在2024中國(guó)電動(dòng)汽車百人會(huì)論壇上，三安光電總經(jīng)理林科闖先生分享了三安在汽車芯片領(lǐng)域的最新動(dòng)態(tài)和未來(lái)展望。本篇專訪將深入探討三安的業(yè)務(wù)布局、技術(shù)優(yōu)勢(shì)以及對(duì)行業(yè)發(fā)展的深刻洞察。

正文：

在電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的今天，芯片作為汽車新四化的核心部件，其重要性不言而喻。三安，作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體制造商，近年來(lái)在汽車芯片領(lǐng)域取得了顯著成就。在百人會(huì)成立十周年理事會(huì)特別會(huì)議暨中國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)與政策閉門研討會(huì)上，三安光電總經(jīng)理林科闖先生發(fā)表了精彩演講，闡述了三安在汽車芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局和未來(lái)愿景。

業(yè)務(wù)布局：全產(chǎn)業(yè)鏈布局，深耕化合物半導(dǎo)體

三安主要從事半導(dǎo)體新材料、外延、芯片與器件的研發(fā)。公司不僅在LED芯片領(lǐng)域占據(jù)龍頭地位，更是在碳化硅、砷化鎵、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。

林科闖先生表示：“三安的目標(biāo)是打造全產(chǎn)業(yè)鏈布局，從材料生長(zhǎng)、芯片制造到封裝測(cè)試，我們都有深入的涉足和研究。在供應(yīng)方面，三安的垂直整合模式，可以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和供應(yīng)；在規(guī)模上，三安在消費(fèi)、工業(yè)和汽車市場(chǎng)深耕數(shù)十載，與終端市場(chǎng)一起成長(zhǎng)，能夠滿足客戶期望。我們專注于提供高性能、高可靠性的產(chǎn)品和解決方案，以滿足新能源汽車對(duì)芯片的嚴(yán)苛要求。”
技術(shù)優(yōu)勢(shì)：創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，追求國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化

三安在技術(shù)創(chuàng)新上不斷加大投入，力求在汽車芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化。林科闖先生強(qiáng)調(diào)：“我們希望通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新，縮短產(chǎn)品從研發(fā)到終端應(yīng)用的距離。我們不追求簡(jiǎn)單的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，而是通過(guò)性能和技術(shù)創(chuàng)新來(lái)贏得市場(chǎng)?！?三安已經(jīng)在LED、光器件、射頻器件、功率器件等領(lǐng)域取得了一系列技術(shù)突破，其產(chǎn)品在新能源汽車上得到了廣泛應(yīng)用。

行業(yè)洞察：開(kāi)放合作，共同推動(dòng)行業(yè)發(fā)展

在談到行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)時(shí)，林科闖先生表示：“我們堅(jiān)定支持開(kāi)放的市場(chǎng)環(huán)境，通過(guò)‘引進(jìn)來(lái)競(jìng)爭(zhēng)’，與國(guó)內(nèi)外同行進(jìn)行合作與競(jìng)爭(zhēng)，共同推動(dòng)行業(yè)的健康發(fā)展。我們相信，只有開(kāi)放的心態(tài)和合作精神，才能為行業(yè)帶來(lái)正向的力量?！?/p>

三安在推動(dòng)國(guó)內(nèi)外交流與合作方面一直走在行業(yè)前列，與國(guó)際半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合作，共同投資建設(shè)8英寸碳化硅外延、芯片代工廠；與新能源汽車領(lǐng)軍企業(yè)理想汽車成立合資公司，在碳化硅模塊上合作。這種既重視上游供應(yīng)鏈合作，又緊密聯(lián)系終端客戶的雙向策略，使得三安能夠更好地把握市場(chǎng)脈搏，同時(shí)也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步和新能源產(chǎn)業(yè)的繁榮做出了積極貢獻(xiàn)。
未來(lái)展望：持續(xù)創(chuàng)新，引領(lǐng)市場(chǎng)發(fā)展

對(duì)于未來(lái)，三安有著清晰的規(guī)劃和目標(biāo)。林科闖先生展望道：“我們將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推動(dòng)產(chǎn)品和技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。我們希望成為汽車芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，不僅在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占據(jù)一席之地，更要在國(guó)際市場(chǎng)上展現(xiàn)中國(guó)企業(yè)的實(shí)力?！?三安將繼續(xù)深耕化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和開(kāi)放合作，為全球汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

結(jié)語(yǔ)：

通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新和開(kāi)放合作，三安有望成為推動(dòng)全球汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的重要力量。我們期待三安在未來(lái)能夠帶來(lái)更多令人振奮的成果，為中國(guó)乃至全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)書(shū)寫(xiě)新的篇章。

來(lái)源：三安光電

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第三季度，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收36.86億元，同比增長(zhǎng)13.43%；歸母凈利潤(rùn)264.36萬(wàn)元，同比下降95.19%；前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.56億元，同比增長(zhǎng)1.43%；歸母凈利潤(rùn)為1.73億元，同比下降82.51%。

