3月18日,美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利(US’294號專利)作出最終裁定，判決該專利所有權(quán)利要求均無效且應(yīng)被撤銷。這一判決從根本上否定了EPC針對英諾賽科的指控基礎(chǔ)，標(biāo)志著英諾賽科在EPC發(fā)起的這場長達兩年的專利戰(zhàn)中取得了完全勝利。

2023年5月，EPC在ITC對英諾賽科發(fā)起專利侵權(quán)訴訟調(diào)查，宣稱英諾賽科侵犯了EPC的US’294號專利和其他三項美國專利。其后，EPC主動撤訴其中兩項專利。ITC最終裁定第三項專利沒有侵權(quán)。對于US’294號專利，ITC裁定部分權(quán)利要求有效且被侵權(quán)。

英諾賽科堅決反對ITC有關(guān)US’294號專利有效及侵權(quán)的裁決，并且已于2025年1月31日向美國聯(lián)邦上訴法院提起上訴。英諾賽科認(rèn)為ITC關(guān)于US’294號專利的判決有誤，應(yīng)予以推翻。

現(xiàn)在，美國專利局（USPTO）關(guān)于US’294號專利的無效裁定證實了ITC先前對該專利的判決存在錯誤判斷，也確定了EPC對英諾賽科的指控并無根據(jù)，屬惡意競爭行為。USPTO在其最終裁決中指出EPC的US’294號專利所有權(quán)利要求均無效，因為它們僅僅是重復(fù)氮化鎵（”GaN”）領(lǐng)域的現(xiàn)有且被廣泛使用的通用技術(shù)。

美國專利局的無效判決標(biāo)志著英諾賽科在此次與EPC的專利侵權(quán)案中取得了終極勝利。隨著和EPC的法律爭端塵埃落定，英諾賽科會將全部精力集中到為全球客戶開發(fā)和提供一流的基于GaN的電源解決方案中，為綠色高效新世界貢獻自己的力量。

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source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

為精進電動全國戰(zhàn)略布局的重要支點，菏澤基地自2018年啟動建設(shè)以來持續(xù)擴容。首期投資20億元打造的智能化生產(chǎn)基地，已建成覆蓋研發(fā)、測試、制造全流程的新能源電驅(qū)動總成產(chǎn)線。其中一期工程于2019年4月提前兩個月實現(xiàn)量產(chǎn)，形成年產(chǎn)30萬套電驅(qū)動動力總成和百萬級齒輪組件的生產(chǎn)能力。

目前該基地已躍升為公司規(guī)模最大的研發(fā)制造中心，二期項目的實施將進一步完善”電機-電池-電控”三電系統(tǒng)垂直整合能力。

在區(qū)域布局方面，精進電動已形成”北研南產(chǎn)”的產(chǎn)業(yè)格局。位于上海嘉定的首個量產(chǎn)基地自2015年投產(chǎn)以來，年產(chǎn)能已提升至20萬臺套，持續(xù)承擔(dān)核心技術(shù)研發(fā)與高端產(chǎn)品試制任務(wù)。河北正定生產(chǎn)基地作為技術(shù)標(biāo)桿，通過11億元投資打造的智能化工廠，在2022年實現(xiàn)年產(chǎn)50萬臺套電驅(qū)動系統(tǒng)，其技術(shù)指標(biāo)與生產(chǎn)效率均處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

公開資料顯示，這家成立于2008年的科技企業(yè)，始終專注于碳化硅電控、高效電機及系統(tǒng)集成技術(shù)研發(fā)。2021年登陸科創(chuàng)板后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，2024年財報顯示其上海、河北基地實現(xiàn)營收13億元，同比增長50%，彰顯新能源汽車核心部件領(lǐng)域的市場競爭力。此次山東二期項目的啟動，標(biāo)志著公司在碳化硅技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面取得突破性進展，將進一步鞏固其在新能源三電系統(tǒng)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：鎵仁半導(dǎo)體（圖為鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶）

據(jù)悉，8英寸氧化鎵能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，這將會顯著加快其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的步伐。其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率。

第四代半導(dǎo)體材料

在半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程中，每一代新材料的出現(xiàn)都推動著行業(yè)邁向新的高度。從第一代硅（Si）、鍺（Ge），到第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），再到第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN），如今，第四代半導(dǎo)體材料正嶄露頭角，其中氧化鎵（Ga?O?）備受矚目。

氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體的代表，具有諸多令人矚目的特性。它擁有超寬帶隙，范圍在4.-4.9eV，這一數(shù)值遠高于第三代半導(dǎo)體碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多能量從價帶躍遷到導(dǎo)帶，使得氧化鎵具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等突出特性。其超高臨界擊穿場強可達8MV/cm，能承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，且導(dǎo)通電阻更低。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，氧化鎵展現(xiàn)出了廣泛的潛力。在功率電子器件領(lǐng)域，它可用于數(shù)據(jù)中心，助力數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)更高效的節(jié)能；在軌道交通、光伏逆變器、大功率通信等高壓、大電流場景中，能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

其中值得注意的是，在新能源汽車領(lǐng)域，隨著汽車高壓化趨勢日益明顯，從400V逐步提升至800V，甚至未來可能采用1200V及更高的電壓平臺架構(gòu)，氧化鎵制備的功率器件有望大顯身手，將新能源汽車的充電時間大幅縮短，例如從現(xiàn)在快充的30分鐘縮短至7分鐘左右，極大地提升用戶體驗。
然而，盡管氧化鎵前景廣闊，但目前在產(chǎn)業(yè)化進程中仍面臨一些挑戰(zhàn)。其中，降低成本是關(guān)鍵問題之一。氧化鎵襯底的制備難度雖低于部分其他第四代半導(dǎo)體材料如金剛石和氮化鋁，但其成本仍有待進一步降低，以提升市場競爭力。此前，氧化鎵襯底主要通過EFG法生產(chǎn)，該方法需在約1800℃的高溫且含氧環(huán)境中進行晶體生長，對生長環(huán)境要求極高，坩堝需使用耐高溫、耐氧且不污染晶體的材料，綜合性能與成本考量，只有貴金屬銥適合用于氧化鎵熔體，這使得成本居高不下。

行業(yè)項目/技術(shù)進展

從當(dāng)前行業(yè)進展看，除了鎵仁半導(dǎo)體以外，在更早之前的2024年9月，富加鎵業(yè)打造的國內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線在杭州富陽開工建設(shè)，預(yù)計2025年年初投入使用。

另外，在2024年8月末，鴻海科技集團旗下的鴻海研究院前瞻技術(shù)研發(fā)取得重要成果。鴻海研究院半導(dǎo)體所所長暨國立陽明交通大學(xué)講座教授郭浩中及半導(dǎo)體所研究團隊，攜手陽明交大電子所洪瑞華教授團隊，在第四代化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得突破。

他們以創(chuàng)新的離子布植技術(shù)成功制造出具備優(yōu)異電性表現(xiàn)的氧化鎵pn二極管（pndiode）。通過磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體p型Ga?O?的制造，并在其上重新生長n型和n?型Ga?O?，形成了pnGa?O?二極管。這一突破性技術(shù)不僅大幅提升了元件的穩(wěn)定性和可靠性，顯著降低電阻，更為未來高功率電子元件開辟了新的可能性，推動了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。

資料顯示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系統(tǒng)通過與環(huán)境的互動，利用身體的感知和運動能力來實現(xiàn)學(xué)習(xí)和推理的能力。這種智能形式強調(diào)身體在認(rèn)知過程中的重要性，認(rèn)為智能不僅僅是腦部的活動，還包括身體的運動和感知。它強調(diào)智能體（如機器人）與其物理形態(tài)和所處環(huán)境之間的密切聯(lián)系，認(rèn)為智能行為是通過身體與環(huán)境的交互而產(chǎn)生的，且在實踐過程中通過循環(huán)的感知、決策、行動和反饋來實現(xiàn)“智能增長”。

隨著人工智能和機器人技術(shù)的飛速發(fā)展，具身智能逐漸成為人工智能領(lǐng)域的研究熱點，未來前景廣闊。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的研究，2025年各機器人大廠逐步實現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預(yù)估2027年全球人形機器人市場產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場規(guī)模年復(fù)合成長率將達154%。

業(yè)界指出，正如AI驅(qū)動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展一樣，具身智能也可以為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來助力，尤其是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。此前，特斯拉的Optimus人形機器人搭載了28個關(guān)節(jié)驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都通過電機驅(qū)動，而每個電機則需要1~2顆IGBT等功率器件。

