圖片來源：大富科技公告截圖

安徽云塔是一家專注于射頻前端芯片及模組產(chǎn)品研發(fā)與銷售的高科技企業(yè)，總部位于安徽合肥高新區(qū)。公司致力于推動射頻前端國產(chǎn)化進程，以自主創(chuàng)新技術打破國際巨頭壟斷，為5G/6G通信、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等新興領域提供高性能國產(chǎn)射頻前端解決方案?；诔咝阅苄酒诫姶艦V波技術（SPD）和電磁與聲學結合的混合濾波技術（Hybrid），安徽云塔目前擁有3系列、5系列和混合系列三大產(chǎn)品系列。

大富科技是國內(nèi)領先的移動通信基站射頻器件、射頻結構件的研發(fā)、生產(chǎn)與服務提供商。此次投資是其在保持傳統(tǒng)主營移動通信基站射頻產(chǎn)品領先優(yōu)勢的同時，積極布局射頻前端技術以及下一代移動通信基站射頻核心器件的重要舉措，有助于公司向 “射頻芯片+模組解決方案供應商” 轉型，提升市場競爭力。

根據(jù)公告 ，本次交易擬采用先增資擴股后股權轉讓的交易模式，即先行與其他投資方一起對安徽云塔進行增資，之后公司再受讓安徽云塔部分老股，本次交易的投資總額為不超過人民幣1000000萬元，其中增資金額為550000萬元，受讓老股金額為不超過450000萬元，在兩步交易實施完成后，公司最終以期持有安徽云塔不超過20%股權。

（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

當下的功率半導體市場，正上演一場無聲的暗戰(zhàn)。這不是傳統(tǒng)的市場份額爭奪，而是一場關乎產(chǎn)業(yè)模式、技術路線乃至地緣格局的大洗牌。戰(zhàn)場的中央，三股力量正在激烈碰撞，共同塑造著行業(yè)的未來。

第一股力量，是統(tǒng)治這片疆域數(shù)十年的舊日帝國——以英飛凌（Infineon）、意法半導體（STMicroelectronics）為代表的IDM（集成器件制造商）。他們憑借著從設計到制造的垂直整合能力，構建了深厚的護城河，長期以來穩(wěn)坐霸主之位。他們的權力根植于對工藝的深刻理解和對質(zhì)量的絕對掌控。

第二股力量，是來自東方的新生貴族——由中國廠商組成的Fabless（無晶圓廠設計公司）生態(tài)系統(tǒng)。他們搭乘著成熟制程產(chǎn)能充裕的順風車，以輕資產(chǎn)、高靈活性的姿態(tài)，向傳統(tǒng)格局發(fā)起了猛烈的沖擊。這股力量的崛起，不僅是市場選擇的結果，更與大國博弈的宏大敘事緊密相連。

第三股力量，則是一件足以顛覆戰(zhàn)場規(guī)則的超級武器——以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料。它的出現(xiàn)，不僅拓寬了技術的邊界，更像一劑催化劑，激化了前兩股力量的矛盾。汽車和工業(yè)領域對高可靠性的嚴苛要求，特別是SiC市場的爆發(fā)，反過來強化了IDM模式的必要性，因為它能更好地實現(xiàn)深度整合和全程質(zhì)量把控。

這場戰(zhàn)爭的核心矛盾，呈現(xiàn)出一種奇特的拉扯。一方面，行業(yè)在走向更精細的分工合作，這是中國Fabless崛起的底層邏輯；另一方面，新技術和高端應用的需求，卻在反向推動產(chǎn)業(yè)鏈的再度整合。這意味著，市場正同時被兩股方向相反的力量拉扯：一股是推動產(chǎn)業(yè)鏈解構、走向開放協(xié)作的離心力；另一股則是因應高階技術復雜性而要求垂直整合、強化內(nèi)部控制的向心力。

這不是一個誰將取代誰的簡單故事，而是一場關于垂直整合與供應鏈多元化的激烈戰(zhàn)略博弈。在這場由技術、經(jīng)濟和地緣政治共同作用的權力游戲中，舊的聯(lián)盟正在瓦解，新的秩序尚未成型。我們正站在一個充滿變數(shù)的十字路口，目睹著一場深刻的權力轉移。最終，行業(yè)將走向何方？這個問題的答案，不僅決定了無數(shù)企業(yè)的命運，也將為全球半導體供應鏈的未來定下基調(diào)。

第一章：IDM的舊制度：一座難以撼動的堅固堡壘

在功率半導體這個領域，IDM模式的長期統(tǒng)治并非歷史的偶然，而是源于其產(chǎn)品特性和市場結構的內(nèi)在邏輯。這座由傳統(tǒng)巨頭們建立的舊制度堡壘，其堅固程度遠超外界想象。它的護城河不僅僅是資本和工廠，更是一種深植于行業(yè)骨髓的手藝與信任。

圖片來源：sora AI生成

· 不止是工廠，更是老師傅的手藝

將IDM的優(yōu)勢簡單歸結為擁有晶圓廠，是一種普遍的誤解。事實上，與高度標準化的數(shù)字邏輯芯片不同，功率和模擬組件的性能，與其制造工藝的物理和電氣特性深度綁定。這意味著，制造本身并非一項可以輕易外包的服務，而是產(chǎn)品性能和核心知識產(chǎn)權不可分割的一部分。

功率組件的設計，與其說是在圖紙上堆指標，不如說更像是中醫(yī)調(diào)和藥方。每一項性能的提升，都必須兼顧其他五六個相互制衡的參數(shù)。電壓、溫度、導通損耗、開關速度……幾乎沒有一項指標能夠獨善其身。這種類似于模擬IC設計中著名的八邊形法則的權衡與優(yōu)化，往往無法通過理論計算完美解決，而是要靠經(jīng)驗豐富的資深工程師，在產(chǎn)在線一次次地調(diào)整參數(shù)、摸索工藝，像打磨藝術品一樣，一點點磨出來。

