圖片來源：蘇州固锝公告截圖

中晶微電 作為一家專注于功率半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，核心產(chǎn)品涵蓋IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）及SiC（碳化硅）等第三代半導(dǎo)體功率模塊，廣泛應(yīng)用于電動汽車充電樁、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

蘇州固锝 作為國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域頭部企業(yè)，其整流二極管、橋式整流器等產(chǎn)品已占據(jù)全球市場份額前列。此次投資將實現(xiàn)雙方在功率半導(dǎo)體技術(shù)鏈的互補(bǔ)：中晶微電的先進(jìn)芯片設(shè)計能力與蘇州固锝的封裝測試經(jīng)驗結(jié)合，有望推動高功率密度、低損耗器件的國產(chǎn)化進(jìn)程。

隨著“雙碳”目標(biāo)推進(jìn)，功率半導(dǎo)體市場需求持續(xù)攀升。蘇州固锝在公告中指出，中晶微電在新能源汽車主驅(qū)模塊、光伏儲能系統(tǒng)等場景的技術(shù)積累，與公司現(xiàn)有產(chǎn)品線形成協(xié)同效應(yīng)。通過此次投資，蘇州固锝將進(jìn)一步滲透至高附加值的車規(guī)級功率器件市場，同時中晶微電可借助蘇州固锝的客戶資源與制造能力，加速產(chǎn)品商業(yè)化落地。

蘇州固锝與中晶微電的攜手，既是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域“技術(shù)+資本”雙輪驅(qū)動的縮影，也折射出中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵賽道突破的決心。未來，雙方能否通過技術(shù)協(xié)同搶占市場先機(jī)，將成為觀察國產(chǎn)功率半導(dǎo)體崛起的重要窗口。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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圖片來源：牡丹江日報

據(jù)一棵竹新材料科技發(fā)展有限公司（簡稱“一棵竹科技”）總經(jīng)理杜帛霖介紹，項目總投資高達(dá)10.5億元，分兩期推進(jìn)。此次投產(chǎn)的一期工程投資1.5億元，利用牡丹江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)現(xiàn)有廠房，購置了高溫真空燒結(jié)爐、擠出機(jī)、混料機(jī)、雕刻機(jī)、打砂機(jī)等上百臺（套）先進(jìn)設(shè)備，目前已完成全部投資。

備受關(guān)注的二期工程計劃投資9億元，預(yù)計今年5月末將完成工業(yè)用地購置，并從6月份起全面啟動廠房建設(shè)與設(shè)備采購工作，力爭在2026年底前建成投產(chǎn)。項目全面投產(chǎn)后，預(yù)計將形成年產(chǎn)值30億元、年繳稅3.6億元的經(jīng)營規(guī)模，為地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展注入強(qiáng)勁動力。

目前，一棵竹科技已與科達(dá)、貝特瑞、奧豐、中建材以及國家電投集團(tuán)旗下100多家火電廠建立了深度合作關(guān)系。其高性能碳化硅產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于鋰電、光伏、化工及火電等多個核心產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。一期工程的竣工投產(chǎn)，將助力公司順利實現(xiàn)年產(chǎn)15萬件重結(jié)晶耐火磚、脫硫噴嘴、匣缽、輥棒等產(chǎn)品，預(yù)計年產(chǎn)值可達(dá)3億元。

在技術(shù)創(chuàng)新方面，一棵竹科技積極聯(lián)合哈爾濱工業(yè)大學(xué)、中南大學(xué)等多家國內(nèi)知名高等院校及科研院所，深度開展“產(chǎn)學(xué)研”合作。項目建設(shè)過程中，公司還引進(jìn)了德國FCT精細(xì)技術(shù)陶瓷公司的先進(jìn)技術(shù)以及世界領(lǐng)先的氣相沉積（CVD）鍍膜技術(shù)，致力于碳化硅新材料的技術(shù)創(chuàng)新，并已成功開發(fā)出一系列擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新技術(shù)和新產(chǎn)品。

