據(jù)悉，項目總投資6億元，本次僅針對一期工程，主要建設年產(chǎn)500噸電子級高純碳化硅粉體生產(chǎn)線（生產(chǎn)區(qū)包含混料間、粉料合成間、純化間、原材料庫、成品庫等，辦公區(qū)包含會議室、辦公室等）、公用和環(huán)保配套設施設備等。

該項目采用改進自蔓延高溫合成法（SHS）制備碳化硅粉體工藝（原料按一定化學計量比通過多向運動混合機將原料Si粉和C粉混合均勻，并裝入石墨坩堝中；然后將石墨坩堝放入原料合成爐，關爐，待真空抽至0.0001Pa以下后，充入氬氣等至所需壓強；接著按一定升溫速率進行升溫至所需溫度進行高溫合成，待一段時間后，降溫停爐。出爐后的碳化硅為塊狀，利用晶體一體機進行破碎、研磨和篩分，破碎、研磨用來消除結(jié)塊和晶須，篩分使得粒徑分級，之后進入純化爐進行焙燒，除去未反應的碳和浮灰，冷卻后包裝、標記、入庫），設備均采用相符原料合成爐，所用原料Si粉和C粉純度均為6N以上，在高溫下持續(xù)反應，最后得到高純碳化硅粉體。

作為該項目主導方，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資控股集團共同出資設立。

項目方面，中宜創(chuàng)芯正在分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線，總投資20億元。其中，項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，于2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。

隨后在今年5月，中宜創(chuàng)芯碳化硅半導體粉體500噸生產(chǎn)線成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內(nèi)多家企業(yè)和研究機構(gòu)開展試用和驗證。

技術方面，作為一家碳化硅半導體粉體研發(fā)、生產(chǎn)和銷售企業(yè)，中宜創(chuàng)芯擁有先進的粉體合成爐和自動化無污染破碎技術，其產(chǎn)品具有單爐產(chǎn)能大、顆粒度大、純度高、阿爾法含量高和游離碳低等優(yōu)點，更適合8英寸碳化硅厚單晶的生長。（集邦化合物半導體Zac整理）

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近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡稱中宜創(chuàng)芯）SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機構(gòu)開展試用和驗證。

source：中宜創(chuàng)芯

中宜創(chuàng)芯SiC粉體項目持續(xù)突破

根據(jù)此前公開消息，中宜創(chuàng)芯SiC粉體項目總投資20億元，計劃分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線。其中，項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平米。

從項目進度來看，中宜創(chuàng)芯SiC粉體項目一期于2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。2023年國慶期間，經(jīng)權威機構(gòu)檢測，中宜創(chuàng)芯首爐SiC粉體產(chǎn)品純度為99.99996%，達到國內(nèi)優(yōu)等品標準。10月17日該項目一期試生產(chǎn)結(jié)束，第一批設備全部投料完成，標志著中宜創(chuàng)芯SiC粉體開始進入批量生產(chǎn)階段。

歷時三個月，該項目一期從開工進入到試生產(chǎn)階段，再經(jīng)過半年時間，項目又完成從試產(chǎn)到達產(chǎn)轉(zhuǎn)變，在建設進度方面進展較快。與此同時，SiC粉體產(chǎn)品純度不斷提升，已由99.99996%進一步提高到99.99999%。

目前，中宜創(chuàng)芯SiC粉體產(chǎn)品正在被國內(nèi)多家企業(yè)和研究機構(gòu)試用和驗證，在一定程度上顯示了該產(chǎn)品市場認可度較高，也為中宜創(chuàng)芯SiC粉體后續(xù)擴產(chǎn)項目順利進行起到了一定的推動作用。

中宜創(chuàng)芯技術進擊

作為一家SiC粉體和襯底廠商，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月，是一家成立僅一年的初創(chuàng)企業(yè)，但能夠在短時間內(nèi)在SiC領域取得重大進展，與持有其70%股權的平煤神馬集團有直接關系。

早在2021年，平煤神馬集團投資7000萬元，啟動SiC基半導體材料示范線開發(fā)項目，主要研發(fā)生產(chǎn)SiC粉體和SiC襯底材料，旨在打造芯片材料產(chǎn)業(yè)“試驗田”。

隨后在2023年1月4日，平煤神馬集團生產(chǎn)的SiC高純粉體和SiC晶錠成功下線。彼時，該生產(chǎn)線生產(chǎn)的SiC粉體產(chǎn)品純度已達99.99995%，SiC晶錠產(chǎn)品質(zhì)量達國內(nèi)一流水平。從99.99995%到99.99996%，再到99.99999%，中宜創(chuàng)芯持續(xù)優(yōu)化技術水平。

背靠平煤神馬集團，中宜創(chuàng)芯利用先進的粉體合成爐和自動化無污染破碎技術組織研發(fā)生產(chǎn)，具有單爐產(chǎn)能大、顆粒度大、純度高、阿爾法含量高和游離碳低等優(yōu)點，更適合8英寸SiC厚單晶晶錠的生長。今年2月，中宜創(chuàng)芯實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸SiC單晶晶錠，驗證了中宜創(chuàng)芯SiC半導體粉體在長晶方面的優(yōu)勢。

此外，中宜創(chuàng)芯通過合作獲得技術支持。例如，今年1月初，平煤神馬集團旗下中宜創(chuàng)芯與乾晶半導體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在推進行業(yè)技術創(chuàng)新、SiC材料質(zhì)量標準建設等方面開展合作。

乾晶半導體專注于第三代半導體材料領域，從事SiC單晶生長、晶片加工和設備開發(fā)。乾晶半導體已與浙大科創(chuàng)中心先進半導體研究院成立聯(lián)合實驗室，共同承擔SiC材料的產(chǎn)業(yè)化任務。2023年，乾晶半導體完成了億元Pre-A輪融資，融資資金將用于SiC襯底的技術創(chuàng)新和批量生產(chǎn)。與乾晶半導體合作，有助于中宜創(chuàng)芯推進SiC材料技術研發(fā)。

小結(jié)

目前，中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線已達產(chǎn)，正在沖刺2000噸年產(chǎn)能目標。據(jù)稱，項目全部達產(chǎn)后，中宜創(chuàng)芯SiC粉體產(chǎn)品在國內(nèi)市場占有率在30%以上，全球市場占有率在10%以上。屆時，中宜創(chuàng)芯有望成為SiC粉體頭部廠商，并在一定程度上實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

近期，在SiC產(chǎn)業(yè)眾多擴產(chǎn)項目當中，SiC粉體項目相對較少，但市場空間是巨大的，未來有望看到更多粉體項目簽約落地，共同加速國內(nèi)產(chǎn)品崛起。（文：集邦化合物半導體Zac）

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