圖片來源：晶能

晶能是吉利旗下功率半導(dǎo)體平臺，專注于高可靠性功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與制造。公司在杭州、臺州和嘉興布局了三座智能化生產(chǎn)基地，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能、智能機器人等場景。

今年6月，晶能與星驅(qū)技術(shù)團隊共同出資設(shè)立的SiC半橋模塊制造項目正式投產(chǎn)，預(yù)計年產(chǎn)10萬套，年產(chǎn)值約12.5億元。該項目于2024年2月啟動，采用國際領(lǐng)先制造工藝，填補國內(nèi)相關(guān)市場空白，顯著提升晶能在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實力，為新能源汽車產(chǎn)業(yè)提供高性能、高可靠性的關(guān)鍵零部件，助力行業(yè)技術(shù)升級。

今年5月，晶能位于杭州市錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的一期工廠技改項目順利竣工驗收。該項目于2024年6月啟動，總投資超過3億元，通過引入先進設(shè)備和優(yōu)化生產(chǎn)工藝，顯著提升了工廠的智能化水平和生產(chǎn)效率。技改完成后，工廠具備了年產(chǎn)60萬套IGBT功率模塊及5萬套SiC功率模塊的產(chǎn)能，能夠更好地滿足新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域的市場需求，進一步鞏固了晶能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場地位。

據(jù)悉，晶能微電子在2024年10月完成了5億元B輪融資，由秀洲翎航基金投資。這筆融資將進一步支持其在功率半導(dǎo)體設(shè)計研發(fā)、模塊制造和上車應(yīng)用等方面的投入。

中車時代半導(dǎo)體則是中國中車旗下專注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè)，采用IDM（集成設(shè)計制造）模式運營，構(gòu)建了從芯片設(shè)計到模塊封裝的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其技術(shù)積累可追溯至1964年，在IGBT和SiC器件等領(lǐng)域擁有多項自主核心技術(shù)，并在中國和英國設(shè)有研發(fā)中心。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。

值得關(guān)注的是，中車時代半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域取得了顯著進展。其6英寸SiC芯片中試線已初步具備年產(chǎn)2.5萬片的產(chǎn)能。此外，公司正積極推進8英寸SiC晶圓產(chǎn)線建設(shè)，預(yù)計在2025年底實現(xiàn)產(chǎn)線拉通。該產(chǎn)線投產(chǎn)后，將具備月產(chǎn)3萬片的產(chǎn)能，有望成為中國技術(shù)最先進、產(chǎn)能最大的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

在產(chǎn)品方面，中車時代半導(dǎo)體的SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋650V至6500V電壓等級，特別適用于高頻、大功率密度系統(tǒng)，已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風力發(fā)電和光伏逆變器等領(lǐng)域。公司預(yù)計，2025年其SiC MOSFET產(chǎn)品有望在新能源汽車主驅(qū)電驅(qū)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。

除了SiC領(lǐng)域的進展，中車時代半導(dǎo)體近期還與羅杰斯公司、賽米控丹佛斯等簽署了合作備忘錄，共同開發(fā)功率模塊芯片技術(shù)。

當前，全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速推進，新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)對高效、高可靠性功率器件的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。SiC與GaN等第三代半導(dǎo)體技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能表現(xiàn)，正成為全球產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略高地。此次強強聯(lián)合，將進一步提升國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的自主創(chuàng)新能力和國際競爭力，助力中國高端制造轉(zhuǎn)型升級。

未來，雙方還將在聯(lián)合技術(shù)攻關(guān)、人才培養(yǎng)及產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)等方面深化合作，通過打造產(chǎn)學(xué)研用深度融合的創(chuàng)新平臺，為全球綠色能源與智能交通發(fā)展提供更高效的半導(dǎo)體解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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當下的功率半導(dǎo)體市場，正上演一場無聲的暗戰(zhàn)。這不是傳統(tǒng)的市場份額爭奪，而是一場關(guān)乎產(chǎn)業(yè)模式、技術(shù)路線乃至地緣格局的大洗牌。戰(zhàn)場的中央，三股力量正在激烈碰撞，共同塑造著行業(yè)的未來。

第一股力量，是統(tǒng)治這片疆域數(shù)十年的舊日帝國——以英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）為代表的IDM（集成器件制造商）。他們憑借著從設(shè)計到制造的垂直整合能力，構(gòu)建了深厚的護城河，長期以來穩(wěn)坐霸主之位。他們的權(quán)力根植于對工藝的深刻理解和對質(zhì)量的絕對掌控。

第二股力量，是來自東方的新生貴族——由中國廠商組成的Fabless（無晶圓廠設(shè)計公司）生態(tài)系統(tǒng)。他們搭乘著成熟制程產(chǎn)能充裕的順風車，以輕資產(chǎn)、高靈活性的姿態(tài)，向傳統(tǒng)格局發(fā)起了猛烈的沖擊。這股力量的崛起，不僅是市場選擇的結(jié)果，更與大國博弈的宏大敘事緊密相連。

第三股力量，則是一件足以顛覆戰(zhàn)場規(guī)則的超級武器——以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料。它的出現(xiàn)，不僅拓寬了技術(shù)的邊界，更像一劑催化劑，激化了前兩股力量的矛盾。汽車和工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃缘膰揽烈螅貏e是SiC市場的爆發(fā)，反過來強化了IDM模式的必要性，因為它能更好地實現(xiàn)深度整合和全程質(zhì)量把控。

這場戰(zhàn)爭的核心矛盾，呈現(xiàn)出一種奇特的拉扯。一方面，行業(yè)在走向更精細的分工合作，這是中國Fabless崛起的底層邏輯；另一方面，新技術(shù)和高端應(yīng)用的需求，卻在反向推動產(chǎn)業(yè)鏈的再度整合。這意味著，市場正同時被兩股方向相反的力量拉扯：一股是推動產(chǎn)業(yè)鏈解構(gòu)、走向開放協(xié)作的離心力；另一股則是因應(yīng)高階技術(shù)復(fù)雜性而要求垂直整合、強化內(nèi)部控制的向心力。

