據(jù)悉，中微公司此次簽約的微觀加工設(shè)備研發(fā)中心項目，將擴大在南昌高新區(qū)的研發(fā)投入力度。

項目重點聚焦于多個關(guān)鍵領(lǐng)域，包括用于先進封裝產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造相關(guān)設(shè)備與工藝的開發(fā)、第三代半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）功率器件相關(guān)制造設(shè)備與工藝的開發(fā)、Micro LED用MOCVD設(shè)備應(yīng)用推廣以及Mini LED用MOCVD設(shè)備性能提升等。這些研發(fā)方向不僅契合當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，也體現(xiàn)了中微公司在高端微觀加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)實力和戰(zhàn)略布局。

公開資料顯示，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，中微公司已經(jīng)取得了顯著進展。據(jù)悉，中微公司推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PrismoPD5，目前已交付國內(nèi)外領(lǐng)先客戶進行生產(chǎn)驗證，并取得了重復(fù)訂單；其中微公司啟動了SiC功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，并取得了較大的技術(shù)進展。公司已將樣機付運至客戶端開展生產(chǎn)驗證，并正與多家客戶正在推進合作。

source：中微半導(dǎo)體（圖為中微半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備）

值得關(guān)注的是，據(jù)中微公司2024年年度業(yè)績快報公告，公司2024年營業(yè)收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長約44.73%。其中，刻蝕設(shè)備銷售約72.77億元，同比增長約54.73%；MOCVD設(shè)備銷售約3.79億元，同比下降約18.03%；LPCVD設(shè)備2024年實現(xiàn)首臺銷售，全年設(shè)備銷售約1.56億元。

2024年歸屬于母公司所有者的凈利潤約16.26億元，較上年同期減少8.93%。凈利潤下降的主要原因是2024年公司研發(fā)投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為27.05%。

據(jù)成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，在今年更早的2月18日，中微公司與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專注于高端邏輯及存儲芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備。

同時，中微公司還將建設(shè)研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目。項目總投資額約30.5億元，注冊資本1億元，并計劃購地約50余畝，用于建設(shè)研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設(shè)施，以滿足量產(chǎn)需求。項目擬于2025年啟動建設(shè)，2027年正式投入生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體 王琪 整理）

中微公司介紹，等離子體刻蝕機，是光刻機之外，最關(guān)鍵的、也是市場最大的微觀加工設(shè)備。由于微觀器件越做越小和光刻機的波長限制，也由于微觀器件從二維到三維發(fā)展，刻蝕機是半導(dǎo)體設(shè)備過去十年增長最快的市場。

中微公司不斷拓展等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線，以滿足先進的芯片器件制造日益嚴(yán)苛的技術(shù)需求。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備不斷擴大市場占有率，其中，CCP設(shè)備在線累計裝機量近四年年均增長大于37%，已突破4000個反應(yīng)臺；ICP設(shè)備在線累計裝機量近四年年均增長大于100%，已突破1000個反應(yīng)臺。

截至2025年2月底，公司累計已有超過5400個反應(yīng)臺在國內(nèi)外130多條生產(chǎn)線，全面實現(xiàn)了量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售。中微公司表示，這一重要里程碑標(biāo)志著公司在等離子體刻蝕設(shè)備領(lǐng)域持續(xù)得到客戶與市場的廣泛認(rèn)可，并彰顯了公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域已進入國際前列。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

公告顯示，投資標(biāo)的中微半導(dǎo)體設(shè)備（成都）有限公司將于2025年2月成立，注冊資本1億元。該項目用地約50畝，建設(shè)包含研發(fā)中心、生產(chǎn)基地和配套設(shè)施。項目計劃2025年開工，2027年投入生產(chǎn)，2025年至2030年期間，項目總投資約30.5億元。

中微公司表示，項目公司將面向高端邏輯及存儲芯片，開展化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)工作。項目的實施將有助于公司擴展集成電路設(shè)備業(yè)務(wù)范圍，增強技術(shù)研發(fā)能力，提升市場占有率。

