source：SweGaN

Navigare Ventures作為一家活躍的風(fēng)險(xiǎn)投資公司，專注于早期階段的投資。其具有豐富的投資經(jīng)驗(yàn)和成功案例，尤其在科技和創(chuàng)新領(lǐng)域展現(xiàn)了其敏銳的投資眼光。

Navigare Ventures的投資案例包括AlixLabs，后者是一家專注于原子層蝕刻工藝的服務(wù)商，通過提供使用原子層蝕刻工藝的納米結(jié)構(gòu)制造方法，實(shí)現(xiàn)了在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的創(chuàng)新。Navigare Ventures的投資不僅為AlixLabs提供了資金支持，還幫助AlixLabs加速了技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)拓展。

據(jù)報(bào)道，SweGaN本次1200萬歐元融資的投資方還包括全球范圍內(nèi)一系列專注于半導(dǎo)體的投資者：中國(guó)臺(tái)灣的Wafer Works、RFHIC，韓國(guó)的Ignite Innovation和BRV Capital Management，以及美國(guó)的Lifelike Capital。

除融資進(jìn)展外，SweGaN近期在業(yè)務(wù)方面也取得了多項(xiàng)成果。今年8月，SweGaN宣布，其生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。

據(jù)悉，SweGaN新工廠于2023年3月動(dòng)工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示，旗下新工廠開始出貨標(biāo)志著公司從一家無晶圓廠設(shè)計(jì)廠商，正式轉(zhuǎn)型為一家半導(dǎo)體制造商。

此外，2024上半年，SweGaN與未公開的電信和國(guó)防公司簽訂了三份重要的供貨協(xié)議，這使其訂單量翻了一番，達(dá)到1700萬瑞典克朗（約1182萬人民幣）。

值的一提的是，SweGaN近期還與一家器件制造商完成了首個(gè)QuanFINE外延片客戶資格認(rèn)證計(jì)劃。

SweGaN首席執(zhí)行官Jr-Tai Chen博士表示：”目前，電信行業(yè)正大力推動(dòng)從5G到5G Advanced的技術(shù)升級(jí)。SweGaN獲得專利的QuanFINE無緩沖區(qū)碳化硅基氮化鎵材料非常適合滿足新技術(shù)的苛刻要求，尤其是在器件效率和熱管理方面。材料適用于電信新標(biāo)準(zhǔn)5G Advanced，以及滿足對(duì)國(guó)防應(yīng)用中增強(qiáng)傳感能力的迫切需求?！保罨衔锇雽?dǎo)體Zac整理）

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公告顯示，冠鼎半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目選址位于江門市新會(huì)區(qū)崖門鎮(zhèn)，屬于新建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資1.055億元，租賃江門市旭暉紡織有限公司已建廠房，廠房面積為2630平方米。

該項(xiàng)目計(jì)劃年加工氮化鎵功率半導(dǎo)體1500萬件，主要生產(chǎn)設(shè)施包括萬級(jí)潔凈室和十萬級(jí)潔凈室，將配備固晶機(jī)、焊線機(jī)、離子清洗機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備。

資料顯示，冠鼎半導(dǎo)體成立于2023年8月，為江門市鼎翔電子科技有限公司控股（持股比例82%）子公司。鼎翔電子成立于2012年6月，是一家集模具設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的，專業(yè)從事發(fā)光二極管（LED）引線框架（2002系列、2003系列、2004系列、紅外發(fā)射接收管等）、塑封三極管引線框架（TO-92系列、TO-126系列、SOT-23系列、SOD系列）和精密電子元器件生產(chǎn)的工廠。

近期，氮化鎵產(chǎn)線建設(shè)熱度不減，8月18日，WaveLoad對(duì)外宣布，其計(jì)劃明年年初量產(chǎn)氮化鎵外延片。WaveLoad已在韓國(guó)京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達(dá)1000級(jí)的無塵室，可批量生產(chǎn)氮化鎵外延片。該設(shè)施可生產(chǎn)4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產(chǎn)能分別為2,000片/月和500片/月。

9月2日晚，國(guó)內(nèi)廠商芯聯(lián)集成披露了2024年上半年業(yè)績(jī)電話說明會(huì)相關(guān)內(nèi)容。會(huì)上，芯聯(lián)集成表示，其將增加氮化鎵產(chǎn)品線，來滿足新應(yīng)用的需求。