左圖：模擬集成電路的“八邊形法則” 右圖：功率半導體器件也存在類似的“八邊形法則”

這正是IDM模式的根本優(yōu)勢所在：它能夠在內(nèi)部實現(xiàn)設計與工藝技術的上下游協(xié)同。設計部門可以根據(jù)新組件架構的需求，向工藝部門提出調(diào)整流程的請求；反之，工藝部門的任何改進，也能迅速反饋給設計部門，催生出新的設計思路。這種持續(xù)、高效的內(nèi)部反饋閉環(huán)，在Fabless與代工廠（Foundry）的合作模式中，雖然也可以開展，但溝通成本高昂，效率也難以相提并論。

中國IDM領軍企業(yè)士蘭微電子董事長陳向東曾指出，功率器件行業(yè)內(nèi)高達75%到80%的產(chǎn)出來自IDM，其根本原因就在于歐美日的傳統(tǒng)巨頭們，憑借數(shù)十年積累的特殊工藝技術構筑了強大的市場壁壘。這些技術本身就是一種獨特的、難以轉移的專有資產(chǎn)，例如英飛凌的 1200V CoolSiC MOSFET工藝，它不僅僅是一套生產(chǎn)流程，更是英飛凌核心競爭力的體現(xiàn)。

這也解釋了為何功率半導體領域的Fabless模式，面臨著比數(shù)字集成電路領域高得多的門坎。一家功率Fabless公司無法簡單地從代工廠提供的標準工藝菜單中挑選，而必須投入巨大的成本與代工廠進行深度協(xié)同開發(fā)，這在很大程度上削弱了其輕資產(chǎn)模式的初衷。在標準化、開放的功率組件工藝平臺真正成熟之前，IDM模式憑借將設計和工藝開發(fā)都掌握在自己手中的天然優(yōu)勢，將繼續(xù)保持其在性能和技術迭代上的領先地位。

· 雜貨鋪也是一種護城河

功率半導體市場的另一個顯著特點，是其高度碎片化的產(chǎn)品組合。根據(jù)電壓、電流、封裝、功能等參數(shù)的不同排列組合，市場上的產(chǎn)品型號 數(shù)以萬計。這就像一個巨大的雜貨鋪，客戶的需求五花八門，而且往往是少量多樣。

這種市場結構，對Fabless公司構成了巨大的挑戰(zhàn)。通過外部代工廠來管理如此龐大的產(chǎn)品組合，將面臨巨大的交易成本。每一款產(chǎn)品、每一個小批量訂單，都可能需要獨立的合同談判、IP保護協(xié)議、質(zhì)量保證審核以及頻繁的技術溝通。這種摩擦成本會隨著產(chǎn)品種類的增加而急劇上升，嚴重侵蝕利潤。

IDM模式則通過將這些活動內(nèi)部化，顯著降低了交易成本。其統(tǒng)一、集成的產(chǎn)品開發(fā)與制造流程，使得企業(yè)能以更低的邊際成本推出多樣化的產(chǎn)品組合。這正是德州儀器（Texas Instruments）、英飛凌、意法半導體等行業(yè)巨頭能夠維持其市場領導地位的關鍵競爭優(yōu)勢之一。他們之所以能成為行業(yè)的雜貨鋪巨頭，并非僅僅因為規(guī)模大，更是因為他們的組織架構天然地適應了這種少量多樣的市場需求。從經(jīng)濟學的角度看，IDM的垂直整合模式，是應對功率半導體市場高度復雜性和碎片化所帶來的交易成本問題的最優(yōu)解。其主導地位是市場效率選擇的結果，而不僅僅是歷史的慣性。

· 客戶信任的另一座長城

如果說技術和商業(yè)模式是IDM堡壘的磚石，那么信任就是將這一切粘合在一起、并使其堅不可摧的水泥。在對可靠性和質(zhì)量要求極為嚴苛的汽車和工業(yè)市場，這種基于長期合作和穩(wěn)定供應的品牌聲譽，本身就是一種難以估量的戰(zhàn)略資產(chǎn)。

建設和運營一座功率半導體晶圓廠需要巨大的資本投入，同時在研發(fā)上的持續(xù)支出也構成了強大的資金門坎。這種重資產(chǎn)模式雖然使IDM在行業(yè)周期性波動中面臨一定風險，但它也賦予了這些企業(yè)掌控自身技術路線圖、保護核心工藝秘密以及建立強大品牌聲譽的能力。

在汽車和工業(yè)應用中，一個微小的組件失效都可能導致災難性的后果。因此，客戶在選擇供貨商時，除了考慮性能和成本，更看重其長期的可靠性記錄和供應鏈的穩(wěn)定性。一個擁有數(shù)十年歷史、經(jīng)歷過多輪行業(yè)周期考驗的IDM巨頭，其品牌本身就代表了一種質(zhì)量承諾。這種信任，是新進入者難以在短時間內(nèi)建立的，它構成了一道無形的、卻又極其堅固的信任長城。

數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導體整理

這張表格清晰地勾勒出了三種商業(yè)模式的根本差異。它不僅是一個簡單的對比，更是理解整個功率半導體行業(yè)競爭格局的基礎框架。IDM的優(yōu)勢在于整合與控制，F(xiàn)abless的優(yōu)勢在于專注與靈活，而Foundry則立足于規(guī)模與專業(yè)。這三者之間的博弈與共生，構成了我們接下來要探討的所有故事的背景。

第二章：中國Fabless的“閃電戰(zhàn)”：一場天時地利的突襲

長期以來由IDM巨頭們主導的穩(wěn)定格局，正被一股來自東方的力量以“閃電戰(zhàn)”般的速度撕開缺口。由中國廠商形成的Fabless生態(tài)系統(tǒng)，其崛起并非偶然，而是一場在特定市場條件、充足代工產(chǎn)能和國家戰(zhàn)略共同作用下的、堪稱天時地利的突襲。

