1月21日,中科院微電子研究所發(fā)布消息稱,我國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功。該所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開展合作,成功研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件及其電源系統(tǒng)。
這一突破標(biāo)志著我國在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域邁向新高度。...  [詳內(nèi)文]
中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功 |
作者 huang, Mia | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:19 | | 分類: 功率 |