除IGBT之外，氮化鎵在具身智能產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用潛力也不斷凸顯。

此前，英飛凌詳細(xì)介紹了氮化鎵在機器人領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢，該公司認(rèn)為氮化鎵在提升能效與縮小體積方面具備優(yōu)勢，將推動人行機器人、護理機器人和送貨無人機市場增長。

英飛凌認(rèn)為，隨著機器人技術(shù)集成自然語言處理（NLP）和計算機視覺等AI先進技術(shù)，氮化鎵將為打造更高效、更緊湊的設(shè)計帶來必要的能效?；贕aN的電機驅(qū)動系統(tǒng)能提供優(yōu)異能效和性能、更高功率密度、更少電機損耗和更高速的開關(guān)能力。這些技術(shù)帶來了諸多優(yōu)勢，比如無需笨重的電解電容器、縮小尺寸并提高了可靠性。將逆變器集成到電機機箱中，可減少散熱器的需求，同時優(yōu)化關(guān)節(jié)/軸的布線，并簡化了EMC設(shè)計。更高效的控制頻率可改善動態(tài)響應(yīng)能力。

具有高開關(guān)頻率的GaN基電機控制設(shè)計還支持在緊湊的密封外殼中實現(xiàn)更高的功率，在高頻下，GaN能夠提供優(yōu)異的性能，這進一步提高了系統(tǒng)的效率（包括逆變器和電機的損耗），并保持較低工作溫度。

國內(nèi)應(yīng)用方面，近期，中科半導(dǎo)體團隊推出了首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機器人動力系統(tǒng)芯片，縮短了具身機器人開發(fā)成本和姿態(tài)學(xué)習(xí)時間，有望加速具身機器人產(chǎn)業(yè)的商用化步伐。

該款芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標(biāo)，通過芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號控制上100條仿真肌肉及伺服電機系統(tǒng)來完成復(fù)雜的原子操作，單個姿態(tài)運動達32個自由度。通過“邊緣物理模型”輸出PWM信號控制物理量信號，使機器人具有人一樣的復(fù)雜肢體動作和物理質(zhì)量的約束。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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TrendForce集邦咨詢表示，2024年全球牽引逆變器市場裝機量達2,721萬臺，其中，SiC（碳化硅）逆變器受惠于Tesla（特斯拉）及中國車廠的采用，滲透率于第四季達16%，為當(dāng)年度最高，對于競爭激烈的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是正面訊號。

從逆變器供應(yīng)端分析，比亞迪于2024年第三季已超越日廠Denso（電裝），并于第四季持續(xù)穩(wěn)居全球市占率最高位置。而第四季最大亮點在于華為受益于新能源車[注2]問界系列的熱銷，首度成為全球前五大供應(yīng)商。目前，中國企業(yè)已在前五名席次中占據(jù)三席，打破過往歐洲、美國及日本供應(yīng)商主導(dǎo)的市場格局。

TrendForce集邦咨詢指出，短期內(nèi)牽引逆變器市場成長仍將依靠中國及歐洲帶動，特別是BEV對于牽引逆變器的需求較其他動力模式更高，突顯中國市場的表現(xiàn)將更為關(guān)鍵。盡管2025年可能面臨美國“棄電從油”的潛在風(fēng)險，但受惠于中國整車市場延續(xù)汰舊換新的補貼政策，以及在海外市場的大力布局，預(yù)計牽引逆變器裝機市場仍將維持14%的年增長率。

備注
[1] 電動車包括油電混合車(HEV)、純電動車(BEV)、插電混合式電動車(PHEV)、燃料電池車(FCV)
[2] 新能源車包含BEV、PHEV、FCV

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01華潤微：公司SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中

華潤微披露投資者關(guān)系活動記錄表顯示，該公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模塊等產(chǎn)品預(yù)計受益于汽車智能化、電子化趨勢及AI、超計算等新興領(lǐng)域帶來的變革，實現(xiàn)增長。

source：華潤微電子官微（圖為華潤微電子（重慶）功率半導(dǎo)體研發(fā)中心）

產(chǎn)能方面，華潤微深圳12吋產(chǎn)線已于2024年底實現(xiàn)通線，處于新品驗證和新工藝轉(zhuǎn)移階段；重慶12吋產(chǎn)線已達成規(guī)劃產(chǎn)能3萬片/月。

產(chǎn)品進展方面，華潤微表示，目前中低壓MOS、高壓MOS、SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中，已處于上量階段。

