source：上饒市人民政府發(fā)布

據此前消息，萬年晶第三代半導體項目投產后將成為江西省首個量產氮化鎵車載功率器件的晶圓廠，年產量達20萬片。

近期，氮化鎵產業(yè)熱度持續(xù)上漲，在合作、產品、項目等方面頻頻傳出新動態(tài)。

合作方面，5月28日，佳恩半導體與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。此次合作，雙方將共同研究開展氮化鎵功率器件結構設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結構及參數，基于氮化鎵器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數優(yōu)化及器件樣品研制，針對氮化鎵功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結構的內在關聯(lián)，開展氮化鎵功率器件的柵結構及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。

5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能氮化鎵解決方案方面加強合作。

產品方面，5月30日，據英諾賽科官微消息，其宣布推出三款氮化鎵驅動器產品，分別是INS1001DE（單通道驅動器）、INS2001FQ（半橋驅動器）和INS2001W（半橋驅動器），可廣泛應用于數據中心、汽車電子、電池化成、太陽能微逆、馬達驅動等多個領域。
6月19日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導體）宣布，公司已確認650伏氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發(fā)力度，預計年內完成開發(fā)。

項目方面，今年4月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區(qū)再制造基地正式開工建設。能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建氮化鎵外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸氮化鎵外延片的生產能力。

5月13日，埃特曼半導體全資子公司埃特曼（廈門）光電科技有限公司舉行了埃特曼半導體廈門外延工廠開業(yè)儀式。根據集美產業(yè)投資官微消息，該工廠是埃特曼半導體打造的第二個示范外延工廠，將生產高性能、低成本的氮化鎵外延片。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。