杜帛霖總經(jīng)理表示，結(jié)合項目二期工程建設(shè)，公司將進(jìn)一步引進(jìn)世界頂尖的技術(shù)團(tuán)隊和研發(fā)人才，著力攻克碳化硅高質(zhì)量產(chǎn)品量產(chǎn)化難題。未來，一棵竹科技將積極開拓半導(dǎo)體、航空航天、新能源電子元器件、光刻機(jī)吸盤等碳化硅深加工高精端產(chǎn)品銷售市場，提升企業(yè)核心競爭力。

值得關(guān)注的是，牡丹江作為國內(nèi)重要的碳化硅工業(yè)材料產(chǎn)地，擁有悠久的生產(chǎn)歷史。然而，過去受多種因素制約，主要以碳化硅粉末生產(chǎn)為主，產(chǎn)品附加值較低。近年來，隨著國家科技創(chuàng)新戰(zhàn)略的深入實施和發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力熱潮的興起，牡丹江在碳化硅領(lǐng)域深厚的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)吸引了眾多投資者的青睞，此次高性能碳化硅項目的投產(chǎn)正是其中的一個縮影，預(yù)示著牡丹江碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來新的發(fā)展機(jī)遇。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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新成立的聯(lián)合實驗室將本著優(yōu)勢互補(bǔ)、全面合作、平等互利的原則，整合三家企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的資源與優(yōu)勢，重點(diǎn)開展：功率半導(dǎo)體（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、產(chǎn)品測試、晶圓磨劃等領(lǐng)域合作，為客戶的產(chǎn)品研發(fā)和測試提供更加專業(yè)、完善的技術(shù)服務(wù)。

圖片來源：季豐電子

目前，該聯(lián)合實驗室的各項合作正有序進(jìn)行中。

資料顯示，#林眾電子?致力于功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)、功率半導(dǎo)體模組研發(fā)與制造。該公司聚焦于工業(yè)自動化、電動汽車和光伏新能源等行業(yè)，服務(wù)于海內(nèi)外客戶超過400家。
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。該公司自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司，擁有一座車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶提供一站式解決方案。

季豐電子是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域，深耕集成電路檢測相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊，分別為基礎(chǔ)實驗室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設(shè)備，可為芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01、超200億，長飛先進(jìn)武漢基地首片晶圓正式下線

5月28日，長飛先進(jìn)武漢基地首片6英寸碳化硅晶圓正式下線，這一事件標(biāo)志著總投資超過200億元人民幣的長飛先進(jìn)武漢基地正式投產(chǎn)。該項目自2023年9月破土動工，僅用21個月便實現(xiàn)投產(chǎn)，比原計劃提前了兩個月。

圖片來源：中國光谷

官方資料顯示，長飛先進(jìn)武漢基地項目總投資超過200億元，占地面積498畝，其中一期占地344畝。項目一期規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，達(dá)產(chǎn)后每年可為144萬輛新能源汽車提供核心芯片。這將使長飛先進(jìn)武漢基地成為全國最大的碳化硅晶圓廠，有望打破國際壟斷，填補(bǔ)湖北在高端碳化硅器件制造領(lǐng)域的空白。

據(jù)悉，目前該基地首款芯片的良率已達(dá)97%，處于國際先進(jìn)水平。此外，長飛先進(jìn)已與全球頭部車企廣泛合作，部分產(chǎn)品即將進(jìn)入量產(chǎn)交付階段。這得益于基地在全球率先部署了A3級別天車系統(tǒng)，實現(xiàn)了自動生產(chǎn)、搬運(yùn)和派工，大大降低了人工干擾。該基地還建立了覆蓋材料、化學(xué)分析、可靠性測試、失效分析、產(chǎn)品特性和產(chǎn)品應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈實驗室，致力于打造集芯片設(shè)計、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。

此外，長飛先進(jìn)已與全球頭部車企廣泛合作，部分產(chǎn)品即將進(jìn)入量產(chǎn)交付階段。其碳化硅器件將廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁及電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。例如，在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅器件可使主驅(qū)逆變器重量減輕40%、體積縮小30%、功率密度提升25%，并顯著提高能量轉(zhuǎn)換效率。