· 東風已備：成熟產(chǎn)能的 大水漫灌

中國Fabless崛起的背后，最關鍵的東風是中國晶圓代工產(chǎn)業(yè)在成熟制程節(jié)點上，具備了充足的產(chǎn)能和深厚的工藝積累。

首先，中國是全球最大的半導體消費市場，但長期高度依賴進口，這催生了巨大的市場替代空間。尤其在電動汽車、光伏、工業(yè)控制等高增長領域，對功率半導體的需求呈爆炸式增長，為本土廠商提供了肥沃的土壤。

其次，功率半導體的主戰(zhàn)場并非尖端制程，而是通常大于65納米的成熟節(jié)點。與建造一座耗資超過200億美元的先進邏輯芯片晶圓廠不同，用于生產(chǎn)功率半導體的成熟制程晶圓廠，尤其是200mm（8英寸）產(chǎn)線，資本密集度相對較低，技術門檻也更容易跨越。

這恰好與中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀完美契合。芯聯(lián)集成、華虹半導體等中國本土代工廠，在過去十幾年里建立了龐大的成熟制程產(chǎn)能。在國內(nèi)廠商競爭激烈的背景下，為了充分利用產(chǎn)能，這些代工廠對數(shù)量較小、種類多樣的特色工藝訂單有著濃厚興趣，不像頭部大廠那樣會嚴苛挑選客戶和訂單。這與新興Fabless公司“船小好掉頭”的業(yè)務模式和發(fā)展需求形成了完美的共生關系：Fabless無需承擔巨額資本開支即可獲得制造能力，而代工廠則通過承接這些高附加值的訂單來填補產(chǎn)能，實現(xiàn)了雙贏。這股成熟產(chǎn)能的大潮水，為中國Fabless的幼苗提供了最關鍵的灌溉。

· 奇兵突出：從標準化的IGBT撕開缺口

如果說成熟產(chǎn)能是東風，那么標準化的IGBT模塊，就是中國Fabless發(fā)動閃電戰(zhàn)時選定的“奇兵”。他們沒有選擇在IDM防守最嚴密的領域（如高度客制化、對工藝理解要求極高的分立器件）進行正面強攻，而是巧妙地選擇了IDM整合優(yōu)勢最弱、代工模式成本優(yōu)勢最強的環(huán)節(jié)作為突破口。

與規(guī)格復雜、種類繁多的普通功率組件不同，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）通常以模塊 ?（Module）的形式封裝和銷售。這些模塊將多個IGBT芯片和續(xù)流二極管等集成在一起，形成標準化的拓撲結構。這使得不同制造商生產(chǎn)的、功能和額定參數(shù)相同的IGBT模塊，在封裝尺寸、引腳定義、電氣參數(shù)等方面具有高度的通用性。

這種高度的標準化，為中國Fabless廠商提供了一個天然的切入口。一家設計公司可以專注于設計少數(shù)幾個市場需求量最大的熱門模塊，然后將這些少樣大量的標準化訂單放心地交給代工廠生產(chǎn)。這種模式不僅極大地降低了與代工廠的溝通成本和管理復雜度，還能通過規(guī)模效應顯著降低代工成本。這正是對IDM模式少量多樣優(yōu)勢的精準打擊。

資料來源：集邦化合物半導體整理

中國IGBT設計領導者斯達半導（StarPower）與主要代工廠華虹半導體之間的合作，是這一模式成功運作的典范。通過雙方合作，華虹半導體成為全球首家同時在8英寸和12英寸產(chǎn)在線大規(guī)模量產(chǎn)先進IGBT的純晶圓代工廠。同樣，無錫新潔能也通過與一流的8英寸晶圓代工廠緊密合作，來保證其產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應。這些成功案例，清晰地展示了中國Fabless如何通過精準的產(chǎn)品定位，將代工模式的優(yōu)勢發(fā)揮到極致。

· 戰(zhàn)略迂回：繞開封鎖的陽關大道

將視角拉遠，中國Fabless的熱潮背后，還隱藏著更深層次的戰(zhàn)略邏輯。這不僅僅是一個產(chǎn)業(yè)趨勢，更是一項符合政策方向的發(fā)展戰(zhàn)略。

近年來，美國等國的出口管制主要集中在7納米以下的先進制程節(jié)點和高端AI芯片領域。而功率半導體所依賴的成熟工藝節(jié)點，在很大程度上相對不受管制影響。然而，這些節(jié)點的發(fā)展，同樣對于提升一個國家的產(chǎn)業(yè)規(guī)模、積累技術能力、保障關鍵領域供應鏈安全至關重要。

因此，通過大力發(fā)展Fabless功率半導體生態(tài)系統(tǒng)，中國可以在不直接挑戰(zhàn)最嚴苛技術封鎖的前提下，迅速提升在汽車、工業(yè)等國家命脈領域的半導體自給率和供應鏈安全。這可以被視為一種巧妙的“戰(zhàn)略迂回”。它繞開了封鎖最嚴密的“獨木橋”，選擇了一條雖然不那么光鮮靚麗、但同樣能夠通向產(chǎn)業(yè)自主的“陽關大道” ?。這場 “閃電戰(zhàn)”的目標，不僅僅是市場份額，更是產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略縱深。

數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導體整理

這張表格就像是中國Fabless 新貴們的一張群像。它具體地展示了這股新興力量的代表性企業(yè)和他們的核心產(chǎn)品，將抽象的 Fabless熱潮落實到了一個個真實的市場參與者身上，勾勒出中國在功率半導體領域新興生態(tài)系統(tǒng)的版圖。

第三章：碳化硅的“權力的游戲”：誰能坐上鐵王座？

如果說IDM與Fabless的對決是舊制度與新勢力的較量，那么碳化硅（SiC）的出現(xiàn)，則徹底改變了游戲規(guī)則。這不僅僅是一次技術升級，更是一場深刻的材料革命。它正以其卓越的性能，重塑著功率半導體行業(yè)的競爭格局、供應鏈結構和成本模型，并對IDM與Fabless之爭產(chǎn)生了決定性的影響。一場圍繞SiC的“權力游戲”已經(jīng)拉開序幕，所有玩家都想坐上未來的“鐵王座”。

