離ODM業(yè)務(wù)，全面聚焦半導(dǎo)體

聞泰科技此次戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的核心，在于徹底剝離其傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)業(yè)務(wù)產(chǎn)品集成（ODM）業(yè)務(wù)。聞泰科技在2025年3月20日召開(kāi)董事會(huì)和監(jiān)事會(huì)，審議通過(guò)了《關(guān)于公司重大資產(chǎn)出售方案的議案》。根據(jù)該方案，公司計(jì)劃以現(xiàn)金交易方式，向立訊精密工業(yè)股份有限公司及立訊通訊（上海）有限公司轉(zhuǎn)讓公司旗下的多家子公司股權(quán)及相關(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)包。

截至2025年7月2日，部分資產(chǎn)的交割和股權(quán)變更已順利完成。具體來(lái)看，昆明智通、深圳聞泰、黃石智通、昆明聞?dòng)嵰淹瓿晒ど套兏怯浭掷m(xù)；無(wú)錫聞泰、無(wú)錫聞?dòng)嵉南嚓P(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)包也已完成轉(zhuǎn)移。此外，印度聞泰部分業(yè)務(wù)資產(chǎn)已完成轉(zhuǎn)移，其余權(quán)屬轉(zhuǎn)移手續(xù)仍在辦理中。香港聞泰及其子公司印尼聞泰的股權(quán)交割，將在完成相關(guān)非交易范圍資產(chǎn)的剝離工作后實(shí)施。

聞泰科技已收到已交割的股權(quán)和業(yè)務(wù)資產(chǎn)包對(duì)應(yīng)款項(xiàng)，待全部交割完成后，將繼續(xù)公告具體的收款情況。

從其此前財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)看，產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)一直是聞泰科技的營(yíng)收支柱。數(shù)據(jù)顯示，該業(yè)務(wù)在2023年和2024年分別實(shí)現(xiàn)收入443.15億元和584.31億元，占公司總營(yíng)業(yè)收入的比例高達(dá)72.39%和79.39%，即便在2025年第一季度，其營(yíng)收占比仍超過(guò)七成。

然而，盡管營(yíng)收規(guī)模龐大，這項(xiàng)業(yè)務(wù)卻將公司拖入了“增收不增利”的困境。聞泰科技的財(cái)務(wù)報(bào)告揭示了這一挑戰(zhàn)。

在2021年至2023年期間，公司營(yíng)業(yè)收入從527.29億元增長(zhǎng)至612.13億元，實(shí)現(xiàn)了1.98%、10.15%和5.40%的同比增長(zhǎng)。然而，同期凈利潤(rùn)卻呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)，從26.12億元降至11.81億元，同比增速分別為8.12%、-44.16%和-19%。

進(jìn)入2024年，情況進(jìn)一步惡化。聞泰科技在2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入735.98億元，同比增長(zhǎng)20.23%，但凈利潤(rùn)卻錄得虧損28.33億元，同比大幅下降339.83%。這主要是受產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)虧損的拖累，也是公司自2016年以來(lái)首次出現(xiàn)年度虧損。

相比之下，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收雖僅有147.15億元，但毛利率高達(dá)37.52%。此外，公司在資金方面也存在較大需求。2025年4月，聞泰科技公告擬終止部分可轉(zhuǎn)債募投項(xiàng)目，并將約28.46億元的剩余募集資金永久補(bǔ)充流動(dòng)性。

在此背景下，聞泰科技選擇出售產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)，意在卸下盈利“包袱”，通過(guò)優(yōu)化財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)償債能力和現(xiàn)金流，為前景和利潤(rùn)空間更為可觀的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展提供有力保障。

半導(dǎo)體業(yè)務(wù)蓄勢(shì)，業(yè)績(jī)回暖與技術(shù)突破

聞泰科技的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主要源于2019年底對(duì)安世集團(tuán)的收購(gòu)，據(jù)悉，安世集團(tuán)在功率半導(dǎo)體行業(yè)具備較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，尤其是在功率分立器件領(lǐng)域。

剝離產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)后，聞泰科技的戰(zhàn)略重心將全面轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體領(lǐng)域，其盈利能力已顯現(xiàn)積極信號(hào)。