02、投資50億元，中導(dǎo)信力項目落戶鄂州

5月28日，由眾普控股（湖北）集團(tuán)有限公司投資50億元的中導(dǎo)信力蝕刻制程專用設(shè)備零部件制造項目正式簽約落戶鄂州臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)園。

圖片來源：鄂州融媒

據(jù)悉，該項目分三期建設(shè)，將打造國內(nèi)首個集“材料研發(fā)—設(shè)備制造—零部件量產(chǎn)”于一體的全鏈條碳化硅產(chǎn)業(yè)基地。一期項目占地35畝，擬建成6條CVD碳化硅聚焦環(huán)和噴淋頭生產(chǎn)線，年產(chǎn)半導(dǎo)體蝕刻制程專用設(shè)備零部件4萬件。

中導(dǎo)信力項目的落地，將為鄂州地區(qū)帶來顯著的經(jīng)濟(jì)和社會效益。項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計年營收突破25億元，貢獻(xiàn)稅收超3.5億元，帶動上下游形成20億元產(chǎn)業(yè)集群。該項目的建設(shè)不僅將推動鄂州地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，還將為湖北省乃至全國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供關(guān)鍵的設(shè)備零部件支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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01、第三代半導(dǎo)體電子互連材料廠商【芯源新材料】完成C輪融資

深圳芯源新材料有限公司(以下簡稱“芯源新材料”)完成C輪融資，由北京小米智造股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)獨(dú)家投資。本輪增資將重點(diǎn)用于碳化硅模塊封裝材料的精進(jìn)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化布局，標(biāo)志著芯源新材料在第三代半導(dǎo)體電子互連材料領(lǐng)域邁入新階段。

圖片來源：芯源新材料

芯源新材料成立于2022年4月，專注于以燒結(jié)銀產(chǎn)品為代表的高端半導(dǎo)體用封裝材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，聚焦第三代半導(dǎo)體封裝材料的迭代開發(fā)。其核心產(chǎn)品包括燒結(jié)銀膏、無壓銀膠、燒結(jié)銀膜等，這些產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體封裝、先進(jìn)集成電路封裝提供高散熱、高可靠的解決方案。

在融資方面，此前芯源新材料于2022年完成了Pre-A輪融資，由諾延資本和元禾璞華共同領(lǐng)投，中南創(chuàng)投基金跟投。2024年，芯源新材料完成B輪融資，由比亞迪獨(dú)家投資。

芯源新材料介紹道，其研發(fā)出的新一代燒結(jié)銅材料可通過優(yōu)化機(jī)械性能與成本結(jié)構(gòu)，解決大功率模塊封裝中的成本問題，成為碳化硅模塊封裝的燒結(jié)銀替代解決方案，預(yù)計2026年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

02、第三代半導(dǎo)體材料石墨生產(chǎn)商【國瑞新材】完成數(shù)億元B輪融資

遼寧國瑞新材料有限公司（以下簡稱“國瑞新材”）近日宣布完成數(shù)億元B輪融資，本輪融資由深創(chuàng)投、華映資本、國泰君安創(chuàng)新投、眾行資本、中天遼創(chuàng)、德鴻資本、深智城產(chǎn)投、梧桐樹資本等多家知名投資機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。資金將主要用于擴(kuò)大等靜壓石墨產(chǎn)能、推進(jìn)碳化硅配套材料研發(fā)及高溫氣冷堆領(lǐng)域技術(shù)攻關(guān)，加速第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)替代進(jìn)程。

圖片來源：國瑞新材

國瑞新材成立于2008年，專注于特種石墨材料，尤其是等靜壓石墨和核純級石墨，這些材料在第三代半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，國瑞新材已開發(fā)出適用于離子刻蝕、粉體合成、襯底外延等環(huán)節(jié)的專用石墨材料，這些材料是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件生產(chǎn)的關(guān)鍵耗材。公司通過“一焙一化”工藝縮短生產(chǎn)周期并降低成本，產(chǎn)品已通過多家芯片廠商測試，進(jìn)入批量供貨階段。