與此同時，中微公司發(fā)布了2024年業(yè)績預(yù)告。其預(yù)計2024年實現(xiàn)營收約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長約44.73%。其中，2024年刻蝕設(shè)備銷售約72.76億元，同比增長約54.71%；MOCVD設(shè)備銷售約3.79億元，同比下降約18.11%；LPCVD薄膜設(shè)備2024年實現(xiàn)首臺銷售，全年設(shè)備銷售約1.56億元。

中微公司預(yù)計2024年度實現(xiàn)歸母凈利潤為15.00-17.00億元；預(yù)計2024年度實現(xiàn)歸母扣非凈利潤為12.80億元至14.30億元，同比增加約7.43%至20.02%。

關(guān)于業(yè)績預(yù)增原因，中微公司表示，其近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設(shè)備和ALD薄膜設(shè)備，目前已有多款新型設(shè)備產(chǎn)品進入市場并獲得重復(fù)性訂單。其中，LPCVD薄膜設(shè)備累計出貨量已突破100個反應(yīng)臺，其他多個關(guān)鍵薄膜沉積設(shè)備研發(fā)項目正在順利推進；EPI設(shè)備已順利進入客戶端量產(chǎn)驗證階段。此外，其在Micro-LED和高端顯示領(lǐng)域的MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得了良好進展，并積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場。

值得一提的是，半導(dǎo)體設(shè)備廠商盛美上海也在14日發(fā)布了2024年業(yè)績預(yù)告。2024年，盛美上海預(yù)計實現(xiàn)營收56-58.8億元，同比增長44.02%-51.22%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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天眼查資料顯示，超微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司于11月22日成立，法定代表人為中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯，注冊資本4250萬人民幣，經(jīng)營范圍為半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售、電子專用設(shè)備銷售、專用設(shè)備修理。

股東信息顯示，超微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司由中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、嘉興聚微投資管理合伙企業(yè)（有限合伙）等共同持股。

天眼查資料顯示，紹興交匯先鋒集成電路股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）于11月14日成立，出資額6.2億元人民幣，經(jīng)營范圍為以私募基金從事股權(quán)投資、投資管理、資產(chǎn)管理等活動。

合伙人信息顯示，該基金由交通銀行旗下交銀金融資產(chǎn)投資有限公司、交銀資本管理有限公司、芯聯(lián)集成及旗下芯聯(lián)股權(quán)投資（杭州）有限公司共同出資。其中，芯聯(lián)集成出資比例為9.9677%，為第二大股東。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，今年下半年以來，包括北方華創(chuàng)、揚杰科技、江豐電子、中車時代半導(dǎo)體、宏微科技、拓荊科技等在內(nèi)，已有多家碳化硅相關(guān)廠商相繼成立了多家新公司。

其中，江豐電子全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊資本5000萬元，經(jīng)營范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設(shè)備及元器件制造；光伏設(shè)備及元器件銷售；電子專用設(shè)備銷售；電子專用設(shè)備制造等。

時代電氣旗下中車時代半導(dǎo)體全資成立了合肥中車時代半導(dǎo)體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊資本3.1億元，經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。

揚杰科技全資成立了揚州東興揚杰研發(fā)有限公司，法定代表人為梁瑤，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)、電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、集成電路芯片及產(chǎn)品銷售、新材料技術(shù)研發(fā)等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用

8月2日，據(jù)中微公司官微消息，中微公司宣布其臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用。據(jù)悉，中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地占地約157畝、總建筑面積約18萬平方米，配備實驗室、潔凈室、生產(chǎn)車間及智能化立體倉庫等設(shè)施，可實現(xiàn)生產(chǎn)全程數(shù)字化、智能化管理。

source：中微公司

項目進展方面，2023年7月，14萬平方米的中微公司南昌生產(chǎn)研發(fā)基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微臨港總部暨研發(fā)大樓也正在建設(shè)中，建成后占地面積約10萬平方米。未來，中微公司的生產(chǎn)和研發(fā)基地總面積將達(dá)到約45萬平方米。

業(yè)務(wù)進展方面，中微公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、MOCVD設(shè)備等領(lǐng)域均取得了突破。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，憑借刻蝕設(shè)備雙臺機技術(shù)，中微公司率先提出“皮米級”加工精度概念，其刻蝕精度已經(jīng)達(dá)到100“皮米”以下水平，相當(dāng)于頭發(fā)絲350萬分之一的精準(zhǔn)度，能夠滿足90%以上的刻蝕應(yīng)用需求。