三安光電表示，第三季度隨著市場(chǎng)行情的逐步好轉(zhuǎn)，公司LED芯片銷售量較上年同期增加，雖部分芯片售價(jià)環(huán)比有所回升，但整體售價(jià)較上年同期有較大幅度下降。另外，公司設(shè)備稼動(dòng)率逐步恢復(fù)中，部分產(chǎn)品生產(chǎn)成本上升；高端產(chǎn)品占比有所改善，但尚未達(dá)到預(yù)期，因此導(dǎo)致公司營(yíng)業(yè)成本同比上升。

三安光電收入來(lái)源于LED業(yè)務(wù)、集成電路業(yè)務(wù)兩大板塊。集成電路業(yè)務(wù)涵蓋射頻前端、光技術(shù)、電力電子等三大應(yīng)用領(lǐng)域，今年上半年各細(xì)分業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步成長(zhǎng)，共實(shí)現(xiàn)銷售收入15.22億元，同比增長(zhǎng)4.14%。毛利率方面，得益于SiC產(chǎn)能的持續(xù)釋放，成本降低，SiC業(yè)務(wù)毛利率有所提高，疊加GaAs射頻和GaN射頻業(yè)務(wù)的推進(jìn)，三安光電集成電路整體毛利率增長(zhǎng)了7.75%。

值得注意的是，在業(yè)務(wù)整合上，三安光電宣布對(duì)射頻類、光芯片類業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合，轉(zhuǎn)讓相關(guān)子公司股權(quán)，進(jìn)一步明確了公司射頻業(yè)務(wù)、光芯片業(yè)務(wù)、SiC/GaN電力電子業(yè)務(wù)、LED芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展方向。

基于對(duì)三安光電未來(lái)穩(wěn)健發(fā)展的信心，三安光電于8月獲得間接控股股東三安集團(tuán)及其一致行動(dòng)人增持股份，合計(jì)增持金額5,000萬(wàn)至1億元，增持計(jì)劃于9月19日實(shí)施完成。增持完成后，三安集團(tuán)和三安電子合計(jì)對(duì)三安光電的持股比例上升至29.338%。10月23日，三安光電宣布，三安集團(tuán)及其一致行動(dòng)人擬再次以自有資金通過(guò)集中競(jìng)價(jià)交易方式增持三安光電股份，增持金額為人民幣5,000萬(wàn)元至1億元。

華潤(rùn)微：營(yíng)收達(dá)75.30億元，投資未來(lái)

10月27日晚，華潤(rùn)微公布2023年第三季度報(bào)告，報(bào)告顯示，今年前三季度，公司營(yíng)收75.30億元，凈利潤(rùn)10.56億元；第三季度營(yíng)收25億元，同比增長(zhǎng)0.57%，凈利潤(rùn)2.78億元。

華潤(rùn)微本年前三季度研發(fā)投入達(dá)8.69億元，同比增長(zhǎng)40.22%。華潤(rùn)微表示，公司今年的資金主要用于加大研發(fā)投入、推進(jìn)深圳12吋線和封測(cè)基地的業(yè)務(wù)展開(kāi)。

今年年初，位于西部（重慶）科學(xué)城西永微電園的華潤(rùn)微電子重慶園區(qū)內(nèi)，每個(gè)月都有約6.5萬(wàn)片8吋晶圓下線。該產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)的12吋晶圓產(chǎn)線預(yù)估將形成每月3萬(wàn)-3.5萬(wàn)片12吋晶圓產(chǎn)能，并配套12吋外延及薄片工藝能力。

此外，華潤(rùn)微今年全力以赴推進(jìn)深圳12吋特色工藝集成電路生產(chǎn)線工程建設(shè)，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)2024年年底實(shí)現(xiàn)通線投產(chǎn)，滿產(chǎn)后將形成年產(chǎn)48萬(wàn)片12吋功率芯片的生產(chǎn)能力。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資規(guī)模約220億元，聚焦40納米以上模擬特色工藝，項(xiàng)目規(guī)劃總產(chǎn)能4萬(wàn)片/月，產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車電子、新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

近期國(guó)內(nèi)外的不少半導(dǎo)體企業(yè)都表示，今年下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)下行周期或?qū)⒌竭_(dá)谷底，行業(yè)即將迎來(lái)復(fù)蘇的曙光。華潤(rùn)微通過(guò)自身的超前布局，持續(xù)加大研發(fā)投入和業(yè)務(wù)開(kāi)拓力度，為后續(xù)即將上升的市場(chǎng)需求做準(zhǔn)備。

天岳先進(jìn)：營(yíng)收增長(zhǎng)206.06%，拐點(diǎn)已至

10月27日晚，天岳先進(jìn)披露三季報(bào)顯示，2023年前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.25億元，同比增長(zhǎng)206.06%，超出了此前的預(yù)期。

公司第三季營(yíng)收3.87億元，同比增長(zhǎng)255.89%，凈利潤(rùn)380萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)了扭虧為盈。

在經(jīng)濟(jì)不景氣的大環(huán)境下，天岳先進(jìn)為了一改此前虧損的狀態(tài)，努力調(diào)整自身業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。今年，天岳先進(jìn)除了加快推進(jìn)上海臨港碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目的建設(shè)外，還將濟(jì)南工廠的部分半絕緣產(chǎn)能調(diào)整為6英寸導(dǎo)電襯底，并在去年就實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電型襯底的批量供貨，產(chǎn)能結(jié)構(gòu)優(yōu)化取得成效。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢新推出的《2023中國(guó)SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)看，中國(guó)的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達(dá)42.4%，接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。

