本土化產品是指英飛凌將根據(jù)中國需求進行產品定義。
本土化生產方面，英飛凌指出，公司汽車業(yè)務目前已有多種產品完成本土化量產并計劃于2027年覆蓋主流產品的本土化，將涵蓋微控制器、高低壓功率器件、模擬混合信號、傳感器及存儲器件等產品。
本土化生態(tài)圈涵蓋主機廠，Tier1，大學，行業(yè)協(xié)會，工具廠商, Design house, 媒體智庫及行業(yè)機構等。（集邦化合物半導體整理）
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01 華潤微換帥
3月28日，華潤微發(fā)布關于選舉公司董事長的公告，公司2025年第二屆董事會第二十三次會議審議通過了《關于選舉公司第二屆董事會董事長的議案》，正式選舉何小龍為董事長，何小龍的任期自董事會審議通過之日起至第二屆董事會任期屆滿止。
source：東方財富網
資料顯示，何小龍畢業(yè)于電子科技大學微電子與固體電子學院微電子學與固體電子學專業(yè)，取得工學碩士學位，正高級工程師。此前何小龍歷任信息產業(yè)部科學技術司綜合處處長、質量監(jiān)督管理處處長、工業(yè)和信息化部科技司質量管理處處長、國家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心副主任、華潤（集團）有限公司戰(zhàn)略管理部副總經理等職務。
華潤微是一家擁有芯片設計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試等全產業(yè)鏈一體化經營能力的半導體企業(yè)，產品聚焦于功率半導體、數(shù)?；旌稀⒅悄軅鞲衅髋c智能控制等領域。其主營業(yè)務可分為產品與方案、制造與服務兩大業(yè)務板塊，此外還可提供掩模制造服務。
稍早之前，該公司業(yè)績快報顯示，2024年公司實現(xiàn)營收101.19億元，較上年同期增長2.20%；實現(xiàn)歸母凈利潤7.76億元，較上年同期下降47.55%。
02 Wolfspeed將迎新CEO
近期，Wolfspeed公司宣布，經過董事會全面的內外部搜尋，任命羅伯特·費爾勒（Robert Feurle）為首席執(zhí)行官，任命將于2025年5月1日正式生效。
英飛凌任職期間，費爾勒領導并推出IGBT和碳化硅技術領域的新產品，同時，作為英飛凌的一員，費爾勒曾在2016年參與了擬議收購 Wolfspeed業(yè)務。
業(yè)界指出，費爾勒整個職業(yè)生涯一直推動著成功的增長戰(zhàn)略、創(chuàng)新產品開發(fā)和市場擴張計劃，這有助于Wolfspeed后續(xù)改善業(yè)績，實現(xiàn)新發(fā)展。（集邦化合物半導體 奉穎嫻 整理）
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其中，日本瑞薩電子（Renesas Electronics）調降稼動率（產能利用率），上季（2024年10-12月）稼動率降至3成左右。而瑞薩原先計劃在2025年初期利用甲府工廠量產功率半導體，不過該量產計劃也已延期。
全球電動汽車市場成長放緩，各家功率半導體廠庫存增加，上季日美歐7大廠的平均庫存周轉天數(shù)為99天，較去年同期增加18%。
中國廠商崛起也是原因之一，據(jù)悉， 比亞迪電動汽車用功率半導體工廠在2024年初全面投產。報道指出，比亞迪此前是向瑞薩等廠商采購，日本廠商表示，和中國廠商之間的性能差異，在數(shù)年前就沒了。 SEMI Japna的青木慎一表示，「中國功率半導體已能夠穩(wěn)定生產、進入回收投資的階段」。（集邦化合物半導體整理）
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]]>資料顯示，科瑞爾科技成立于2014年，是業(yè)內同時具備IGBT模塊自動化產線設計和單站核心設備研發(fā)能力的企業(yè)，主營產品已經獲得國內大多數(shù)頭部功率半導體模塊廠商認可，構建了IGBT模塊智能自動化封裝產線，核心主設備車規(guī)級IGBT功率模塊分體微米插針機已經服務數(shù)家國內知名模塊廠商。
科瑞爾具備IGBT封裝測試整線自動化解決方案設計能力，同時自主研發(fā)中高功率IGBT/SiC模塊封裝的關鍵設備，包括高精度貼片機、全自動微米級插針機、SiC倒裝貼合設備、點膠端子成型機、切筋成型機、芯片分選機、KDG測試設備、AMB檢測設備、焊接組裝機等十幾種核心設備。
source：科瑞爾科技（圖為自主研發(fā)生產的IGBT硅基線效果展示）
科瑞爾的多款產品廣泛應用于智能消費電子、風電、儲能、電動汽車、高鐵等新興行業(yè)，近3年營收規(guī)模也實現(xiàn)翻倍增長。（集邦化合物半導體整理）