· 汽車的“心臟病” 與SiC的“特效藥”

SiC市場正迎來史無前例的爆發(fā)式增長。根據(jù)TrendForce集邦咨詢的預測，到2030年，全球SiC功率組件的市場規(guī)模將接近164億美元，2025至2030年的復合年增長率（CAGR）高達驚人的31%。

Figure 1 SiC功率器件的市場規(guī)模

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導體市場報告

這場爆發(fā)的核心驅動力，來自于汽車行業(yè)，特別是純電動汽車（BEV）。隨著各大車廠紛紛轉向800V高壓平臺以追求更高的充電效率和續(xù)航里程，傳統(tǒng)的硅基IGBT開始力不從心。高電壓下的開關損耗和散熱問題，成為了制約電動車性能提升的 “心臟病”。而SiC，正是治療這種“心臟病” 的“特效藥” ?。預計到2030年，來自汽車領域的需求將占據(jù)SiC總需求的約70% 。

SiC的價值主張，必須在系統(tǒng)層面才能完全體現(xiàn)。盡管在單個組件層面，SiC MOSFET的價格仍然遠高于其對目標硅基IGBT，通常是同等規(guī)格產(chǎn)品的3倍左右，其核心成本來自于價格可能是硅晶圓20到40倍的SiC襯底 。但其優(yōu)越的性能——如極低的開關損耗——允許系統(tǒng)在更高的頻率下工作，從而顯著減小濾波器、電容等被動組件的尺寸、重量和成本。其更高的轉換效率能夠有效提升電動車的續(xù)航里程，并降低對龐大散熱系統(tǒng)的要求。例如，在逆變器應用中，用SiC MOSFET替代IGBT，可以將總功率損耗降低約41% 。正是這種系統(tǒng)級的巨大優(yōu)勢，證明了在電動車等高端應用中采用更高成本組件的合理性。

· 兩條路線的世紀豪賭

SiC的戰(zhàn)略重要性，使其上游的襯底材料成為了兵家必爭之地。由于SiC襯底的生產(chǎn)技術壁壘極高，高度依賴經(jīng)驗積累，在市場發(fā)展初期，供應被Wolfspeed等少數(shù)幾家供貨商壟斷，造成了嚴重的供應瓶頸。為了確保關鍵原材料的穩(wěn)定供應，行業(yè)內(nèi)部出現(xiàn)了兩條截然不同的戰(zhàn)略路線，這是一場關乎未來的“世紀豪賭”。

圖片來源：sora AI生成

第一條路：垂直整合，掌控一切。

以onsemi為代表的廠商，選擇了這條最為決絕的路。通過收購襯底大廠GTAT，并大力投資內(nèi)部研發(fā)和產(chǎn)能建設，onsemi的目標是掌控從晶體生長到模塊封裝的全價值鏈。目前，其SiC襯底材料的自給率已超過50%，并提出了實現(xiàn)50%毛利率的宏大目標。這是一個基于“ 控制力”的賭注：他們相信，只有將最核心、最不確定的環(huán)節(jié)牢牢掌握在自己手中，才能帶來最終的成本、質(zhì)量和供應保障優(yōu)勢。

第二條路：多元采購，保持靈活。

行業(yè)巨頭英飛凌則采取了截然不同的戰(zhàn)略。它刻意避免自行生產(chǎn)SiC晶體，轉而建立一個多元化的供貨商網(wǎng)絡，其中甚至包括了天科合達和山東天岳等中國供貨商。這是一個基于“靈活性”的賭注：英飛凌押注SiC襯底市場最終會走向成熟和商品化，通過避免在非核心能力上進行巨額資本投資，他們保持了戰(zhàn)略的靈活性，分散了地緣政治風險，并能將研發(fā)資源集中在價值創(chuàng)造能力更強的組件設計和制造環(huán)節(jié)。

Figure 2 SiC器件行業(yè)的主導商業(yè)模式長期趨勢

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導體市場報告

這場“世紀豪賭”誰會贏？關鍵取決于一個變數(shù)：中國以及其他新興的SiC襯底廠商，能否在未來幾年內(nèi)快速追上頂級水平。如果他們做到了，襯底市場將如英飛凌所愿變得更具競爭性，其多元化采購的策略將大獲全勝；如果質(zhì)量和良率的差距依然巨大，那么onsemi那條自給自足的整合路線將顯得更加穩(wěn)固。這場路線之爭的結果，不僅關乎兩家公司的命運，更將為整個半導體行業(yè)在面對未來新材料時，應如何構建供應鏈提供一個決定性的范例。

· 價格戰(zhàn)的“血色婚禮”

在這場權力游戲的背后，一場殘酷的價格戰(zhàn)已經(jīng)打響。在技術升級和產(chǎn)能擴張的雙重驅動下，SiC市場正在經(jīng)歷一場“價格破壞效應”，其慘烈程度堪比一場“血色婚禮”。

一方面，為了降低單位芯片成本，整個行業(yè)正處于從150mm（6英寸）向200mm（8英寸）晶圓過渡的關鍵時期。Wolfspeed是這一轉型的先行者，博世、英飛凌、意法半導體等巨頭也緊隨其后。晶圓尺寸的增大，理論上可以大幅降低單顆芯片的成本。

另一方面，全球（尤其是在中國）正在進行大規(guī)模的SiC產(chǎn)能擴張。這兩股力量疊加，共同導致了SiC晶圓和組件價格的持續(xù)走低。從2024年的價格趨勢圖可以看出，無論是1200V/40mΩ還是1200V/80mΩ的SiC MOSFET，都經(jīng)歷了一場雪崩式的下跌。

