文章分類: 功率

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:19 |
| 分類: 功率
1月21日,中科院微電子研究所發(fā)布消息稱,我國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功。該所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開展合作,成功研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件及其電源系統(tǒng)。 這一突破標(biāo)志著我國在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域邁向新高度。...  [詳內(nèi)文]

2025開年,一批碳化硅項(xiàng)目刷新進(jìn)度

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:14 |
| 分類: 功率
2025開年,碳化硅產(chǎn)業(yè)仍然熱鬧,眾多億元級別的項(xiàng)目在各地紛紛取得重大進(jìn)展。 項(xiàng)目投資規(guī)模涵蓋范圍廣,建設(shè)內(nèi)容豐富多樣,應(yīng)用領(lǐng)域主要集中在半導(dǎo)體及相關(guān)產(chǎn)業(yè),從材料生產(chǎn)到設(shè)備制造,再到全產(chǎn)業(yè)園區(qū)的建設(shè),碳化硅產(chǎn)業(yè)正在形成一條具有高效協(xié)同效應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。 這些項(xiàng)目的推進(jìn)反映出碳化硅產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

投資3.45億美元,MACOM擴(kuò)建氮化鎵晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 17 日 18:48 |
| 分類: 功率
1月14日,美國射頻廠商MACOM宣布擬投資3.45億美元(折合人民幣約25.28億元),對其位于馬薩諸塞州和北卡羅來納州的半導(dǎo)體晶圓制造工廠進(jìn)行全面升級。 具體來看,公司馬薩諸塞州工廠將擴(kuò)建潔凈室,升級現(xiàn)有4英寸晶圓(涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料)生產(chǎn)線,并引入...  [詳內(nèi)文]

機(jī)器人,氮化鎵下一個風(fēng)口?

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵(GaN)材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),以及較強(qiáng)的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力,這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前,功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境,并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

X-fab推出新一代碳化硅MOS工藝平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 18 日 16:47 |
| 分類: 功率
12月17日,碳化硅(SiC)晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺XSICM03。該平臺可推進(jìn)SiC工藝技術(shù)在功率MOSFET的應(yīng)用,并顯著降低單元間距,從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數(shù)量并改善導(dǎo)通電阻。 source:X-fab X-fab介紹,Xb...  [詳內(nèi)文]

碳化硅器件封裝企業(yè)清連科技完成新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 17 日 16:56 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 功率
12月16日,據(jù)“清連科技QLSEMI”消息,北京清連科技有限公司(以下簡稱:清連科技)宣布已完成數(shù)千萬元新一輪融資,本輪融資新增股東馮源資本、哈勃科技以及元禾控股,老股東光速光合持續(xù)追投。 官微資料顯示,清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案,團(tuán)隊(duì)依托納米金屬燒結(jié)...  [詳內(nèi)文]

博世將在2026年開始生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 16 日 16:20 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率
在新能源汽車、光儲充、軌道交通、高壓電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的推動下,碳化硅(SiC)功率器件市場需求呈現(xiàn)持續(xù)增長態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示,預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金(約668億人...  [詳內(nèi)文]

16.8億,福建晶旭半導(dǎo)體氧化鎵芯片項(xiàng)目即將投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 13 日 19:59 |
| 分類: 功率
12月9日,龍巖市融媒體中心發(fā)布消息稱,福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱:晶旭半導(dǎo)體)二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目,已完成主體廠房建設(shè),正在進(jìn)行內(nèi)外墻的裝修,預(yù)計(jì)年后進(jìn)入機(jī)電暖通、安裝工程及精裝修工程。 據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資16.8億元,建設(shè)136畝...  [詳內(nèi)文]

Coherent擬擴(kuò)建全球首個6英寸磷化銦生產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 12 日 17:50 |
| 分類: 功率
12月9日,高意(Coherent)宣布,公司根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》與美國商務(wù)部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元,以支持Coherent現(xiàn)有70萬平方英尺的先進(jìn)制造潔凈室的現(xiàn)代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴(kuò)建。 該項(xiàng)目將通過增加先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備,擴(kuò)建全球首個6英...  [詳內(nèi)文]

增資10億,國家集成電路產(chǎn)投基金等入股中車時代半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 10 日 18:00 | | 分類: 企業(yè) , 功率
天眼查資料顯示,12月5日,株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱:中車時代半導(dǎo)體)發(fā)生工商變更,新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司等為股東,同時其注冊資本由45.68億元人民幣增加至56.48億元人民幣。 本次增資完成后,中車時代半導(dǎo)體仍為株洲中車時代電氣股份有限公司...  [詳內(nèi)文]