這不是一個誰將取代誰的簡單故事，而是一場關(guān)于垂直整合與供應(yīng)鏈多元化的激烈戰(zhàn)略博弈。在這場由技術(shù)、經(jīng)濟和地緣政治共同作用的權(quán)力游戲中，舊的聯(lián)盟正在瓦解，新的秩序尚未成型。我們正站在一個充滿變數(shù)的十字路口，目睹著一場深刻的權(quán)力轉(zhuǎn)移。最終，行業(yè)將走向何方？這個問題的答案，不僅決定了無數(shù)企業(yè)的命運，也將為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的未來定下基調(diào)。

第一章：IDM的舊制度：一座難以撼動的堅固堡壘

在功率半導(dǎo)體這個領(lǐng)域，IDM模式的長期統(tǒng)治并非歷史的偶然，而是源于其產(chǎn)品特性和市場結(jié)構(gòu)的內(nèi)在邏輯。這座由傳統(tǒng)巨頭們建立的舊制度堡壘，其堅固程度遠超外界想象。它的護城河不僅僅是資本和工廠，更是一種深植于行業(yè)骨髓的手藝與信任。

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· 不止是工廠，更是老師傅的手藝

將IDM的優(yōu)勢簡單歸結(jié)為擁有晶圓廠，是一種普遍的誤解。事實上，與高度標準化的數(shù)字邏輯芯片不同，功率和模擬組件的性能，與其制造工藝的物理和電氣特性深度綁定。這意味著，制造本身并非一項可以輕易外包的服務(wù)，而是產(chǎn)品性能和核心知識產(chǎn)權(quán)不可分割的一部分。

功率組件的設(shè)計，與其說是在圖紙上堆指標，不如說更像是中醫(yī)調(diào)和藥方。每一項性能的提升，都必須兼顧其他五六個相互制衡的參數(shù)。電壓、溫度、導(dǎo)通損耗、開關(guān)速度……幾乎沒有一項指標能夠獨善其身。這種類似于模擬IC設(shè)計中著名的八邊形法則的權(quán)衡與優(yōu)化，往往無法通過理論計算完美解決，而是要靠經(jīng)驗豐富的資深工程師，在產(chǎn)在線一次次地調(diào)整參數(shù)、摸索工藝，像打磨藝術(shù)品一樣，一點點磨出來。

左圖：模擬集成電路的“八邊形法則” 右圖：功率半導(dǎo)體器件也存在類似的“八邊形法則”

這正是IDM模式的根本優(yōu)勢所在：它能夠在內(nèi)部實現(xiàn)設(shè)計與工藝技術(shù)的上下游協(xié)同。設(shè)計部門可以根據(jù)新組件架構(gòu)的需求，向工藝部門提出調(diào)整流程的請求；反之，工藝部門的任何改進，也能迅速反饋給設(shè)計部門，催生出新的設(shè)計思路。這種持續(xù)、高效的內(nèi)部反饋閉環(huán)，在Fabless與代工廠（Foundry）的合作模式中，雖然也可以開展，但溝通成本高昂，效率也難以相提并論。

中國IDM領(lǐng)軍企業(yè)士蘭微電子董事長陳向東曾指出，功率器件行業(yè)內(nèi)高達75%到80%的產(chǎn)出來自IDM，其根本原因就在于歐美日的傳統(tǒng)巨頭們，憑借數(shù)十年積累的特殊工藝技術(shù)構(gòu)筑了強大的市場壁壘。這些技術(shù)本身就是一種獨特的、難以轉(zhuǎn)移的專有資產(chǎn)，例如英飛凌的 1200V CoolSiC MOSFET工藝，它不僅僅是一套生產(chǎn)流程，更是英飛凌核心競爭力的體現(xiàn)。

這也解釋了為何功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的Fabless模式，面臨著比數(shù)字集成電路領(lǐng)域高得多的門坎。一家功率Fabless公司無法簡單地從代工廠提供的標準工藝菜單中挑選，而必須投入巨大的成本與代工廠進行深度協(xié)同開發(fā)，這在很大程度上削弱了其輕資產(chǎn)模式的初衷。在標準化、開放的功率組件工藝平臺真正成熟之前，IDM模式憑借將設(shè)計和工藝開發(fā)都掌握在自己手中的天然優(yōu)勢，將繼續(xù)保持其在性能和技術(shù)迭代上的領(lǐng)先地位。

· 雜貨鋪也是一種護城河

功率半導(dǎo)體市場的另一個顯著特點，是其高度碎片化的產(chǎn)品組合。根據(jù)電壓、電流、封裝、功能等參數(shù)的不同排列組合，市場上的產(chǎn)品型號 數(shù)以萬計。這就像一個巨大的雜貨鋪，客戶的需求五花八門，而且往往是少量多樣。

這種市場結(jié)構(gòu)，對Fabless公司構(gòu)成了巨大的挑戰(zhàn)。通過外部代工廠來管理如此龐大的產(chǎn)品組合，將面臨巨大的交易成本。每一款產(chǎn)品、每一個小批量訂單，都可能需要獨立的合同談判、IP保護協(xié)議、質(zhì)量保證審核以及頻繁的技術(shù)溝通。這種摩擦成本會隨著產(chǎn)品種類的增加而急劇上升，嚴重侵蝕利潤。

IDM模式則通過將這些活動內(nèi)部化，顯著降低了交易成本。其統(tǒng)一、集成的產(chǎn)品開發(fā)與制造流程，使得企業(yè)能以更低的邊際成本推出多樣化的產(chǎn)品組合。這正是德州儀器（Texas Instruments）、英飛凌、意法半導(dǎo)體等行業(yè)巨頭能夠維持其市場領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵競爭優(yōu)勢之一。他們之所以能成為行業(yè)的雜貨鋪巨頭，并非僅僅因為規(guī)模大，更是因為他們的組織架構(gòu)天然地適應(yīng)了這種少量多樣的市場需求。從經(jīng)濟學(xué)的角度看，IDM的垂直整合模式，是應(yīng)對功率半導(dǎo)體市場高度復(fù)雜性和碎片化所帶來的交易成本問題的最優(yōu)解。其主導(dǎo)地位是市場效率選擇的結(jié)果，而不僅僅是歷史的慣性。

· 客戶信任的另一座長城

如果說技術(shù)和商業(yè)模式是IDM堡壘的磚石，那么信任就是將這一切粘合在一起、并使其堅不可摧的水泥。在對可靠性和質(zhì)量要求極為嚴苛的汽車和工業(yè)市場，這種基于長期合作和穩(wěn)定供應(yīng)的品牌聲譽，本身就是一種難以估量的戰(zhàn)略資產(chǎn)。

