source：東芝

據(jù)介紹，新產(chǎn)品MG250V2YMS3具有低導(dǎo)通損耗和0.8 V的低漏源導(dǎo)通電壓。它還具有低開關(guān)損耗，導(dǎo)通開關(guān)損耗低至18 mJ，關(guān)斷開關(guān)損耗低至 11 mJ。這有助于減小設(shè)備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸。
MG250V2YMS3 具有12 nH的低雜散電感，并且能夠進(jìn)行高速開關(guān)。此外，它還能抑制開關(guān)操作時(shí)的浪涌電壓。因此，它可用于高頻隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器。

目前，使用東芝2-153A1A封裝的SiC MOSFET模塊有四種產(chǎn)品：MG250YD2YMS3（2200 V / 250 A）、MG400V2YMS3（1700 V / 400 A）和MG600Q2YMS3（1200 V / 600 A），以及本次發(fā)布的新產(chǎn)品。這給客戶提供了更廣泛的產(chǎn)品選擇。

集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯

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ROHM和東芝將分別對(duì)SiC和Si功率器件進(jìn)行密集投資，兩者將依據(jù)對(duì)方生產(chǎn)力優(yōu)勢(shì)進(jìn)行互補(bǔ)，有效提高供應(yīng)能力。

兩家公司計(jì)劃在合作項(xiàng)目上花費(fèi)3883億日元（折合人民幣約193億元），其中日本政府可提供最高1294億日元（折合人民幣約64億元）的補(bǔ)貼，資金占比高達(dá)1/3。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓，而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

source:Rohm

據(jù)悉，制作SiC功率器件是ROHM的強(qiáng)項(xiàng)，產(chǎn)品的能量轉(zhuǎn)換效率高。而東芝在傳統(tǒng)的Si器件領(lǐng)域?qū)嵙π酆?，可為包括鐵路和電力公司在內(nèi)的多個(gè)客戶提供服務(wù)。未來(lái)，這兩家公司將在產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)和銷售方面進(jìn)行緊密協(xié)作。

值得一提的是，東芝將于12月20日實(shí)現(xiàn)私有化，由Japan Industrial Partners牽頭的日本國(guó)內(nèi)財(cái)團(tuán)斥資2萬(wàn)億日元（折合人民幣約994億元）收購(gòu)。而ROHM是該財(cái)團(tuán)最大的投資者，將出資3000億日元（折合人民幣約149億元）購(gòu)買優(yōu)先股和普通股。

此外，ROHM計(jì)劃在2027財(cái)年之前，對(duì)SiC業(yè)務(wù)整體投資5100億日元（折合人民幣約254億元），到2027財(cái)年，SiC功率器件的銷售額將增長(zhǎng)到2700億日元（折合人民幣約134億元），是2022財(cái)年的9倍。由東芝負(fù)責(zé)傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將使羅姆公司能夠把投資重點(diǎn)放在更尖端的SiC產(chǎn)品上。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）

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東芝推出 SiC MOSFET 新品

東芝推出的第3代TWxxNxxxC系列，共有10款產(chǎn)品，包括5款1200V和5款650V產(chǎn)品。

source：東芝半導(dǎo)體

這些新一代MOSFET內(nèi)置了與SiC MOSFET內(nèi)部PN結(jié)二極管并聯(lián)的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），可提高可靠性。新產(chǎn)品開關(guān)損耗約降低約20%，有助于提高設(shè)備效率。此外，由于柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可防止開關(guān)噪聲引起的故障。

據(jù)悉，東芝650V和1200V第3代碳化硅MOSFET擁有更低的功耗，適用于大功率且高效、高功率密度的各類應(yīng)用，如開關(guān)電源（數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、通信設(shè)備等）、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電站等。

來(lái)源：東芝半導(dǎo)體官方公眾號(hào)