值得一提的是，英飛凌近日宣布已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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公開資料顯示，日本礙子成立于1919年5月5日，主要業(yè)務(wù)包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的各種工業(yè)用陶瓷產(chǎn)品、電子及電氣設(shè)備用陶瓷產(chǎn)品、特殊金屬產(chǎn)品、蓄電系統(tǒng)、絕緣子和電力相關(guān)設(shè)備等。

除了展示8英寸SiC晶圓以外，日本礙子還將披露“在多種襯底上生長(zhǎng)低BPD密度4H-SiC單晶的新方法”。

日本礙子表示，減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產(chǎn)量和可靠性的重要手段。公司開發(fā)出了一種工藝，利用其陶瓷加工技術(shù)在多個(gè)襯底上生長(zhǎng)具有低BPD密度的4H-SiC晶體。今年3月，日本礙子表示，通過該工藝，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時(shí)生長(zhǎng)了9個(gè)晶體的實(shí)驗(yàn)。

除了碳化硅，日本礙子在氮化鎵（GaN）方面也有布局。

早在2012年，日本礙子便在其他研究機(jī)構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗(yàn)。據(jù)介紹，日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長(zhǎng)法生產(chǎn)，整個(gè)晶圓表面的BPD密度大幅降低。

目前，日本礙子已開發(fā)出用于激光二極管等光源器件的2英寸GaN晶圓的量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。日本礙子現(xiàn)正開發(fā)射頻器件和功率器件應(yīng)用，努力進(jìn)一步增大直徑并降低位錯(cuò)密度，旨在早日開發(fā)出量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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資料顯示，芯動(dòng)半導(dǎo)體無錫“第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)項(xiàng)目”制造基地，總投資 8 億元，建筑面積約 30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級(jí)模組年產(chǎn)能 120 萬套。項(xiàng)目于2023年2月開工，2024年2月完工。

據(jù)悉，2022年10月，長(zhǎng)城汽車公告稱，公司擬使用自有資金與魏建軍、穩(wěn)晟科技共同出資設(shè)立芯動(dòng)半導(dǎo)體，注冊(cè)資本5000萬元，其中公司認(rèn)繳出資額1000萬元，占比20%；穩(wěn)晟科技認(rèn)繳出資3500萬元，占比70%。

集邦化合物半導(dǎo)體了解到，魏建軍是長(zhǎng)城汽車公司的董事長(zhǎng)、實(shí)控人，也是穩(wěn)晟科技的直接控制人。也就是說，芯動(dòng)半導(dǎo)體是長(zhǎng)城汽車進(jìn)入功率半導(dǎo)體賽道的重要一環(huán)，承載著長(zhǎng)城汽車自主造芯的遠(yuǎn)大目標(biāo)。

除了建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率模塊封測(cè)項(xiàng)目外，芯動(dòng)半導(dǎo)體還與業(yè)內(nèi)碳化硅大廠開展了相關(guān)業(yè)務(wù)合作。

2023年12月1日，芯動(dòng)半導(dǎo)體與博世汽車電子在上海簽署碳化硅長(zhǎng)期訂單合作協(xié)議。

2024年，3月8日，芯動(dòng)半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在深圳簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議。

芯動(dòng)半導(dǎo)體與博世汽車電子、意法半導(dǎo)體就SiC產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作，有助于穩(wěn)定長(zhǎng)城汽車SiC功率模塊供應(yīng)鏈，也反映了功率模組公司和OEM提前鎖定上游SiC芯片資源的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：安森美

法人預(yù)估，2024年安森美整體產(chǎn)能約40萬片，2025年將達(dá)到60萬片。法人推算碳化硅廠商整體擴(kuò)產(chǎn)情況，以及逆變器、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器、快充站碳化硅總體需求量，并依照各國(guó)際大廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃推算2025年碳化硅產(chǎn)能，總體來看，碳化硅供需缺口將隨著電動(dòng)車放量持續(xù)擴(kuò)大。

另在今年8月初據(jù)外媒報(bào)道，安森美計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出8英寸碳化硅晶圓，并于2025年投產(chǎn)。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury稱：“我們?nèi)匀话从?jì)劃推進(jìn)，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠的整個(gè)流程。8英寸碳化硅的認(rèn)證將在今年通過，明年開始的收入將符合我們的預(yù)期。”

