新成立的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室將本著優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)、全面合作、平等互利的原則，整合三家企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的資源與優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)開(kāi)展：功率半導(dǎo)體（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、產(chǎn)品測(cè)試、晶圓磨劃等領(lǐng)域合作，為客戶的產(chǎn)品研發(fā)和測(cè)試提供更加專業(yè)、完善的技術(shù)服務(wù)。

圖片來(lái)源：季豐電子

目前，該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的各項(xiàng)合作正有序進(jìn)行中。

資料顯示，#林眾電子?致力于功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)、功率半導(dǎo)體模組研發(fā)與制造。該公司聚焦于工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車(chē)和光伏新能源等行業(yè)，服務(wù)于海內(nèi)外客戶超過(guò)400家。
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。該公司自主開(kāi)發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司，擁有一座車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠。公司致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶提供一站式解決方案。

季豐電子是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域，深耕集成電路檢測(cè)相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺(tái)科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊，分別為基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)室、軟硬件開(kāi)發(fā)、測(cè)試封裝和儀器設(shè)備，可為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料裝備等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測(cè)分析解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01、綜藝股份收購(gòu)吉萊微

5月13日，江蘇綜藝股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“綜藝股份”）發(fā)布公告，公司擬通過(guò)現(xiàn)金增資或受讓股份的方式，取得江蘇吉萊微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“吉萊微”）的控制權(quán)，具體投資方案和投資比例待進(jìn)一步論證和協(xié)商。本次交易預(yù)計(jì)構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，交易完成后，吉萊微將成為綜藝股份的控股子公司。

source：江蘇綜藝股份公告截圖

公開(kāi)資料顯示，吉萊微成立于2001年，專業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是一家以芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試的垂直一體化經(jīng)營(yíng)為主的功率半導(dǎo)體芯片及器件制造企業(yè)。

而綜藝股份當(dāng)前的主營(yíng)業(yè)務(wù)分為信息科技、新能源、股權(quán)投資三大板塊，其中信息科技領(lǐng)域主要業(yè)務(wù)涵蓋芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用業(yè)務(wù)等。綜藝股份旗下?lián)碛卸嗉覍Ｗ⒂诟呖萍碱I(lǐng)域的企業(yè)，分處于芯片開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、應(yīng)用等不同細(xì)分領(lǐng)域，如天一集成（信息安全芯片）、神州龍芯（自主處理器）等企業(yè)聚焦數(shù)字芯片設(shè)計(jì)。

綜藝股份表示，此次收購(gòu)吉萊微有助于公司戰(zhàn)略聚焦并補(bǔ)強(qiáng)信息科技領(lǐng)域核心產(chǎn)業(yè)板塊。吉萊微在成為公司的控股子公司后，公司將在原有芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上，進(jìn)入功率半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售領(lǐng)域，產(chǎn)業(yè)鏈條布局得到進(jìn)一步的優(yōu)化及延伸。

值得一提的是，吉萊微曾沖刺創(chuàng)業(yè)板IPO，于2022年6月30日獲得受理。此前公司招股書(shū)（申報(bào)稿）顯示其募集資金是為了投向功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、生產(chǎn)線技改升級(jí)項(xiàng)目和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目等，來(lái)新建6英寸晶圓芯片生產(chǎn)線與封裝線等。

公告顯示，吉萊微目前擁有2條4英寸的芯片生產(chǎn)線，在當(dāng)前全球模擬芯片公司紛紛轉(zhuǎn)向擴(kuò)產(chǎn)12英寸生產(chǎn)線的趨勢(shì)下，其盈利能力或造沖擊。

