自成立以來，中晶微電已完成三輪融資。2024年2月，該公司完成天使輪融資，由上海芯璉領(lǐng)投。上海芯璉關(guān)聯(lián)上市公司芯聯(lián)集成。

2024年4月，中晶微電完成pre-A輪融資，由匯明創(chuàng)芯領(lǐng)投。

2025年6月，中晶微電完成A輪融資。除了芯聯(lián)啟辰、蘇州固锝等產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)方A輪增資中晶后，此輪創(chuàng)星聚能的入股印證中晶的平臺型技術(shù)價值，或推動中晶吸引更多產(chǎn)業(yè)鏈資本注入，共同構(gòu)建功率半導(dǎo)體“研-產(chǎn)-用”生態(tài)聯(lián)盟。

資料顯示，中晶微電的運營主體子公司——中晶新源，成立于2017年，是一家強技術(shù)導(dǎo)向型功率半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)計公司，核心團(tuán)隊主要來自業(yè)內(nèi)國際一流半導(dǎo)體公司與世界級汽車Tier-1，如采埃孚、TI、On-semi、NXP、Vishay、Diodes等，擁有10年以上車規(guī)級產(chǎn)品全流程研發(fā)、驗證、推廣與管控經(jīng)驗。

創(chuàng)星聚能是亞洲數(shù)字能源領(lǐng)域企業(yè)萬幫數(shù)字能源股份有限公司于2025年成立的科創(chuàng)股權(quán)投資平臺，目前平臺聚焦新能源、TMT、機器人、AI等新興硬科技賽道，將圍繞主業(yè)進(jìn)行生態(tài)位的戰(zhàn)略布局。以此次股權(quán)投資為紐帶，將為今后雙方在充電樁、儲能、微電網(wǎng)等應(yīng)用場景的業(yè)務(wù)協(xié)同打下堅實基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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資料顯示，臻驅(qū)科技是國內(nèi)汽車零部件供應(yīng)商之一，企業(yè)不斷加大新能源功率模塊以及電機電控的布局，已經(jīng)成為新能源電控領(lǐng)域的“黑馬”企業(yè)、各大整車廠的重要合作伙伴。

此次開業(yè)的臻驅(qū)科技兩江新區(qū)工廠將建成年產(chǎn)90萬臺套新能源功率磚生產(chǎn)基地，有利填補重慶和兩江新區(qū)產(chǎn)業(yè)鏈空白。

據(jù)了解，臻驅(qū)科技（重慶）有限公司兩江新區(qū)工廠建立了高標(biāo)準(zhǔn)打造的現(xiàn)代化制造體系，集成行業(yè)頭部供應(yīng)商的制造技術(shù)，規(guī)劃電控功率磚年產(chǎn)能90萬臺套，達(dá)產(chǎn)后年銷售規(guī)模將超17億元。

兩江新區(qū)集聚長安、賽力斯等整車企業(yè)，汽車產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)堅實，良好的營商環(huán)境和貼心的招引服務(wù)加速了臻驅(qū)科技兩江新區(qū)工廠啟用。未來，臻驅(qū)科技重慶工廠將為長安、賽力斯等在渝整車廠提供本地化量產(chǎn)配套。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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資料顯示，蘇州固锝是國內(nèi)功率器件制造商，擁有分立半導(dǎo)體芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、銷售與服務(wù)的垂直一體化IDM產(chǎn)業(yè)模式，產(chǎn)品涵蓋各類功率整流管、保護(hù)器件、小信號、橋式整流器、MOSFET、IGBT單管及模塊、SiC器件等，50多個系列、7000多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費類電子、5G通訊、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、光伏能源、AI人工智能、汽車電子等諸多領(lǐng)域。

對于上述合作，蘇州固锝表示，這將加速我國功率半導(dǎo)體技術(shù)的自主創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

此次依托聯(lián)合實驗室，借助能源研究院先進(jìn)的功率半導(dǎo)體封測中試平臺資源，將有力推動蘇州固锝整合創(chuàng)新鏈，加速高端功率器件的國產(chǎn)化進(jìn)程。蘇州固锝將以十足的誠意和務(wù)實態(tài)度，與能源研究院緊密協(xié)作，在先進(jìn)封裝設(shè)計、關(guān)鍵工藝開發(fā)、可靠性提升等核心領(lǐng)域深入鉆研，力求取得豐碩的創(chuàng)新成果。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、芯邁半導(dǎo)體港交所IPO