建設(shè)和運營一座功率半導(dǎo)體晶圓廠需要巨大的資本投入，同時在研發(fā)上的持續(xù)支出也構(gòu)成了強大的資金門坎。這種重資產(chǎn)模式雖然使IDM在行業(yè)周期性波動中面臨一定風險，但它也賦予了這些企業(yè)掌控自身技術(shù)路線圖、保護核心工藝秘密以及建立強大品牌聲譽的能力。

在汽車和工業(yè)應(yīng)用中，一個微小的組件失效都可能導(dǎo)致災(zāi)難性的后果。因此，客戶在選擇供貨商時，除了考慮性能和成本，更看重其長期的可靠性記錄和供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。一個擁有數(shù)十年歷史、經(jīng)歷過多輪行業(yè)周期考驗的IDM巨頭，其品牌本身就代表了一種質(zhì)量承諾。這種信任，是新進入者難以在短時間內(nèi)建立的，它構(gòu)成了一道無形的、卻又極其堅固的信任長城。

數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理

這張表格清晰地勾勒出了三種商業(yè)模式的根本差異。它不僅是一個簡單的對比，更是理解整個功率半導(dǎo)體行業(yè)競爭格局的基礎(chǔ)框架。IDM的優(yōu)勢在于整合與控制，F(xiàn)abless的優(yōu)勢在于專注與靈活，而Foundry則立足于規(guī)模與專業(yè)。這三者之間的博弈與共生，構(gòu)成了我們接下來要探討的所有故事的背景。

第二章：中國Fabless的“閃電戰(zhàn)”：一場天時地利的突襲

長期以來由IDM巨頭們主導(dǎo)的穩(wěn)定格局，正被一股來自東方的力量以“閃電戰(zhàn)”般的速度撕開缺口。由中國廠商形成的Fabless生態(tài)系統(tǒng)，其崛起并非偶然，而是一場在特定市場條件、充足代工產(chǎn)能和國家戰(zhàn)略共同作用下的、堪稱天時地利的突襲。

· 東風已備：成熟產(chǎn)能的 大水漫灌

中國Fabless崛起的背后，最關(guān)鍵的東風是中國晶圓代工產(chǎn)業(yè)在成熟制程節(jié)點上，具備了充足的產(chǎn)能和深厚的工藝積累。

首先，中國是全球最大的半導(dǎo)體消費市場，但長期高度依賴進口，這催生了巨大的市場替代空間。尤其在電動汽車、光伏、工業(yè)控制等高增長領(lǐng)域，對功率半導(dǎo)體的需求呈爆炸式增長，為本土廠商提供了肥沃的土壤。

其次，功率半導(dǎo)體的主戰(zhàn)場并非尖端制程，而是通常大于65納米的成熟節(jié)點。與建造一座耗資超過200億美元的先進邏輯芯片晶圓廠不同，用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的成熟制程晶圓廠，尤其是200mm（8英寸）產(chǎn)線，資本密集度相對較低，技術(shù)門檻也更容易跨越。

這恰好與中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀完美契合。芯聯(lián)集成、華虹半導(dǎo)體等中國本土代工廠，在過去十幾年里建立了龐大的成熟制程產(chǎn)能。在國內(nèi)廠商競爭激烈的背景下，為了充分利用產(chǎn)能，這些代工廠對數(shù)量較小、種類多樣的特色工藝訂單有著濃厚興趣，不像頭部大廠那樣會嚴苛挑選客戶和訂單。這與新興Fabless公司“船小好掉頭”的業(yè)務(wù)模式和發(fā)展需求形成了完美的共生關(guān)系：Fabless無需承擔巨額資本開支即可獲得制造能力，而代工廠則通過承接這些高附加值的訂單來填補產(chǎn)能，實現(xiàn)了雙贏。這股成熟產(chǎn)能的大潮水，為中國Fabless的幼苗提供了最關(guān)鍵的灌溉。

· 奇兵突出：從標準化的IGBT撕開缺口

如果說成熟產(chǎn)能是東風，那么標準化的IGBT模塊，就是中國Fabless發(fā)動閃電戰(zhàn)時選定的“奇兵”。他們沒有選擇在IDM防守最嚴密的領(lǐng)域（如高度客制化、對工藝理解要求極高的分立器件）進行正面強攻，而是巧妙地選擇了IDM整合優(yōu)勢最弱、代工模式成本優(yōu)勢最強的環(huán)節(jié)作為突破口。

與規(guī)格復(fù)雜、種類繁多的普通功率組件不同，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）通常以模塊 ?（Module）的形式封裝和銷售。這些模塊將多個IGBT芯片和續(xù)流二極管等集成在一起，形成標準化的拓撲結(jié)構(gòu)。這使得不同制造商生產(chǎn)的、功能和額定參數(shù)相同的IGBT模塊，在封裝尺寸、引腳定義、電氣參數(shù)等方面具有高度的通用性。

這種高度的標準化，為中國Fabless廠商提供了一個天然的切入口。一家設(shè)計公司可以專注于設(shè)計少數(shù)幾個市場需求量最大的熱門模塊，然后將這些少樣大量的標準化訂單放心地交給代工廠生產(chǎn)。這種模式不僅極大地降低了與代工廠的溝通成本和管理復(fù)雜度，還能通過規(guī)模效應(yīng)顯著降低代工成本。這正是對IDM模式少量多樣優(yōu)勢的精準打擊。

資料來源：集邦化合物半導(dǎo)體整理

中國IGBT設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)者斯達半導(dǎo)（StarPower）與主要代工廠華虹半導(dǎo)體之間的合作，是這一模式成功運作的典范。通過雙方合作，華虹半導(dǎo)體成為全球首家同時在8英寸和12英寸產(chǎn)在線大規(guī)模量產(chǎn)先進IGBT的純晶圓代工廠。同樣，無錫新潔能也通過與一流的8英寸晶圓代工廠緊密合作，來保證其產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。這些成功案例，清晰地展示了中國Fabless如何通過精準的產(chǎn)品定位，將代工模式的優(yōu)勢發(fā)揮到極致。

· 戰(zhàn)略迂回：繞開封鎖的陽關(guān)大道

將視角拉遠，中國Fabless的熱潮背后，還隱藏著更深層次的戰(zhàn)略邏輯。這不僅僅是一個產(chǎn)業(yè)趨勢，更是一項符合政策方向的發(fā)展戰(zhàn)略。