不過(guò)，后因公司撤回申請(qǐng)，深交所于2022年12月2日終止對(duì)吉萊微IPO的審核。

02、日月光投控收購(gòu)元隆電子

此外，近日另一家功率半導(dǎo)體晶圓廠也傳出被收購(gòu)的消息。

5月14日，全球半導(dǎo)體封測(cè)龍頭#日月光投資控股股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“日月光投控”）發(fā)布公告，其子公司#臺(tái)灣福雷電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“福雷電子”）將以每股新臺(tái)幣9元公開(kāi)收購(gòu)#元隆電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“元隆電子”）普通股，預(yù)定收購(gòu)最高數(shù)量為1.51萬(wàn)張，收購(gòu)總金額約1.36億元新臺(tái)幣。

source：ASE日月光

此次收購(gòu)?fù)瓿珊?，日月光投控持有元隆電子股?quán)比例將達(dá)68.18%。據(jù)悉，本次收購(gòu)的核心目標(biāo)在于整合元隆電子現(xiàn)有業(yè)務(wù)，推動(dòng)其向AI新世代技術(shù)領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。

元隆電子成立于1987年，總部位于中國(guó)臺(tái)灣，專注于分離式元件、功率半導(dǎo)體、集成電路以及各種半導(dǎo)體零組件的研究、開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售。

據(jù)了解，元隆電子近年來(lái)在高壓技術(shù)及第三代半導(dǎo)體（如碳化硅、氮化鎵）領(lǐng)域的研發(fā)投入不足，導(dǎo)致其難以應(yīng)對(duì)IDM大廠整合邏輯IC與功率半導(dǎo)體、大型晶圓代工廠委外投片的雙重競(jìng)爭(zhēng)壓力。

據(jù)其2025年第一季度財(cái)報(bào)顯示，盡管合并營(yíng)收同比增長(zhǎng)24.6%至2.68億元新臺(tái)幣，但毛利率與營(yíng)業(yè)利益率仍為負(fù)值，稅后凈虧損達(dá)1.28億元新臺(tái)幣，每股凈值轉(zhuǎn)負(fù)至-0.42元新臺(tái)幣。

日月光投控的加入，或?qū)⑼ㄟ^(guò)集團(tuán)化資源整合，助力元隆電子突破技術(shù)瓶頸，加速向高附加值領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。而對(duì)于日月光投控而言，元隆電子在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造經(jīng)驗(yàn)與日月光投控的封測(cè)技術(shù)形成互補(bǔ)，有望進(jìn)一步提升在AI芯片封裝測(cè)試領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

03、結(jié)語(yǔ)

綜藝股份收購(gòu)吉萊微以及日月光投控收購(gòu)元隆電子，這兩起收購(gòu)案是半導(dǎo)體行業(yè)資源整合與技術(shù)升級(jí)的具體體現(xiàn)。通過(guò)收購(gòu)，企業(yè)不僅能夠補(bǔ)強(qiáng)自身產(chǎn)業(yè)鏈，提升綜合競(jìng)爭(zhēng)力，還能夠加速技術(shù)迭代，搶占新興市場(chǎng)先機(jī)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

? 搭配芯上印刷技術(shù)，在高精度壓力控制下，使芯片上再印刷成為現(xiàn)實(shí)。

? 應(yīng)用產(chǎn)品包括：大功率二極管、MOS 管、DrMOS、多芯 Clip等等。

窄邊印刷

框架類產(chǎn)品通常比較薄且長(zhǎng)寬比差異較大，容易產(chǎn)生彎曲變形，形成曲面。當(dāng)選擇窄邊方向進(jìn)行印刷時(shí)，刮刀能夠在一定程度上減少因載板或框架本身曲面所導(dǎo)致的印刷不平整問(wèn)題。因此，在窄邊方向印刷時(shí)，刮刀在移動(dòng)過(guò)程中受到曲面的影響相對(duì)較小，可以更精準(zhǔn)地將錫膏/銀膠均勻地印刷在焊盤(pán)上，使錫膏/銀膠印刷更加平整，適合對(duì)貼裝平整度要求高的精密電子封裝。

芯上印刷

芯片級(jí)印刷機(jī)還配備芯上印刷技術(shù)，通過(guò)直接在芯片上刷錫膏/銀膠，能有效避免點(diǎn)膠造成的芯片損傷、溢膠等問(wèn)題，保證封裝產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。（詳細(xì)信息可關(guān)注下期推文）

適應(yīng)性廣

上下料外掛：芯片級(jí)印刷機(jī)將上下料結(jié)構(gòu)置于設(shè)備外，方便單機(jī)和聯(lián)線

支持3D印刷：芯片級(jí)印刷機(jī)支持臺(tái)階3D印刷，能對(duì)框架進(jìn)行逐層疊加，實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)印刷。