半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，中微公司推出了Preforma Uniflex? CW、Preforma Uniflex? HW、Preforma Uniflex? AW等多款新產(chǎn)品。此外，其新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備等多款新產(chǎn)品，也會在近期投入市場驗證。

在MOCVD設(shè)備領(lǐng)域，中微公司自推出第一代MOCVD設(shè)備PRISMO A7?以來，不斷豐富產(chǎn)品線且快速升級迭代，目前在Mini LED等氮化鎵基設(shè)備領(lǐng)域，中微公司的市場占有率穩(wěn)居前列，并持續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設(shè)備。

總投資33.87億元，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)落成

8月4日，據(jù)“珠海高新區(qū)”官微消息，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)落成暨設(shè)備進機儀式于8月3日舉行。

source：珠海高新區(qū)

據(jù)了解，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。此次實現(xiàn)設(shè)備進機的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地主體工程項目——華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體微波集成電路（MMIC）及VCSEL芯片，建成后將成為廣東省內(nèi)首家砷化鎵代工廠，預(yù)計今年11月竣工驗收并工藝通線、2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。該項目于2023年7月正式開工，僅用時184天便實現(xiàn)項目主體封頂。

資料顯示，華芯微電子是華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱珠海華芯）全資子公司，后者是一家半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品與服務(wù)供應(yīng)商。珠海華芯擁有外延金屬有機物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備、芯片工藝設(shè)備和封裝設(shè)備等，主要從事尖端化合物半導(dǎo)體光電子芯片及其應(yīng)用產(chǎn)品的研究、開發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品為高亮度LED、藍(lán)綠光半導(dǎo)體激光管、垂直腔面發(fā)射（VCSEL）光子芯片、DFB光子芯片、EML光子芯片以及高亮度半導(dǎo)體激光芯片等。

艾銳光電化合物半導(dǎo)體平臺項目二期主體廠房封頂

8月1日，據(jù)“日照開發(fā)區(qū)發(fā)布”官微消息，艾銳光電化合物半導(dǎo)體平臺項目2#廠房主體結(jié)構(gòu)7月31日順利封頂。據(jù)介紹，主體封頂后，該項目擬計劃于近幾個月將后期的填充墻砌筑，內(nèi)外墻裝飾抹灰，樓、地面及門窗安裝和保溫涂料工程全部完成。

source：日照開發(fā)區(qū)發(fā)布

據(jù)悉，該項目總投資約2.6億元。一期投資1.4億元，建設(shè)MOCVD（金屬有機氣相外延）、MBE（分子束外延）生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)2英寸和3英寸磷化銦外延片，預(yù)計年產(chǎn)量約5000片；二期投資1.2億元，以一期項目磷化銦外延片為原料，新上芯片處理設(shè)備，進行激光器封裝及光模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)，形成300萬TO-CAN光器件、100萬光模塊的年產(chǎn)能。

據(jù)介紹，艾銳光電還計劃新上測試臺，ATE功能測試系統(tǒng)近20套，形成6條組裝生產(chǎn)線，達(dá)到年組裝36萬個光模塊的產(chǎn)能。

作為一家光組件及芯片研發(fā)商，艾銳光電集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，為用戶提供光通信及傳感用激光芯片、光器件、組件及光模塊，以及光組件、模塊產(chǎn)品的設(shè)計方案和技術(shù)服務(wù)。艾銳光電以基于啁啾控制的高速DML激光器技術(shù)為切入點，研發(fā)10G DML激光器、25G DFB/FP等產(chǎn)品，面向10G-PON、NGPON2、5G無線前傳、及100G數(shù)據(jù)中心等市場。（來源：LEDinside）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

昌龍智芯半導(dǎo)體揭牌啟動

近日，昌龍智芯半導(dǎo)體舉行了首次董事會暨揭牌儀式。公司一期將投資6000萬元，用于設(shè)計團隊搭建和前期研發(fā)、運營、營銷。二期預(yù)備投資5億元到10億元，用于器件制造生產(chǎn)線建設(shè)和產(chǎn)品開發(fā)制造。