Figure 3 1200V/40mΩ的SiC MOSFET價格趨勢（unit:USD）

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導體市場報告

由上圖可以看出，1200V/40Ω的SiC MOSFET在2024年經(jīng)歷了明顯的下滑，尤其是高端市場的價格，受到的沖擊更為明顯，下滑的速率也更高。

Figure 4 1200V/80mΩ的SiC MOSFET價格趨勢（unit:USD）

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導體市場報告

而在1200V/80Ω的SiC MOSFET市場，同樣也經(jīng)歷了一場雪崩式的下跌。這背后的關鍵驅動因素正是SiC襯底市場出現(xiàn)了6英寸向8英寸切換的歷史性變化。

然而，市場正陷入一個致命的悖論：電動汽車需求的短期放緩，與大規(guī)模的產(chǎn)能建設同時發(fā)生。這給那些已經(jīng)進行了巨額資本投資的企業(yè)帶來了巨大的財務壓力。這場血色婚禮正在無情地清洗市場，只有那些在技術、成本和供應鏈上擁有真正護城河的玩家，才能在這場混戰(zhàn)中幸存下來，并最終登上“鐵王座” ?。

數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導體整理

這張表格是SiC 權力游戲的實時記分牌。它揭示了兩個核心事實：第一，市場高度集中，前四家IDM巨頭合計占據(jù)了近八成的市場份額，顯示了IDM模式在SiC領域的絕對主流地位。第二，巨頭們的戰(zhàn)略路徑清晰分野，從意法半導體在中國的合資，到onsemi的整合，再到英飛凌的采購，每一步棋都充滿了深思熟慮的戰(zhàn)略考慮。這場游戲的結局，遠未到來。

第四章：終局之戰(zhàn)：回歸“品質(zhì)與信任”的強大引力

在技術迭代、模式創(chuàng)新和地緣政治的紛繁擾動之下，功率半導體行業(yè)的終局之戰(zhàn)，最終將回歸到一個古老而樸素的戰(zhàn)場——品質(zhì)與信任。這股強大的引力，源自汽車和工業(yè)等關鍵應用領域對品牌和可靠性的極致要求。一個看似矛盾的現(xiàn)象正在發(fā)生：推動市場增長的技術創(chuàng)新，本身也反向強化了那些有利于傳統(tǒng)IDM巨頭的、基于保守和信任的采購行為。

在汽車和工業(yè)應用中，可靠性永遠是超越性能或成本的首要考慮因素。一個汽車零部件被期望在嚴酷的工作環(huán)境下，實現(xiàn)長達15至20年的零失效壽命。對于一家大型汽車制造商（OEM）而言，哪怕是百萬分之一（PPM）的失效率，也可能意味著每天有數(shù)十輛新車存在潛在缺陷，這將導致無法估量的聲譽和財務損失。因此，供貨商在質(zhì)量和可靠性方面的品牌聲譽，成為了一張最高級的入場券。

圖片來源：sora AI生成

汽車行業(yè)嚴格的安全標準（如AEC-Q101）和漫長的驗證流程，為新進入者設置了極高的壁壘。芯片制造商為了滿足這些標準，甚至需要建立專門服務于汽車行業(yè)的晶圓廠和工藝流程。這種環(huán)境天然地有利于那些與OEM建立了數(shù)十年合作關系、并擁有良好交付記錄的成熟企業(yè)，如英飛凌、意法半導體等。

更深層次的變化在于，汽車行業(yè)的技術演進正在從根本上改變其風險評估體系。過去，汽車行業(yè)傾向于使用經(jīng)過多年驗證的成熟半導體技術，其失效模式已廣為人知。而現(xiàn)在，隨著高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和電動化的普及，汽車制造商被迫采用最前沿的技術，包括先進的系統(tǒng)級芯片（SoC）和SiC等新材料。這意味著，他們正在將汽車的安全與性能，押注在那些長期失效模式尚不完全明確的新技術上，這也必然導致現(xiàn)場意外失效的風險急劇增加。

在這種高風險環(huán)境中，采購方自然會出現(xiàn)一種 “向質(zhì)量看齊”（flight to quality）的轉變，他們會本能地傾向于選擇最值得信賴的合作伙伴來共同管理和降低風險。這種信任，建立在長期的質(zhì)量記錄、深入的技術合作以及對制造過程的透明控制之上。這為老牌的IDM巨頭創(chuàng)造了強大的結構性優(yōu)勢。他們能夠為OEM提供從設計、制造到質(zhì)量保證的 “一站式”服務，提供一種Fabless/Foundry聯(lián)盟難以匹敵的責任和問責機制。

汽車行業(yè)，無疑是決定功率半導體產(chǎn)業(yè)未來結構的關鍵戰(zhàn)場。市場預測顯示，每輛汽車的半導體用量將從2024年的700美元，提高到2030年的1400美元 。僅在2025年，由電動汽車效率和續(xù)航需求驅動的SiC和氮化鎵（GaN）功率組件的需求，預計就將增長超過20% 。在這片增長最快、利潤最豐厚、同時要求也最嚴苛的戰(zhàn)場上，信任的引力和價值將會被放大到極致。

因此，我們看到了一個深刻的悖論：正是驅動汽車半導體市場增長的SiC技術革命，反過來鞏固了“舊制度”的根基。創(chuàng)新帶來了風險，而風險催生了對信任的需求，信任最終流向了那些擁有最深厚歷史積淀的IDM巨頭。

結語：沒有終局的戰(zhàn)爭

這場功率半導體的戰(zhàn)爭，不會有單一的勝利者，也不會有一個一勞永逸的終局。未來，一個更加復雜、動態(tài)共存的產(chǎn)業(yè)新格局將會浮現(xiàn)：

IDM巨頭將繼續(xù)鞏固其在金字塔尖的統(tǒng)治地位。在汽車電子、關鍵工業(yè)控制等對可靠性、安全性和供應鏈穩(wěn)定性要求達到極致的高價值核心市場，他們憑借設計與工藝的深度融合，以及數(shù)十年建立的 信任長城 ?，其優(yōu)勢短期內(nèi)無可替代。

中國的Fabless新貴則會在更廣闊的領域開疆拓土。在消費電子、標準化工業(yè)模塊以及對成本更為敏感的市場區(qū)間，他們憑借輕資產(chǎn)的靈活性、快速的市場響應和與本土代工廠的協(xié)同效應，將繼續(xù)蠶食市場份額，成為一股不可忽視的力量。