鋼網(wǎng)裝卸無(wú)需調(diào)整：鋼網(wǎng)在進(jìn)行更換后不需要重新調(diào)整參數(shù)，減少不必要的時(shí)間浪費(fèi)，提高生產(chǎn)效率

一致性高

相較于網(wǎng)板印刷，鋼網(wǎng)能夠在印刷過(guò)程中發(fā)生微變形以與框架PAD充分貼合，高精度鋼網(wǎng)能確保膠狀和圖案的一致性高。

閉環(huán)壓力

卓興半導(dǎo)體自主研發(fā)閉環(huán)壓力控制系統(tǒng)，確保在不同情況下能精準(zhǔn)的控制刮刀壓力，壓力自適應(yīng)可調(diào)整，使印刷膠點(diǎn)更均勻。

印后檢測(cè)

印刷完成后，框架直接進(jìn)入在線 AOI 檢測(cè)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)印刷后的膠點(diǎn)質(zhì)量，并對(duì)鋼網(wǎng)狀態(tài)做出實(shí)時(shí)評(píng)估。

（以上內(nèi)容來(lái)源于Asmade卓興半導(dǎo)體）

source：英飛凌

長(zhǎng)期以來(lái)，英飛凌與美的集團(tuán)緊密合作，技術(shù)協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級(jí)，合作領(lǐng)域不斷拓展，從最初聚焦于家電核心模塊，逐步向智能家居生態(tài)、新能源應(yīng)用等多元場(chǎng)景延伸。

英飛凌提供全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)品，美的則憑借在家電系統(tǒng)集成與場(chǎng)景應(yīng)用方面的深厚積累，將英飛凌的先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)化為貼近消費(fèi)者需求的產(chǎn)品和解決方案。目前，雙方已實(shí)現(xiàn)了從單一功率器件合作拓展至控制器、傳感器等多產(chǎn)品線協(xié)同，共同推動(dòng)家電行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型。

稍早之前，美的廚熱事業(yè)部與英諾賽科也達(dá)成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。英諾賽科將為美的廚熱提供GaN 功率器件，雙方將在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、技術(shù)優(yōu)化與市場(chǎng)推廣方面展開(kāi)深度合作，涉及智能電熱爐、電磁爐等產(chǎn)品。

資料顯示，GaN作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場(chǎng)景，被認(rèn)為是未來(lái)電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的與英諾賽科的合作，旨在通過(guò)GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

01、賽米控丹佛斯與中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領(lǐng)先的電力電子供應(yīng)商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)與供應(yīng)領(lǐng)域展開(kāi)深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻(xiàn)其在功率模塊封裝與制造方面的專業(yè)能力，而中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體則將提供先進(jìn)的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術(shù)。雙方的合作將聚焦于以下幾個(gè)方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開(kāi)展功率模塊芯片的研發(fā)項(xiàng)目，優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場(chǎng)拓展：結(jié)合賽米控丹佛斯的全球市場(chǎng)資源與中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體的國(guó)內(nèi)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，加速功率模塊芯片在中國(guó)及全球市場(chǎng)的推廣與應(yīng)用。

客戶服務(wù)：通過(guò)雙方的技術(shù)支持與服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為客戶提供更全面、更高效的解決方案，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們?cè)跒橹袊?guó)客戶提供先進(jìn)、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過(guò)與中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用?！?/p>

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術(shù)賦能家電智能化

與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達(dá)成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場(chǎng)景，被認(rèn)為是未來(lái)電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的廚熱作為全球領(lǐng)先的家電制造商，一直致力于推動(dòng)家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過(guò)GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個(gè)方面展開(kāi)深度合作：