TrendForce集邦咨詢預(yù)估2023年中國(guó)N-Type SiC襯底產(chǎn)能（折合6英寸）可達(dá)1020Kpcs。

此前消息，上海臨港新工廠已于今年5月開(kāi)始交付6英寸SiC導(dǎo)電型襯底，目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。按照規(guī)劃，該工廠將年產(chǎn)30萬(wàn)片6英寸導(dǎo)電型SiC襯底，原計(jì)劃2026年投產(chǎn)，但按照目前的進(jìn)展來(lái)看，天岳先進(jìn)預(yù)計(jì)將提前實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

在此基礎(chǔ)上，天岳先進(jìn)已決定通過(guò)優(yōu)化生產(chǎn)工藝、調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備、原輔材料和公輔環(huán)保設(shè)施等方式，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量，借此將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大至96萬(wàn)片/年，相當(dāng)于產(chǎn)能比原計(jì)劃顯著擴(kuò)大220%。

今年天岳先進(jìn)前三季研發(fā)投入8730萬(wàn)，同比增長(zhǎng)41.15%。通過(guò)與國(guó)內(nèi)外企業(yè)簽訂長(zhǎng)期合作協(xié)議，天岳先進(jìn)通過(guò)快速擴(kuò)大銷售規(guī)模的方式，減緩大幅增長(zhǎng)的研發(fā)投入所帶來(lái)的資金壓力。

面對(duì)火熱的SiC市場(chǎng)，天岳先進(jìn)重視自主自研，積累技術(shù)優(yōu)勢(shì)。去年實(shí)現(xiàn)了自主擴(kuò)徑制備高品質(zhì)8英寸襯底，現(xiàn)已具備量產(chǎn)能力。今年，天岳先進(jìn)通過(guò)液相法制備出了低缺陷密度的8英寸晶體，據(jù)稱屬于行業(yè)首創(chuàng)。

可以看到，通過(guò)逐步提升SiC襯底產(chǎn)能,擴(kuò)大自身技術(shù)優(yōu)勢(shì)，今年第三季度的營(yíng)收數(shù)據(jù)表明天岳先進(jìn)營(yíng)收拐點(diǎn)已到來(lái)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體）

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圖片來(lái)源：湖南三安

三安8英寸SiC襯底已小批量生產(chǎn)及送樣

昨日（10/23）晚間，湖南三安披露，8英寸SiC襯底已完成開(kāi)發(fā)，并進(jìn)入小批量生產(chǎn)及送樣階段。據(jù)了解，其產(chǎn)品主要采用精準(zhǔn)熱場(chǎng)控制的自主PVT工藝，可實(shí)現(xiàn)更低成本及更低缺陷密度。下一步，湖南三安的重點(diǎn)將放在良率的提升上，現(xiàn)已加快設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，并持續(xù)推進(jìn)湖南與重慶工廠的量產(chǎn)進(jìn)程。

在重慶的投資上，湖南三安正在穩(wěn)步推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目的建設(shè)，其與ST意法半導(dǎo)體合資成立的三安意法半導(dǎo)體（重慶）有限公司承建的8英寸SiC器件廠項(xiàng)目前期相關(guān)審批事項(xiàng)已成功獲批，后續(xù)隨著各項(xiàng)工作有序推進(jìn)，預(yù)計(jì)將于2025年完成階段性建設(shè)并投產(chǎn)，2028年進(jìn)入達(dá)產(chǎn)階段。作為配套，三安未來(lái)也將獨(dú)立建造及運(yùn)營(yíng)一個(gè)8英寸SiC襯底廠。

據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，為推進(jìn)重慶相關(guān)項(xiàng)目的建設(shè)，三安光電已于今年7月成立了重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（注冊(cè)資本18億元），間接持股100%。

國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底整體發(fā)展速度喜人

SiC襯底是整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)含金量最高的一個(gè)環(huán)節(jié)，從市場(chǎng)格局來(lái)看，依舊是國(guó)際廠商領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)廠商追趕的局面。但不難發(fā)現(xiàn)，近兩年來(lái)，國(guó)內(nèi)廠商在SiC襯底領(lǐng)域快馬加鞭，尤其是大尺寸襯底。

從企業(yè)數(shù)量來(lái)看，按照公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì)，已有10家國(guó)內(nèi)廠商成功研發(fā)了SiC襯底。從實(shí)際生產(chǎn)和銷售情況來(lái)看，天科合達(dá)、爍科晶體、合盛硅業(yè)已分別進(jìn)入小批量供貨、小批量生產(chǎn)和銷售、以及量產(chǎn)階段，加上如今的湖南三安，國(guó)內(nèi)已有4家廠商取得了實(shí)質(zhì)性的成果。另外，天岳先進(jìn)近期也表示已經(jīng)具備8英寸導(dǎo)電型SiC襯底的量產(chǎn)能力。

從合作來(lái)看，英飛凌綁定了天科合達(dá)及天岳先進(jìn)的襯底產(chǎn)能，第二階段的合作都涵蓋了8英寸襯底；而三安光電與ST的合作也側(cè)面反映其對(duì)三安SiC襯底產(chǎn)品性能和質(zhì)量的認(rèn)可······國(guó)內(nèi)8英寸SiC襯底的總體量產(chǎn)潛力和實(shí)力由此可見(jiàn)一斑。