近日，杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司（簡稱“芯邁半導(dǎo)體”）正式向香港交易所遞交上市申請。

圖片來源：芯邁半導(dǎo)體上市申請書截圖

這家成立于2019年的功率半導(dǎo)體公司，憑借其在電源管理IC（PMIC）和功率器件領(lǐng)域的技術(shù)積累，曾獲得了包括小米基金、寧德時代以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（“大基金二期”）等知名機構(gòu)的投資。招股書顯示，芯邁半導(dǎo)體主要采用創(chuàng)新驅(qū)動的Fab-Lite集成器件制造商(IDM)業(yè)務(wù)模式，其核心業(yè)務(wù)聚焦電源管理IC和功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。自2020年組建功率器件團(tuán)隊以來，公司在該領(lǐng)域進(jìn)展迅速，功率器件產(chǎn)品累計出貨量已突破5億顆。

在電源管理IC方面，芯邁半導(dǎo)體主要面向移動和顯示應(yīng)用提供定制化PMIC解決方案，為智能手機、顯示面板及汽車行業(yè)客戶提供電源管理服務(wù)。

在功率器件方面，芯邁半導(dǎo)體擁有全面的產(chǎn)品組合，涵蓋傳統(tǒng)硅基器件（如SJ MOSFET、SGT MOSFET）以及新興的碳化硅（SiC）MOSFET。公司憑借自主開發(fā)的工藝平臺和器件設(shè)計，旨在提供高性能產(chǎn)品。其電源解決方案應(yīng)用廣泛，包括汽車電子、電信與計算（包括AI服務(wù)器）、工業(yè)與能源，以及消費電子產(chǎn)品等關(guān)鍵領(lǐng)域。在電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)（BMS）、通信基站、數(shù)據(jù)中心和機器人等市場，芯邁半導(dǎo)體的市場份額有所增長。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，芯邁半導(dǎo)體在近年面臨營收下滑和虧損擴大的情況。2022年、2023年及2024年，公司營收分別為16.88億元、16.40億元、15.74億元，呈逐年減少趨勢。同期，公司年內(nèi)虧損分別為1.72億元、5.06億元、6.97億元，逐年增加。毛利率從2022年的37.4%降至2024年的29.4%，主要原因系電源管理IC產(chǎn)品收入受海外客戶需求減少影響。

報告期內(nèi)，電源管理IC產(chǎn)品貢獻(xiàn)了公司超過90%的收入，而境外市場仍為主要收入來源，占比超過68%。

據(jù)悉，芯邁半導(dǎo)體已開發(fā)并量產(chǎn)多款車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，功率覆蓋650V至1700V。這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動汽車的主逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器。其高壓SiC MOSFET已通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，并已進(jìn)入國內(nèi)多家新能源汽車整車廠供應(yīng)鏈。其中，某款800V SiC MOSFET已在頭部新勢力車型中實現(xiàn)批量供貨。

在先進(jìn)工藝平臺方面，芯邁半導(dǎo)體正與戰(zhàn)略合作伙伴富芯半導(dǎo)體緊密合作，共同推進(jìn)12英寸SiC晶圓制造工藝的開發(fā)與優(yōu)化。富芯半導(dǎo)體作為芯邁半導(dǎo)體的獨家產(chǎn)業(yè)投資者，已建設(shè)專為高性能PMIC與功率器件優(yōu)化的12英寸晶圓生產(chǎn)線。目前，該產(chǎn)線正進(jìn)行SiC外延生長和器件制造的良率爬坡，目標(biāo)是在2026年實現(xiàn)更大規(guī)模、更高效率的SiC器件生產(chǎn)。

此外，在市場拓展方面，芯邁半導(dǎo)體的SiC產(chǎn)品線除電動汽車外，還在積極布局工業(yè)電源、光伏逆變器和儲能系統(tǒng)市場。公司近期已與國內(nèi)某大型光伏逆變器制造商簽訂長期供貨協(xié)議，為其新一代高效逆變器提供SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品。