產(chǎn)品開(kāi)發(fā)：共同開(kāi)發(fā)基于 GaN 技術(shù)的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術(shù)優(yōu)化：結(jié)合英諾賽科的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢(shì)與美的廚熱的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化 GaN 功率器件的應(yīng)用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場(chǎng)推廣：通過(guò)雙方的市場(chǎng)渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術(shù)在家用電器領(lǐng)域的推廣與應(yīng)用，提升市場(chǎng)認(rèn)可度。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動(dòng)公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司相信，他是恩智浦總裁兼首席執(zhí)行官的理想人選，能夠?qū)崿F(xiàn)公司在汽車(chē)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)終端市場(chǎng)邊緣智能系統(tǒng)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的愿景。
最新財(cái)報(bào)顯示，今年一季度，恩智浦營(yíng)收28.4億美元，高于市場(chǎng)預(yù)期的28.3億美元，但較去年同期31.3億美元要低。

恩智浦在財(cái)報(bào)中表示，受?chē)?guó)際形勢(shì)劇烈變化影響，公司正處于“非常不確定的環(huán)境”中。恩智浦對(duì)未來(lái)市場(chǎng)持“謹(jǐn)慎樂(lè)觀”態(tài)度，并預(yù)測(cè)第二季度的收入將下降到28億到30億美元。

source：NXP

資料顯示，恩智浦功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)是其半導(dǎo)體解決方案的核心組成部分，聚焦于高效能源管理，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備及通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

其中，恩智浦在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是氮化鎵領(lǐng)域已經(jīng)形成全面業(yè)務(wù)布局。核心技術(shù)方面，恩智浦采用碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)，結(jié)合SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性和GaN的高功率密度、低損耗特性，適用于高頻、高壓場(chǎng)景。該技術(shù)已應(yīng)用于5G基站射頻功率放大器（PA）及軍事雷達(dá)系統(tǒng)，顯著提升器件性能。

此外，針對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)電源市場(chǎng)，恩智浦開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)，利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，降低成本并提高產(chǎn)能。

2025年以來(lái)，由于國(guó)際形勢(shì)以及部分市場(chǎng)汽車(chē)需求疲軟，功率半導(dǎo)體廠商業(yè)績(jī)?cè)馐芴魬?zhàn)。稍早之前，意法半導(dǎo)體今年一季度財(cái)報(bào)顯示，該公司第一季度凈營(yíng)收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個(gè)基點(diǎn)。凈利潤(rùn)下跌89.1%，為5600萬(wàn)美元。

source：意法半導(dǎo)體

財(cái)報(bào)會(huì)議上，意法半導(dǎo)體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務(wù)的發(fā)展，從長(zhǎng)遠(yuǎn)趨勢(shì)來(lái)看，意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)中的整體份額將至少保持在30%以上。此外，意法半導(dǎo)體位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預(yù)計(jì)將于2025年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)，全面落成后預(yù)計(jì)年產(chǎn)能可達(dá)72萬(wàn)片，進(jìn)一步鞏固意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)的地位。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

4月22日，英飛凌官微宣布推出CoolGaN G5中壓晶體管。據(jù)悉，這是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。

source：英飛凌官微（圖為集成肖特基二極管的CoolGaN G5晶體管）

據(jù)英飛凌介紹，該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。

英飛凌新推出的 CoolGaN G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解功率損耗問(wèn)題，適用于服務(wù)器和電信中間總線轉(zhuǎn)換器IBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景。

此外，采用這種新型CoolGaN 晶體管后，反向傳導(dǎo)損耗降低，能與更多高邊柵極驅(qū)動(dòng)器兼容，且由于死區(qū)時(shí)間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

英諾賽科發(fā)布1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品

4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，官宣其自主開(kāi)發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品并表示已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車(chē)800V平臺(tái)，可提升車(chē)載充電效率并縮小體積，擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。

此外，憑借寬禁帶特性，該款產(chǎn)品在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢(shì)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

華潤(rùn)微電子發(fā)布新SiC主驅(qū)模塊

4月19日，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群推出了1200V 450A/600A的半橋DCM和全橋HPD共四款主驅(qū)模塊。

根據(jù)公司介紹，該系列模塊兼具SiC器件的低導(dǎo)通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能。

source：華潤(rùn)微電子

華潤(rùn)微電子新款SiC主驅(qū)模塊采用自主設(shè)計(jì)的Si3N4 AMB、銀燒結(jié)、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小。并且集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成；6管/8管并聯(lián)，通過(guò)對(duì)Vth的嚴(yán)格分檔提高芯片一致性。