根據(jù)北大相關(guān)研究者的了解，在SiC產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中，除了一些特別高端的襯底材料以外，國(guó)內(nèi)廠商跟國(guó)際廠商差距最小的環(huán)節(jié)就是SiC襯底，總體來(lái)看，國(guó)內(nèi)企業(yè)的襯底技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了相當(dāng)高的水平。由此推測(cè)，隨著國(guó)產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)一步突破以及國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)配套的逐步完善，國(guó)內(nèi)廠商也有望進(jìn)一步縮短與國(guó)際廠商在SiC器件領(lǐng)域的差距。

三安車規(guī)級(jí)MOS驗(yàn)證提速

就目前來(lái)看，SiC器件廠在產(chǎn)品研發(fā)、驗(yàn)證以及應(yīng)用上也按下了“快進(jìn)鍵”，尤其是在車規(guī)SiC領(lǐng)域，今年以來(lái)便傳來(lái)了不少關(guān)于產(chǎn)品驗(yàn)證送樣、收獲訂單的消息。同樣以湖南三安為例，其車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品的驗(yàn)證已提速。

據(jù)悉，湖南三安全新推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET。其中，1200V/75mΩ MOSFET主要匹配新能源汽車OBC的需求，而1700V/1000mΩ MOSFET則主要面向光伏逆變器的輔助電源應(yīng)用。據(jù)透露，目前這兩款產(chǎn)品均處于客戶端導(dǎo)入階段，將逐步批量供貨。此外，1200V /16mΩ的車規(guī)級(jí)芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗(yàn)證。

總的來(lái)看，在當(dāng)前SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng)——新能源汽車領(lǐng)域，湖南三安的SiC產(chǎn)品已經(jīng)取得階段性進(jìn)展，部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。

當(dāng)下，湖南三安已經(jīng)是三安光電的一個(gè)重要收入來(lái)源。今年上半年，在SiC市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)下，湖南三安實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.82億元，同比增長(zhǎng)178.86%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)3.32億元，同比大幅增長(zhǎng)266.99%。而且，湖南三安的SiC業(yè)務(wù)毛利率也有所提高，另加上GaAs射頻和GaN射頻業(yè)務(wù)的推進(jìn)，三安光電集成電路業(yè)務(wù)整體毛利率增長(zhǎng)了7.75%。

而基于對(duì)三安光電發(fā)展前景及長(zhǎng)期穩(wěn)定增長(zhǎng)的信心，三安光電的間接控股股東三安集團(tuán)及其一致行動(dòng)人今年擬兩次增持三安光電的股份。

第一次增持計(jì)劃已于9月實(shí)施完畢，增持金額5,000萬(wàn)元至1億元。自此，三安集團(tuán)有三安光電的股權(quán)比例上升至5.0081%。第二次增持計(jì)劃剛于昨日公布，本次預(yù)計(jì)增持的金額同樣是5,000萬(wàn)元至1億元，三安集團(tuán)及其一致行動(dòng)人擬在接下來(lái)1個(gè)月內(nèi)通過(guò)集中競(jìng)價(jià)交易方式增持三安光電股份。

小結(jié)

從湖南三安8英寸襯底的進(jìn)展速度和成果可見(jiàn)，國(guó)產(chǎn)SiC襯底廠在全球舞臺(tái)的競(jìng)爭(zhēng)力正在逐漸增強(qiáng)；從其車規(guī)級(jí)SiC MOS器件的進(jìn)展也可窺知，國(guó)產(chǎn)SiC器件廠的實(shí)力也正在一步一步獲得全球車企客戶的認(rèn)可，未來(lái)皆可期。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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國(guó)內(nèi)廠商

本屆PCIM展會(huì)，多家國(guó)內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相，如英諾賽科、三安半導(dǎo)體、基本半導(dǎo)體、瑞能半導(dǎo)體、芯聚能、致瞻科技、宏微科技等，其中，部分廠商亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

英諾賽科

作為全球少數(shù)的GaN IDM廠商，英諾賽科帶來(lái)了晶圓和芯片等多系列產(chǎn)品以及面向消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車等不同應(yīng)用的InnoGaN解決方案。

• GaN晶圓、芯片

產(chǎn)品部分，英諾賽科展示了硅基GaN晶圓及高中低壓30V-700V GaN芯片，以40V VGaN雙向?qū)ㄏ盗?、SolidGaN半橋合封系列及全新封裝Toll/TO等封裝新品為重點(diǎn)。

據(jù)介紹，VGaN系列是行業(yè)首創(chuàng)的雙向?qū)óa(chǎn)品，采用WLCSP封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)以一替二（Si），目前，該系列產(chǎn)品已導(dǎo)入到oppo/realme等手機(jī)主板，節(jié)省手機(jī)PCBA空間，降低手機(jī)充電溫度，實(shí)現(xiàn)更高效、更安全的充電方式。其中，采用VGaN的realme GT2手機(jī)就在英諾賽科的生活區(qū)消費(fèi)領(lǐng)域展出。