據(jù)悉，昌龍智芯半導(dǎo)體是銘鎵半導(dǎo)體的下游企業(yè)，主營業(yè)務(wù)為高端功率半導(dǎo)體芯片與器件，包括新材料氧化鎵功率芯片研發(fā)，高壓硅基、SiC基功率芯片MOSFET和IGBT設(shè)計、研發(fā)與銷售。

值得一提的是，2022年底，銘鎵半導(dǎo)體使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且進行了多次重復(fù)性實驗，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

2024年以來，銘鎵半導(dǎo)體先后引進氧化鎵產(chǎn)業(yè)上下游兩家企業(yè)總部落地順義，上游引進了圓坤（北京）半導(dǎo)體裝備有限公司，下游引進了氧化鎵高端功率器件設(shè)計與制造公司，并聯(lián)合順義現(xiàn)有模組電路企業(yè)創(chuàng)元成業(yè)進行產(chǎn)品驗證，組成國內(nèi)第一條氧化鎵專業(yè)生長設(shè)備——晶體外延材料——功率器件——電路驗證一體化聯(lián)合體。此次引入的昌龍智芯半導(dǎo)體是功率芯片器件設(shè)計企業(yè)，后期將制備打樣流片。

中微廣州正式開業(yè)

3月25日，中微公司全資子公司中微廣州于廣州市增城經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行開業(yè)慶典，正式投入運營。中微廣州將服務(wù)華南地區(qū)的重要客戶，成為中微公司戰(zhàn)略布局的重要組成部分。

隨著全資子公司中微廣州正式啟動運營，中微公司的市場拓展能力有望進一步提升，進而在一定程度上推動業(yè)績增長。

2月28日，中微公司公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實現(xiàn)營收約62.64億元，同比增長約32.15%。其中，2023年刻蝕設(shè)備銷售約47.03億元，同比增長約49.43%；MOCVD設(shè)備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%。2023年歸母凈利潤約17.86億元，同比增加52.67%；2023年歸母扣非凈利潤約11.91億元，同比增加29.58%。

關(guān)于業(yè)績增長原因，中微公司表示，營收較上年同期增長32.15%，主要系受益于半導(dǎo)體設(shè)備市場發(fā)展及公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢；而營業(yè)利潤、利潤總額和歸母凈利潤較上年同期分別增長56.81%、59.74%和52.67%，主要原因為2023年收入增長和毛利維持較高水平。

作為一家設(shè)備廠商，中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備，可加工微米級和納米級的各種器件。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國際一線客戶先進工藝的眾多刻蝕應(yīng)用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)。

值得注意的是，中微公司開發(fā)的包括SiC、GaN功率器件等器件所需的多類MOCVD設(shè)備已經(jīng)取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中微公司是一家以中國為基地、面向全球的微觀加工高端設(shè)備公司，致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。

中微公司主要擁有五類設(shè)備產(chǎn)品，分別是CCP電容性刻蝕機、ICP電感性刻蝕機、深硅刻蝕機、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。

在刻蝕設(shè)備業(yè)務(wù)的帶動下，2023年中微公司業(yè)績創(chuàng)歷史新高，公司實現(xiàn)營業(yè)收入62.64億元，同比增長32.15%；實現(xiàn)歸母凈利潤17.86億元，同比增長52.67%；公司總資產(chǎn)約215.26億元，較報告期初增長7.44%。報告期內(nèi)，中微公司新簽設(shè)備訂單83.60億元，同比增長32.30%，其中刻蝕設(shè)備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%。

報告期內(nèi)，中微公司的刻蝕設(shè)備業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收47.03億元，同比增長49.43%。中微公司表示，其刻蝕設(shè)備技術(shù)已達(dá)到5nm及以下，設(shè)備具備了更先進點的工藝水平，設(shè)備收到了多家客戶的批量訂單，市場占有率持續(xù)提升。

MOCVD設(shè)備營收則達(dá)到了4.62億元，同比下降約33.95%。中微公司表示，公司的MOCVD設(shè)備在Mini LED等氮化鎵基設(shè)備領(lǐng)域市場占有率較大份額，此外公司還在繼續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro LED器件制造的MOCVD設(shè)備。報告期內(nèi)，受終端市場波動影響，2023年MOCVD設(shè)備訂單同比下降約72.2%。