2、鉅芯科技北交所IPO獲受理

6月27日，北交所正式受理了安徽鉅芯半導(dǎo)體科技股份有限公司（簡稱“鉅芯科技”）IPO申請。

圖片來源：北交所鉅芯科技IPO申請相關(guān)截圖

鉅芯科技作為一家高新技術(shù)企業(yè)，專注于半導(dǎo)體功率器件及芯片的研發(fā)、封裝測試、生產(chǎn)和銷售，尤其在光伏組件保護(hù)功率器件領(lǐng)域具備核心競爭力。

鉅芯科技的產(chǎn)品線涵蓋了多樣化的功率器件。公司主要以光伏組件保護(hù)功率器件為核心，并逐步拓展至其他應(yīng)用領(lǐng)域。其主要產(chǎn)品包括多種二極管，具體涵蓋整流二極管、快恢復(fù)二極管等。此外，該公司還生產(chǎn)廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換的整流橋堆，以及主要面向中低壓產(chǎn)品線的MOSFET。在功率模塊方面，鉅芯科技也提供光伏模塊和IGBT等產(chǎn)品。

財務(wù)方面，鉅芯科技在截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個會計年度分別實現(xiàn)收入人民幣3.51億元，5.58億元，5.64億元；毛利率分別為19.29%，21.61%，16.70%；歸母凈利潤0.27億元，0.67億元，0.55億元。從財務(wù)數(shù)據(jù)來看，鉅芯科技在近年營收持續(xù)增長，但盈利能力有所波動。

截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個會計年度，公司分別實現(xiàn)收入人民幣3.51億元、5.58億元、5.64億元。同期毛利率分別為19.29%、21.61%、16.70%。歸母凈利潤分別為0.27億元、0.67億元、0.55億元。

此次IPO，鉅芯科技擬募集資金2.95億元，計劃投向以下幾個關(guān)鍵項目：特色分立器件產(chǎn)線建設(shè)項目、研發(fā)中心建設(shè)項目，以及補充流動資金。

圖片來源：鉅芯科技招股書截圖

鉅芯科技表示，此次募資旨在現(xiàn)有業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上進(jìn)行擴產(chǎn)和研發(fā)投入，以適應(yīng)未來市場需求。其中，特色分立器件產(chǎn)線項目將有助于提高公司在消費電子及汽車電子類產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品質(zhì)量，從而提升市場占有率和競爭力。同時，建設(shè)研發(fā)中心將加強公司的科技創(chuàng)新能力和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化能力，為未來新技術(shù)、新產(chǎn)品及服務(wù)的開發(fā)奠定基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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此次融資主要用于公司柳州基地的產(chǎn)能擴建、中小功率產(chǎn)品升級、多款大功率產(chǎn)品市場放量、人才引進(jìn)等，國家級基金與產(chǎn)業(yè)基金的重倉加持，將夯實颶芯科技的基礎(chǔ)，進(jìn)一步推動氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片的國產(chǎn)化。

圖片來源：颶芯科技

颶芯科技成立于2017年7月，聚焦氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)與生產(chǎn)，致力于推動中國氮化鎵激光芯片的產(chǎn)業(yè)化，實現(xiàn)關(guān)鍵核心器件的自主可控。作為國內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵激光芯片企業(yè)，公司以創(chuàng)新驅(qū)動為核心，在材料外延、工藝制程和先進(jìn)封裝等方面不斷突破技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)了多款自主研發(fā)產(chǎn)品的量產(chǎn)與應(yīng)用，有效提升了國產(chǎn)芯片的性能水平，打破了該領(lǐng)域?qū)Ｍ獾倪M(jìn)口依賴。