國瑞新材在半導(dǎo)體市場的布局包括與隆基綠能、TCL中環(huán)、晶澳科技等頭部企業(yè)合作，其等靜壓石墨產(chǎn)品占據(jù)光伏龍頭企業(yè)供應(yīng)鏈的重要位置。隨著AI和新能源汽車對第三代半導(dǎo)體需求的增長，公司計劃進(jìn)一步拓展半導(dǎo)體領(lǐng)域市場，特別是碳化硅功率器件和氮化鎵射頻器件方向。

國瑞新材已制定明確的產(chǎn)能擴(kuò)張規(guī)劃，2025年開始實施1萬噸擴(kuò)產(chǎn)計劃，預(yù)計2027年形成約1.5萬噸級規(guī)?；a(chǎn)能力。同時公司將進(jìn)行戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型升級，在核能、半導(dǎo)體、光伏等渠道上直接對接終端企業(yè)，強(qiáng)化等靜壓石墨領(lǐng)域的技術(shù)地位，同時加快半導(dǎo)體用超高純石墨的研發(fā)和市場投放步伐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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圖片來源：杰平方半導(dǎo)體

資料顯示， 奧斯達(dá)克作為車載電源及OBC領(lǐng)域的資深供應(yīng)商，多年來深耕重卡、工程機(jī)械、新能源汽車等行業(yè)，為其提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及系統(tǒng)級解決方案。

杰平方半導(dǎo)體聚焦車載芯片研發(fā)和生產(chǎn)，致力于滿足中國汽車產(chǎn)業(yè)對國產(chǎn)自主車載芯片的旺盛需求，打造世界領(lǐng)先的碳化硅垂直整合晶圓廠的標(biāo)桿企業(yè)，并結(jié)合芯片代工廠的既有優(yōu)勢，創(chuàng)新IDM+的商務(wù)模式，打造芯片供應(yīng)鏈的核心競爭力。

目前，杰平方半導(dǎo)體已成功開發(fā)出多款針對該市場需求的SiC功率器件產(chǎn)品。

采用杰平方SiC功率器件的50kW DC/DC 電源（支持 N+1）及36KW高壓DC/DC 電源，已在挖掘機(jī)、重型礦卡等行業(yè)實現(xiàn)批量裝機(jī)；采用杰平方SIC功率器件設(shè)計的850V轉(zhuǎn)27.5V-6KW DCDC電源和特高壓1500V轉(zhuǎn)380V DCDC電源, 已在燃料電池系統(tǒng)/無人駕駛系統(tǒng)/工程機(jī)械等行業(yè)實現(xiàn)批量裝機(jī)。

通過本次合作，雙方將持續(xù)擴(kuò)展更深層次的合作，進(jìn)一步鞏固和發(fā)揮雙方在器件及應(yīng)用方面的優(yōu)勢。強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合為功率半導(dǎo)體在車載電源、OBC應(yīng)用領(lǐng)域奉獻(xiàn)出完美商品和服務(wù)，共同為重卡、工程機(jī)械、新能源汽車等行業(yè)安全可靠運(yùn)轉(zhuǎn)提供堅實基礎(chǔ)，增添安全保障。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：基本半導(dǎo)體上市申請書截圖

基本半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于深圳，作為國內(nèi)少數(shù)具備碳化硅功率模塊全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋能力的企業(yè)，基本半導(dǎo)體已實現(xiàn)從芯片設(shè)計到模塊封裝的垂直整合，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域。

據(jù)悉，基本半導(dǎo)體在深圳光明碳化硅晶圓制造基地、無錫新吳碳化硅功率模塊封裝基地、深圳坪山功率半導(dǎo)體驅(qū)動測試基地均已開始量產(chǎn)。而此次IPO募資將主要用于深圳晶圓廠與無錫封裝產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)張，以應(yīng)對下游市場爆發(fā)式增長的需求。