• GaN消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車解決方案

針對(duì)消費(fèi)電子應(yīng)用，英諾賽科展示了多款快充產(chǎn)品，除了realme GT2手機(jī)，還有安克65W全氮化鎵（All-GaN）快充，閃極、倍思、綠聯(lián)、貝爾金、努比亞等30-65W小體積快充產(chǎn)品，以及30-300W的氮化鎵快充及適配器高效方案。此外，消費(fèi)類產(chǎn)品還包括：200W LED電源，2kW戶外儲(chǔ)能電源等方案。

針對(duì)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，英諾賽科已開(kāi)發(fā)了全鏈路的GaN供電解決方案，本次就展出了PSU電源的AC→DC環(huán)節(jié)的2KW PSU和4KW PFC方案，還有48V→12V環(huán)節(jié)的420W/600W/1000W 電源模塊，以及Oring，Hotswap，Vcore電源等方案。英諾賽科表示，該系列產(chǎn)品可提升供電鏈路的功率密度和效率，降低50%的系統(tǒng)損耗。

針對(duì)電動(dòng)汽車應(yīng)用，英諾賽科率先在車載激光雷達(dá)領(lǐng)域展開(kāi)布局并開(kāi)花結(jié)果，同步開(kāi)拓主驅(qū)逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、OBC等應(yīng)用場(chǎng)景。本次展會(huì)上，英諾賽科便帶來(lái)采用其100V低壓芯片的激光雷達(dá)器、2.4 kW 48V雙向DCDC電源模塊、1kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)、150W車載/筆電車充等方案，可助力全面降低系統(tǒng)損耗。

三安半導(dǎo)體

三安半導(dǎo)體本次重點(diǎn)展示“碳化硅 (SiC) 全產(chǎn)業(yè)鏈體系”的全線產(chǎn)品（覆蓋晶錠、襯底、外延、芯片、器件）和“深入行業(yè)應(yīng)用”的新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化、家用電器、消費(fèi)類電子功率半導(dǎo)體的解決方案。具體展品如下：

• 6英寸SiC晶碇、襯底、外延

在晶錠生長(zhǎng)技術(shù)上，三安半導(dǎo)體采用6/8英寸兼容大尺寸單晶生長(zhǎng)平臺(tái)，依托精準(zhǔn)熱場(chǎng)控制的自主PVT工藝，實(shí)現(xiàn)更低的成本及更低的缺陷密度。

SiC襯底技術(shù)門檻高，工藝難度大，但據(jù)介紹，三安半導(dǎo)體目前擁有高效率、低損耗的切割技術(shù)，精準(zhǔn)控性、高平坦度的研磨技術(shù)，以及高表面質(zhì)量、低缺陷的拋光和清洗技術(shù)，基于此，其6英寸SiC襯底的品質(zhì)和良率在逐步提升。

在外延環(huán)節(jié)，缺陷密度、波長(zhǎng)均勻性是SiC外延環(huán)節(jié)的主要技術(shù)難點(diǎn)，這兩大問(wèn)題與外延片的可靠性和成本息息相關(guān)。目前，三安半導(dǎo)體采用650V-1700V寬電壓區(qū)間外延平臺(tái)和領(lǐng)先的多層外延技術(shù)，在外延環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)了低缺陷密度、高一致性與高可靠性，成本管控良好。

• SiC功率 (SBD/MOS) 芯片、器件

功率芯片方面，本次展出的二極管及MOS芯片均通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，基于更好的Vth控制技術(shù)和減薄晶圓平臺(tái)，產(chǎn)品具備高電流密度高浪涌能力，以及極低損耗和低寄生參數(shù)。

器件方面，三安半導(dǎo)體展出來(lái)650V/1200V全產(chǎn)品系列SiC功率二極管及MOS器件，通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證/AQG-324認(rèn)證，以高性能、高一致性和高可靠性為特點(diǎn)，可以根據(jù)客制化要求，提供多種靈活工藝方案。

基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體在本屆PCIM Europe上正式發(fā)布了第2代SiC MOSFET系列新品，該系列產(chǎn)品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行了自主研發(fā)和迭代升級(jí)，性能和可靠性得到了大幅度提高，器件開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)一步降低。同步展出的還有SiC晶圓、器件、模塊、驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)IC等。

• SiC晶圓、器件

晶圓和器件部分展示了SiC MOSFET/SBD晶圓、SiC MOSFET及肖特基二極管器件。

• 車用全碳化硅功率模塊

基本半導(dǎo)體帶來(lái)的車用SiC產(chǎn)品備受關(guān)注，據(jù)介紹，車用全碳化硅功率模塊分全橋式和半橋式，覆蓋750V和1200V，電流最大達(dá)800A。

據(jù)悉，Pcore?6、Pcore?2模塊均采用全銀燒結(jié)、DTS+TCB（Die Top System + Thick Cu Bonding）等封裝技術(shù)，在柵極輸入電容、內(nèi)部寄生電感、熱阻等多項(xiàng)參數(shù)上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可顯著提升整車效率，降低制造和使用成本。

今年4月，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)SiC芯片產(chǎn)線正式通線，達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。目前，基本半導(dǎo)體已獲得近20家整車廠和Tier1電控客戶的定點(diǎn)。