派恩杰半導(dǎo)體推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM

4月16日，派恩杰半導(dǎo)體宣布推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM。派恩杰芯片具有較小的RDSON溫漂特性，在其6并聯(lián)的布局設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)的8并聯(lián)競(jìng)品方案實(shí)現(xiàn)了相近的功率密度，帶來(lái)更高效、更可靠的逆變器解決方案。

派恩杰半導(dǎo)體表示，PAAC12450CM 采用了高度優(yōu)化的HPD布局設(shè)計(jì)，從電流均流和寄生電感兩方面提升整體性能，為新能源汽車(chē)制造商提供更可靠的選擇。此外，派恩杰的獨(dú)特芯片設(shè)計(jì)，使得芯片的導(dǎo)通電阻受溫度影響較小，可以有效抑制實(shí)際高溫工況下的功率輸出衰減。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

根據(jù)公告，計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司，新增第二代框架式功率模塊產(chǎn)品150萬(wàn)片產(chǎn)能。擴(kuò)建項(xiàng)目完成后，上汽英飛凌無(wú)錫分公司的年產(chǎn)能將從現(xiàn)有的260萬(wàn)個(gè)提升至420萬(wàn)個(gè)。

公開(kāi)資料顯示，上汽英飛凌汽車(chē)功率半導(dǎo)體（上海）有限公司由上汽集團(tuán)（持股51%）與英飛凌（持股49%）于2018年3月合資成立，總部位于上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無(wú)錫工廠的擴(kuò)建項(xiàng)目?jī)?nèi)，在2018下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)。

英飛凌無(wú)錫工廠則成立于1995年，前身為西門(mén)子半導(dǎo)體無(wú)錫工廠，專注于半導(dǎo)體后道封裝測(cè)試、功率半導(dǎo)體（如IGBT模塊）及智能卡芯片生產(chǎn)。
今年3月，英飛凌舉行了“無(wú)錫新樓啟用暨落戶30周年慶典”活動(dòng)，歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無(wú)錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。

source：英飛凌

回顧英飛凌無(wú)錫工廠發(fā)展，最早可追溯到2015年，英飛凌在無(wú)錫增資，設(shè)立了英飛凌半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司，生產(chǎn)IGBT模塊。2020年11月6日，英飛凌宣布將新增在華投資，擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。

英飛凌《年產(chǎn)180萬(wàn)個(gè)汽車(chē)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品無(wú)錫分公司項(xiàng)目》環(huán)評(píng)文件顯示，2019年該項(xiàng)目取得無(wú)錫市新吳區(qū)安全生產(chǎn)監(jiān)督管理和環(huán)境保護(hù)局批復(fù)，完成第一階段驗(yàn)收，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)汽車(chē)功率半導(dǎo)體70萬(wàn)個(gè)生產(chǎn)能力。

2023年，上汽英飛凌新增總投資3.2532億元，在無(wú)錫分公司擴(kuò)建《260 萬(wàn)個(gè)汽車(chē)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品項(xiàng)目》。英飛凌對(duì)無(wú)錫全廠生產(chǎn)線生產(chǎn)能力進(jìn)行重新調(diào)配，將原環(huán)評(píng)審批的年產(chǎn)汽車(chē)功率半導(dǎo)體180萬(wàn)個(gè)生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)至年產(chǎn)260萬(wàn)個(gè)汽車(chē)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。該項(xiàng)目已于2024 年5月取得新吳區(qū)行政審批局的立項(xiàng)備案意見(jiàn)。

2025年1月，無(wú)錫高新區(qū)（新吳區(qū)）舉行一季度重大項(xiàng)目，其中提到，英飛凌功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目引進(jìn)暨無(wú)錫生產(chǎn)基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正在加緊建設(shè)，總投資15.5億元。據(jù)無(wú)錫市人民政府消息，英飛凌無(wú)錫基地還在不斷擴(kuò)大規(guī)模，引進(jìn)全球最新的第三代功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品，打造國(guó)內(nèi)最具規(guī)模、國(guó)際技術(shù)一流的先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)基地。