針對(duì)8英寸碳化硅，安森美于2023年10月完成其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建。據(jù)悉，該工廠滿載時(shí)，每年能生產(chǎn)超過100萬片8英寸碳化硅晶圓。富川碳化硅生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸碳化硅工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

2024年以來，安森美進(jìn)一步加碼碳化硅投資。6月19日，安森美宣布將在捷克共和國(guó)建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠。該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動(dòng)汽車等應(yīng)用的能效。

安森美計(jì)劃通過一項(xiàng)高達(dá)20億美元（約141.79億人民幣）的多年期投資來擴(kuò)大碳化硅生產(chǎn)，這是該公司之前披露的長(zhǎng)期資本支出目標(biāo)的一部分。這項(xiàng)投資將以安森美目前在捷克共和國(guó)的業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，包括硅晶體生長(zhǎng)、硅和SiC晶片制造（拋光和 EPI）以及硅晶片工廠。目前，該廠每年可生產(chǎn)300多萬片硅片，其中包括10億多個(gè)功率器件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該項(xiàng)目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，據(jù)稱將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

公開資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已取得多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新。

據(jù)悉，晶旭半導(dǎo)體致力于打造寬禁帶和超寬禁帶化合物半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，主要產(chǎn)品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等，廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應(yīng)用領(lǐng)域。

今年2月2日，晶旭半導(dǎo)體與深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：睿悅投資）舉行了戰(zhàn)略投資簽署儀式。

本次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨(dú)家戰(zhàn)略投資人，對(duì)晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力晶旭半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項(xiàng)目落成達(dá)產(chǎn)。

近期，氧化鎵材料熱度持續(xù)上漲，在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能建設(shè)等方面不時(shí)傳出新進(jìn)展。

研發(fā)方面，7月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國(guó)際上已報(bào)道的最大尺寸。

產(chǎn)能方面，9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國(guó)內(nèi)目前唯一一家同時(shí)具備6英寸單晶生長(zhǎng)及外延的公司，開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線也是國(guó)內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)報(bào)道，鉆石特別適合用于功率半導(dǎo)體，因?yàn)槠潆姎鈴?qiáng)度約是硅的33倍。鉆石功率半導(dǎo)體可在約五倍熱的環(huán)境中運(yùn)行，電力損耗可減少到硅制產(chǎn)品的五萬分之一。

碳化硅和氮化鎵同樣也是備受關(guān)注的下一代半導(dǎo)體材料，但鉆石性能遠(yuǎn)高于兩者。以巴利加優(yōu)值（Baliga figure of merit，BFOM）來看，鉆石性能是碳化硅的80倍以上，是氮化鎵的10倍以上。

鉆石半導(dǎo)體有望用于需要大量穩(wěn)定電源的應(yīng)用，包括電動(dòng)車、飛行汽車和發(fā)電站；其耐高溫和抗輻射特性也有望用于核能和太空等領(lǐng)域。然而，鉆石作為半導(dǎo)體材料也面臨諸多困難，如硬度關(guān)系，很難按電子設(shè)備所需的精度進(jìn)行研磨和加工，同時(shí)長(zhǎng)時(shí)間用于半導(dǎo)體也可能變質(zhì)，此外成本也影響商業(yè)化進(jìn)程。

但據(jù)日經(jīng)報(bào)導(dǎo)，隨著長(zhǎng)時(shí)間發(fā)展，鉆石半導(dǎo)體有望明年至?2030?年間進(jìn)入商業(yè)化階段，日本廠商在該研發(fā)領(lǐng)域進(jìn)展較快。

2023?年，日本佐賀大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)世界上第一個(gè)采用鉆石半導(dǎo)體的功率電路；東京精密元件制造商Orbray已開發(fā)2英寸鉆石晶片的量產(chǎn)技術(shù)，很快將開發(fā)4英寸晶圓；日本初創(chuàng)公司Power Diamond Systems開發(fā)出一種鉆石元件，可處理世界領(lǐng)先的6.8安培電流，計(jì)劃幾年內(nèi)開始出樣品；另外一家初創(chuàng)公司Ookuma Diamond Device在福島縣建廠，將量產(chǎn)鉆石半導(dǎo)體，目標(biāo)2026財(cái)年開始營(yíng)運(yùn)。