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]]>這些IPM改進了熱性能、降低了功耗，支持快速開關速度，非常適用于三相變頻驅動應用，如AI數(shù)據(jù)中心、熱泵、商用暖通空調（HVAC）系統(tǒng)、伺服電機、機器人、變頻驅動器（VFD）以及工業(yè)泵和風機等應用中的電子換向（EC）風機。
EliteSiC SPM 31 IPM 與安森美IGBT SPM 31 IPM 產品組合（涵蓋15A至35A的低電流）形成互補，提供從40A到70A的多種額定電流。安森美目前以緊湊的封裝提供業(yè)界領先的廣泛可擴展、靈活的集成功率模塊解決方案。（集邦化合物半導體整理）
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]]>功率器件是提高各種電氣和電子設備能源效率的重要元件，在電力供應和能耗控制方面發(fā)揮著至關重要的作用。汽車的持續(xù)電氣化和工業(yè)設備對更高效率的要求預計將推動市場對功率半導體的長期需求。東芝將通過對前道和后道生產設施的投資來應對這一挑戰(zhàn)，并將通過穩(wěn)定供應高效、高可靠性產品來滿足市場增長。
新生產設施將使姬路工廠的車載功率半導體生產能力較2022財年增加一倍以上，為推進碳中和作貢獻。（集邦化合物半導體整理）
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source：SK hynix
公開資料顯示，SK Keyfoundry是一家8英寸晶圓代工廠，于2020年9月從Magnachip Semiconductor分拆出來，并于2022年8月成為SK海力士的子公司。SK Powertech前身則為Yes Power Technics，于2022年被SK Inc.收購，以其在設計和制造碳化硅（SiC）功率半導體方面的專業(yè)知識而聞名。
值得注意的是，SK集團此前已構建了“SK Siltron（SiC襯底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（電動汽車充電器）”的垂直產業(yè)鏈。此次收購后，SK Keyfoundry將進一步強化該鏈條，推動SiC技術在新能源汽車、儲能等領域的應用落地。
此前2023年SK Powertech通過釜山新工廠將SiC產能擴大近三倍，年產能達2.9萬片150mm晶圓，但受新能源汽車市場需求短期放緩影響，其營收不及預期。為緩解財務壓力，SK Powertech于2024年底計劃通過業(yè)務重組優(yōu)化資源配置。
SK?keyfoundry表示，此次收購旨在加速推進其在功率半導體領域的競爭力構建。公司強調：“這一戰(zhàn)略性股權收購將顯著增強我們在下一代化合物半導體業(yè)務領域的競爭力?！辈⑦M一步闡述：“憑借我們在半導體大規(guī)模生產方面的專業(yè)技術，與SK Powertech在碳化硅（SiC）基功率半導體技術領域的深厚積累相結合，雙方將實現(xiàn)顯著的協(xié)同效應。”
目前，韓國政府正在與當?shù)仄髽I(yè)合力推動碳化硅產業(yè)升級。除SK集團外，三星電子已組建SiC團隊，計劃2025年啟動第三代半導體代工業(yè)務；LG、現(xiàn)代等企業(yè)也在積極布局相關應用領域。此外，韓國政府計劃投資5.22億元人民幣在釜山建設8英寸SiC示范基地，并通過政策支持全產業(yè)鏈發(fā)展，包括襯底材料、外延片、器件設計及封裝測試等環(huán)節(jié)。（集邦化合物半導體竹子整理）
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]]>據(jù)悉，該實驗室的成立旨在聚焦半導體功率電子領域的關鍵技術問題，通過產學研深度融合，推動我國功率半導體產業(yè)的高質量發(fā)展。
公開消息顯示，揚杰科技中央研究院按照國內一流電子實驗室標準建設，總建筑面積達5000平方米，分為可靠性實驗室、失效分析實驗室、模擬仿真實驗室和綜合研發(fā)實驗室。實驗室已通過CNAS（中國合格評定國家認可委員會）認證，具備芯片設計模擬仿真、環(huán)境測試、物理化學失效分析以及產品電、熱及機械應力模擬仿真等多項功能。
中央研究院整合了揚杰科技的多個研發(fā)團隊，涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個領域。此外，該公司還與東南大學共建“寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心”，專注于第三代半導體的研發(fā)及產業(yè)化。實驗室的成立將進一步推動公司在高端功率半導體器件領域的技術創(chuàng)新，特別是在SiC、IGBT等關鍵產品上實現(xiàn)技術突破。
揚杰科技中央研究院獲批省重點實驗室后，將重點解決大功率半導體器件的前沿技術和共性關鍵技術，助力我國在IGBT等新型功率半導體器件領域實現(xiàn)技術自主可控。此外，實驗室還將為揚杰科技新產品開發(fā)、技術瓶頸突破以及市場版圖擴展提供強有力的保障。（集邦化合物半導體整理）
