圖片來源：天眼查截圖

公開資料顯示，譜析光晶成立于2020年3月，由清華大學(xué)電子系四位本科校友聯(lián)合創(chuàng)立。公司專注于碳化硅特種芯片、模塊及電源系統(tǒng)的研發(fā)與生產(chǎn)，其核心技術(shù)聚焦于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的“超高溫、小型化、高可靠、高效率”。

譜析光晶成功解決了傳統(tǒng)芯片在極端環(huán)境下的溫漂、寄生參數(shù)過大等難題，通過運(yùn)用高溫補(bǔ)償電路、異基底封裝和LLC諧振軟開關(guān)等技術(shù)，填補(bǔ)了國內(nèi)耐200℃以上高溫芯片和高溫系統(tǒng)的市場空白。

譜析光晶的產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于多個(gè)高要求領(lǐng)域，在能源勘探方面，公司成功實(shí)現(xiàn)了石油勘探用高溫功率系統(tǒng)的國產(chǎn)替代，該系統(tǒng)單價(jià)在數(shù)萬至百萬元之間，且材料毛利率高達(dá)85%以上。針對(duì)航天軍工領(lǐng)域，譜析光晶為航天院所的霍爾推進(jìn)器提供了關(guān)鍵的抗輻照電源模塊。此外，公司還成功切入光伏儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車等新興市場，推出了體積縮小一半以上、功率密度提升至267kW/L的碳化硅電控系統(tǒng)。

目前，譜析光晶已具備SiC SBD和650V-1700V SiC MOSFET的量產(chǎn)能力。在SiC模塊和系統(tǒng)層面，其采用的異基底-整合集成封裝工藝有效打破了SiC MOS芯片的寄生電感電容限制，使得產(chǎn)品具備高度小型化、輕量化等顯著特點(diǎn)。

圖片來源：譜析光晶官網(wǎng)截圖——圖為SiC MOSFET系列產(chǎn)品信息

為支撐其高速發(fā)展和技術(shù)迭代，譜析光晶在產(chǎn)能建設(shè)方面持續(xù)發(fā)力。2024年2月，譜析光晶在杭州市蕭山區(qū)瓜瀝鎮(zhèn)簽約了“年產(chǎn)10萬臺(tái)第三代半導(dǎo)體芯片與系統(tǒng)生產(chǎn)基地項(xiàng)目”，計(jì)劃總投資1億元。該項(xiàng)目目前正穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值可達(dá)2億元，并貢獻(xiàn)1000萬元的稅收。

公司此前還積極拓展外部合作，深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。2023年，譜析光晶與綠能芯創(chuàng)、乾晶半導(dǎo)體簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同開發(fā)和驗(yàn)證應(yīng)用于特殊領(lǐng)域的SiC相關(guān)產(chǎn)品。據(jù)悉，該簽約還啟動(dòng)了一個(gè)重要項(xiàng)目，并鎖定了未來五年內(nèi)4.5億元的意向訂單，為公司的長期發(fā)展提供了有力保障。

此外，譜析光晶的擴(kuò)張步伐仍在繼續(xù)。今年4月21日，公司正式簽約入駐智聯(lián)科創(chuàng)園，并已全面啟動(dòng)場地裝修工作，預(yù)計(jì)2025年6月將完成裝修并正式投入使用，屆時(shí)將建成集現(xiàn)代化研發(fā)實(shí)驗(yàn)室與智能化生產(chǎn)線于一體的綜合性研發(fā)與生產(chǎn)基地。據(jù)悉，譜析光晶產(chǎn)品已批量供貨大型企業(yè)和航天院所，是該領(lǐng)域少數(shù)已實(shí)現(xiàn)盈利的企業(yè)之一。其浙江生產(chǎn)基地以“虛擬IDM”模式運(yùn)營，年產(chǎn)能已達(dá)上萬套特種系統(tǒng)。憑借出色的技術(shù)實(shí)力和市場表現(xiàn)，譜析光晶已獲得十多家股權(quán)機(jī)構(gòu)的融資，并計(jì)劃在今年申報(bào)IPO，向資本市場邁出重要一步。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來源：福建集成電路

公開資料顯示，福聯(lián)集成成立于2015年，是福建省電子信息集團(tuán)控股的國有控股企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工服務(wù)，覆蓋第二代（砷化鎵）和第三代（氮化鎵）半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。公司目前擁有國內(nèi)首條量產(chǎn)級(jí)6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá)3000片，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信、衛(wèi)星通訊、國防軍工等高端領(lǐng)域。

作為福建省“增芯強(qiáng)屏”戰(zhàn)略的核心企業(yè)，福聯(lián)集成自成立以來承擔(dān)了多項(xiàng)國家及省部級(jí)專項(xiàng)項(xiàng)目，并獲批建設(shè)“福建省射頻與功率芯片制造工程研究中心”。公司通過與臺(tái)聯(lián)電（UMC）的技術(shù)合作，已實(shí)現(xiàn)砷化鎵HBT/pHEMT工藝的自主研發(fā)，產(chǎn)品良率穩(wěn)定在98%以上，填補(bǔ)了國內(nèi)化合物半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的空白。

本輪融資領(lǐng)投方興證創(chuàng)新資本表示，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)及新能源汽車市場的快速發(fā)展，化合物半導(dǎo)體需求持續(xù)增長。福聯(lián)集成作為國內(nèi)少數(shù)具備量產(chǎn)能力的化合物半導(dǎo)體代工廠，其技術(shù)積累與產(chǎn)能布局符合國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的戰(zhàn)略方向。

跟投方卓勝微等產(chǎn)業(yè)資本的加入，則體現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)對(duì)福聯(lián)集成技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可。卓勝微作為國內(nèi)射頻前端芯片龍頭企業(yè)，與福聯(lián)集成在砷化鎵器件代工領(lǐng)域存在協(xié)同空間，此次投資有望加速雙方在5G射頻芯片領(lǐng)域的聯(lián)合創(chuàng)新。

據(jù)福聯(lián)集成披露，融資資金將主要用于三方面：一是擴(kuò)建現(xiàn)有砷化鎵生產(chǎn)線，目標(biāo)將月產(chǎn)能提升至6000片；二是啟動(dòng)氮化鎵晶圓廠建設(shè)，布局第三代半導(dǎo)體市場；三是加大研發(fā)投入，推進(jìn)更高頻段毫米波芯片及功率器件的工藝開發(fā)。

目前，化合物半導(dǎo)體市場正處于高速增長期，氮化鎵在快充、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的滲透率亦快速提升。福聯(lián)集成通過本輪融資強(qiáng)化產(chǎn)能與技術(shù)壁壘，有望提高在化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域競爭力。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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