01、科學(xué)家創(chuàng)業(yè)：國產(chǎn)氮化鎵激光芯片的20年情懷

颶芯科技核心團(tuán)隊曾從事氮化鎵半導(dǎo)體激光器研究20余年，承擔(dān)了中國首個氮化鎵半導(dǎo)體激光器的863重大專項，2004年底在國內(nèi)首次實現(xiàn)波長為405nm的脊型波導(dǎo)氮化鎵基激光器的電注入激射，為中國氮化鎵基激光器零的突破做出重要貢獻(xiàn)。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊由多名經(jīng)驗豐富的博士組成，堅持嚴(yán)謹(jǐn)認(rèn)真和自主創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)化理念，從外延的細(xì)節(jié)把控，到前道的精雕細(xì)刻，再到后道的測試分選，每一個工藝細(xì)節(jié)的錘煉，換來了產(chǎn)品良率的一次次提升。公司攻克了氮化鎵激光芯片生產(chǎn)中的八大核心技術(shù)難題，于2023年建成了國內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)線，并投入實際生產(chǎn)，現(xiàn)已實現(xiàn)了數(shù)千萬顆芯片的穩(wěn)定出貨。

02、國產(chǎn)替代：突破海外技術(shù)封鎖，推動下游應(yīng)用快速發(fā)展

長期以來國內(nèi)市場上應(yīng)用的半導(dǎo)體激光芯片處于紅光、近紅外及更長波段，而覆蓋紫外/紫/藍(lán)/綠光波段的氮化鎵材料和激光芯片仍然處于待攻克和追趕的階段，面臨諸多挑戰(zhàn)。

氮化鎵激光器下游應(yīng)用領(lǐng)域廣闊，在激光投影、光刻與直寫、照明與指示、激光加工、生物檢測、3D打印和可見光通訊等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用，并且多個細(xì)分領(lǐng)域都已經(jīng)進(jìn)入規(guī)?；帕康碾A段。氮化鎵激光器長期被國外廠家完全壟斷、沒有定價權(quán)，技術(shù)上存在卡脖子、商業(yè)上面臨斷供的風(fēng)險，嚴(yán)重限制了下游許多重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。盡快實現(xiàn)氮化鎵激光芯片的國產(chǎn)替代是迫切而現(xiàn)實的需要。

03、產(chǎn)品矩陣齊全：覆蓋大、中、小功率的紫、藍(lán)、綠光激光二極管

氮化鎵激光芯片每平方厘米數(shù)百萬個缺陷導(dǎo)致光子在諧振腔中反射就好比在亞馬遜叢林中穿行一樣，容易碰撞被散射吸收，導(dǎo)致?lián)p耗，同時每一個缺陷都有可能成為漏電通道，造成氮化鎵激光芯片的擊穿，難以實現(xiàn)長壽命。因此，為了提升氮化鎵激光芯片的性能和量產(chǎn)的良率，除了對外延材料及結(jié)構(gòu)進(jìn)行不斷的研發(fā)，還需在生產(chǎn)工藝上精雕細(xì)琢。

颶芯科技8年磨一劍，具備從外延、工藝、封測的IDM全流程工程研發(fā)及量產(chǎn)能力，以研發(fā)驅(qū)動產(chǎn)品升級。2024年在國內(nèi)率先實現(xiàn)大功率氮化鎵激光芯片批量供貨，逐步拓展產(chǎn)品矩陣，已擁有大功率、中功率、小功率的紫、藍(lán)、綠光多款氮化鎵激光芯片成熟產(chǎn)品，多元化的產(chǎn)品已成功導(dǎo)入下游客戶的多領(lǐng)域場景，推動國內(nèi)光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

圖片來源：颶芯科技

颶芯科技創(chuàng)始人、首席科學(xué)家、董事長胡曉東表示：這輪融資，颶芯科技獲得了國家基金、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方和一線投資機構(gòu)的認(rèn)可，這是對颶芯科技團(tuán)隊數(shù)十年如一日，持之以恒，埋頭做事的肯定。這輪融資金額較大，給颶芯科技充足的資金，推動企業(yè)自身的高速發(fā)展，進(jìn)一步加快氮化鎵激光芯片國產(chǎn)化的進(jìn)程，實現(xiàn)颶芯科技做實、做好、做大、做強的目標(biāo)，為國家強盛和社會發(fā)展做出實際貢獻(xiàn)。