• SiC MOSFET/IGBT門極驅(qū)動(dòng)解決方案

本次展位也同步呈現(xiàn)了基本半導(dǎo)體旗下青銅劍技術(shù)的SiC MOSFET和IGBT門極驅(qū)動(dòng)解決方案，包括適配HPD封裝的SiC MOSFET模塊驅(qū)動(dòng)器，IGBT驅(qū)動(dòng)核、即插即用驅(qū)動(dòng)器，以及適配各種封裝形式的定制化驅(qū)動(dòng)解決方案。

瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體本次帶來(lái)了硅基、SiC功率器件在充電樁、車載充電器的應(yīng)用及在可再生能源市場(chǎng)的產(chǎn)品突破，具體展品包含SiC器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護(hù)器件以及功率模塊等。其中，SiC產(chǎn)品主要介紹兩種規(guī)格的MOS管。

• 1200V和1700V SiC MOSFETs

據(jù)介紹，1200V和1700V SiC MOSFETs具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的FOM（RDS(on)*QG）指數(shù)，安全的開(kāi)啟電壓以及可靠的柵極氧化層設(shè)計(jì)，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻高溫性能。產(chǎn)品采用更高晶胞單位密度的先進(jìn)工藝和優(yōu)化的晶胞結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)通電阻和柵極電荷特性方面能做到更好的平衡，降低變換器的損耗和器件溫升，提升變換效率。

除了上述廠商，芯聚能、致瞻科技、宏微科技等也帶來(lái)了豐富的SiC器件、模塊產(chǎn)品。

海外廠商

海外市場(chǎng)方面，第三代半導(dǎo)體主力軍幾乎無(wú)一缺席，Wolfspeed、羅姆、安森美、英飛凌、東芝、納微半導(dǎo)體、Transphorm、GaN Systems、EPC、CGD等悉數(shù)亮相，看點(diǎn)頗多，部分企業(yè)的亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

納微

納微在本屆PCIM Europe重點(diǎn)展示了高壓高效的GeneSiC功率產(chǎn)品和集GaN功率器件、傳感和控制為一體的GaNFast功率芯片，展位上劃分了電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能、家電和工業(yè)驅(qū)動(dòng)等不同展區(qū)。

• 電動(dòng)汽車

納微展出了豐富的車用SiC和GaN解決方案。其中，針對(duì)OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，納微重點(diǎn)介紹了3-in-1雙向OBC+DC-DC解決方案，尺寸僅210 x 192 x 61 mm <2.5 L。據(jù)悉，納微的GaN和SiC方案可應(yīng)用于充電樁、OBC、DC-DC轉(zhuǎn)換器等眾多場(chǎng)景。

• 太陽(yáng)能/微電網(wǎng)

在太陽(yáng)能、微電網(wǎng)領(lǐng)域，納微展示了數(shù)款SiC和GaN解決方案，可用于微型逆變器、儲(chǔ)能等多種應(yīng)用。據(jù)悉，納微的650/700V GaN功率芯片目前已用在微型逆變器中。另外，KATEK集團(tuán)的coolcept flex系列的Steca太陽(yáng)能逆變器采用了納微的GeneSiC MOSFET，峰值效率高達(dá)98.6%，減少了功耗和熱量，體積和重量也都得到了優(yōu)化。

• 消費(fèi)類

納微展示了消費(fèi)電子設(shè)備的GaN快充，包括：手機(jī)快充、超快充、基于GaNSense技術(shù)的GaNFast半橋功率芯片、搭載GaNSense Control的33W/65W GaN充電器方案、搭載GaNSense功率芯片的140W/240W PD3.1充電器方案、搭載GaNFast功率芯片的300W充電器方案。

其中，采用GaNSense Halfbridge技術(shù)的GaNFast半橋功率芯片是納微最新的產(chǎn)品線，集成了完整的半橋功率級(jí)，據(jù)說(shuō)是數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)機(jī)及電動(dòng)汽車應(yīng)用中逆變器、轉(zhuǎn)換器的基本結(jié)構(gòu)單元。

GaNSense半橋功率芯片采用兩顆GaN FETs，結(jié)合驅(qū)動(dòng)、控制、感測(cè)、自動(dòng)保護(hù)及電平偏移隔離，是電力電子應(yīng)用的基本功率級(jí)結(jié)構(gòu)單元。

另外，生活消費(fèi)類展區(qū)也同步展示了多款家電驅(qū)動(dòng)機(jī)的GaN解決方案：包括60 W備用電源、400W搭載了電動(dòng)機(jī)、1kW洗衣機(jī)電動(dòng)機(jī)，以及400W TV電源解決方案。

• 數(shù)據(jù)中心

納微帶來(lái)了兩款數(shù)據(jù)中心電源解決方案，一款是2.7kW的鈦金牌服務(wù)器電源解決方案，相較傳統(tǒng)的硅方案，頻率快6倍，峰值效率高于96%，并能實(shí)現(xiàn)50%節(jié)能，同時(shí)還大大縮小了尺寸；另一款是1kW的高壓數(shù)據(jù)中心電源解決方案，僅有1/4塊磚塊電源的大小，相較傳統(tǒng)750W的傳統(tǒng)硅方案，頻率快4倍，尺寸減小4倍，功率密度高4倍。