目前，在LED領(lǐng)域，中微公司的MOCVD設(shè)備包括了用于LED藍(lán)光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于MiniLED顯示的PRISMO UniMax等產(chǎn)品。其中 PRISMO UniMax 產(chǎn)品自2021年6月正式發(fā)布以來，憑借高產(chǎn)量、高波長均勻性、高良率等優(yōu)點，受到下游客戶的廣泛認(rèn)可。
而針對Micro LED應(yīng)用的MOCVD設(shè)備目前開發(fā)順利，實驗室初步結(jié)果實現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，并于報告期內(nèi)交運樣機至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展生產(chǎn)驗證。

在氮化鎵、碳化硅領(lǐng)域，中微公司于2022年推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PRISMO PD5，已交付至國內(nèi)外領(lǐng)先客戶，并取得了重復(fù)訂單。而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備正在開發(fā)中，報告期內(nèi)，中微公司取得較大的技術(shù)進展，實現(xiàn)了優(yōu)良的工藝結(jié)果，正與多家領(lǐng)先客戶開展商務(wù)洽談，預(yù)計2024年第一季度將開展客戶端生產(chǎn)驗證。

報告期內(nèi)，中微公司繼續(xù)加大研發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)與投入，其研發(fā)費用提升至12.62億元，同比增長35.89%。項目建設(shè)方面，其位于南昌的約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已于2023年7月投入使用；在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地部分生產(chǎn)廠房及成品倉庫已經(jīng)于2023年10月投入使用；上海臨港約10萬平方米的研發(fā)中心暨總部大樓也即將封頂，未來將進一步提升中微公司的綜合競爭力。

中微公司表示，公司已形成三個維度擴展未來公司業(yè)務(wù)的布局規(guī)劃，將深耕集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域、擴展在泛半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用并探索其他新興領(lǐng)域的機會。

在集成電路設(shè)備領(lǐng)域，公司考慮擴大在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，延伸到薄膜、檢測等其他關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域；在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)備的應(yīng)用，公司計劃擴展布局顯示、MEMS、功率器件等的關(guān)鍵設(shè)備；在其他新興領(lǐng)域的機會，公司擬探索利用獨特的設(shè)備及工藝技術(shù)，考慮從設(shè)備制造向器件大規(guī)模生產(chǎn)的機會，以及探索更多集成電路及泛半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)線相關(guān)環(huán)保設(shè)備及醫(yī)療健康智能設(shè)備等領(lǐng)域的市場機會。

文：集邦化合物半導(dǎo)體

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中微公司2023年實現(xiàn)營收62.64億元，凈利潤同比增加52.67%

2月28日，中微公司公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實現(xiàn)營收約62.64億元，同比增長約32.15%。其中，2023年刻蝕設(shè)備銷售約47.03億元，同比增長約49.43%；MOCVD設(shè)備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%。2023年歸母凈利潤約17.86億元，同比增加52.67%；2023年歸母扣非凈利潤約11.91億元，同比增加29.58%。

關(guān)于業(yè)績增長原因，中微公司表示，營收較上年同期增長32.15%，主要系受益于半導(dǎo)體設(shè)備市場發(fā)展及公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢。營業(yè)利潤、利潤總額和歸母凈利潤較上年同期分別增長56.81%、59.74%和52.67%的主要原因：2023年收入增長和毛利維持較高水平，公司扣非后歸母凈利潤較上年同期增加約2.72億元。2023年非經(jīng)常性損益約5.94億元，較上年同期的2.50億元增加約3.44億元。非經(jīng)常性損益的變動主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元。

值得注意的是，公司開發(fā)的包括SiC功率器件、GaN功率器件等器件所需的多類MOCVD設(shè)備已經(jīng)取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。

華潤微2023年實現(xiàn)營收99.01億元，凈利潤同比下降43.45%

2月28日，華潤微公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實現(xiàn)營收99.01億元，同比下降1.59%；實現(xiàn)利潤總額16.87億元，同比下降36.39%；實現(xiàn)歸母凈利潤14.80億元，同比下降43.45%。