颶芯科技創(chuàng)始人、總經(jīng)理宗華表示：本輪融資標(biāo)志著颶芯科技產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程進(jìn)入全面加速階段。過去一年，我們的產(chǎn)品在多個應(yīng)用領(lǐng)域成功替代進(jìn)口，不僅驗證了技術(shù)路線的成熟可靠，更彰顯了團(tuán)隊將實驗室創(chuàng)新轉(zhuǎn)化為規(guī)模量產(chǎn)的核心能力。依托本土化服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，我們能為客戶提供從產(chǎn)品導(dǎo)入到量產(chǎn)落地的全周期快速響應(yīng)——這種貼身服務(wù)優(yōu)勢是國際廠商難以復(fù)制的。面向未來，颶芯科技將持續(xù)深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，突破更多應(yīng)用領(lǐng)域，加速完成從技術(shù)追趕到產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)的關(guān)鍵跨越。

深創(chuàng)投團(tuán)隊指出：深創(chuàng)投新材料基金作為國家制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級基金的特定投資載體，肩負(fù)著推動我國新材料產(chǎn)業(yè)“鍛長板、補短板”的重要戰(zhàn)略使命。氮化鎵激光芯片及關(guān)鍵材料，長期被海外企業(yè)壟斷，技術(shù)壁壘高，國產(chǎn)替代需求緊迫，是我們的重點關(guān)注領(lǐng)域。颶芯科技核心團(tuán)隊在氮化鎵領(lǐng)域深耕20余年，技術(shù)底蘊深厚，且率先在國內(nèi)實現(xiàn)氮化鎵激光芯片量產(chǎn)，有力推動了氮化鎵半導(dǎo)體激光器的國產(chǎn)替代進(jìn)程。深創(chuàng)投新材料基金愿全力支持諸如颶芯科技這樣的優(yōu)秀企業(yè)，持續(xù)為之提供資源與助力，推動產(chǎn)業(yè)升級，為我國新材料產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。

國風(fēng)投投資方表示：氮化鎵激光芯片是顯示、照明、制造加工等多領(lǐng)域的核心光電器件，具有廣闊的應(yīng)用場景?；谕怀龅募夹g(shù)壁壘和行業(yè)Knowhow，多年來國內(nèi)市場基本被國外企業(yè)所壟斷。颶芯科技作為國內(nèi)氮化鎵激光芯片的技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)，率先實現(xiàn)了大功率氮化鎵激光芯片的批量出貨。國風(fēng)投基金投資颶芯科技，就是要發(fā)揮國家級基金的引領(lǐng)作用，瞄準(zhǔn)我國“卡脖子”技術(shù)薄弱環(huán)節(jié)，堅定不移支持企業(yè)開展關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，努力改變國內(nèi)產(chǎn)業(yè)受制于人的狀況，為提高我國高端光電產(chǎn)業(yè)的自主可控、加快新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展做出應(yīng)有貢獻(xiàn)。

廣發(fā)信德投資方表示：珠三角擁有發(fā)達(dá)的電子供應(yīng)鏈，激光芯片終端客戶眾多，這些終端客戶創(chuàng)新不斷，既有存量，又有增量，能提供給國產(chǎn)激光芯片廠商嘗試的機會。颶芯科技的青年創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊學(xué)習(xí)能力極強又深扎一線，能快速捕捉市場機遇，又能打磨出符合客戶需求的產(chǎn)品，八年來帶領(lǐng)颶芯不斷成長，贏得了市場和客戶的信賴與贊譽。我們非?？春蔑Z芯能夠引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展，將來為國家科技自主可控和產(chǎn)業(yè)升級貢獻(xiàn)更大力量。

盛景嘉成投資方表示：盛景嘉成致力于具有頂尖技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化實力的科技企業(yè)投資。氮化鎵激光芯片由于其高技術(shù)壁壘量產(chǎn)難度大，長期被國外企業(yè)壟斷。颶芯科技團(tuán)隊在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域具有20余年技術(shù)研發(fā)積累，突破了氮化鎵同質(zhì)外延、激光芯片制造關(guān)鍵核心技術(shù)，成功實現(xiàn)大批量出貨，隨著氮化鎵激光器國產(chǎn)替代需求日益迫切，公司業(yè)務(wù)進(jìn)入快速增長階段。我們堅定看好颶芯科技發(fā)展前景，期待成為全球領(lǐng)先的氮化鎵激光器龍頭企業(yè)。