近年來，美國等國的出口管制主要集中在7納米以下的先進制程節(jié)點和高端AI芯片領(lǐng)域。而功率半導(dǎo)體所依賴的成熟工藝節(jié)點，在很大程度上相對不受管制影響。然而，這些節(jié)點的發(fā)展，同樣對于提升一個國家的產(chǎn)業(yè)規(guī)模、積累技術(shù)能力、保障關(guān)鍵領(lǐng)域供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要。

因此，通過大力發(fā)展Fabless功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)，中國可以在不直接挑戰(zhàn)最嚴苛技術(shù)封鎖的前提下，迅速提升在汽車、工業(yè)等國家命脈領(lǐng)域的半導(dǎo)體自給率和供應(yīng)鏈安全。這可以被視為一種巧妙的“戰(zhàn)略迂回”。它繞開了封鎖最嚴密的“獨木橋”，選擇了一條雖然不那么光鮮靚麗、但同樣能夠通向產(chǎn)業(yè)自主的“陽關(guān)大道” ?。這場 “閃電戰(zhàn)”的目標，不僅僅是市場份額，更是產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略縱深。

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這張表格就像是中國Fabless 新貴們的一張群像。它具體地展示了這股新興力量的代表性企業(yè)和他們的核心產(chǎn)品，將抽象的 Fabless熱潮落實到了一個個真實的市場參與者身上，勾勒出中國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新興生態(tài)系統(tǒng)的版圖。

第三章：碳化硅的“權(quán)力的游戲”：誰能坐上鐵王座？

如果說IDM與Fabless的對決是舊制度與新勢力的較量，那么碳化硅（SiC）的出現(xiàn)，則徹底改變了游戲規(guī)則。這不僅僅是一次技術(shù)升級，更是一場深刻的材料革命。它正以其卓越的性能，重塑著功率半導(dǎo)體行業(yè)的競爭格局、供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)和成本模型，并對IDM與Fabless之爭產(chǎn)生了決定性的影響。一場圍繞SiC的“權(quán)力游戲”已經(jīng)拉開序幕，所有玩家都想坐上未來的“鐵王座”。

· 汽車的“心臟病” 與SiC的“特效藥”

SiC市場正迎來史無前例的爆發(fā)式增長。根據(jù)TrendForce集邦咨詢的預(yù)測，到2030年，全球SiC功率組件的市場規(guī)模將接近164億美元，2025至2030年的復(fù)合年增長率（CAGR）高達驚人的31%。

Figure 1 SiC功率器件的市場規(guī)模

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報告

這場爆發(fā)的核心驅(qū)動力，來自于汽車行業(yè)，特別是純電動汽車（BEV）。隨著各大車廠紛紛轉(zhuǎn)向800V高壓平臺以追求更高的充電效率和續(xù)航里程，傳統(tǒng)的硅基IGBT開始力不從心。高電壓下的開關(guān)損耗和散熱問題，成為了制約電動車性能提升的 “心臟病”。而SiC，正是治療這種“心臟病” 的“特效藥” ?。預(yù)計到2030年，來自汽車領(lǐng)域的需求將占據(jù)SiC總需求的約70% 。

SiC的價值主張，必須在系統(tǒng)層面才能完全體現(xiàn)。盡管在單個組件層面，SiC MOSFET的價格仍然遠高于其對目標硅基IGBT，通常是同等規(guī)格產(chǎn)品的3倍左右，其核心成本來自于價格可能是硅晶圓20到40倍的SiC襯底 。但其優(yōu)越的性能——如極低的開關(guān)損耗——允許系統(tǒng)在更高的頻率下工作，從而顯著減小濾波器、電容等被動組件的尺寸、重量和成本。其更高的轉(zhuǎn)換效率能夠有效提升電動車的續(xù)航里程，并降低對龐大散熱系統(tǒng)的要求。例如，在逆變器應(yīng)用中，用SiC MOSFET替代IGBT，可以將總功率損耗降低約41% 。正是這種系統(tǒng)級的巨大優(yōu)勢，證明了在電動車等高端應(yīng)用中采用更高成本組件的合理性。

· 兩條路線的世紀豪賭

SiC的戰(zhàn)略重要性，使其上游的襯底材料成為了兵家必爭之地。由于SiC襯底的生產(chǎn)技術(shù)壁壘極高，高度依賴經(jīng)驗積累，在市場發(fā)展初期，供應(yīng)被Wolfspeed等少數(shù)幾家供貨商壟斷，造成了嚴重的供應(yīng)瓶頸。為了確保關(guān)鍵原材料的穩(wěn)定供應(yīng)，行業(yè)內(nèi)部出現(xiàn)了兩條截然不同的戰(zhàn)略路線，這是一場關(guān)乎未來的“世紀豪賭”。

圖片來源：sora AI生成

第一條路：垂直整合，掌控一切。

以onsemi為代表的廠商，選擇了這條最為決絕的路。通過收購襯底大廠GTAT，并大力投資內(nèi)部研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)，onsemi的目標是掌控從晶體生長到模塊封裝的全價值鏈。目前，其SiC襯底材料的自給率已超過50%，并提出了實現(xiàn)50%毛利率的宏大目標。這是一個基于“ 控制力”的賭注：他們相信，只有將最核心、最不確定的環(huán)節(jié)牢牢掌握在自己手中，才能帶來最終的成本、質(zhì)量和供應(yīng)保障優(yōu)勢。

第二條路：多元采購，保持靈活。

行業(yè)巨頭英飛凌則采取了截然不同的戰(zhàn)略。它刻意避免自行生產(chǎn)SiC晶體，轉(zhuǎn)而建立一個多元化的供貨商網(wǎng)絡(luò)，其中甚至包括了天科合達和山東天岳等中國供貨商。這是一個基于“靈活性”的賭注：英飛凌押注SiC襯底市場最終會走向成熟和商品化，通過避免在非核心能力上進行巨額資本投資，他們保持了戰(zhàn)略的靈活性，分散了地緣政治風險，并能將研發(fā)資源集中在價值創(chuàng)造能力更強的組件設(shè)計和制造環(huán)節(jié)。