值得一提的是，研究制造精密設(shè)備的JTEC Corporation擁有電漿拋光高硬度材料表面的獨(dú)特技術(shù)，其已成功拋光世界領(lǐng)先尺寸的單晶鉆石基礎(chǔ)材料，并獲得加工鉆石材料的開發(fā)設(shè)備訂單。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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晶盛機(jī)電旗下電子材料公司增資至10億

天眼查資料顯示，9月10日，浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶瑞電子）發(fā)生工商變更，其注冊(cè)資本由5億人民幣增至10億人民幣。股東信息顯示，晶瑞電子由晶盛機(jī)電全資持股。

官網(wǎng)資料顯示，晶瑞電子成立于2014年5月，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的科技型新材料公司，為國(guó)內(nèi)外新興科技領(lǐng)域提供關(guān)鍵材料和技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品包括超凈高純?cè)噭?、光刻膠、功能性材料、鋰電池材料等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、面板顯示、LED等泛半導(dǎo)體領(lǐng)域及鋰電池、太陽能光伏等新能源行業(yè)。

作為晶瑞電子母公司，晶盛機(jī)電業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體、光伏設(shè)備領(lǐng)域以及半導(dǎo)體材料細(xì)分領(lǐng)域的藍(lán)寶石材料和碳化硅材料等。

材料業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域積極布局新材料業(yè)務(wù)，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍(lán)寶石材料、碳化硅材料、以及金剛線等具有廣闊應(yīng)用場(chǎng)景的材料業(yè)務(wù)。

捷捷微電：擬850萬元參與設(shè)立控股子公司

9月13日，捷捷微電發(fā)布公告稱，其與張有潤(rùn)共同出資1000萬元成立“捷捷微電（成都）科技有限公司”(以下簡(jiǎn)稱：成都科技，最終名稱以工商登記為準(zhǔn)）。其中，捷微電出資850萬元，占成都科技注冊(cè)資本的85%；張有潤(rùn)出資150萬元，占成都科技注冊(cè)資本的15%。

關(guān)于本次投資目的及對(duì)公司的影響，捷捷微電表示，其擬投資經(jīng)營(yíng)高端隔離器芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，高端隔離器芯片產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源汽車、信息通訊、電力電表等領(lǐng)域，同時(shí)“雙碳戰(zhàn)略和新質(zhì)生產(chǎn)力”也推動(dòng)了高端隔離器芯片的快速增長(zhǎng)，可實(shí)現(xiàn)公司產(chǎn)業(yè)鏈向上延伸，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，為公司在高端制造領(lǐng)域培育新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)，也可實(shí)現(xiàn)對(duì)高端隔離器芯片國(guó)產(chǎn)化替代。

公開資料顯示，捷捷微電創(chuàng)建于1995年，專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售，其主要產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體芯片和封裝器件。

2024年上半年，捷捷微電功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.99億元，同比增長(zhǎng)54.67%；功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.40億元，同比增長(zhǎng)33.57%。

在碳化硅領(lǐng)域，捷捷微電主要產(chǎn)品為塑封碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）器件，可用于電動(dòng)汽車、消費(fèi)類電子、新能源、軌道交通等領(lǐng)域。2024年，捷捷微電還推出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，今年以來，除晶盛機(jī)電和捷捷微電外，中車時(shí)代半導(dǎo)體和士蘭微兩家碳化硅相關(guān)廠商也傳出了在向子公司增資方面最新進(jìn)展。

4月26日，中車時(shí)代半導(dǎo)體增資引入戰(zhàn)略投資者簽約儀式在株洲舉行。中車時(shí)代半導(dǎo)體本次增資擴(kuò)股擬引入株洲市國(guó)創(chuàng)田芯創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等26名戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺(tái)株洲芯發(fā)展零號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），增資金額為人民幣43.278億元。

本次增資完成后，時(shí)代電氣持有中車時(shí)代半導(dǎo)體的股權(quán)比例從96.1680%變更為77.7771%，仍為中車時(shí)代半導(dǎo)體的控股股東。