氮矽科技推出全新低壓GaN集成芯片

氮矽科技推出了一款具有工業(yè)級(jí)可靠性的低100V GaN集成產(chǎn)品DXC6010S1C。

據(jù)悉，氮矽科技DXC6010S1C是一款驅(qū)動(dòng)集成GaN芯片，該芯片耐壓100V，內(nèi)部集成了一顆增強(qiáng)型低壓硅基氮化鎵（GaN-on-Si）和單通道高速驅(qū)動(dòng)器。采用DFN5×6封裝，占板面積小，無(wú)反向恢復(fù)電荷，并且導(dǎo)通電阻極低。為最高功率密度應(yīng)用提供超小型化的解決方案。

DXC6010S1C適用于多種場(chǎng)景，如高頻高功率密度降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC充電器、太陽(yáng)能優(yōu)化器和微型逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類音頻放大器等。它也適用于AI、服務(wù)器、通信、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景，特別適合48V工作電壓的USB PD 3.1快充和戶外電源相關(guān)應(yīng)用。

信息來(lái)源：充電頭網(wǎng)

士蘭微：控股股東擬1000萬(wàn)至2000萬(wàn)元增持股份

士蘭微于17日發(fā)布公告稱，控股股東杭州士蘭控股有限公司擬自本公告披露之日起6個(gè)月內(nèi)通過上海證 券交易所允許的方式（包括但不限于集中競(jìng)價(jià)、大宗交易等）增持公司股份， 增持金額為不低于人民幣1000萬(wàn)元且不超過人民幣2000萬(wàn)元（以下簡(jiǎn)稱“本次增持計(jì)劃”）。

本次增持價(jià)格不超過30 元/股，資金來(lái)源為士蘭控股自有資金 及自籌資金。

信息來(lái)源：士蘭微官網(wǎng)

基本半導(dǎo)體獲得“功率模塊”專利授權(quán)

天眼查顯示，深圳基本半導(dǎo)體有限公司“功率模塊”專利獲授權(quán)，授權(quán)公告號(hào)為CN219832642U，授權(quán)公告日為10月13日。

source:國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

據(jù)摘要介紹，本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及功率模塊，包括：散熱組件以及功率組件，所述散熱組件貼設(shè)在所述功率組件的底部，所述散熱組件一體成型，所述散熱組件內(nèi)部具有腔體，所述散熱組件的兩側(cè)分別設(shè)有進(jìn)液口以及出液口，所述進(jìn)液口和所述出液口分別與所述腔體連通，所述腔體內(nèi)部設(shè)有多個(gè)散熱針翅，所述腔體靠近所述進(jìn)液口設(shè)有用于引導(dǎo)冷卻液從所述進(jìn)液口均勻分流至所述腔體的第一導(dǎo)流槽，所述腔體靠近所述出液口設(shè)有用于引導(dǎo)所述冷卻液從所述腔體匯流至所述出液口的第二導(dǎo)流槽。

本實(shí)用新型使得冷卻液由進(jìn)液口進(jìn)入后可以均勻地通過整個(gè)腔體，從而達(dá)到對(duì)功率模塊所有芯片的均勻散熱效果；散熱針翅也進(jìn)一步提高了提高散熱效果。

來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

美企Axcelis宣布向日本SiC企業(yè)交付Purion EXE Power系列離子注入機(jī)

美企Axcelis于18日發(fā)布公告稱，公司的Purion EXE SiC Power系列8英寸高能離子注入機(jī)已向日本領(lǐng)先的SiC功率器件芯片制造商發(fā)貨。該系列產(chǎn)品將用于汽車用SiC功率器件的大批量生產(chǎn)。
據(jù)悉，離子注入是IC制造過程中最關(guān)鍵的步驟之一，Axcelis致力于離子注入系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造以及在離子注入系統(tǒng)生命周期內(nèi)提供支持服務(wù)。

信息來(lái)源：Axcelis官網(wǎng)

TrendForce集邦咨詢新推出《2023中國(guó)SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》，聚焦中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展，重點(diǎn)分析供應(yīng)鏈各環(huán)節(jié)發(fā)展情況及主要廠商動(dòng)態(tài)。以下為報(bào)告目錄：

新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優(yōu)化了第2代產(chǎn)品的結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[2]。它們實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先[3]的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新產(chǎn)品還在正向電壓與總電容電荷之間以及正向電壓與反向電流之間取得了平衡，從而在降低了功耗的同時(shí)提高了設(shè)備效率。