關(guān)于業(yè)績下滑原因，華潤微表示，影響經(jīng)營業(yè)績的主要因素包括市場景氣度較低，同時公司加大研發(fā)投入力度，兩條12英寸線、封測基地等新業(yè)務(wù)逐步開展，整體期間費用有所增長。

今年初，華潤微在接受調(diào)研時表示，公司目前SiC和GaN晶圓線均已穩(wěn)定量產(chǎn)，SiC JBS、SiC MOS性能達(dá)到國際先進水平，在工業(yè)和汽車領(lǐng)域為較多標(biāo)桿客戶批量出貨。據(jù)華潤微介紹，公司包含SiC MOS在內(nèi)的車規(guī)級產(chǎn)品及模塊產(chǎn)品已向頭部整車廠商及汽車零部件Tier1供應(yīng)商進行供貨。近兩年，公司超億顆產(chǎn)品已上車。

納微半導(dǎo)體2023年實現(xiàn)營收7950萬美元，虧損同比收窄

2月29日，納微半導(dǎo)體公布截止2023年12月31日的第四季度和全年未經(jīng)審計財務(wù)業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，納微半導(dǎo)體2023財政年度總收入達(dá)到7950萬美元，同比增長109%；2023年的GAAP毛利率為39.1%，2022年為31.5%；2023年的非GAAP毛利率為41.8%，2022年為40.8%；本財政年度的GAAP營運虧損為1.181億美元，2022年為1.236億美元；本財政年度的非GAAP營運虧損為4,030萬美元，2022年為4,120萬美元。

2023年第四季度公司總收入2,610萬美元，同比增長111%，環(huán)比增長19%；2023年第四季度的GAAP毛利率為42.2%，2022年第四季度為40.6%，2023年第三季度為32.3%；2023年第四季度的非GAAP毛利率為42.2%，2022年第四季度為40.6%，2023年第三季度為42.1%。本季度的GAAP營運虧損為2680萬美元，2022年第四季度為3120萬美元，2023年第三季度為2860萬美元；本季度的非GAAP營運虧損為970萬美元，2022年第四季度為1240萬美元，2023年第三季度為870萬美元。

作為一家功率芯片公司，納微半導(dǎo)體正在將SiC和GaN技術(shù)引入新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等多個領(lǐng)域。

在新能源汽車領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體引入新的GaNSafe?技術(shù)以及新的Gen-3 Fast SiC技術(shù)，推動了電動汽車車載和路邊充電樁的需求增長。公司基于SiC的車載充電器已在今年投入生產(chǎn)，客戶包括極氪、沃爾沃和Smart等電動汽車品牌。

在光儲充領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體與美國前五大光伏設(shè)備制造商中的三家持續(xù)加大合作，用GaNSafe?和Gen-3 Fast SiC技術(shù)取代硅，全球前10大光伏制造商中，大多數(shù)已使用納微SiC技術(shù)，預(yù)計光伏領(lǐng)域納微半導(dǎo)體GaN的采用將在2024年底逐漸增加。

在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，新的GaNSafe?和Gen-3 Fast SiC技術(shù)以及納微專用設(shè)計中心已設(shè)計完成了突破性的4.5kW CRPS，實現(xiàn)傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度，以滿足AI智能數(shù)據(jù)中心不斷增長的功耗需求。

值得一提的是，納微GaN功率芯片已經(jīng)被設(shè)計用于一家主要衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的地面終端企業(yè)，將于2024年下半年逐步投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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新增訂單方面，中微公司指出2023年新增訂單金額約83.6億元，較2022年增加約20.4億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單約 69.5 億元，同比增長約 60.1%；MOCVD 設(shè)備新增訂單約 2.6 億元，由于終端市場波動影響，同比下降約 72.2%。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，中微公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要為集成電路、LED外延片、功率器件、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備及其他設(shè)備。

在2023年半年報中，中微公司表示，等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線；薄膜沉積設(shè)備已付運客戶端驗證評估，已如期完成多道工藝驗證；MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)。

而在最新發(fā)布的業(yè)績預(yù)告中，中微公司在新產(chǎn)品研發(fā)方面有了更進一步的突破。

據(jù)悉，中微公司近兩年新開發(fā)的LPCVD設(shè)備和ALD設(shè)備，已有四款設(shè)備產(chǎn)品進入市場，其中三款設(shè)備已獲得客戶認(rèn)證，并開始得到重復(fù)性訂單；公司新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備等多個新產(chǎn)品，也將在近期投入市場驗證；公司開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro LED等器件所需的多類MOCVD設(shè)備也取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。（化合物半導(dǎo)體市場Lynn整理）