Transphorm

• 消費(fèi)電子應(yīng)用

Transphorm重點(diǎn)介紹了WT7162RHUG24A電源轉(zhuǎn)換器控制芯片，這是其與偉詮電子（Weltrend Semiconductor Inc.）合作開(kāi)發(fā)的首款系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP) GaN電源控制芯片，與偉詮電子的高效、單級(jí)65W USB-C PD 3.0 + PPS電源適配器參考設(shè)計(jì)（內(nèi)置新型IC）一起展出，峰值功率效率約94%，功率密度達(dá)26W/in3。據(jù)悉，樣品將今年二季度推出。

此外，Transphorm展示了GaN器件產(chǎn)品組合，在現(xiàn)有的游戲筆記本電腦充電器中，用Transphorm的GaN FET替代TSMC增強(qiáng)型器件，可顯著提升充電器系統(tǒng)的性能。

• 可再生能源應(yīng)用

Transphorm首次展出一款3kW DC-AC非隔離全橋逆變器評(píng)估板 TDINV3000W050B-KIT，該產(chǎn)品采用Transphorm的TP65H050G4WS SuperGaN FET器件和微芯（Microchip Technology）的dsPIC33CK數(shù)字信號(hào)控制板（DSC），該控制板搭載了預(yù)編程固件，有助于SuperGaN解決方案加速在工業(yè)及可再生能源系統(tǒng)中使用。

• 電動(dòng)汽車應(yīng)用

Transphorm推出了1200V GaN器件的設(shè)計(jì)資源，該系列產(chǎn)品是對(duì)其現(xiàn)有650V GaN器件產(chǎn)品線的補(bǔ)充，有利于Transphorm更好地滿足電動(dòng)汽車領(lǐng)域的需求。

英飛凌、GaN Systems

今年3月，英飛凌宣布將以8.3億美元收購(gòu)了GaN芯片頭部企業(yè)GaN Systems，雙方在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力和影響力進(jìn)一步擴(kuò)大。在本屆展會(huì)上，英飛凌和GaN Systems均帶來(lái)了前沿的產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。

• 英飛凌CoolSiC、CoolGaN解決方案

本屆PCIM展，英飛凌在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域展示了基于CoolGaN的USB-C適配器和充電器，以及配備CoolGaN SG HEMTs、EiceDRIVER門極驅(qū)動(dòng)IC和XENSIV傳感器的電動(dòng)汽車解決方案。新型芯片技術(shù)則包括HybridPACK Drive CoolSiC第二代產(chǎn)品。

針對(duì)電動(dòng)汽車應(yīng)用，英飛凌重點(diǎn)介紹50kW模塊化CoolSiC參考設(shè)計(jì)，用于電動(dòng)汽車的快速DC充電系統(tǒng)；展位上同步展示了首個(gè)壁掛式DC充電樁——alpitronic HYC50雙向50kW充電樁。

• GaN Systems新型GaN OBC參考設(shè)計(jì)

GaN Systems本次重點(diǎn)推出新型11kW/800V GaN參考設(shè)計(jì)，據(jù)稱有望改變電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)的規(guī)則。該設(shè)計(jì)采用三電平飛跨電容型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，所用的GaN晶體管將晶體管電壓應(yīng)力降低了一半，使得650V GaN可用于該設(shè)計(jì)及其他800V應(yīng)用。與SiC晶體管設(shè)計(jì)相比，OBC的功率密度提高了36％，BOM成本降低了15％，交流/直流階段峰值效率>99％，直流/直流階段峰值效率>98.5％，降低了系統(tǒng)總功耗，同時(shí)改善了熱性能。

同時(shí)，GaN Systems也展示了DC-DC、逆變器解決方案，數(shù)據(jù)中心電源解決方案，GaN快充與適配器解決方案，以及LED及無(wú)線能量傳輸?shù)鹊膭?chuàng)新解決方案。

Wolfspeed

Wolfspeed展示了SiC功率模塊、模塊化評(píng)估平臺(tái)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)等產(chǎn)品和解決方案，重點(diǎn)推出3300V LM SiC半橋功率模塊。

• SiC功率模塊

Wolfspeed介紹，3300V LM SiC半橋功率模塊具備優(yōu)越的性能，可幫助功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)降低熱耗，提高可靠性。這款新型SiC中壓模塊性能優(yōu)于Si產(chǎn)品，功耗降低了3倍多，整體系統(tǒng)尺寸減少達(dá)40%。

Wolfspeed還展示了WolfPACK 無(wú)基板SiC功率模塊產(chǎn)品系列，支持半橋、六管集成及全橋等多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可在中功率系統(tǒng)中提供出色的可延展性，能夠減小轉(zhuǎn)換器尺寸并降低系統(tǒng)BOM成本，對(duì)于追求在緊湊尺寸里實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的設(shè)計(jì)者而言，該產(chǎn)品系列是理想選擇。

• SpeedVal Kit模塊化評(píng)估平臺(tái)

Wolfspeed介紹了最近新推的SpeedVal Kit，該平臺(tái)可以快速評(píng)估和優(yōu)化Wolfspeed碳化硅MOSFET的的高速動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能以及合作伙伴提供的一系列門驅(qū)動(dòng)器，還可用于開(kāi)展高功率熱測(cè)試，評(píng)估實(shí)際工作點(diǎn)的運(yùn)作情況。

• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

Wolfspeed展示了采用其SiC技術(shù)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及基于其中壓SiC模塊技術(shù)的3300 V, 1 MVA電機(jī)逆變器。

• 光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)

光伏及儲(chǔ)能應(yīng)用部分，Wolfspeed展示了25kW三相逆變器，采用FM3 SiC模塊，逆變器效率提升了1.6%。

羅姆

羅姆在PCIM 2023展會(huì)上重點(diǎn)推出電動(dòng)交通、能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能SiC和GaN解決方案，主打節(jié)能、小型化、功能安全、創(chuàng)新性及可持續(xù)性等優(yōu)點(diǎn)，具體亮點(diǎn)如下：

• 第四代SiC MOS

新一代SiC MOS具有超低導(dǎo)通電阻 (RDSon)，并最大程度降低了開(kāi)關(guān)損耗，支持15V和18V柵極源極電壓，據(jù)說(shuō)有助于汽車主逆變器和各類開(kāi)關(guān)電源實(shí)現(xiàn)超小型設(shè)計(jì)，降低功耗。

羅姆還展出了SCT40xxKW7第四代1200V SiC MOSFETs，相比傳統(tǒng)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了40%，開(kāi)關(guān)損耗減少了50%。

• 新型模壓SiC功率模塊

羅姆推出了HSDIP20及DOT247系列產(chǎn)品，兩大系列產(chǎn)品結(jié)合了最新的第四代SiC MOS 750V和1200V器件，覆蓋不同RDSon導(dǎo)通電阻值，并且都能達(dá)到30kW的功率應(yīng)用，具體取決于使用條件。

• 內(nèi)置的1700V SiC MOS

羅姆展示了BM2SC12xFP2-LBZ系列產(chǎn)品，據(jù)說(shuō)這是一款準(zhǔn)諧振（Quasi-Resonant）AC/DC轉(zhuǎn)換器，可為各種帶有電源插座的產(chǎn)品提供最佳系統(tǒng)。

• 150V GaN HEMT

針對(duì)工業(yè)和通訊設(shè)備應(yīng)用，羅姆優(yōu)化了其150V GaN HEMT GNE10xxT產(chǎn)品，據(jù)稱具有行業(yè)最高的（8V）柵極擊穿電壓技術(shù)。

• 門極驅(qū)動(dòng)器

除了器件和功率模塊，羅姆同步展示了BM611x系列門極驅(qū)動(dòng)器，專為xEV牽引逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)，已通過(guò)AEC-Q100車規(guī)級(jí)認(rèn)證。該系列產(chǎn)品新增了BM6112，柵極電流達(dá)20A，適配高功率IGBT和SiC應(yīng)用。

安森美

安森美此次聚焦三大方向：綠色能源、EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)、工業(yè)革命。EliteSiC系列相關(guān)的展品主要介紹充電樁解決方案。

• AC電動(dòng)車充電樁

主要展示了EliteSiC技術(shù)在制造用于從AC電網(wǎng)充電的高效充電解決方案中起到的作用。

• 25kW DC快充評(píng)估裝備

主要展示了安森美的智能電源產(chǎn)品組合如何利用EliteSiC技術(shù)實(shí)現(xiàn)最高效率。

結(jié)語(yǔ)：SiC成熟度提升，GaN功率產(chǎn)品商用化提速

通過(guò)海內(nèi)外主要廠商在本屆PCIM Europe展會(huì)上的呈現(xiàn)可以看到，SiC和GaN技術(shù)和性能得到進(jìn)一步的升級(jí)，產(chǎn)品應(yīng)用邊界也在加速拓寬。

值得一提的是，廠商的重點(diǎn)也一致落在電動(dòng)汽車、工業(yè)電源、光伏儲(chǔ)能等功率半導(dǎo)體解決方案上，傳遞著SiC、GaN加速向高功率應(yīng)用領(lǐng)域滲透的積極信號(hào)，尤其是GaN。從廠商的亮點(diǎn)產(chǎn)品不難發(fā)現(xiàn)，GaN在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用已經(jīng)不再是喊口號(hào)，一定程度上預(yù)示著GaN將在OBC車載充電器等應(yīng)用場(chǎng)景與SiC正面交鋒。不過(guò)，SiC今年展現(xiàn)出了更為強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭，無(wú)論是技術(shù)還是產(chǎn)品，成熟度皆有所提升，有望加快滲透更多應(yīng)用市場(chǎng)。

另值得一提的是，Wolfspeed、羅姆、納微、安森美、Transphorm、EPC等都將參加相關(guān)的專題討論會(huì)、座談會(huì)等。例如，納微將在PCIM上帶來(lái)多場(chǎng)精彩演講，其中，納微半導(dǎo)體企業(yè)營(yíng)銷和投資者關(guān)系副總裁Stephen Oliver還將在5月11日帶來(lái)Reliability and Quality Requirements for SiC and GaN Power Devices的精彩座談會(huì)。SiC、GaN的熱度由此也可見(jiàn)一斑，產(chǎn)業(yè)難題有望在更多的交流和探討中進(jìn)一步取得突破。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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