值得注意的是，上汽英飛凌的HybridPACK Drive功率模塊兼具高功率密度、低能量損耗的特點(diǎn)，采用英飛凌最先進(jìn)的第7代IGBT/EDT2芯片和首創(chuàng)的模塊封裝技術(shù)。

公開(kāi)資料顯示，英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。通過(guò)降低晶圓厚度將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少15%以上。該技術(shù)已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。另外，英飛凌已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率，推動(dòng)GaN市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）

1、寧德時(shí)代取得功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置專利

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，寧德時(shí)代新能源科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào) CN 222764192 U，申請(qǐng)日期為2025年1月。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

專利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置，其中，功率半導(dǎo)體器件包括：器件主體；設(shè)置在所述器件主體的第一側(cè)的第一散熱裝置；其中，所述第一散熱裝置包括液冷散熱組件和翅片散熱結(jié)構(gòu)；所述液冷散熱組件與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)位于所述器件主體的第一側(cè)，所述翅片散熱結(jié)構(gòu)與所述液冷散熱組件配合安裝，所述器件主體與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)分布在所述液冷散熱組件的兩側(cè)；所述翅片散熱結(jié)構(gòu)包括：散熱板和葉脈散熱器；所述液冷散熱組件安裝在所述散熱板的第一面，所述葉脈散熱器安裝在所述散熱板的第二面。

2、江蘇尊陽(yáng)電子取得超高效散熱性能功率模塊專利

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇尊陽(yáng)電子科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種超高效散熱性能的包括獨(dú)立封裝器件的功率模塊”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN222775316U，申請(qǐng)日期為2024年7月。

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專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及一種超高效散熱性能的包括獨(dú)立封裝器件的功率模塊，包括管殼、基板和至少一個(gè)單元模塊；單元模塊包括至少一個(gè)獨(dú)立封裝器件和導(dǎo)電散熱件；獨(dú)立封裝器件包括導(dǎo)電支架、至少一個(gè)芯片和塑封體；至少一個(gè)芯片通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)倒扣貼裝在導(dǎo)電支架上，并與導(dǎo)電支架上相對(duì)應(yīng)的引腳電性連接；塑封體包覆住整個(gè)獨(dú)立封裝器件，且所有芯片的背面以及導(dǎo)電支架上的引腳均暴露在塑封體外；導(dǎo)電散熱件通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)貼裝在所有芯片的背面，且與芯片電性連接。本實(shí)用新型每個(gè)獨(dú)立封裝器件單獨(dú)封裝，且芯片均倒扣封裝，所有種類的芯片均按此種方案獨(dú)立封裝；所有獨(dú)立封裝器件根據(jù)電性要求安裝到模塊內(nèi)，電性的輸出使用導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行連接并引出。

3、深圳吉華微特取得功率器件模塊端子焊接工裝專利

4 月 19 日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳吉華微特電子有限公司取得一項(xiàng)名為“功率器件模塊端子焊接工裝”的專利，授權(quán)公告號(hào) CN222767588U，申請(qǐng)日期為 2024 年 6 月。

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專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)一種功率器件模塊端子焊接工裝，涉及半導(dǎo)體功率器件模塊封裝技術(shù)領(lǐng)域，該種功率器件模塊端子焊接工裝包括夾具單元，該夾具單元包括第一夾具、第二夾具、第三夾具、固定件和限位支撐組件，該第一夾具、第二夾具和第三夾具依次由下至上分布，該固定件與第二夾具連接；功率器件模塊端子焊接后具有模塊底板、絕緣襯底和模塊端子，該限位支撐組件由下至上依次豎向貫穿第一夾具、模塊底板和第二夾具，通過(guò)限位支撐組件將模塊底板限位于第一夾具和第二夾具之間；采用本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓β势骷K端子焊接工裝可以保障產(chǎn)品外觀質(zhì)量提升，模塊端子鍍層表面劃傷、漏銅率降低，產(chǎn)品封裝良率提升，保證模塊端子焊接后符合產(chǎn)品需求。

