source：電科裝備

據(jù)介紹，批產(chǎn)中心建筑面積達7581平方米，設(shè)有40個模組集成工位和11個調(diào)試工位，以及模塊裝配、運動檢測和物料中轉(zhuǎn)等多個獨立空間，可滿足各類精密制造與高效組裝需求，確保產(chǎn)品質(zhì)量與交付速度雙重提升。

按照離子注入機生產(chǎn)周期衡量，該中心具備年產(chǎn)100臺套的生產(chǎn)、調(diào)試能力，整合長沙子公司產(chǎn)能，綜合交付能力提升至150臺。電科裝備表示，國產(chǎn)離子注入機的批量生產(chǎn)能力直接影響我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控水平。

此次批產(chǎn)中心的啟用將大幅提升國產(chǎn)離子注入機的市場供應(yīng)能力，確保我國電子信息產(chǎn)業(yè)鏈安全和供應(yīng)鏈穩(wěn)定。值得一提的是，除了離子注入機，中電科近期還在碳化硅立式氧化爐方面取得了新進展。2025年1月9日，中國電科48所宣布其立式氧化爐完成批量交付。

據(jù)介紹，立式氧化爐是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成電路制造關(guān)鍵工藝設(shè)備，主要用于高溫氧化及退火工藝。據(jù)悉，氧化退火對于碳化硅功率器件制造至關(guān)重要。

氧化退火處理能夠優(yōu)化碳化硅表面的氧化層結(jié)構(gòu)，形成均勻、高質(zhì)量的SiO柵氧化層。這有助于提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲，從而提高器件的性能和可靠性。

通過氧化退火，可以填補晶格缺陷，降低殘余應(yīng)力，提高氧化物和晶體的結(jié)合質(zhì)量，改善電學性能?，這對于提高碳化硅功率器件的整體性能和穩(wěn)定性具有重要意義。

在高溫下，碳化硅晶體中的原子會發(fā)生移動，減少晶格缺陷，從而提高其熱穩(wěn)定性和熱傳導性能。氧化退火還能減少氧化物含量，進一步增強其耐熱性能。集邦化合物半導體整理

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資料顯示，中電科半導體材料有限公司是中國電子科技集團有限公司二級單位，專業(yè)從事第一代半導體硅材料、第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）材料及新型電子功能材料、特種光纖材料、襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)。

據(jù)悉，中電科半導體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目于2021年9月27日簽約落戶南京江寧開發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū)，占地面積約10萬平方米。該項目分兩期實施，其中一期投資19.3億元，將建設(shè)成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)基地等。項目達產(chǎn)后，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產(chǎn)能力。

2022年11月，中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地實現(xiàn)了首片硅外延和碳化硅外延下線，標志著該產(chǎn)業(yè)基地進入試生產(chǎn)和驗證階段。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該項目用一年多時間完成簽約落戶到進入試生產(chǎn)，再用一年時間完成試生產(chǎn)到正式投產(chǎn)運行，項目進度相當迅速。

據(jù)了解，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料，由于其寬帶隙、高電子飽和漂移速度、高熱導率、大擊穿場強等優(yōu)勢，是制備高功率密度、高頻率、低損耗電子器件的理想材料。

其中，碳化硅功率器件具有能量密度高、損失小、體積小等優(yōu)勢，在新能源汽車、光伏、軌道交通、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景；氮化鎵射頻器件具有高頻、高功率、較寬頻帶、低功耗、小尺寸的優(yōu)勢，在5G通訊、物聯(lián)網(wǎng)、軍用雷達等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。

而在加工制備中，襯底上制備高質(zhì)量外延材料是提高器件性能及可靠性，推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的關(guān)鍵。（化合物半導體市場Zac整理）

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