真正的戰(zhàn)場，將在廣闊的中間地帶展開。這不是一場模式的替代戰(zhàn)爭，而是一場動態(tài)的共存與演進。

對于身處其中的每一位業(yè)者而言，看清這場十字路口的暗戰(zhàn)，理解背后的權力游戲規(guī)則，才能在復雜多變的市場中，找到屬于自己的航道。

（集邦化合物半導體 Figo 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

據(jù)悉，該項目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路，總投資5100余萬元，建筑面積約25000多平方米。項目由龍游經(jīng)濟開發(fā)區(qū)下屬國資公司代建，主體建筑由廠房、綜合樓、門衛(wèi)、材料庫及室外附屬配套組成，建筑層數(shù)共計5層。

該項目的竣工標志著龍游縣在半導體產(chǎn)業(yè)領域邁出了堅實的一步，也為國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

據(jù)悉，芯盟項目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，并積極拓展碳化硅功率器件領域。項目建成后，預計年產(chǎn)300萬只高等級功率半導體模塊。這將顯著提升我國在高等級功率半導體領域的研發(fā)與生產(chǎn)能力，進一步推動國產(chǎn)功率半導體的發(fā)展。

該項目建成后將全面提升園區(qū)的整體工藝技術、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力，進一步助力國產(chǎn)功率半導體的發(fā)展。下一步，開發(fā)區(qū)將持續(xù)優(yōu)化園區(qū)環(huán)境，優(yōu)化周邊配套設施，推動企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉型升級，為開發(fā)區(qū)發(fā)展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個研發(fā)出垂直溝道三維存儲器并商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構集成HITOC鍵合技術可以實現(xiàn)線寬0.9μm，讓芯片之間連接點數(shù)超過100萬個，3D鍵合密度全球領先。

source：微龍游

近期，芯盟科技接連申請了兩項技術專利。

3月19日，芯盟科技向國家知識產(chǎn)權局申請了一項名為“動態(tài)隨機存儲器及其讀操作方法、電子設備”的專利，公開號為CN119626287A。該專利通過優(yōu)化DRAM設計，引入多個存儲單元組及靈敏放大器組等，顯著提高了DRAM的感應裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項名為“半導體器件及其制造方法”的專利，授權公告號為CN113629011B。這項專利涉及創(chuàng)新的材料選擇和生產(chǎn)工藝，有望提升半導體器件的耐用性和能效，廣泛應用于智能設備、通信基礎設施及消費電子等領域。

杜長虹表示，隨著電動汽車市場進入成熟階段，消費者對產(chǎn)品的要求愈發(fā)嚴格，增程技術憑借其獨特優(yōu)勢，能夠全面滿足用戶需求，展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展?jié)摿Γ渲?，碳化硅技術的應用將為增程系統(tǒng)的高效化提供關鍵支撐。

據(jù)悉，在動電池充電、驅動電機進行工作、以及將400V直流電（DC）轉換為800V直流電（DC）等環(huán)節(jié)中，碳化硅大有用武之地。

目前深藍超級增程2.0已集成原力超集電驅、原力智能增程和金鐘罩電池三大技術，而原力超集電驅中搭載了SiC MOSFET技術。

除了深藍汽車之外，近年小鵬、北汽等廠商也在關注SiC技術在增程車上的應用潛力，并在增程汽車產(chǎn)品中采用碳化硅技術。（集邦化合物半導體整理）

3月18日,美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利(US’294號專利)作出最終裁定，判決該專利所有權利要求均無效且應被撤銷。這一判決從根本上否定了EPC針對英諾賽科的指控基礎，標志著英諾賽科在EPC發(fā)起的這場長達兩年的專利戰(zhàn)中取得了完全勝利。

2023年5月，EPC在ITC對英諾賽科發(fā)起專利侵權訴訟調(diào)查，宣稱英諾賽科侵犯了EPC的US’294號專利和其他三項美國專利。其后，EPC主動撤訴其中兩項專利。ITC最終裁定第三項專利沒有侵權。對于US’294號專利，ITC裁定部分權利要求有效且被侵權。

英諾賽科堅決反對ITC有關US’294號專利有效及侵權的裁決，并且已于2025年1月31日向美國聯(lián)邦上訴法院提起上訴。英諾賽科認為ITC關于US’294號專利的判決有誤，應予以推翻。

現(xiàn)在，美國專利局（USPTO）關于US’294號專利的無效裁定證實了ITC先前對該專利的判決存在錯誤判斷，也確定了EPC對英諾賽科的指控并無根據(jù)，屬惡意競爭行為。USPTO在其最終裁決中指出EPC的US’294號專利所有權利要求均無效，因為它們僅僅是重復氮化鎵（”GaN”）領域的現(xiàn)有且被廣泛使用的通用技術。

美國專利局的無效判決標志著英諾賽科在此次與EPC的專利侵權案中取得了終極勝利。隨著和EPC的法律爭端塵埃落定，英諾賽科會將全部精力集中到為全球客戶開發(fā)和提供一流的基于GaN的電源解決方案中，為綠色高效新世界貢獻自己的力量。

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

source：集邦化合物半導體截圖

為精進電動全國戰(zhàn)略布局的重要支點，菏澤基地自2018年啟動建設以來持續(xù)擴容。首期投資20億元打造的智能化生產(chǎn)基地，已建成覆蓋研發(fā)、測試、制造全流程的新能源電驅動總成產(chǎn)線。其中一期工程于2019年4月提前兩個月實現(xiàn)量產(chǎn)，形成年產(chǎn)30萬套電驅動動力總成和百萬級齒輪組件的生產(chǎn)能力。