今年一季度聞泰科技財(cái)報(bào)顯示，營(yíng)收130.99億元，同比下降19.38%，但凈利潤(rùn)達(dá)到2.61億元，同比大幅增長(zhǎng)82.29%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入37.11億元，同比增長(zhǎng)8.40%；毛利率38.32%，同比上升超七個(gè)百分點(diǎn)；凈利潤(rùn)5.78億元，經(jīng)營(yíng)性凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)65.14%。

7月14日，聞泰科技發(fā)布2025年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)2025年上半年實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)3.9億元至5.85億元，同比增長(zhǎng)178%至317%。業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)主要得益于半導(dǎo)體板塊市場(chǎng)需求回暖、降本增效策略深化及供應(yīng)鏈優(yōu)化，業(yè)務(wù)收入和毛利率均同比提升。

圖片來(lái)源：聞泰科技公告截圖

公司已成功推出高性能車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET和碳化硅Trench MOS等產(chǎn)品，這些產(chǎn)品目前已廣泛應(yīng)用于電池儲(chǔ)能、光伏逆變器等工業(yè)場(chǎng)景。聞泰科技還計(jì)劃在德國(guó)漢堡工廠投資2億美元用于SiC等產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。2024年6月，公司宣布了約2億美元的8英寸SiC器件產(chǎn)線投資，預(yù)計(jì)將在近年內(nèi)完成建設(shè)投產(chǎn)，目前已經(jīng)完成部分設(shè)備進(jìn)場(chǎng)。

此外，聞泰科技是業(yè)內(nèi)唯一能夠同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型（Cascode）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商。其GaN FET產(chǎn)品已覆蓋40V至700V的電壓規(guī)格，并在消費(fèi)電子快充、通信基站、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付。

2025年第一季度，聞泰科技推出的級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件采用疊層結(jié)構(gòu)與級(jí)聯(lián)配置，融合650V高壓GaN HEMT H4技術(shù)和低壓硅MOSFET技術(shù)，優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)，大幅提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。此外，聞泰科技的650V氮化鎵技術(shù)已通過(guò)車規(guī)級(jí)測(cè)試。

聞泰科技也密集發(fā)布了多款第三代半導(dǎo)體及模擬芯片產(chǎn)品，持續(xù)完善其“從低壓到高壓、從功率到模擬”的全面產(chǎn)品布局。根據(jù)公司公開(kāi)資料，預(yù)計(jì)包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和IGBT?在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品，將從2025年底開(kāi)始逐步實(shí)現(xiàn)放量。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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據(jù)悉，雙方目前已經(jīng)完成了基礎(chǔ)研究，并已開(kāi)始針對(duì)實(shí)際應(yīng)用的全面研究。在基礎(chǔ)研究中，東北大學(xué)在其碳回收示范研究中心使用微波加熱硅污泥和二氧化碳合成了SiC粉末，而Resonac則致力于將SiC粉末應(yīng)用于SiC單晶襯底。

研究人員透露，如果這項(xiàng)技術(shù)成功商業(yè)化，SiC功率半導(dǎo)體不僅有助于產(chǎn)品節(jié)能，還可以減少制造過(guò)程中的二氧化碳排放、硅污泥和二氧化碳的回收，全面減少對(duì)環(huán)境的影響。

資料顯示，Resonac正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅晶圓的產(chǎn)業(yè)化。2024年9月，該公司位于山形縣東根市的“山形工廠”正式動(dòng)工新建5832m2的SiC晶圓大樓（襯底+外延），預(yù)計(jì)在2025年第三季度竣工，同年量產(chǎn)8 英寸SiC襯底 。Resonac 8英寸SiC外延片已做到與現(xiàn)有6英寸產(chǎn)品同等級(jí)品質(zhì)，樣品評(píng)估進(jìn)入商業(yè)化最后階段；同時(shí)，該公司正通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)和用料來(lái)壓縮生產(chǎn)時(shí)間、提高良率，以使8英寸的綜合成本低于6英寸。