SiC JBS和SiC MOS已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，覆蓋650V/1200V/1700V系列，性能達到國際領(lǐng)先同等水平。碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段。產(chǎn)品圍繞新能源汽車、充電樁、光伏逆變、儲能逆變、服務(wù)器電源等領(lǐng)域全面推廣上量，預(yù)計今年將實現(xiàn)高增長。

業(yè)界指出，碳化硅在AI服務(wù)器中的應(yīng)用圍繞高效能電源設(shè)計與高可靠性散熱管理展開，通過替代傳統(tǒng)硅基器件，顯著提升能效比并降低運營成本。隨著AI熱潮不斷持續(xù)，碳化硅技術(shù)將成為AI數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低碳化與高性能化的重要推手。

02瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊

瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏等領(lǐng)域，已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗證。

該款產(chǎn)品殼體高度僅12mm，能壓縮應(yīng)用系統(tǒng)的體積，金屬底座讓模塊安裝更牢固，并消除了塑料底座老化的隱患。產(chǎn)品內(nèi)部集成了4相升壓電路，共用電源接地，分為2組，集成熱敏電阻以監(jiān)測溫度，可靈活適配2路或者4路直流輸入（DC input），滿足個性化設(shè)計需求。相對于分立器件方案，大幅提升功率密度，同時顯著簡化了電路的設(shè)計。

瞻芯電子介紹，2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路。在升壓變換電路中，2000V SiC分立器件能簡化電路拓?fù)?、減少元器件數(shù)量，降低總物料成本，同時讓應(yīng)用控制更簡單。對比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模塊產(chǎn)品，還進一步簡化了電路設(shè)計，大幅提升了功率密度。

03重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)SiC芯片流片成功下線

近日，重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。此次雙方聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片，在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。

器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達1700V以上；閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過率達到98%，實測值分布集中，具有較強的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節(jié)約成本。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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據(jù)悉，北京量子信息科學(xué)研究院（以下簡稱“量子院”）量子計算云平臺的李鐵夫、劉玉龍團隊與芬蘭Aalto大學(xué)、QTF量子研究中心Mika A.Sillanp??教授合作，基于高硬度的單晶碳化硅薄膜材料，于近日成功研制出多模態(tài)長壽命的光聲量子存儲器。存儲器在模式穩(wěn)定性以及信息存儲時長等關(guān)鍵性能上刷新了國際記錄。

目前，相關(guān)成果以“Degeneracy-breaking and long-lived multimode microwave electromechanical systems enabled by cubic silicon-carbide membrane crystals”為題在線發(fā)表于國際知名期刊《自然-通訊》（Nature Communications）上。

光聲接口器件作為量子信息處理的關(guān)鍵技術(shù)，一直以來都備受科研人員的關(guān)注。高品質(zhì)因子（Q因子）機械振子在這些領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，其性能的優(yōu)劣直接影響到量子信息的存儲、傳輸和處理效率。

然而，傳統(tǒng)材料和結(jié)構(gòu)的機械振子在Q因子和頻率穩(wěn)定性等方面存在一定的局限性，難以滿足日益增長的量子技術(shù)需求。

3C-SiC作為一種具有優(yōu)異性能的半導(dǎo)體材料，以其高熱導(dǎo)率和高應(yīng)力特性，為高Q因子機械振子的研發(fā)提供了新的可能。

該研究團隊研究團隊另辟蹊徑，在3C-SiC薄膜晶體中發(fā)現(xiàn)了機械振動模式簡并破缺現(xiàn)象。表現(xiàn)為非均勻應(yīng)力的作用下，原本簡并的機械模式發(fā)生頻率分裂，形成具有微小頻率差異的模式對。這些模式對不僅保留了高Q因子的特性，還展現(xiàn)出獨特的模式形狀，為微波光聲接口系統(tǒng)的精確控制提供了更多選擇。

為驗證3C-SiC膜晶體的性能，研究團隊設(shè)計并搭建了一套精巧的實驗裝置。該裝置包括一個三維超導(dǎo)微波諧振腔和一個機械平行板電容器芯片。3C-SiC膜芯片被精心制作并安裝在諧振腔內(nèi)，通過金屬化處理和特定電極結(jié)構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)了與微波腔場的高效耦合。