Figure 2 SiC器件行業(yè)的主導(dǎo)商業(yè)模式長期趨勢

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報告

這場“世紀豪賭”誰會贏？關(guān)鍵取決于一個變數(shù)：中國以及其他新興的SiC襯底廠商，能否在未來幾年內(nèi)快速追上頂級水平。如果他們做到了，襯底市場將如英飛凌所愿變得更具競爭性，其多元化采購的策略將大獲全勝；如果質(zhì)量和良率的差距依然巨大，那么onsemi那條自給自足的整合路線將顯得更加穩(wěn)固。這場路線之爭的結(jié)果，不僅關(guān)乎兩家公司的命運，更將為整個半導(dǎo)體行業(yè)在面對未來新材料時，應(yīng)如何構(gòu)建供應(yīng)鏈提供一個決定性的范例。

· 價格戰(zhàn)的“血色婚禮”

在這場權(quán)力游戲的背后，一場殘酷的價格戰(zhàn)已經(jīng)打響。在技術(shù)升級和產(chǎn)能擴張的雙重驅(qū)動下，SiC市場正在經(jīng)歷一場“價格破壞效應(yīng)”，其慘烈程度堪比一場“血色婚禮”。

一方面，為了降低單位芯片成本，整個行業(yè)正處于從150mm（6英寸）向200mm（8英寸）晶圓過渡的關(guān)鍵時期。Wolfspeed是這一轉(zhuǎn)型的先行者，博世、英飛凌、意法半導(dǎo)體等巨頭也緊隨其后。晶圓尺寸的增大，理論上可以大幅降低單顆芯片的成本。

另一方面，全球（尤其是在中國）正在進行大規(guī)模的SiC產(chǎn)能擴張。這兩股力量疊加，共同導(dǎo)致了SiC晶圓和組件價格的持續(xù)走低。從2024年的價格趨勢圖可以看出，無論是1200V/40mΩ還是1200V/80mΩ的SiC MOSFET，都經(jīng)歷了一場雪崩式的下跌。

Figure 3 1200V/40mΩ的SiC MOSFET價格趨勢（unit:USD）

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報告

由上圖可以看出，1200V/40Ω的SiC MOSFET在2024年經(jīng)歷了明顯的下滑，尤其是高端市場的價格，受到的沖擊更為明顯，下滑的速率也更高。

Figure 4 1200V/80mΩ的SiC MOSFET價格趨勢（unit:USD）

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報告

而在1200V/80Ω的SiC MOSFET市場，同樣也經(jīng)歷了一場雪崩式的下跌。這背后的關(guān)鍵驅(qū)動因素正是SiC襯底市場出現(xiàn)了6英寸向8英寸切換的歷史性變化。

然而，市場正陷入一個致命的悖論：電動汽車需求的短期放緩，與大規(guī)模的產(chǎn)能建設(shè)同時發(fā)生。這給那些已經(jīng)進行了巨額資本投資的企業(yè)帶來了巨大的財務(wù)壓力。這場血色婚禮正在無情地清洗市場，只有那些在技術(shù)、成本和供應(yīng)鏈上擁有真正護城河的玩家，才能在這場混戰(zhàn)中幸存下來，并最終登上“鐵王座” ?。

數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理

這張表格是SiC 權(quán)力游戲的實時記分牌。它揭示了兩個核心事實：第一，市場高度集中，前四家IDM巨頭合計占據(jù)了近八成的市場份額，顯示了IDM模式在SiC領(lǐng)域的絕對主流地位。第二，巨頭們的戰(zhàn)略路徑清晰分野，從意法半導(dǎo)體在中國的合資，到onsemi的整合，再到英飛凌的采購，每一步棋都充滿了深思熟慮的戰(zhàn)略考慮。這場游戲的結(jié)局，遠未到來。

第四章：終局之戰(zhàn)：回歸“品質(zhì)與信任”的強大引力

在技術(shù)迭代、模式創(chuàng)新和地緣政治的紛繁擾動之下，功率半導(dǎo)體行業(yè)的終局之戰(zhàn)，最終將回歸到一個古老而樸素的戰(zhàn)場——品質(zhì)與信任。這股強大的引力，源自汽車和工業(yè)等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ放坪涂煽啃缘臉O致要求。一個看似矛盾的現(xiàn)象正在發(fā)生：推動市場增長的技術(shù)創(chuàng)新，本身也反向強化了那些有利于傳統(tǒng)IDM巨頭的、基于保守和信任的采購行為。

在汽車和工業(yè)應(yīng)用中，可靠性永遠是超越性能或成本的首要考慮因素。一個汽車零部件被期望在嚴酷的工作環(huán)境下，實現(xiàn)長達15至20年的零失效壽命。對于一家大型汽車制造商（OEM）而言，哪怕是百萬分之一（PPM）的失效率，也可能意味著每天有數(shù)十輛新車存在潛在缺陷，這將導(dǎo)致無法估量的聲譽和財務(wù)損失。因此，供貨商在質(zhì)量和可靠性方面的品牌聲譽，成為了一張最高級的入場券。

圖片來源：sora AI生成

汽車行業(yè)嚴格的安全標準（如AEC-Q101）和漫長的驗證流程，為新進入者設(shè)置了極高的壁壘。芯片制造商為了滿足這些標準，甚至需要建立專門服務(wù)于汽車行業(yè)的晶圓廠和工藝流程。這種環(huán)境天然地有利于那些與OEM建立了數(shù)十年合作關(guān)系、并擁有良好交付記錄的成熟企業(yè)，如英飛凌、意法半導(dǎo)體等。

更深層次的變化在于，汽車行業(yè)的技術(shù)演進正在從根本上改變其風險評估體系。過去，汽車行業(yè)傾向于使用經(jīng)過多年驗證的成熟半導(dǎo)體技術(shù)，其失效模式已廣為人知。而現(xiàn)在，隨著高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和電動化的普及，汽車制造商被迫采用最前沿的技術(shù)，包括先進的系統(tǒng)級芯片（SoC）和SiC等新材料。這意味著，他們正在將汽車的安全與性能，押注在那些長期失效模式尚不完全明確的新技術(shù)上，這也必然導(dǎo)致現(xiàn)場意外失效的風險急劇增加。

在這種高風險環(huán)境中，采購方自然會出現(xiàn)一種 “向質(zhì)量看齊”（flight to quality）的轉(zhuǎn)變，他們會本能地傾向于選擇最值得信賴的合作伙伴來共同管理和降低風險。這種信任，建立在長期的質(zhì)量記錄、深入的技術(shù)合作以及對制造過程的透明控制之上。這為老牌的IDM巨頭創(chuàng)造了強大的結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢。他們能夠為OEM提供從設(shè)計、制造到質(zhì)量保證的 “一站式”服務(wù)，提供一種Fabless/Foundry聯(lián)盟難以匹敵的責任和問責機制。

