東海炭素開發(fā)的用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層壓SiC晶圓是通過將帶有預(yù)刻槽的單晶SiC晶圓與多晶SiC晶圓鍵合，然后加熱剝離刻槽部分，在作為襯底的多晶SiC晶圓上形成單晶SiC薄膜而制成的。由于單晶SiC層是薄膜，單晶SiC晶圓可重復(fù)使用10次以上，一張單晶SiC晶圓可生產(chǎn)10張以上的鍵合晶圓。

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多晶SiC的優(yōu)點是電阻值約為單晶SiC的1/5~1/4，可以進一步降低功率損耗。與僅使用單晶SiC的晶圓相比，通過使用層壓SiC晶圓，可以提高SiC功率半導(dǎo)體的性能，并且可以使系統(tǒng)本身更小、更輕，并且可以提高EV的行駛里程。

此前報道，今年5月，東海炭素與法國半導(dǎo)體材料制造商Soitec就多晶SiC晶圓達(dá)成合作，公司將在中長期內(nèi)為Soitec供應(yīng)6英寸和8英寸多晶SiC晶圓。

除了在日本茅崎市基地設(shè)立多晶SiC專線外，東海炭素還計劃在其位于韓國京畿道安城市的現(xiàn)有工廠生產(chǎn)多晶SiC。 （文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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