荷塘創(chuàng)投投資方表示：我們一直關(guān)注氮化鎵激光產(chǎn)業(yè)鏈，并圍繞上下游來布局，颶芯科技作為IDM企業(yè)，創(chuàng)新性地解決了氮化鎵激光芯片國產(chǎn)卡脖子的難題。作為老股東，一路見證公司攻克研發(fā)、工程化難題，并實現(xiàn)了規(guī)?；慨a(chǎn)。此輪融資后，公司將會更上一個臺階，進(jìn)入新的發(fā)展階段。

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資料顯示，賽英電子是國內(nèi)專業(yè)從事研發(fā)和生產(chǎn)大功率半導(dǎo)體器件用陶瓷管殼系列的企業(yè)，主要產(chǎn)品是晶閘管用陶瓷管殼、平板壓接式IGBT用陶瓷管殼、平底型散熱基板、針齒型散熱基板，是國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省民營科技企業(yè)、無錫市瞪羚企業(yè)。

賽英電子于2025年4月14日登陸新三板，目前屬于基礎(chǔ)層，交易方式為集合競價轉(zhuǎn)讓。6月25日賽英電子發(fā)布公告稱，公司將于6月26日（星期四)開市起停牌，公司披露相關(guān)事項后恢復(fù)轉(zhuǎn)讓交易。停牌原因為：向境內(nèi)證券交易所申請公開發(fā)行股票并上市。

6月27日，賽英電子發(fā)布2024年全年業(yè)績報告。2024年1月1日-2024年12月31日，公司實現(xiàn)營業(yè)收入4.57億元，同比增長42.65%，盈利7390.15萬元，同比增長34.20%，基本每股收益為2.4500元。

業(yè)界表示，賽英電子若成功上市，有望成為北交所功率半導(dǎo)體部件第一股。

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圖片來源：上海證券之星

今年一季度，聞泰科技公司歸母凈利潤2.61億元，同比增長82.29%，其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收37.11億元，同比增長8.40%，凈利潤5.78億元，經(jīng)營性凈利潤同比增長65.14%，毛利率38.32%，同比上升超7個百分點，持續(xù)驗證行業(yè)領(lǐng)先地位與盈利能力。此外，公司經(jīng)營活動現(xiàn)金流量凈額達(dá)25.23億元，同比增長29.58%；截至第一季度末，公司現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物余額增加至94.53億元，較去年同期翻倍增長，為半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)能擴張?zhí)峁﹫詫嵸Y金保障。

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)遵循“低壓向高壓，功率向模擬”的產(chǎn)品拓展戰(zhàn)略，模擬芯片研發(fā)加速，同時該公司緊跟AI、機器人趨勢，產(chǎn)品在AI數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器、AIPC/手機中增長較快。在工業(yè)機器人、協(xié)作機器人、家居機器人等領(lǐng)域，公司已積累深厚的客戶資源。依托車規(guī)半導(dǎo)體的高可靠性與安全標(biāo)準(zhǔn)，公司將有望助力更多機器人新興應(yīng)用更廣泛、安全地落地。

供應(yīng)鏈方面，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)具備海內(nèi)外“雙供應(yīng)鏈”，保障產(chǎn)品供應(yīng)穩(wěn)定高效。

產(chǎn)能方面，聞泰科技后端封測廠位于廣東東莞、江蘇無錫（在建）。同時，聞泰科技積極通過外部工廠強化產(chǎn)能布局，由大股東先行代建的臨港 12 吋車規(guī)級晶圓廠已實現(xiàn)車規(guī)級晶圓量產(chǎn)出貨，將成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中國區(qū)產(chǎn)能提升、工藝升級和成本控制的有力支撐，幫助公司在中國區(qū)市場積極開拓市場份額。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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三篇論文工作如下：

1、He離子注入終端實現(xiàn)3kV氧化鎵功率二極管

本研究報道了一種高穩(wěn)定性的垂直結(jié)構(gòu)NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管，該器件實現(xiàn)了3kV的高擊穿電壓和3.10 GW/cm2的巴利加優(yōu)值。