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意法半導(dǎo)體第三季度凈營收44.3億美元（折合人民幣約324億元），毛利率47.6%，營業(yè)利潤率28.0%，凈利潤為10.9億美元（折合人民幣約80億元）。

意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示，第三季度凈營收高于公司預(yù)測的中位數(shù)。汽車業(yè)務(wù)持續(xù)增長是拉動營收的主要動力，而個人電子產(chǎn)品收入下滑抵消了部分增長空間。

公司本季度凈營收總計44.3億美元，同比增長2.5%。公司的主要業(yè)務(wù)營收情況如下：

汽車產(chǎn)品和分立器件產(chǎn)品部(ADG)營收同比增長29.6%，汽車產(chǎn)品和功率分立器件收入雙雙增長。營業(yè)利潤增幅57.9%，達(dá)到6.38億美元（折合人民幣約46.6億元）。營業(yè)利潤率31.5%，高于去年同期的25.9%。

微控制器和數(shù)字IC產(chǎn)品部(MDG)營收同比增長2.8%，射頻通信業(yè)務(wù)收入增長，微控制器保持穩(wěn)定。營業(yè)利潤4.96億美元（折合人民幣約36.3億元），降幅1.6%。營業(yè)利潤率35.1%，略低于去年同期的36.7%。

模擬器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(AMS)營收同比降低28.3%，模擬器件、影像傳感器和MEMS產(chǎn)品收入下降。營業(yè)利潤1.86億美元（折合人民幣約13.6億元），降幅50.6%。營業(yè)利潤率18.8%，而去年同期為27.2%。

OEM和代理兩個渠道的銷售收入分別增長2.1%和3.4%。凈營收環(huán)比增長2.4%，高于公司預(yù)測中位數(shù)130個基點。ADG和AMS兩個產(chǎn)品部凈營收環(huán)比增長，而MDG產(chǎn)品部小幅下降，符合預(yù)期。

毛利潤總計21.1億美元（折合人民幣約154.4億元），同比增幅2.4%。毛利率47.6%，同比穩(wěn)定，雖然優(yōu)化后的產(chǎn)品組合改善了毛利率，但是被高企的制造成本和閑置產(chǎn)能支出抵消了改善空間。

營業(yè)利潤12.4億美元（折合人民幣約90.7億元），與去年同期的12.7億美元相比，下降2.4%。公司的營業(yè)利潤率占凈收入28.0%，比2022年第三季度的29.4%下降140個基點。

意法半導(dǎo)體指明，第四季度關(guān)賬日為2023年12月31日。公司預(yù)計2023年第四季度凈營收預(yù)計43.0億美元（折合人民幣約314.5億元），環(huán)比下降約3%，上下浮動350個基點；毛利率約46%，上下浮動200個基點。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

中微公司：營收15.15億元，看好未來

中微公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要為集成電路、LED外延片、功率器件、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備及其他設(shè)備。

第三季度，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入15.15億元，同比增長41.4%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.57億元，同比下降51.76%。

前三季度，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入40.41億元，同比增長32.8%；歸屬于上市公司股東的凈利潤11.6億元，同比增46.27%。

對前三季度營收增加，中微公司表示，公司的刻蝕設(shè)備在客戶端不斷核準(zhǔn)更多刻蝕應(yīng)用，市場占有率不斷提高并不斷收到領(lǐng)先客戶的批量訂單。

公司2023年前三季度刻蝕設(shè)備收入為28.70億元，同比增長約43.40%，毛利率達(dá)到46.46%；MOCVD設(shè)備收入為4.09億元，同比增長約5.50%，毛利率達(dá)到36.29%。

利潤方面，中微公司稱，2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元；2023年前三季度，公司計入非經(jīng)常性損益的因股權(quán)投資產(chǎn)生的公允價值變動損益和投資損益合計為虧損0.90億元，較去年同期盈利的0.98億元減少約1.88億元。（來源：意法半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體市場）

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