2024年9月，Resonac與法國(guó)Soitec達(dá)成協(xié)議，將SmartSiC鍵合襯底技術(shù)引入8英寸平臺(tái)。Resonac提供單晶SiC，Soitec負(fù)責(zé)鍵合與薄膜化，有望把單片材料成本降低50%以上。

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圖片來(lái)源：士蘭微公告截圖

公告表示，士蘭微預(yù)計(jì)2025年1-6月實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為23,500萬(wàn)元到27,500萬(wàn)元，與上年同期相比，將實(shí)現(xiàn)扭虧為盈；預(yù)計(jì)2025年1-6月實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為24,000萬(wàn)元到28,000萬(wàn)元，與上年同期相比，將增加11,380.50萬(wàn)元到15,380.50萬(wàn)元，同比增加90.18%到121.88%。

士蘭微表示，2025年上半年，士蘭微持續(xù)加大對(duì)大型白電、汽車、新能源、工業(yè)、通訊和算力等高門檻市場(chǎng)的拓展力度，公司總體營(yíng)收保持了較快的增長(zhǎng)勢(shì)頭。

此外，其子公司士蘭集成5、6吋芯片生產(chǎn)線、子公司士蘭集昕8吋芯片生產(chǎn)線、重要參股企業(yè)士蘭集科12吋芯片生產(chǎn)線均保持滿負(fù)荷生產(chǎn)， 盈利水平進(jìn)一步改善。公司子公司成都士蘭（包括成都集佳）功率模塊和功率器件封裝生產(chǎn)線積極擴(kuò)大產(chǎn)出，盈利水平保持穩(wěn)定。

公開(kāi)資料顯示，士蘭微成立于1997年，總部位于杭州，2003年于上海證券交易所上市。士蘭微多年來(lái)專注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、制造和封裝，其特色工藝平臺(tái)包括高壓集成電路、功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器等，尤其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，產(chǎn)品涵蓋 IGBT、SiC MOSFET、IPM（智能功率模塊）等核心器件。

近年來(lái)，士蘭微在汽車電子、新能源等高端市場(chǎng)加速突破，車規(guī)級(jí)IGBT模塊已批量供貨比亞迪、吉利等車企，SiC產(chǎn)品進(jìn)入?yún)R川、零跑等供應(yīng)鏈，成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體替代的核心力量。

此前7月初，士蘭微宣布其8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）首臺(tái)設(shè)備提前搬入。該項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進(jìn)一步鞏固其在中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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產(chǎn)能布局與技術(shù)路線：聚焦8英寸，展望12英寸

英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張。公司計(jì)劃將當(dāng)前每月13000片的產(chǎn)能提升至2025年底的20000片。長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)是未來(lái)五年內(nèi)將月產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大至70000片。這一增長(zhǎng)得益于其8英寸晶圓制造工藝的持續(xù)成熟與超過(guò)95%的良率。

全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)技術(shù)路線的深度博弈。近期，臺(tái)積電宣布計(jì)劃在兩年內(nèi)退出GaN晶圓代工業(yè)務(wù)，其主要原因可能在于GaN代工模式的投資回報(bào)率不如預(yù)期，且市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，公司內(nèi)容調(diào)整聚焦先進(jìn)制程等。與此同時(shí)，英飛凌則高調(diào)推進(jìn)12英寸GaN晶圓樣品，并預(yù)計(jì)在2025年第四季度向客戶提供首批樣品，試圖通過(guò)大尺寸晶圓實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能擴(kuò)張，這無(wú)疑引發(fā)了行業(yè)對(duì)未來(lái)主流技術(shù)路線的激烈討論。

面對(duì)這種分歧，英諾賽科堅(jiān)定推行其IDM（設(shè)計(jì)-制造-封測(cè)一體化）模式，并把戰(zhàn)略重心明確放在8英寸GaN產(chǎn)線的工程化成熟度上。公司高層判斷，盡管12英寸晶圓理論上可帶來(lái)更高的芯片產(chǎn)出，但其大規(guī)模商業(yè)化仍面臨核心挑戰(zhàn)，尤其是MOCVD設(shè)備（金屬有機(jī)化合物氣相沉積設(shè)備）的成熟度不足，尚無(wú)公開(kāi)的12英寸GaN外延解決方案。