招股書顯示，基本半導(dǎo)體募集資金將用于未來擴(kuò)大晶圓及模塊的生產(chǎn)能力以及購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器、對新碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)工作以及技術(shù)創(chuàng)新，以及拓展碳化硅產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2022年至2024年，公司營收從1.17億元穩(wěn)步增長至2.99億元，年復(fù)合增長率達(dá)59.9%，盡管仍面臨盈利挑戰(zhàn)，但其技術(shù)實力與市場潛力已獲得資本市場認(rèn)可。

自成立以來，基本半導(dǎo)體已完成多輪融資，投資方涵蓋產(chǎn)業(yè)資本、知名投資機(jī)構(gòu)及政府基金。

2017年天使輪由Ascatron AB、力合科創(chuàng)集團(tuán)啟動研發(fā)；2019年A輪獲力合科創(chuàng)集團(tuán)等支持中試線投產(chǎn)；2020年B輪由聞泰科技、深圳市投控資本領(lǐng)投，加速車載芯片認(rèn)證；2021年連續(xù)完成B+輪（博世創(chuàng)投）、C1輪（博世創(chuàng)投、松禾資本等）融資，推動車規(guī)級模塊研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；2022年完成C2輪（廣汽資本等）、兩輪C+輪（粵科金融、中車轉(zhuǎn)型升級基金等），拓展新能源市場并建設(shè)制造基地，2023年完成D輪融資，加速車規(guī)級產(chǎn)線建設(shè)。

歷次融資均聚焦技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張，助力其成為國內(nèi)碳化硅功率器件領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)。

多家第三代半導(dǎo)體企業(yè)競相沖刺IPO

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本浪潮中，多家頭部企業(yè)相繼沖刺IPO。

天岳先進(jìn)2022年1月12日登陸上海證券交易所科創(chuàng)板，2025年2月向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H股）的申請，擬在香港聯(lián)交所主板掛牌上市，構(gòu)建”A+H”雙平臺布局。作為全球第二大碳化硅襯底制造商，天岳先進(jìn)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。公司通過持續(xù)的研發(fā)投入，已掌握碳化硅襯底制備的核心技術(shù)，產(chǎn)品性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。

英諾賽科于2024年12月30日成功登陸香港聯(lián)交所主板，成為港股“第三代半導(dǎo)體”第一股。英諾賽科位于吳江區(qū)，深耕8英寸芯片制造技術(shù)多年，是全球第一家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司，通過打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺，填補(bǔ)了行業(yè)空白，完善了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。

2025年3月25日，瀚天天成在港交所遞交招股書，擬在香港主板上市。瀚天天成成立于2011年，主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、量產(chǎn)及銷售，是全球率先實現(xiàn)8英吋碳化硅外延芯片大批量外供的生產(chǎn)商，也是中國首家實現(xiàn)商業(yè)化3英吋、4英吋、6英吋和8英吋碳化硅外延芯片全套批量供應(yīng)的生產(chǎn)商。

天域半導(dǎo)體成立于2009年，于2024年12月向香港聯(lián)交所遞交招股書，擬在主板上市，由中信證券擔(dān)任獨(dú)家保薦人。作為專業(yè)碳化硅外延片供應(yīng)商，天域半導(dǎo)體通過自主研發(fā)，已掌握生產(chǎn)600伏至30000伏單極型及雙極型功率器件所需整個碳化硅外延片生產(chǎn)周期的必要核心技術(shù)及工藝，目前提供4英寸及6英寸碳化硅外延片，并已開始量產(chǎn)8英寸外延片。

結(jié)語

第三代半導(dǎo)體材料，尤其是碳化硅與氮化鎵，因耐高壓、高頻特性，已成為新能源與5G通信領(lǐng)域的核心器件。據(jù)TrendForce預(yù)測，2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將達(dá)91.7億美元。國內(nèi)企業(yè)紛紛通過IPO加速資本化進(jìn)程，旨在突破技術(shù)封鎖、應(yīng)對價格戰(zhàn)并綁定頭部客戶。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測建設(shè)項目順利封頂

5月27日，瀚薪科技通過全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導(dǎo)體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測建設(shè)項目”主體結(jié)構(gòu)正式封頂。