汽車行業(yè)，無疑是決定功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵戰(zhàn)場。市場預(yù)測顯示，每輛汽車的半導(dǎo)體用量將從2024年的700美元，提高到2030年的1400美元 。僅在2025年，由電動汽車效率和續(xù)航需求驅(qū)動的SiC和氮化鎵（GaN）功率組件的需求，預(yù)計就將增長超過20% 。在這片增長最快、利潤最豐厚、同時要求也最嚴苛的戰(zhàn)場上，信任的引力和價值將會被放大到極致。

因此，我們看到了一個深刻的悖論：正是驅(qū)動汽車半導(dǎo)體市場增長的SiC技術(shù)革命，反過來鞏固了“舊制度”的根基。創(chuàng)新帶來了風險，而風險催生了對信任的需求，信任最終流向了那些擁有最深厚歷史積淀的IDM巨頭。

結(jié)語：沒有終局的戰(zhàn)爭

這場功率半導(dǎo)體的戰(zhàn)爭，不會有單一的勝利者，也不會有一個一勞永逸的終局。未來，一個更加復(fù)雜、動態(tài)共存的產(chǎn)業(yè)新格局將會浮現(xiàn)：

IDM巨頭將繼續(xù)鞏固其在金字塔尖的統(tǒng)治地位。在汽車電子、關(guān)鍵工業(yè)控制等對可靠性、安全性和供應(yīng)鏈穩(wěn)定性要求達到極致的高價值核心市場，他們憑借設(shè)計與工藝的深度融合，以及數(shù)十年建立的 信任長城 ?，其優(yōu)勢短期內(nèi)無可替代。

中國的Fabless新貴則會在更廣闊的領(lǐng)域開疆拓土。在消費電子、標準化工業(yè)模塊以及對成本更為敏感的市場區(qū)間，他們憑借輕資產(chǎn)的靈活性、快速的市場響應(yīng)和與本土代工廠的協(xié)同效應(yīng)，將繼續(xù)蠶食市場份額，成為一股不可忽視的力量。

真正的戰(zhàn)場，將在廣闊的中間地帶展開。這不是一場模式的替代戰(zhàn)爭，而是一場動態(tài)的共存與演進。

對于身處其中的每一位業(yè)者而言，看清這場十字路口的暗戰(zhàn)，理解背后的權(quán)力游戲規(guī)則，才能在復(fù)雜多變的市場中，找到屬于自己的航道。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Figo 整理）

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資料顯示，蘇州固锝是國內(nèi)功率器件制造商，擁有分立半導(dǎo)體芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、銷售與服務(wù)的垂直一體化IDM產(chǎn)業(yè)模式，產(chǎn)品涵蓋各類功率整流管、保護器件、小信號、橋式整流器、MOSFET、IGBT單管及模塊、SiC器件等，50多個系列、7000多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費類電子、5G通訊、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、光伏能源、AI人工智能、汽車電子等諸多領(lǐng)域。

對于上述合作，蘇州固锝表示，這將加速我國功率半導(dǎo)體技術(shù)的自主創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化進程。

此次依托聯(lián)合實驗室，借助能源研究院先進的功率半導(dǎo)體封測中試平臺資源，將有力推動蘇州固锝整合創(chuàng)新鏈，加速高端功率器件的國產(chǎn)化進程。蘇州固锝將以十足的誠意和務(wù)實態(tài)度，與能源研究院緊密協(xié)作，在先進封裝設(shè)計、關(guān)鍵工藝開發(fā)、可靠性提升等核心領(lǐng)域深入鉆研，力求取得豐碩的創(chuàng)新成果。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、芯邁半導(dǎo)體港交所IPO

近日，杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司（簡稱“芯邁半導(dǎo)體”）正式向香港交易所遞交上市申請。

圖片來源：芯邁半導(dǎo)體上市申請書截圖

這家成立于2019年的功率半導(dǎo)體公司，憑借其在電源管理IC（PMIC）和功率器件領(lǐng)域的技術(shù)積累，曾獲得了包括小米基金、寧德時代以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（“大基金二期”）等知名機構(gòu)的投資。招股書顯示，芯邁半導(dǎo)體主要采用創(chuàng)新驅(qū)動的Fab-Lite集成器件制造商(IDM)業(yè)務(wù)模式，其核心業(yè)務(wù)聚焦電源管理IC和功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。自2020年組建功率器件團隊以來，公司在該領(lǐng)域進展迅速，功率器件產(chǎn)品累計出貨量已突破5億顆。

在電源管理IC方面，芯邁半導(dǎo)體主要面向移動和顯示應(yīng)用提供定制化PMIC解決方案，為智能手機、顯示面板及汽車行業(yè)客戶提供電源管理服務(wù)。

在功率器件方面，芯邁半導(dǎo)體擁有全面的產(chǎn)品組合，涵蓋傳統(tǒng)硅基器件（如SJ MOSFET、SGT MOSFET）以及新興的碳化硅（SiC）MOSFET。公司憑借自主開發(fā)的工藝平臺和器件設(shè)計，旨在提供高性能產(chǎn)品。其電源解決方案應(yīng)用廣泛，包括汽車電子、電信與計算（包括AI服務(wù)器）、工業(yè)與能源，以及消費電子產(chǎn)品等關(guān)鍵領(lǐng)域。在電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)（BMS）、通信基站、數(shù)據(jù)中心和機器人等市場，芯邁半導(dǎo)體的市場份額有所增長。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，芯邁半導(dǎo)體在近年面臨營收下滑和虧損擴大的情況。2022年、2023年及2024年，公司營收分別為16.88億元、16.40億元、15.74億元，呈逐年減少趨勢。同期，公司年內(nèi)虧損分別為1.72億元、5.06億元、6.97億元，逐年增加。毛利率從2022年的37.4%降至2024年的29.4%，主要原因系電源管理IC產(chǎn)品收入受海外客戶需求減少影響。