今年2月，東芝總裁佐藤裕之表示，公司的主要產(chǎn)品是用于控制汽車和家電功率的功率半導(dǎo)體，目前正在擴(kuò)大產(chǎn)能。

佐藤裕之表示，車用功率半導(dǎo)體的性能非常好，公司認(rèn)為需要擴(kuò)產(chǎn)。目前生產(chǎn)場(chǎng)地不夠用，要建新廠房。據(jù)悉，東芝電子計(jì)劃在姬路半導(dǎo)體工廠（位于兵庫(kù)縣太子町）建設(shè)新廠房，并將于2025年春季投產(chǎn)，建成后該工廠的汽車產(chǎn)品產(chǎn)能將增加一倍以上。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

未來(lái)，半導(dǎo)體市場(chǎng)將擴(kuò)大，并且用途也逐漸明了。以汽車為例，隨著電氣化的推進(jìn)，使用的半導(dǎo)體數(shù)量不斷增加。佐藤裕之表示，未來(lái)東芝電子在半導(dǎo)體設(shè)備投資可能會(huì)增加。

此外，佐藤裕之表示公司將會(huì)大力發(fā)展節(jié)能性好、采用“碳化硅（SiC）”材料的功率半導(dǎo)體，并透露量產(chǎn)應(yīng)該在2025年開始，但日本和國(guó)外的客戶都希望提前量產(chǎn)，公司方面將會(huì)討論是否有可能推進(jìn)進(jìn)程。

SiC是第三代化合物半導(dǎo)體的典型代表，具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于電力電子與射頻等下游。

SiC相比硅基材料具有寬禁帶、電子飽和漂移速率高、熱導(dǎo)系數(shù)高和熔點(diǎn)高等優(yōu)勢(shì)，可有效突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限，作為襯底開發(fā)出更適應(yīng)高溫、高壓、高頻率和大功率等條件的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于新能源車、光伏及射頻領(lǐng)域。

其中，新能源汽車可以說是目前碳化硅應(yīng)用最火熱的賽道。根據(jù)TrendForce集邦咨詢《第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場(chǎng)分析報(bào)告》內(nèi)容顯示，隨著越來(lái)越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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東芝2021年11月宣布的分拆計(jì)劃，原本打算將裝置業(yè)務(wù)和基礎(chǔ)事業(yè)服務(wù)分拆出去，但是也引來(lái)大股東等的批評(píng)聲浪。這回經(jīng)過修正，分拆、獨(dú)立的公司減少，相關(guān)作業(yè)及股票上市手續(xù)的成本降低，省下的費(fèi)用也將用于成長(zhǎng)投資及股票分紅。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

東芝原本打算在今后兩年實(shí)施1000億日?qǐng)A規(guī)模的股票分紅，而這次則希望拉高至3000億日?qǐng)A規(guī)模。東芝還透露，他們已要求鎧俠（Kioxia）盡早實(shí)施IPO，鎧俠約有4成資金來(lái)自東芝。東芝在3月將召開股東大會(huì)，提案內(nèi)容將清楚記載，從鎧俠股票取得的資金要全額用在股票分紅。

東芝也在同日宣布，集團(tuán)旗下空調(diào)子公司東芝開利（ToshibaCarrier）的55%已發(fā)行股票，將轉(zhuǎn)讓給合資伙伴的美國(guó)空調(diào)大廠開利（CARR-US），金額約1000億日?qǐng)A。除此之外，東芝還要出售電梯及照明業(yè)務(wù)，手續(xù)也已經(jīng)展開，目標(biāo)在2022年度內(nèi)（至2023年3月底）談妥條件。

另外東芝也宣布，提供POS系統(tǒng)的子公司、東芝特科（ToshibaTec）將不再是業(yè)務(wù)的發(fā)展重點(diǎn)，要通過事業(yè)的篩選和集中，來(lái)提升企業(yè)價(jià)值。（來(lái)源：鉅亨網(wǎng)）

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