英諾賽科預(yù)計(jì)，12英寸GaN的產(chǎn)業(yè)化最早要到2030年才能進(jìn)入大規(guī)模商業(yè)化階段。在此之前，公司將致力于最大化8英寸平臺(tái)的規(guī)模效應(yīng)和成本優(yōu)勢(shì)，持續(xù)提升良率并擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足當(dāng)前及未來(lái)幾年市場(chǎng)對(duì)高性能、高可靠性氮化鎵器件的旺盛需求。

產(chǎn)品與技術(shù)創(chuàng)新：700V平臺(tái)發(fā)布，多領(lǐng)域技術(shù)突破

近期，英諾賽科發(fā)布了基于700V SolidGaN平臺(tái)的四款新品：ISG6123TA/TP、ISG6124TA/TP。這些產(chǎn)品采用TOLL/TOLT主流大功率封裝，旨在實(shí)現(xiàn)對(duì)現(xiàn)有硅/SiC控制器生態(tài)的“無(wú)感替換”。其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在兼容性、性能表現(xiàn)和應(yīng)用效益三個(gè)方面。

圖片來(lái)源：英諾賽科

在兼容性上，新品支持10–24V寬柵壓驅(qū)動(dòng)，兼容SiC/IGBT控制器，具備引腳兼容設(shè)計(jì)，并集成了LDO柵極鉗位，有效消除了Vgs過(guò)沖風(fēng)險(xiǎn)。

圖片來(lái)源：英諾賽科

性能表現(xiàn)方面，新品提供100V/ns dv/dt保護(hù)、0.5Ω米勒鉗位，零反向恢復(fù)電荷（Qrr=0）使得開(kāi)關(guān)損耗降低40%，并擁有超低熱阻（最低0.46℃/W）。

在應(yīng)用效益方面，新品在1–6kW服務(wù)器、空調(diào)、工業(yè)電源等大功率應(yīng)用中，可提升效率1–2%，功率密度提高50%。與650kHz SiC方案相比，這些新器件的開(kāi)關(guān)頻率可推高至2MHz，系統(tǒng)元件數(shù)量可減少60%。

近期，英諾賽科董事長(zhǎng)駱薇薇與CEO吳金剛在蘇州總部接受《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》專訪時(shí)透露，公司正在三大方向加速迭代，公司車規(guī)級(jí)高壓雙向?qū)℅aN器件已完成送樣并獲得客戶積極反饋，有望成為新能源汽車OBC、DC-DC及激光雷達(dá)電源的核心部件。另外，面向AI服務(wù)器/GPU供電的低壓高頻平臺(tái)目標(biāo)開(kāi)關(guān)頻率達(dá)8–10MHz，旨在通過(guò)顯著縮減磁性元件體積，滿足下一代機(jī)柜對(duì)極致功率密度的需求。同時(shí)，100V半橋合封芯片已批量導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心48V轉(zhuǎn)12V模塊、機(jī)器人伺服電機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)景，助力系統(tǒng)效率提升1–2%，功率密度提高50%。

港股上市與戰(zhàn)略合作助推高增長(zhǎng)

英諾賽科已于2024年12月30日在香港聯(lián)合交易所主板上市，成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸GaN晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的IDM上市公司。

在戰(zhàn)略合作方面，意法半導(dǎo)體（ST）于6月30日將其所持英諾賽科H股禁售期延長(zhǎng)一年至2026年6月29日。此舉體現(xiàn)了ST作為英諾賽科IPO階段重要基石投資者對(duì)其長(zhǎng)期價(jià)值的認(rèn)可。該行動(dòng)也支持雙方正在執(zhí)行的聯(lián)合開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議，該協(xié)議旨在利用ST的海外晶圓廠拓展全球產(chǎn)能，同時(shí)ST可借助英諾賽科珠海、蘇州兩大基地的8英寸GaN產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)其在中國(guó)市場(chǎng)的本土化制造。

從市場(chǎng)需求來(lái)看，英諾賽科2024年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域訂單增長(zhǎng)顯著：車規(guī)芯片交付量同比增長(zhǎng)986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付量同比增長(zhǎng)669.8%。這表明氮化鎵在高功率、高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景中的滲透已進(jìn)入快速增長(zhǎng)階段。