目前該基地已躍升為公司規(guī)模最大的研發(fā)制造中心，二期項目的實施將進一步完善”電機-電池-電控”三電系統(tǒng)垂直整合能力。

在區(qū)域布局方面，精進電動已形成”北研南產(chǎn)”的產(chǎn)業(yè)格局。位于上海嘉定的首個量產(chǎn)基地自2015年投產(chǎn)以來，年產(chǎn)能已提升至20萬臺套，持續(xù)承擔核心技術研發(fā)與高端產(chǎn)品試制任務。河北正定生產(chǎn)基地作為技術標桿，通過11億元投資打造的智能化工廠，在2022年實現(xiàn)年產(chǎn)50萬臺套電驅動系統(tǒng)，其技術指標與生產(chǎn)效率均處于行業(yè)領先水平。

公開資料顯示，這家成立于2008年的科技企業(yè)，始終專注于碳化硅電控、高效電機及系統(tǒng)集成技術研發(fā)。2021年登陸科創(chuàng)板后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，2024年財報顯示其上海、河北基地實現(xiàn)營收13億元，同比增長50%，彰顯新能源汽車核心部件領域的市場競爭力。此次山東二期項目的啟動，標志著公司在碳化硅技術產(chǎn)業(yè)化應用方面取得突破性進展，將進一步鞏固其在新能源三電系統(tǒng)領域的技術領先地位。（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

source：鎵仁半導體（圖為鎵仁半導體8英寸氧化鎵單晶）

據(jù)悉，8英寸氧化鎵能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，這將會顯著加快其產(chǎn)業(yè)化應用的步伐。其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率。

第四代半導體材料

在半導體材料的發(fā)展歷程中，每一代新材料的出現(xiàn)都推動著行業(yè)邁向新的高度。從第一代硅（Si）、鍺（Ge），到第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），再到第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN），如今，第四代半導體材料正嶄露頭角，其中氧化鎵（Ga?O?）備受矚目。

氧化鎵作為第四代半導體的代表，具有諸多令人矚目的特性。它擁有超寬帶隙，范圍在4.-4.9eV，這一數(shù)值遠高于第三代半導體碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多能量從價帶躍遷到導帶，使得氧化鎵具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等突出特性。其超高臨界擊穿場強可達8MV/cm，能承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，且導通電阻更低。

在應用領域方面，氧化鎵展現(xiàn)出了廣泛的潛力。在功率電子器件領域，它可用于數(shù)據(jù)中心，助力數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)更高效的節(jié)能；在軌道交通、光伏逆變器、大功率通信等高壓、大電流場景中，能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

其中值得注意的是，在新能源汽車領域，隨著汽車高壓化趨勢日益明顯，從400V逐步提升至800V，甚至未來可能采用1200V及更高的電壓平臺架構，氧化鎵制備的功率器件有望大顯身手，將新能源汽車的充電時間大幅縮短，例如從現(xiàn)在快充的30分鐘縮短至7分鐘左右，極大地提升用戶體驗。
然而，盡管氧化鎵前景廣闊，但目前在產(chǎn)業(yè)化進程中仍面臨一些挑戰(zhàn)。其中，降低成本是關鍵問題之一。氧化鎵襯底的制備難度雖低于部分其他第四代半導體材料如金剛石和氮化鋁，但其成本仍有待進一步降低，以提升市場競爭力。此前，氧化鎵襯底主要通過EFG法生產(chǎn)，該方法需在約1800℃的高溫且含氧環(huán)境中進行晶體生長，對生長環(huán)境要求極高，坩堝需使用耐高溫、耐氧且不污染晶體的材料，綜合性能與成本考量，只有貴金屬銥適合用于氧化鎵熔體，這使得成本居高不下。

行業(yè)項目/技術進展

從當前行業(yè)進展看，除了鎵仁半導體以外，在更早之前的2024年9月，富加鎵業(yè)打造的國內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線在杭州富陽開工建設，預計2025年年初投入使用。

另外，在2024年8月末，鴻?？萍技瘓F旗下的鴻海研究院前瞻技術研發(fā)取得重要成果。鴻海研究院半導體所所長暨國立陽明交通大學講座教授郭浩中及半導體所研究團隊，攜手陽明交大電子所洪瑞華教授團隊，在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得突破。

他們以創(chuàng)新的離子布植技術成功制造出具備優(yōu)異電性表現(xiàn)的氧化鎵pn二極管（pndiode）。通過磷離子布植和快速熱退火技術實現(xiàn)了第四代半導體p型Ga?O?的制造，并在其上重新生長n型和n?型Ga?O?，形成了pnGa?O?二極管。這一突破性技術不僅大幅提升了元件的穩(wěn)定性和可靠性，顯著降低電阻，更為未來高功率電子元件開辟了新的可能性，推動了氧化鎵在高壓、高溫應用領域的發(fā)展。

資料顯示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系統(tǒng)通過與環(huán)境的互動，利用身體的感知和運動能力來實現(xiàn)學習和推理的能力。這種智能形式強調(diào)身體在認知過程中的重要性，認為智能不僅僅是腦部的活動，還包括身體的運動和感知。它強調(diào)智能體（如機器人）與其物理形態(tài)和所處環(huán)境之間的密切聯(lián)系，認為智能行為是通過身體與環(huán)境的交互而產(chǎn)生的，且在實踐過程中通過循環(huán)的感知、決策、行動和反饋來實現(xiàn)“智能增長”。

隨著人工智能和機器人技術的飛速發(fā)展，具身智能逐漸成為人工智能領域的研究熱點，未來前景廣闊。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的研究，2025年各機器人大廠逐步實現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預估2027年全球人形機器人市場產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場規(guī)模年復合成長率將達154%。

業(yè)界指出，正如AI驅動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展一樣，具身智能也可以為半導體產(chǎn)業(yè)帶來助力，尤其是功率半導體領域。此前，特斯拉的Optimus人形機器人搭載了28個關節(jié)驅動器，每個驅動器都通過電機驅動，而每個電機則需要1~2顆IGBT等功率器件。

除IGBT之外，氮化鎵在具身智能產(chǎn)業(yè)的應用潛力也不斷凸顯。

此前，英飛凌詳細介紹了氮化鎵在機器人領域的應用優(yōu)勢，該公司認為氮化鎵在提升能效與縮小體積方面具備優(yōu)勢，將推動人行機器人、護理機器人和送貨無人機市場增長。