報告期內(nèi)，電源管理IC產(chǎn)品貢獻了公司超過90%的收入，而境外市場仍為主要收入來源，占比超過68%。

據(jù)悉，芯邁半導(dǎo)體已開發(fā)并量產(chǎn)多款車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，功率覆蓋650V至1700V。這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動汽車的主逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器。其高壓SiC MOSFET已通過AEC-Q101車規(guī)認證，并已進入國內(nèi)多家新能源汽車整車廠供應(yīng)鏈。其中，某款800V SiC MOSFET已在頭部新勢力車型中實現(xiàn)批量供貨。

在先進工藝平臺方面，芯邁半導(dǎo)體正與戰(zhàn)略合作伙伴富芯半導(dǎo)體緊密合作，共同推進12英寸SiC晶圓制造工藝的開發(fā)與優(yōu)化。富芯半導(dǎo)體作為芯邁半導(dǎo)體的獨家產(chǎn)業(yè)投資者，已建設(shè)專為高性能PMIC與功率器件優(yōu)化的12英寸晶圓生產(chǎn)線。目前，該產(chǎn)線正進行SiC外延生長和器件制造的良率爬坡，目標是在2026年實現(xiàn)更大規(guī)模、更高效率的SiC器件生產(chǎn)。

此外，在市場拓展方面，芯邁半導(dǎo)體的SiC產(chǎn)品線除電動汽車外，還在積極布局工業(yè)電源、光伏逆變器和儲能系統(tǒng)市場。公司近期已與國內(nèi)某大型光伏逆變器制造商簽訂長期供貨協(xié)議，為其新一代高效逆變器提供SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品。

2、鉅芯科技北交所IPO獲受理

6月27日，北交所正式受理了安徽鉅芯半導(dǎo)體科技股份有限公司（簡稱“鉅芯科技”）IPO申請。

圖片來源：北交所鉅芯科技IPO申請相關(guān)截圖

鉅芯科技作為一家高新技術(shù)企業(yè)，專注于半導(dǎo)體功率器件及芯片的研發(fā)、封裝測試、生產(chǎn)和銷售，尤其在光伏組件保護功率器件領(lǐng)域具備核心競爭力。

鉅芯科技的產(chǎn)品線涵蓋了多樣化的功率器件。公司主要以光伏組件保護功率器件為核心，并逐步拓展至其他應(yīng)用領(lǐng)域。其主要產(chǎn)品包括多種二極管，具體涵蓋整流二極管、快恢復(fù)二極管等。此外，該公司還生產(chǎn)廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換的整流橋堆，以及主要面向中低壓產(chǎn)品線的MOSFET。在功率模塊方面，鉅芯科技也提供光伏模塊和IGBT等產(chǎn)品。

財務(wù)方面，鉅芯科技在截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個會計年度分別實現(xiàn)收入人民幣3.51億元，5.58億元，5.64億元；毛利率分別為19.29%，21.61%，16.70%；歸母凈利潤0.27億元，0.67億元，0.55億元。從財務(wù)數(shù)據(jù)來看，鉅芯科技在近年營收持續(xù)增長，但盈利能力有所波動。

截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個會計年度，公司分別實現(xiàn)收入人民幣3.51億元、5.58億元、5.64億元。同期毛利率分別為19.29%、21.61%、16.70%。歸母凈利潤分別為0.27億元、0.67億元、0.55億元。

此次IPO，鉅芯科技擬募集資金2.95億元，計劃投向以下幾個關(guān)鍵項目：特色分立器件產(chǎn)線建設(shè)項目、研發(fā)中心建設(shè)項目，以及補充流動資金。

圖片來源：鉅芯科技招股書截圖

鉅芯科技表示，此次募資旨在現(xiàn)有業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上進行擴產(chǎn)和研發(fā)投入，以適應(yīng)未來市場需求。其中，特色分立器件產(chǎn)線項目將有助于提高公司在消費電子及汽車電子類產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品質(zhì)量，從而提升市場占有率和競爭力。同時，建設(shè)研發(fā)中心將加強公司的科技創(chuàng)新能力和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化能力，為未來新技術(shù)、新產(chǎn)品及服務(wù)的開發(fā)奠定基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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此次融資主要用于公司柳州基地的產(chǎn)能擴建、中小功率產(chǎn)品升級、多款大功率產(chǎn)品市場放量、人才引進等，國家級基金與產(chǎn)業(yè)基金的重倉加持，將夯實颶芯科技的基礎(chǔ)，進一步推動氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片的國產(chǎn)化。

圖片來源：颶芯科技

颶芯科技成立于2017年7月，聚焦氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)與生產(chǎn)，致力于推動中國氮化鎵激光芯片的產(chǎn)業(yè)化，實現(xiàn)關(guān)鍵核心器件的自主可控。作為國內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵激光芯片企業(yè)，公司以創(chuàng)新驅(qū)動為核心，在材料外延、工藝制程和先進封裝等方面不斷突破技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)了多款自主研發(fā)產(chǎn)品的量產(chǎn)與應(yīng)用，有效提升了國產(chǎn)芯片的性能水平，打破了該領(lǐng)域?qū)Ｍ獾倪M口依賴。

01、科學(xué)家創(chuàng)業(yè)：國產(chǎn)氮化鎵激光芯片的20年情懷

颶芯科技核心團隊曾從事氮化鎵半導(dǎo)體激光器研究20余年，承擔了中國首個氮化鎵半導(dǎo)體激光器的863重大專項，2004年底在國內(nèi)首次實現(xiàn)波長為405nm的脊型波導(dǎo)氮化鎵基激光器的電注入激射，為中國氮化鎵基激光器零的突破做出重要貢獻。

公司核心研發(fā)團隊由多名經(jīng)驗豐富的博士組成，堅持嚴謹認真和自主創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)化理念，從外延的細節(jié)把控，到前道的精雕細刻，再到后道的測試分選，每一個工藝細節(jié)的錘煉，換來了產(chǎn)品良率的一次次提升。公司攻克了氮化鎵激光芯片生產(chǎn)中的八大核心技術(shù)難題，于2023年建成了國內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)線，并投入實際生產(chǎn)，現(xiàn)已實現(xiàn)了數(shù)千萬顆芯片的穩(wěn)定出貨。

02、國產(chǎn)替代：突破海外技術(shù)封鎖，推動下游應(yīng)用快速發(fā)展

長期以來國內(nèi)市場上應(yīng)用的半導(dǎo)體激光芯片處于紅光、近紅外及更長波段，而覆蓋紫外/紫/藍/綠光波段的氮化鎵材料和激光芯片仍然處于待攻克和追趕的階段，面臨諸多挑戰(zhàn)。