英諾賽科憑借其完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局和在關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域的突破，正為達(dá)成其未來(lái)五年7萬(wàn)片月產(chǎn)能的目標(biāo)奠定堅(jiān)實(shí)的技術(shù)與市場(chǎng)基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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1、瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

瞻芯電子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的重要產(chǎn)品系列，具有4種型號(hào)，均按汽車級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)(AEC-Q101)設(shè)計(jì)和測(cè)試認(rèn)證，具有低損耗、高可靠、高頻開(kāi)關(guān)等特點(diǎn)，其驅(qū)動(dòng)電壓推薦18V，且兼容15V。

該系列產(chǎn)品導(dǎo)通電阻(Ron)具有較低的溫升系數(shù)，能在高溫條件下，仍然保持較低的導(dǎo)通電阻，確保應(yīng)用系統(tǒng)高效運(yùn)行。其中首批量產(chǎn)的2款產(chǎn)品分別為TO247-4插件封裝（IV3Q12035T4Z）和TO263-7貼片封裝（IV3Q12035D7Z），通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101認(rèn)證，更進(jìn)一步配合多家知名光伏、充電樁客戶完成了系統(tǒng)級(jí)測(cè)試和驗(yàn)證，進(jìn)入批量交付階段。

為滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求，該系列產(chǎn)品開(kāi)發(fā)了4種封裝型號(hào)，不僅具有成熟的TO247-4和TO263-7封裝，而且還有更低寄生參數(shù)的TO247-4Slim封裝，以及支持頂部散熱的TC3Pak封裝。同時(shí)，這4種封裝均有開(kāi)爾文源極引腳，可解耦驅(qū)動(dòng)和功率回路，降低開(kāi)關(guān)損耗 。

2、珂瑪科技多尺寸超高純碳化硅產(chǎn)品推進(jìn)中

近期，珂瑪科技在投資者互動(dòng)平臺(tái)披露多項(xiàng)業(yè)務(wù)進(jìn)展，涉及蘇州新基地、超高純碳化硅套件驗(yàn)證等內(nèi)容。

圖片來(lái)源：珂瑪科技

珂瑪科技表示位于江蘇蘇州的先進(jìn)材料生產(chǎn)基地已正式投產(chǎn)，重點(diǎn)布局陶瓷加熱器、靜電卡盤及超高純碳化硅套件等“結(jié)構(gòu)-功能”一體化模塊產(chǎn)品。該基地投產(chǎn)后，公司產(chǎn)能將顯著提升，并加速?gòu)膫鹘y(tǒng)陶瓷結(jié)構(gòu)零部件向高附加值模塊化產(chǎn)品的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。據(jù)悉，該基地項(xiàng)目覆蓋氧化鋁、氧化鋯、碳化硅、氮化鋁、氮化硅、氧化釔和氧化鈦陶瓷等產(chǎn)品的成熟產(chǎn)線。

超高純碳化硅套件驗(yàn)證進(jìn)展方面，產(chǎn)品純度達(dá)99.99%，缺陷密度控制在≤1個(gè)/cm2，技術(shù)指標(biāo)達(dá)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。6英寸產(chǎn)品已量產(chǎn)供應(yīng)北方華創(chuàng)等客戶；8英寸產(chǎn)品客戶端驗(yàn)證基本通過(guò)，正推進(jìn)Fab端量產(chǎn)；12英寸部件（如晶舟、隔熱片）進(jìn)入設(shè)備驗(yàn)證階段。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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圖片來(lái)源：賽晶科技

根據(jù)協(xié)議，賽晶半導(dǎo)體增加注冊(cè)資本420.6136萬(wàn)美元，投資者將以其在湖南虹安的100%股權(quán)出資認(rèn)購(gòu)，合計(jì)占賽晶半導(dǎo)體經(jīng)擴(kuò)大后股權(quán)的9%。

此次股權(quán)變動(dòng)后，賽晶半導(dǎo)體的注冊(cè)資本由42,538,706美元增加至46,734,842美元，本集團(tuán)于賽晶半導(dǎo)體的股權(quán)比例由約70.54%降至64.19%，賽晶半導(dǎo)體的股權(quán)變化不會(huì)影響本集團(tuán)的控制權(quán)，賽晶半導(dǎo)體仍為本集團(tuán)的附屬公司。