圖片來源：瀚薪科技

這一里程碑的達(dá)成，標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關(guān)鍵一步。未來瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進(jìn)一步實現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術(shù)快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標(biāo)與新能源產(chǎn)業(yè)升級！

資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)及國際領(lǐng)先的芯片設(shè)計、封裝工藝與測試能力。公司產(chǎn)品已通過車規(guī)級AEC-Q101及工規(guī)級JEDEC認(rèn)證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系。

廣州這個氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

近期，由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進(jìn)展，其位于南沙的首個先進(jìn)生產(chǎn)廠房正式啟用。

該廠房配備高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實現(xiàn) “從實驗室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進(jìn)氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場奠定了堅實基礎(chǔ)。

圖片來源：香港科技大學(xué)快訊

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學(xué)（廣州）陳子強(qiáng)教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)，是全球獨(dú)家通過MOCVD工藝實現(xiàn)了穩(wěn)定p型導(dǎo)電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補(bǔ)了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導(dǎo)電空白。

據(jù)悉，拓諾稀科技通過實現(xiàn)p型導(dǎo)電，使得氧化鎵材料具備構(gòu)建pn結(jié)及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機(jī)器人、電力能源等領(lǐng)域的應(yīng)用空間。團(tuán)隊采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨(dú)有的技術(shù)體系，支持多層pn結(jié)構(gòu)設(shè)計以實現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅實支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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圖片來源：羅姆半導(dǎo)體

圖為BM6GD11BFJ-LB，SOP-JW8 Package(4.90mmx6.00mm,H=Max. 1.65mm）

新產(chǎn)品是羅姆首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號的安全傳輸。

新產(chǎn)品通過采用羅姆自主開發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實現(xiàn)高達(dá)2MHz的高頻驅(qū)動。通過充分發(fā)揮GaN器件的高速開關(guān)特性，不僅有助于應(yīng)用產(chǎn)品更加節(jié)能和實現(xiàn)更高性能，還可通過助力外圍元器件的小型化來削減安裝面積。

另外，隔離型柵極驅(qū)動器IC的抗擾度指標(biāo)——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）達(dá)到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關(guān)時令人困擾的高轉(zhuǎn)換速率引發(fā)的誤動作，從而有助于系統(tǒng)實現(xiàn)穩(wěn)定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導(dǎo)通時間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。

GaN器件的柵極驅(qū)動電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達(dá)到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機(jī)功耗。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：中導(dǎo)光電

相較于傳統(tǒng)6英寸SiC晶圓，8英寸SiC在單位成本、生產(chǎn)效率和良率控制上具有顯著優(yōu)勢，是未來功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主流方向。中導(dǎo)光電董事長表示，公司NanoPro-150系列設(shè)備國產(chǎn)化率已達(dá)95%以上，在保證性能的同時大幅降低了客戶的設(shè)備投入成本。

此次訂單是客戶繼今年初批量采購后，半年內(nèi)第二次追加。訂單獲取歷經(jīng)三個月嚴(yán)格的技術(shù)對標(biāo)，NanoPro-150在檢測效率、穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)追溯性等核心指標(biāo)上全面達(dá)標(biāo)。

此前1月，中導(dǎo)光電表示，計劃在SiC晶圓納米級缺陷檢測領(lǐng)域投入更多研發(fā)資源，通過高精度多模式缺陷檢測技術(shù)的升級、人工智能AI缺陷識別算法的系統(tǒng)優(yōu)化以及設(shè)備整體性能的提升，進(jìn)一步提高SiC晶圓制造的質(zhì)量和效率。

目前，公司正在研發(fā)下一代檢測設(shè)備NanoPro-200和NanoPro-300，這些設(shè)備將具備更高的檢測精度和更廣泛的工藝覆蓋能力。其中，NanoPro-200的技術(shù)規(guī)格已達(dá)到40納米，并在AI智能化和自動化方面取得了顯著突破。而第三代NanoPro-300也已進(jìn)入研發(fā)關(guān)鍵期。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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