9月11日晚間，士蘭微發(fā)布公告，擬向參股公司廈門士蘭集科微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：士蘭集科）增資8億元。

根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊(cè)資本148155.0072萬元。士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：廈門半導(dǎo)體）以貨幣方式共同出資16億元認(rèn)繳士蘭集科本次新增的全部注冊(cè)資本。

其中，士蘭微出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬元；廈門半導(dǎo)體同樣出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬元。本次增資完成后，士蘭集科的注冊(cè)資本將由382795.3681萬元變更為530950.3753萬元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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據(jù)了解，AVITIC是Applied Ventures, LLC（應(yīng)用材料的風(fēng)險(xiǎn)投資部門）和 ITIC-Taiwan（中國(guó)臺(tái)灣工研院旗下的投資公司）的合資基金。

資料顯示，Wise-integration是一家成立于2020年的法國(guó)無晶圓廠公司，專注于創(chuàng)新GaN技術(shù)和數(shù)字控制解決方案。其產(chǎn)品組合能提高充電器的效率、減小體積和重量，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心和汽車等領(lǐng)域。

今年2月，Wise-integration宣布其B輪融資額為1500萬歐元（折合人民幣約1.18億元），由IMEC.XPAND領(lǐng)投，上一輪領(lǐng)投方Supernova Invest跟投。此次的增資金額尚未披露。

Wise-integration表示，B輪融資將推動(dòng)公司旗艦產(chǎn)品WiseGan和WiseWare的量產(chǎn)和商業(yè)部署，以及其顛覆性數(shù)字控制技術(shù)，并為全球采用這些解決方案的客戶提供支持。這家成立了4年的公司還將加大對(duì)工業(yè)、電信和汽車等高價(jià)值市場(chǎng)的關(guān)注。

除了加大旗艦產(chǎn)品的產(chǎn)量外，Wise-integration還計(jì)劃利用B輪融資的資金，加速開發(fā)新一代高性能GaN技術(shù)，旨在與數(shù)字控制無縫集成，并提高各個(gè)領(lǐng)域電力系統(tǒng)的效率和性能。

ITIC總裁Michel Chu表示：“借助Wise-integration的WiseWare數(shù)字控制和WiseGaN，可以進(jìn)一步釋放GaN的潛力并提高電力電子的效率。”

Applied Ventures副總裁兼全球主管Anand Kamannavar表示：“推動(dòng)下一代電力電子技術(shù)的發(fā)展是可持續(xù)發(fā)展的重要支柱。我們期待并支持Wise-integration開發(fā)其差異化的GaN技術(shù)?！保罨衔锇雽?dǎo)體Morty編譯）

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9月10日，據(jù)“沈陽高新區(qū)”官微消息，天科合達(dá)近日摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目。

據(jù)悉，遼寧省集成電路裝備及零部件產(chǎn)業(yè)園即北方芯谷，位于沈陽市渾南區(qū)，總占地面積5.1平方公里，包括建成區(qū)五三片區(qū)和新建區(qū)張沙布片區(qū)，規(guī)劃建設(shè)集整機(jī)裝備、零部件、系統(tǒng)集成等于一體的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

而天科合達(dá)本次摘牌的地塊位于北方芯谷新建區(qū)，計(jì)劃建設(shè)碳化硅單晶生長(zhǎng)爐、高溫CVD真空爐等裝備研發(fā)制造生產(chǎn)基地和半導(dǎo)體設(shè)備高溫零部件碳化物涂層等終端產(chǎn)品生產(chǎn)基地。項(xiàng)目預(yù)計(jì)明年初開工建設(shè)，年底前投入使用。

作為全球碳化硅襯底主要生產(chǎn)商之一，天科合達(dá)目前正在持續(xù)加碼碳化硅襯底產(chǎn)能。

今年2月，天科合達(dá)控股子公司深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運(yùn)營(yíng)的碳化硅材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目在深圳市寶安區(qū)正式揭牌啟用，將重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線。

而在今年8月，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達(dá)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱：二期項(xiàng)目）環(huán)評(píng)審批。二期項(xiàng)目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時(shí)建設(shè)研發(fā)中心以對(duì)生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

隨著本次半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目落地，天科合達(dá)業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)中設(shè)備產(chǎn)品占比有望進(jìn)一步提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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