此外，協(xié)議顯示，賽晶半導(dǎo)體與投資者簽署股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，據(jù)此，賽晶半導(dǎo)體將收購(gòu)及投資者將出售湖南虹安的全部股權(quán)，總代價(jià)為人民幣1.8億元元，將由賽晶半導(dǎo)體擬根據(jù)增資協(xié)議以發(fā)行相當(dāng)于賽晶半導(dǎo)體經(jīng)擴(kuò)大股權(quán)約9.00%的新增注冊(cè)資本予投資者的方式償付。

公開(kāi)資料顯示，賽晶科技是業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先并深具影響力的電力電子器件供應(yīng)商和系統(tǒng)集成商。2010年在香港主板上市，公司在北京、浙江嘉善和寧波、江蘇無(wú)錫、湖北武漢，以及歐洲的瑞士、德國(guó)、荷蘭，擁有十余家子公司。

賽晶半導(dǎo)體是賽晶科技集團(tuán)旗下子公司，專注于IGBT、FRD以及碳化硅等芯片和模塊等高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)和制造的高科技企業(yè)。公司致力于促進(jìn)能源向更加可持續(xù)、更加綠色方向發(fā)展。其研發(fā)中心位于瑞士蘭茲伯格，技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)由來(lái)自歐洲及國(guó)內(nèi)頂尖IGBT、SiC設(shè)計(jì)和制造各個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)專家組成，制造中心位于中國(guó)浙江省嘉善縣。

湖南虹安成立于2023年，總部位于長(zhǎng)沙，在昆山、深圳等地設(shè)有研發(fā)中心及辦事處。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括電子專用材料研發(fā)、集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)、集成電路制造、半導(dǎo)體分立器件制造等。其產(chǎn)品主要集中在各類功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究，涵蓋低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET、MCU微控制器等，廣泛應(yīng)用于PC/服務(wù)器、消費(fèi)電子、通訊電源、工業(yè)控制、汽車電子及新能源產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。

此次賽晶半導(dǎo)體收購(gòu)湖南虹安有助于賽晶半導(dǎo)體系統(tǒng)性整合雙方資源，實(shí)現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)，如補(bǔ)充技術(shù)團(tuán)隊(duì)、在碳化硅（SiC）技術(shù)上形成互補(bǔ)，還可共享供應(yīng)鏈和市場(chǎng)資源，提升供應(yīng)鏈穩(wěn)定性，擴(kuò)大市場(chǎng)范圍和份額，對(duì)賽晶半導(dǎo)體的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展具有戰(zhàn)略意義。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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圖片來(lái)源：銀河微電公告截圖

公開(kāi)資料顯示，銀河微電當(dāng)前主營(yíng)小信號(hào)器件、功率器件、光電器件、電源管理IC以及第三代半導(dǎo)體器件（SiC、GaN），產(chǎn)品覆蓋汽車電子、工業(yè)控制、新能源和5G通信等場(chǎng)景。

業(yè)績(jī)穩(wěn)步增長(zhǎng)，產(chǎn)能瓶頸凸顯

2025年一季度該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.18億元，同比增長(zhǎng)12.11%。同期，歸母凈利潤(rùn)610.02萬(wàn)元，同比下降64.77%；扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)96.11萬(wàn)元，同比下降91.44%。利潤(rùn)下滑主因在于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致產(chǎn)品毛利率下降，以及為擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模而新設(shè)控股子公司帶來(lái)的固定資產(chǎn)折舊和管理費(fèi)用增加。研發(fā)投入則同比增長(zhǎng)24.64%，顯示公司持續(xù)在技術(shù)創(chuàng)新上投入。

此前該公司披露，2024年全年?duì)I收達(dá)9.09億元，同比增長(zhǎng)30.75%；歸母凈利潤(rùn)7187.42萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)12.21%。然而，盡管訂單持續(xù)增長(zhǎng)，受限于現(xiàn)有生產(chǎn)場(chǎng)地、設(shè)備及人力資源，公司產(chǎn)能已無(wú)法充分滿足市場(chǎng)需求。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)突破，助力產(chǎn)能擴(kuò)張