4、江蘇天科合達(dá)取得碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置專利

4月21日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司;北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN222775303U，申請(qǐng)日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本實(shí)用新型提供的一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置，包括：卡塞固定座，所述卡塞固定座上具有用于固定卡塞的固定卡槽；搖擺裝置，所述搖擺裝置包括托盤(pán)和驅(qū)動(dòng)所述托盤(pán)擺動(dòng)的擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)組件，所述卡塞固定座設(shè)置于所述托盤(pán)上。本實(shí)用新型通過(guò)卡塞固定座對(duì)卡塞進(jìn)行固定，卡塞用于插裝碳化硅晶圓，從而可將待清洗或待干燥的碳化硅晶圓通過(guò)卡塞固定在卡塞固定座上。而卡塞固定座固定在搖擺裝置的托盤(pán)上，搖擺裝置能夠帶動(dòng)卡塞固定座以及卡塞固定座上的碳化硅晶圓往復(fù)擺動(dòng)，使得在清洗或干燥過(guò)程中，變換碳化硅晶圓的位置，能夠提高清洗和干燥的均勻性。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

當(dāng)前，全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)競(jìng)速與市場(chǎng)擴(kuò)張的關(guān)鍵階段，中國(guó)企業(yè)通過(guò)持續(xù)的研發(fā)投入和專利布局，逐步在散熱優(yōu)化、封裝創(chuàng)新、制造工藝等細(xì)分領(lǐng)域建立競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。然而，面對(duì)國(guó)際巨頭在材料純度、器件可靠性等方面的長(zhǎng)期積累，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍需加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同，推動(dòng)核心專利向?qū)嶋H生產(chǎn)力的高效轉(zhuǎn)化。

未來(lái)，隨著5G基站、智能電網(wǎng)等新基建領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體需求的釋放，具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)將成為企業(yè)參與全球競(jìng)爭(zhēng)的重要籌碼。這場(chǎng)圍繞第三代半導(dǎo)體的“芯”賽道上，創(chuàng)新專利不僅是技術(shù)實(shí)力的見(jiàn)證，更是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的基石。（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

據(jù)悉，該項(xiàng)目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路，總投資5100余萬(wàn)元，建筑面積約25000多平方米。項(xiàng)目由龍游經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)下屬國(guó)資公司代建，主體建筑由廠房、綜合樓、門(mén)衛(wèi)、材料庫(kù)及室外附屬配套組成，建筑層數(shù)共計(jì)5層。

該項(xiàng)目的竣工標(biāo)志著龍游縣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，也為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

據(jù)悉，芯盟項(xiàng)目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，并積極拓展碳化硅功率器件領(lǐng)域。項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)300萬(wàn)只高等級(jí)功率半導(dǎo)體模塊。這將顯著提升我國(guó)在高等級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)能力，進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。

該項(xiàng)目建成后將全面提升園區(qū)的整體工藝技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力，進(jìn)一步助力國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。下一步，開(kāi)發(fā)區(qū)將持續(xù)優(yōu)化園區(qū)環(huán)境，優(yōu)化周邊配套設(shè)施，推動(dòng)企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，為開(kāi)發(fā)區(qū)發(fā)展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個(gè)研發(fā)出垂直溝道三維存儲(chǔ)器并商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構(gòu)集成HITOC鍵合技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)線寬0.9μm，讓芯片之間連接點(diǎn)數(shù)超過(guò)100萬(wàn)個(gè)，3D鍵合密度全球領(lǐng)先。

source：微龍游

近期，芯盟科技接連申請(qǐng)了兩項(xiàng)技術(shù)專利。

3月19日，芯盟科技向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器及其讀操作方法、電子設(shè)備”的專利，公開(kāi)號(hào)為CN119626287A。該專利通過(guò)優(yōu)化DRAM設(shè)計(jì)，引入多個(gè)存儲(chǔ)單元組及靈敏放大器組等，顯著提高了DRAM的感應(yīng)裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN113629011B。這項(xiàng)專利涉及創(chuàng)新的材料選擇和生產(chǎn)工藝，有望提升半導(dǎo)體器件的耐用性和能效，廣泛應(yīng)用于智能設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。