實驗中，研究人員采用了連續(xù)波泵浦-探測方案和脈沖泵浦-探測序列，對機械振子的性能進行了全面測試和表征。通過精確控制外部驅(qū)動功率和探測信號的頻率，研究人員能夠?qū)崟r監(jiān)測機械振子的動態(tài)行為，包括其共振頻率、Q因子以及能量衰減率等關(guān)鍵參數(shù)。

單晶碳化硅薄膜所提供的聲學(xué)模式具備極高的頻率穩(wěn)定性，為構(gòu)建多模態(tài)光聲存儲器件開辟新篇章。實驗中研究團隊表征了21個機械模式，其中19個模式的Q因子超過了108，展現(xiàn)出極高的品質(zhì)因子。

此外，研究人員還實現(xiàn)了4035秒，超過長達一小時的群延遲時間。這一成果在微波電機械系統(tǒng)中尚屬首次。

科研團隊表示，該項研究中，長時間高穩(wěn)定的機械振動為固態(tài)量子信息存儲帶來了新的可能性，同時為高精度傳感器和異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建帶來了新的機遇。后續(xù)，團隊將進一步推動多通道高性能“微波-光”量子相干接口核心儀器的構(gòu)建，為分布式量子網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建提供重大支撐作用，為量子信息處理等領(lǐng)域提供高性能的物理平臺。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，士蘭集宏項目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達23.45萬㎡，一期投資70億元，預(yù)計2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬片8英寸SiC芯片；二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。

該項目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

公開資料顯示，士蘭集宏項目達產(chǎn)后可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求，并帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國產(chǎn)化進程。

碳化硅市場現(xiàn)狀：產(chǎn)能擴張引價格波動，資本追捧熱度不減

近年來，全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，這在一定程度上導(dǎo)致了供過于求的現(xiàn)象。

行業(yè)多方消息顯示，碳化硅襯底市場價格在2024年中期，6英寸碳化硅襯底的價格已跌至500美元以下，到2024年第四季度，價格進一步下降至450美元，并還在持續(xù)走低。?價格的下降一方面是由于技術(shù)提升和規(guī)?；?yīng)推動成本降低，另一方面也是為了促進下游應(yīng)用的擴展。在這種市場環(huán)境下，各大碳化硅襯底廠商均在加碼推進技術(shù)突破，以獲得更高的市場份額。

回顧2024年，我國就有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進行布局，其中2024年就有超50個碳化硅項目迎來最新進展，涉及的企業(yè)包括三安半導(dǎo)體、天科合達、重投天科、天岳先進、晶盛機電、同光股份、東尼電子、科友半導(dǎo)體等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長以及設(shè)備等多領(lǐng)域的突破值得關(guān)注。

在襯底方面，國外多家大廠已與我國天科合達、天岳先進等企業(yè)簽訂了長期供貨協(xié)議。
多方行業(yè)人士表示，中國的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價格，都已經(jīng)具備了明顯的競爭力。預(yù)計未來幾年，國內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國際市場8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場占比遠超目前的6英寸。

盡管市場存在價格波動等挑戰(zhàn)，但碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈仍持續(xù)受到資本追捧。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體數(shù)據(jù)顯示，2024年以來，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈就有44家公司獲得融資。其中廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、蘇州悉智科技有限公司等7家公司在年內(nèi)均已完成兩輪融資。?從國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看，襯底、器件、設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域均有企業(yè)完成新一輪融資。在產(chǎn)業(yè)擴產(chǎn)浪潮中，設(shè)備領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)由于率先受益于產(chǎn)線建設(shè)需求，獲得了投資機構(gòu)的加碼，2024 年有近半數(shù)的融資事件發(fā)生在該領(lǐng)域。

邁入2025年，忱芯科技、芯暉裝備、伏爾肯、易星新材料、翠展微電子、青禾晶元、純水一號、聚芯半導(dǎo)體、中江新材料、臻驅(qū)科技、瞻芯電子等超10家企業(yè)獲得新一輪融資，公開披露的融資金額總計超30億元。

總體而言，我國碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展迅速，市場規(guī)模不斷擴大，其中在上游碳化硅襯底和外延制備技術(shù)方面取得了顯著進展，不斷縮小與國際先進水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國際大廠還存在較大差距。