據(jù)悉，銀河微電敢于大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，源于其深厚的技術(shù)積累。公司不僅在傳統(tǒng)硅基平臺(tái)有所建樹，更成功建立了SiC MOSFET和GaN HEMT芯片設(shè)計(jì)能力，并已實(shí)現(xiàn)小批量出貨。

在SiC MOSFET方面，今年3月4日，銀河微電與復(fù)旦大學(xué)聯(lián)合發(fā)布了“新能源汽車用SiC MOSFET關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)階段成果”。其中，1200V車規(guī)級(jí)SiC芯片已完成三輪流片，并通過(guò)AEC-Q101可靠性驗(yàn)證，預(yù)計(jì)將在2025年第四季度導(dǎo)入一期基地的小批量生產(chǎn)線。

針對(duì)GaN HEMT，繼2023年11月與晶通半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議后，2025年6月，公司已在6英寸產(chǎn)線上成功完成650V/900V HEMT工程批生產(chǎn)，DFN8×8和TOLL兩種封裝良率均達(dá)92%以上。銀河微電計(jì)劃將GaN器件優(yōu)先應(yīng)用于對(duì)效率和小型化要求極高的快充和服務(wù)器電源市場(chǎng)。

此外，今年5月，銀河微電還披露了12個(gè)已結(jié)題或在研項(xiàng)目。其中，多項(xiàng)與此次擴(kuò)產(chǎn)直接相關(guān)例如：

• 超低阻抗TO-247-4L SiC MOS封裝平臺(tái)已具備車規(guī)級(jí)量產(chǎn)能力；
• 6英寸平面芯片平臺(tái)已完成穩(wěn)壓二極管、高頻開(kāi)關(guān)二極管全系列開(kāi)發(fā)，可直接移植到新廠房；
• 同時(shí)，Clip Bond功率MOSFET和IPM智能功率模塊均已進(jìn)入量產(chǎn)階段，計(jì)劃在2025年內(nèi)同步遷入新基地以放大生產(chǎn)規(guī)模。

為提高資金使用效率，2025年7月12日，銀河微電董事會(huì)和監(jiān)事會(huì)審議通過(guò)了《關(guān)于使用部分暫時(shí)閑置可轉(zhuǎn)換公司債券募集資金進(jìn)行現(xiàn)金管理的議案》。同日，公司也公告了一項(xiàng)募投項(xiàng)目建設(shè)時(shí)間的調(diào)整。受土地獲取和施工進(jìn)度等因素影響，首次公開(kāi)發(fā)行股票募投項(xiàng)目“車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的建設(shè)時(shí)間由原計(jì)劃的2025年7月調(diào)整至2026年7月。雖然單個(gè)項(xiàng)目建設(shè)周期有所延長(zhǎng)，但整體擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)略并未改變。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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CGB公司介紹，交付設(shè)備構(gòu)成完整的清洗鏈條：從光刻環(huán)節(jié)的顯影/去膠（半自動(dòng)顯影機(jī)、無(wú)機(jī)去膠清洗機(jī)），到刻蝕后處理（介質(zhì)/硅酸堿腐蝕臺(tái)），再到終極清洗（多類型超聲波清洗機(jī)），甚至特殊材料處理（碳化硅晶片清洗機(jī)），形成8大關(guān)鍵工藝節(jié)點(diǎn)的閉環(huán)。

資料顯示，CGB成立于2008年，主要從事半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體、新材料等領(lǐng)域?qū)I(yè)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)。

作為國(guó)內(nèi)深耕半導(dǎo)體濕法制程設(shè)備、全自動(dòng)晶圓倒角機(jī)、全自動(dòng)刷片機(jī)、干燥機(jī)、化學(xué)品供給系統(tǒng)等設(shè)備制造商，CGB產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域包含：集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)、硅材料、化合物半導(dǎo)體、光通信器件、功率器件、半導(dǎo)體照明、先進(jìn)封裝、光伏電池、平板顯示和科研等領(lǐng)域。

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