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專利摘要顯示，本實用新型公開了一種驅動電路和驅動系統(tǒng)，所述驅動電路包括：
第一驅動模塊，所述第一驅動模塊與功率器件連接；第二驅動模塊，所述第二驅動模塊與所述功率器件、所述第一驅動模塊連接；控制模塊，所述控制模塊與所述第一驅動模塊、所述第二驅動模塊連接，所述控制模塊用于在電池荷電狀態(tài)大于預設閾值時，控制所述第一驅動模塊導通以驅動所述功率器件動作，以及在電池荷電狀態(tài)小于或等于預設閾值時，控制所述第一驅動模塊和所述第二驅動模塊同時導通以驅動所述功率器件動作。采用該驅動回路可以在避免電壓過沖/電磁干擾的同時，能夠有效加快功率器件開關速度，降低功率器件的開關損耗，提高系統(tǒng)效率。（集邦化合物半導體整理）
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]]>近期，市場傳出元芯半導體、賽微電子等公司在氮化鎵領域的新動態(tài)。
元芯推出高性能氮化鎵功率器件
近日，元芯半導體正式發(fā)布全新一代集成化GaN功率芯片ezGaN系列，采用全集成設計，將高壓GaN晶體管、智能驅動電路、多重保護功能（過壓/過流/過溫）及無損電流監(jiān)測模塊整合于單一封裝內。
上述產品具備如下特點：精準無損電流采樣；超寬范圍VCC供電 （5V to 40V）；可配置驅動速度，優(yōu)化EMI設計；超短驅動延時（5ns)；超短有效PWM脈寬（1.4ns)；支持更高頻率工作(50MHz)；集成溫度采樣和過溫保護；200V/ns dv/dt耐受能力。
資料顯示，元芯半導體以高性能高可靠性模擬芯片解決方案和第三代半導體生態(tài)系統(tǒng)為核心，面向光伏儲能、電動汽車、數(shù)據(jù)中心、5G通訊等領域，提供硅基高性能模擬芯片和第三代半導體功率芯片一站式系統(tǒng)整體解決方案，推動低能耗高性能高可靠性功率電子技術的發(fā)展以滿足節(jié)能減碳的迫切需求。
比亞迪&大疆：車載無人機采用氮化鎵技術
近期，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無人機系統(tǒng)——靈鳶。
靈鳶系統(tǒng)采用雙側對夾式100W快充模塊，采用氮化鎵材料將充電效率提升至94%，-30℃低溫環(huán)境下仍可30分鐘補電60%。
這不是大疆無人家首次采用氮化鎵技術，去年7月，大疆發(fā)布了電助力山地車 Amflow PL、Avinox 電助力系統(tǒng)兩大產品，后者就支持氮氮化鎵3倍快充技術，其采用的12A/508W 快充充電器的充電速度是 4A/168W普通充電器的 3 倍，800瓦時電池電量從0%充到75%僅需約1.5小時。
貝爾金發(fā)布11合1 Pro GaN擴展塢
近期，貝爾金（Belkin）推出升級版移動電源、頭戴式耳機以及11 合 1 Pro GaN 擴展塢等多款新品。
這款擴展塢內置電源適配器，供電方面，僅需一根電源線連接插座。該擴展塢最大供電功率150W，單個USB-C端口支持96W，滿足16英寸MacBook Pro 需求，此外提供7.5W、15W和20W充電端口，適用于iPhone、iPad等設備。
同時，該款擴展塢配備 11 個端口，包括10Gb/s USB-A、10Gb/s USB-C、5Gb/s USB-C、96W PD USB-C、3.5mm音頻輸入/輸出、SD卡槽、micro SD卡槽、兩個HDMI 2.0端口和千兆以太網端口。
賽微電子：氮化鎵芯片處于工藝開發(fā)階段
近期，賽微電子在投資者互動平臺透露了相關產線進展情況，其表示：
深圳產線的相關工作正在開展中；MEMS先進封裝測試業(yè)務目前仍處于建設階段。
在試驗線層面，截至目前已在公司MEMS基地（北京FAB3）建成并運營，與客戶需求對接、工藝技術開發(fā)、部分產品試制等相關活動已在公司現(xiàn)有條件下展開，工藝技術團隊搭建持續(xù)進行，與項目相關的設備采購已大規(guī)模實施，該項目實施主體賽積國際目前已在公司控股子公司賽萊克斯北京MEMS基地內租賃部分空間并建成一條小規(guī)模試驗線。
在商業(yè)線層面，基于產線選址、資源要素、發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃等方面的考量，公司仍在謹慎商討決策具體建設方案，有可能是在現(xiàn)有廠房中推進建設；基于MEMS工藝的氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段，還需要時間；公司已持續(xù)開發(fā)、量產各自不同型號類別的濾波器；公司與武漢敏聲保持長期、穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關系。（集邦化合物半導體flora整理）
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