英飛凌認為，隨著機器人技術集成自然語言處理（NLP）和計算機視覺等AI先進技術，氮化鎵將為打造更高效、更緊湊的設計帶來必要的能效?；贕aN的電機驅動系統(tǒng)能提供優(yōu)異能效和性能、更高功率密度、更少電機損耗和更高速的開關能力。這些技術帶來了諸多優(yōu)勢，比如無需笨重的電解電容器、縮小尺寸并提高了可靠性。將逆變器集成到電機機箱中，可減少散熱器的需求，同時優(yōu)化關節(jié)/軸的布線，并簡化了EMC設計。更高效的控制頻率可改善動態(tài)響應能力。

具有高開關頻率的GaN基電機控制設計還支持在緊湊的密封外殼中實現(xiàn)更高的功率，在高頻下，GaN能夠提供優(yōu)異的性能，這進一步提高了系統(tǒng)的效率（包括逆變器和電機的損耗），并保持較低工作溫度。

國內(nèi)應用方面，近期，中科半導體團隊推出了首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機器人動力系統(tǒng)芯片，縮短了具身機器人開發(fā)成本和姿態(tài)學習時間，有望加速具身機器人產(chǎn)業(yè)的商用化步伐。

該款芯片主要應用于多關節(jié)具身機器人及智能裝備領域，根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標，通過芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號控制上100條仿真肌肉及伺服電機系統(tǒng)來完成復雜的原子操作，單個姿態(tài)運動達32個自由度。通過“邊緣物理模型”輸出PWM信號控制物理量信號，使機器人具有人一樣的復雜肢體動作和物理質(zhì)量的約束。（集邦化合物半導體Flora整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

TrendForce集邦咨詢表示，2024年全球牽引逆變器市場裝機量達2,721萬臺，其中，SiC（碳化硅）逆變器受惠于Tesla（特斯拉）及中國車廠的采用，滲透率于第四季達16%，為當年度最高，對于競爭激烈的功率半導體產(chǎn)業(yè)是正面訊號。

從逆變器供應端分析，比亞迪于2024年第三季已超越日廠Denso（電裝），并于第四季持續(xù)穩(wěn)居全球市占率最高位置。而第四季最大亮點在于華為受益于新能源車[注2]問界系列的熱銷，首度成為全球前五大供應商。目前，中國企業(yè)已在前五名席次中占據(jù)三席，打破過往歐洲、美國及日本供應商主導的市場格局。

TrendForce集邦咨詢指出，短期內(nèi)牽引逆變器市場成長仍將依靠中國及歐洲帶動，特別是BEV對于牽引逆變器的需求較其他動力模式更高，突顯中國市場的表現(xiàn)將更為關鍵。盡管2025年可能面臨美國“棄電從油”的潛在風險，但受惠于中國整車市場延續(xù)汰舊換新的補貼政策，以及在海外市場的大力布局，預計牽引逆變器裝機市場仍將維持14%的年增長率。

備注
[1] 電動車包括油電混合車(HEV)、純電動車(BEV)、插電混合式電動車(PHEV)、燃料電池車(FCV)
[2] 新能源車包含BEV、PHEV、FCV

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

01華潤微：公司SiC產(chǎn)品可應用于AI服務器電源中

華潤微披露投資者關系活動記錄表顯示，該公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模塊等產(chǎn)品預計受益于汽車智能化、電子化趨勢及AI、超計算等新興領域帶來的變革，實現(xiàn)增長。

source：華潤微電子官微（圖為華潤微電子（重慶）功率半導體研發(fā)中心）

產(chǎn)能方面，華潤微深圳12吋產(chǎn)線已于2024年底實現(xiàn)通線，處于新品驗證和新工藝轉移階段；重慶12吋產(chǎn)線已達成規(guī)劃產(chǎn)能3萬片/月。

產(chǎn)品進展方面，華潤微表示，目前中低壓MOS、高壓MOS、SiC產(chǎn)品可應用于AI服務器電源中，已處于上量階段。

SiC JBS和SiC MOS已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，覆蓋650V/1200V/1700V系列，性能達到國際領先同等水平。碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段。產(chǎn)品圍繞新能源汽車、充電樁、光伏逆變、儲能逆變、服務器電源等領域全面推廣上量，預計今年將實現(xiàn)高增長。

業(yè)界指出，碳化硅在AI服務器中的應用圍繞高效能電源設計與高可靠性散熱管理展開，通過替代傳統(tǒng)硅基器件，顯著提升能效比并降低運營成本。隨著AI熱潮不斷持續(xù)，碳化硅技術將成為AI數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低碳化與高性能化的重要推手。

02瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊

瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品，可應用于光伏等領域，已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導入驗證。

該款產(chǎn)品殼體高度僅12mm，能壓縮應用系統(tǒng)的體積，金屬底座讓模塊安裝更牢固，并消除了塑料底座老化的隱患。產(chǎn)品內(nèi)部集成了4相升壓電路，共用電源接地，分為2組，集成熱敏電阻以監(jiān)測溫度，可靈活適配2路或者4路直流輸入（DC input），滿足個性化設計需求。相對于分立器件方案，大幅提升功率密度，同時顯著簡化了電路的設計。

瞻芯電子介紹，2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路。在升壓變換電路中，2000V SiC分立器件能簡化電路拓撲、減少元器件數(shù)量，降低總物料成本，同時讓應用控制更簡單。對比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模塊產(chǎn)品，還進一步簡化了電路設計，大幅提升了功率密度。

03重慶青山與重慶大學聯(lián)合研發(fā)SiC芯片流片成功下線

近日，重慶青山與重慶大學聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。此次雙方聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片，在耐壓和閾值電壓等關鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。

器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達1700V以上；閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過率達到98%，實測值分布集中，具有較強的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節(jié)約成本。（集邦化合物半導體Flora整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。