研究團(tuán)隊創(chuàng)新性地采用氦原子注入技術(shù)構(gòu)建了高效低損傷的邊緣終端結(jié)構(gòu)，有效抑制了異質(zhì)結(jié)PN結(jié)處的高電場聚集，將Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管的擊穿電壓從1330 V提升至3000 V。通過擬合分析反向漏電機制，揭示了氦離子注入器件的獨特?fù)舸┨匦?。進(jìn)一步采用氧氣退火工藝，將器件的比導(dǎo)通電阻從5.08 mΩ·cm2顯著降低至2.90 mΩ·cm2，并提升了器件穩(wěn)定性。

研究成果以“3 kV/2.9 mΩ·cm2 β-Ga2O3 Vertical p–n Heterojunction Diodes with Helium-implanted Edge Termination and Oxygen Post Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上并作現(xiàn)場口頭匯報，第一作者為博士生韓甲俊。

圖片來源：深圳大學(xué)材料學(xué)院

圖為具有He離子注入終端的β-Ga2O3 HJDs（a）截面示意圖和制造關(guān)鍵工藝，（b）反向擊穿特性曲線

?2、GaOx界面工程實現(xiàn)高性能氮化鎵MOS電容器

在本研究中，研究團(tuán)隊采用氫化物氣相外延技術(shù)，成功生長了低位錯密度（~1.5×106 cm-2）的單晶氮化鎵襯底及其外延層，這些材料被用于制造高質(zhì)量的垂直氮化鎵MOS電容器。

研究團(tuán)隊引入了一種界面技術(shù)，通過等離子體增強原子層沉積在Al2O3/GaN界面處沉積一層薄薄的氧化鎵作為中間層。實驗結(jié)果顯示，這些器件的界面陷阱密度（Dit）低至~8×1010 cm-2 eV-1，且VFB遲滯僅為50 mV。引入GaOx界面技術(shù)不僅有效抑制了柵極漏電流，還鈍化了氮和氧相關(guān)的空位及懸掛鍵。這一方法為垂直氮化鎵MOSFET的制造提供了新的方法。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical GaN MOS Capacitors through GaOx Interface Technology”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，第一作者為碩士生林錦沛。

圖片來源：深圳大學(xué)材料學(xué)院

圖為具有GaOx界面層的垂直GaN MOS電容（a）結(jié)構(gòu)示意圖及關(guān)鍵工藝，（b）器件的界面態(tài)密度參數(shù)提取

3、高性能垂直p-NiO/n-GaN功率二極管

本研究報道了一種高性能的垂直p-NiO/n-GaN異質(zhì)結(jié)二極管。

通過氫化物氣相外延技術(shù)生長的低位錯密度氮化鎵晶圓，N面經(jīng)氧氣等離子體處理（OPT）有效緩解了費米能級釘扎效應(yīng)，并鈍化了表面，使接觸電阻（ρc）降至3.84×10-6Ω·cm2。通過氧氣后退火處理濺射的氧化鎳薄膜，優(yōu)化了異質(zhì)結(jié)界面。因此，擊穿電壓提升至1135 V，優(yōu)值（FOM）達(dá)到0.23 GW/cm2，導(dǎo)通狀態(tài)電阻降至5.7 mΩ·cm2。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical p-NiO/n-GaN Heterojunction Diodes through Plasma Treatment and Oxygen Post-Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，碩士生黃燁瑩、王敏為文章的共同第一作者。

圖片來源：深圳大學(xué)材料學(xué)院

圖中，（a）NiO/GaN垂直pn HJD的結(jié)構(gòu)示意圖，（b）之前報道的NiO/GaN PND的FOM與擊穿電壓的對比

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計模型”中下載

羅姆介紹，功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進(jìn)。

新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計階段的器件評估與損耗確認(rèn)的效率。

未來，羅姆將繼續(xù)通過提升仿真技術(shù)，助力實現(xiàn)更高性能以及更高效率的應(yīng)用設(shè)計，為電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的革新貢獻(xiàn)力量。

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圖片來源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行銷售，通過電商平臺均可購買。

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負(fù)載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進(jìn)一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。

在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過載時造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

羅姆介紹，為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負(fù)載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達(dá)16A、1ms時也可達(dá)50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對以往MOSFET難以支持的高負(fù)載應(yīng)用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負(fù)荷并降低電力成本。

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