6月10日,羅姆宣布推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,該模型提升了收斂性和仿真速度。
圖片來源:羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計(jì)模型”中下載
羅姆介紹,功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響,因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中,模...  [詳內(nèi)文]
助力功率半導(dǎo)體,羅姆發(fā)布新SPICE模型 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 06 月 12 日 16:06
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關(guān)鍵字:
功率半導(dǎo)體
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