近日，中锃半導(dǎo)體（深圳）有限公司（以下簡稱中锃半導(dǎo)體）完成數(shù)千萬元人民幣天使輪融資。本輪融資由國科京東方、國核曜能、望眾投資等共同出資，將主要用于研發(fā)平臺搭建、原型設(shè)備和核心工藝開發(fā)等方面。

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中锃半導(dǎo)體劍指SiC技術(shù)突破

作為一家成立于2023年10月的初創(chuàng)企業(yè)，中锃半導(dǎo)體已在設(shè)備研發(fā)制造、工藝等方面積累了一定的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)。目前，中锃半導(dǎo)體正全力開發(fā)針對SiC材料的深刻蝕設(shè)備和工藝（Deep SiC Etch），用以支持溝槽柵（Trench-Gate）的實(shí)現(xiàn)和更廣闊器件設(shè)計窗口。

據(jù)悉，通過溝槽柵技術(shù)，SiC產(chǎn)品可以縮小芯片的表面積，讓單個晶圓能產(chǎn)出更多的芯片。因此，這項(xiàng)技術(shù)有助于SiC產(chǎn)業(yè)降本增效。除了降低成本外，溝槽柵還可以避免寄生Jfet效應(yīng)帶來的額外內(nèi)阻。比如，英飛凌就曾通過溝槽，來選擇更好晶面進(jìn)而改善柵氧界面和提高器件性能等。

目前，如何應(yīng)對SiC超高硬度等材料特性，實(shí)現(xiàn)SiC深刻蝕以高效地實(shí)現(xiàn)溝槽柵技術(shù)等工藝的具體形貌要求，已成為產(chǎn)業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)問題。

在本土設(shè)備廠商中锃半導(dǎo)體針對SiC材料的深刻蝕設(shè)備和工藝支持下，國內(nèi)SiC廠商有望加速實(shí)現(xiàn)SiC深刻蝕技術(shù)突破，進(jìn)而推動溝槽型SiC器件研發(fā)和量產(chǎn)，最終共同實(shí)現(xiàn)在SiC技術(shù)方面的“彎道超車”。

據(jù)了解，中锃半導(dǎo)體未來還將聯(lián)合產(chǎn)業(yè)伙伴研發(fā)先進(jìn)的等離子體干法刻蝕設(shè)備和“SiC－Trench－Etch”的工藝解決方案，幫助客戶實(shí)現(xiàn)工藝的落地、量產(chǎn)和良率提升，并致力于將“等離子體干法刻蝕技術(shù)（Plasma Dry Etch）”推廣到更多應(yīng)用領(lǐng)域。未來，隨著這些技術(shù)和設(shè)備落地應(yīng)用，也有望推動包括SiC在內(nèi)的先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。

溝槽型SiC器件轉(zhuǎn)型趨勢

中锃半導(dǎo)體的SiC材料深刻蝕設(shè)備和工藝，對于實(shí)現(xiàn)溝槽型SiC器件意義重大。近年來，國內(nèi)外廠商紛紛將目光瞄準(zhǔn)了溝槽柵SiC MOSFET，深刻蝕設(shè)備和工藝有望得到廣泛應(yīng)用。

國內(nèi)廠商方面，去年12月底，積塔半導(dǎo)體與安建半導(dǎo)體達(dá)成多項(xiàng)合作，其中就包括加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開發(fā)，并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型SiC MOSFET器件開發(fā)。

時代電氣則在今年2月初表示，其SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目進(jìn)展順利，項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，能夠?qū)F(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力。

積塔半導(dǎo)體與安建半導(dǎo)體攜手開發(fā)項(xiàng)目由平面型SiC MOSFET器件轉(zhuǎn)向溝槽型SiC MOSFET器件，以及時代電氣向溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)升級，都與溝槽型SiC MOSFET器件優(yōu)勢有關(guān)。量產(chǎn)溝槽型SiC MOSFET器件的廠商普遍認(rèn)為，相比平面型結(jié)構(gòu)，溝槽型SiC MOSFET在成本和性能方面都具有較強(qiáng)優(yōu)勢。

國際廠商當(dāng)中，羅姆是率先轉(zhuǎn)向溝槽型SiC MOSFET的公司。早在2015年，羅姆就在世界范圍內(nèi)率先開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET。與已經(jīng)量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這有利于降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等相關(guān)設(shè)備的功率損耗。

在1992年就開始研發(fā)SiC功率器件的英飛凌并沒有選擇進(jìn)入平面結(jié)構(gòu)市場，而是直接選擇了溝槽結(jié)構(gòu)，并在2017年發(fā)布溝槽型SiC MOSFET。此外，電裝的溝槽型SiC MOSFET也已正式商用。

未來，大概率將有更多國內(nèi)外廠商轉(zhuǎn)型溝槽型SiC器件，對于中锃半導(dǎo)體等持續(xù)致力于相關(guān)特色工藝、設(shè)備研發(fā)的廠商而言，也有可能獲得更多的合作機(jī)會。

小結(jié)

作為一家成立僅半年的SiC產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)企，中锃半導(dǎo)體能夠在短時間內(nèi)獲得投資機(jī)構(gòu)認(rèn)可并拿下首輪融資，與行業(yè)熱度居高不下有直接關(guān)系，也與其技術(shù)亮點(diǎn)密不可分。

SiC產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，在工藝和設(shè)備領(lǐng)域，除中锃半導(dǎo)體外，謙視智能、思銳智能等廠商也在近期完成新一輪融資；在材料、器件等各個方面，相關(guān)廠商能夠取得重大突破，或是有獨(dú)到之處，都有可能成為資本市場“寵兒”。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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