目前我國有披露相關(guān)投產(chǎn)動態(tài)的8英寸碳化硅器件產(chǎn)線主要是士蘭微、芯聯(lián)集成、湖南三安、方正微四條產(chǎn)線。?其中士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線（一期）已全面封頂，安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項目也在近日實現(xiàn)了通線投產(chǎn)；芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線已于2024年通線；湖南三安投產(chǎn)在即，將正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商；方正微電子的Fab2的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已于2024年底通線，2025年，方正微電子將具備年產(chǎn)16.8萬片車規(guī)級碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。

而在技術(shù)層面，碳化硅功率器件技術(shù)仍在不斷發(fā)展完善。例如，在芯片封裝與測試方面，目前碳化硅芯片仍主要沿用硅基半導(dǎo)體技術(shù)，難以滿足其自身發(fā)展需求，急需創(chuàng)新。

在市場競爭方面，隨著越來越多的企業(yè)入局碳化硅產(chǎn)業(yè)，行業(yè)競爭日益激烈。企業(yè)不僅要在技術(shù)創(chuàng)新上發(fā)力，以提升產(chǎn)品性能、降低成本，還要注重產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作，提前開展技術(shù)合作，共同應(yīng)對市場挑戰(zhàn)。

晶升股份指出，2024年度，面對宏觀經(jīng)濟周期性波動、行業(yè)需求階段性放緩等多重挑戰(zhàn)，公司持續(xù)推進新產(chǎn)品研發(fā)、拓展產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，服務(wù)現(xiàn)有客戶的同時積極開發(fā)新市場，營業(yè)收入仍實現(xiàn)正向增長。但是，受到市場競爭加劇的影響，公司當(dāng)期主要產(chǎn)品毛利率下降，盈利能力有所減弱。未來，公司將持續(xù)提高技術(shù)水平，強化產(chǎn)品競爭力，深度挖掘市場增量，增強成本管控能力，提升運營管理效率。此外，公司將加快新品推出與訂單轉(zhuǎn)化，為公司業(yè)績提升注入新的增長點。

資料顯示，晶升股份成立于2012年，位于南京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)紅楓科技園B4棟西側(cè)，是一家以從事主要從事晶體生長設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為主的企業(yè)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)最內(nèi)江消息，2月13日，四川省2025年第一季度重大項目現(xiàn)場推進活動內(nèi)江分會場活動在晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項目開工現(xiàn)場舉行。

據(jù)介紹，電子功率半導(dǎo)體內(nèi)江基地建設(shè)項目位于內(nèi)江高新區(qū)白馬園區(qū)，由山東晶導(dǎo)微電子股份有限公司投資建設(shè)，分兩期實施。

其中，一期項目將建設(shè)包括功率二極管生產(chǎn)線、功率整流橋生產(chǎn)線在內(nèi)的多條生產(chǎn)線及配套設(shè)施，預(yù)計年產(chǎn)功率二極管420億只、功率整流器類產(chǎn)品200億只，年營銷收入約7.5億元。

這是內(nèi)江高新區(qū)第一個涵蓋芯片設(shè)計、制造、封裝及框架的IDM全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)模式工廠，滿產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值20億元，解決就業(yè)1000人以上，間接帶動上下游人員就業(yè)萬余人。

此次晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項目的開工，也將在這片發(fā)展熱潮中，為內(nèi)江的經(jīng)濟發(fā)展和產(chǎn)業(yè)升級注入強勁動力。

從行業(yè)整體來看，功率半導(dǎo)體市場正處于快速發(fā)展的上升期，市場規(guī)模持續(xù)擴大，技術(shù)創(chuàng)新不斷推動行業(yè)變革。在全球能源轉(zhuǎn)型和數(shù)字化發(fā)展的大背景下，功率半導(dǎo)體作為核心組件，在新能源、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等眾多領(lǐng)域的應(yīng)用前景極為廣闊。

盡管行業(yè)面臨著國際競爭激烈、技術(shù)門檻高、市場競爭格局分散等挑戰(zhàn)，但隨著國內(nèi)企業(yè)的不斷努力和技術(shù)突破，以及政策的大力支持，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體企業(yè)有望在全球市場中占據(jù)更大的份額。

未來，隨著碳化硅、氮化鎵等新型材料的應(yīng)用逐漸成熟，功率半導(dǎo)體器件將朝著更高效率、更高功率密度、更小尺寸的方向發(fā)展。同時，隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、大數(shù)據(jù)等新興技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用場景也將不斷拓展，市場需求將持續(xù)增長。