source：優(yōu)睿譜

據(jù)介紹，優(yōu)睿譜本次推出的SICE200設(shè)備可兼容6&8英寸碳化硅&硅襯底和外延晶圓邊緣檢測，也適用于其他化合物襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測；可同時實現(xiàn)對晶圓360°檢測；擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的光機系統(tǒng)可實現(xiàn)高分辨率、高檢出率及高檢測速率……

除了SICE200，針對碳化硅，優(yōu)睿譜半導體于2023年推出了碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢測設(shè)備SICD200和晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200。SID200可實現(xiàn)碳化硅位錯檢測的整片晶圓全檢測，并已獲境外顧客訂；SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導體材料摻雜濃度的測量，已得到多家客戶的訂單。

半導體量檢測設(shè)備是芯片生產(chǎn)的核心設(shè)備之一，貫穿整個芯片的生產(chǎn)過程，對保證芯片良率起著關(guān)鍵作用。

值得一提的是，同為半導體量檢測設(shè)備企業(yè)的蓋澤科技也于近日完成了新一輪融資。

天眼查顯示，在一年左右的時間里，蓋澤科技已完成3輪融資。

據(jù)悉，蓋澤科技已完成12英寸大尺寸晶圓的Online晶圓量測技術(shù)，覆蓋FTIR膜厚量測技術(shù)、元素濃度計量技術(shù)等，可應用于硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等材料晶圓的量檢需求，目前已向多家央企、國企、上市晶圓公司等知名半導體企業(yè)交付，并用于碳化硅、硅晶圓外延層的批量量測中。（集邦化合物半導體Morty整理）

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