氮化鎵激光器下游應(yīng)用領(lǐng)域廣闊，在激光投影、光刻與直寫、照明與指示、激光加工、生物檢測、3D打印和可見光通訊等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用，并且多個細分領(lǐng)域都已經(jīng)進入規(guī)?；帕康碾A段。氮化鎵激光器長期被國外廠家完全壟斷、沒有定價權(quán)，技術(shù)上存在卡脖子、商業(yè)上面臨斷供的風險，嚴重限制了下游許多重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。盡快實現(xiàn)氮化鎵激光芯片的國產(chǎn)替代是迫切而現(xiàn)實的需要。

03、產(chǎn)品矩陣齊全：覆蓋大、中、小功率的紫、藍、綠光激光二極管

氮化鎵激光芯片每平方厘米數(shù)百萬個缺陷導(dǎo)致光子在諧振腔中反射就好比在亞馬遜叢林中穿行一樣，容易碰撞被散射吸收，導(dǎo)致?lián)p耗，同時每一個缺陷都有可能成為漏電通道，造成氮化鎵激光芯片的擊穿，難以實現(xiàn)長壽命。因此，為了提升氮化鎵激光芯片的性能和量產(chǎn)的良率，除了對外延材料及結(jié)構(gòu)進行不斷的研發(fā)，還需在生產(chǎn)工藝上精雕細琢。

颶芯科技8年磨一劍，具備從外延、工藝、封測的IDM全流程工程研發(fā)及量產(chǎn)能力，以研發(fā)驅(qū)動產(chǎn)品升級。2024年在國內(nèi)率先實現(xiàn)大功率氮化鎵激光芯片批量供貨，逐步拓展產(chǎn)品矩陣，已擁有大功率、中功率、小功率的紫、藍、綠光多款氮化鎵激光芯片成熟產(chǎn)品，多元化的產(chǎn)品已成功導(dǎo)入下游客戶的多領(lǐng)域場景，推動國內(nèi)光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

圖片來源：颶芯科技

颶芯科技創(chuàng)始人、首席科學(xué)家、董事長胡曉東表示：這輪融資，颶芯科技獲得了國家基金、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方和一線投資機構(gòu)的認可，這是對颶芯科技團隊數(shù)十年如一日，持之以恒，埋頭做事的肯定。這輪融資金額較大，給颶芯科技充足的資金，推動企業(yè)自身的高速發(fā)展，進一步加快氮化鎵激光芯片國產(chǎn)化的進程，實現(xiàn)颶芯科技做實、做好、做大、做強的目標，為國家強盛和社會發(fā)展做出實際貢獻。

颶芯科技創(chuàng)始人、總經(jīng)理宗華表示：本輪融資標志著颶芯科技產(chǎn)業(yè)化進程進入全面加速階段。過去一年，我們的產(chǎn)品在多個應(yīng)用領(lǐng)域成功替代進口，不僅驗證了技術(shù)路線的成熟可靠，更彰顯了團隊將實驗室創(chuàng)新轉(zhuǎn)化為規(guī)模量產(chǎn)的核心能力。依托本土化服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，我們能為客戶提供從產(chǎn)品導(dǎo)入到量產(chǎn)落地的全周期快速響應(yīng)——這種貼身服務(wù)優(yōu)勢是國際廠商難以復(fù)制的。面向未來，颶芯科技將持續(xù)深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，突破更多應(yīng)用領(lǐng)域，加速完成從技術(shù)追趕到產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)的關(guān)鍵跨越。

深創(chuàng)投團隊指出：深創(chuàng)投新材料基金作為國家制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級基金的特定投資載體，肩負著推動我國新材料產(chǎn)業(yè)“鍛長板、補短板”的重要戰(zhàn)略使命。氮化鎵激光芯片及關(guān)鍵材料，長期被海外企業(yè)壟斷，技術(shù)壁壘高，國產(chǎn)替代需求緊迫，是我們的重點關(guān)注領(lǐng)域。颶芯科技核心團隊在氮化鎵領(lǐng)域深耕20余年，技術(shù)底蘊深厚，且率先在國內(nèi)實現(xiàn)氮化鎵激光芯片量產(chǎn)，有力推動了氮化鎵半導(dǎo)體激光器的國產(chǎn)替代進程。深創(chuàng)投新材料基金愿全力支持諸如颶芯科技這樣的優(yōu)秀企業(yè)，持續(xù)為之提供資源與助力，推動產(chǎn)業(yè)升級，為我國新材料產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展貢獻更多力量。

國風投投資方表示：氮化鎵激光芯片是顯示、照明、制造加工等多領(lǐng)域的核心光電器件，具有廣闊的應(yīng)用場景?；谕怀龅募夹g(shù)壁壘和行業(yè)Knowhow，多年來國內(nèi)市場基本被國外企業(yè)所壟斷。颶芯科技作為國內(nèi)氮化鎵激光芯片的技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)，率先實現(xiàn)了大功率氮化鎵激光芯片的批量出貨。國風投基金投資颶芯科技，就是要發(fā)揮國家級基金的引領(lǐng)作用，瞄準我國“卡脖子”技術(shù)薄弱環(huán)節(jié)，堅定不移支持企業(yè)開展關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，努力改變國內(nèi)產(chǎn)業(yè)受制于人的狀況，為提高我國高端光電產(chǎn)業(yè)的自主可控、加快新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展做出應(yīng)有貢獻。

廣發(fā)信德投資方表示：珠三角擁有發(fā)達的電子供應(yīng)鏈，激光芯片終端客戶眾多，這些終端客戶創(chuàng)新不斷，既有存量，又有增量，能提供給國產(chǎn)激光芯片廠商嘗試的機會。颶芯科技的青年創(chuàng)業(yè)團隊學(xué)習(xí)能力極強又深扎一線，能快速捕捉市場機遇，又能打磨出符合客戶需求的產(chǎn)品，八年來帶領(lǐng)颶芯不斷成長，贏得了市場和客戶的信賴與贊譽。我們非?？春蔑Z芯能夠引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展，將來為國家科技自主可控和產(chǎn)業(yè)升級貢獻更大力量。

盛景嘉成投資方表示：盛景嘉成致力于具有頂尖技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化實力的科技企業(yè)投資。氮化鎵激光芯片由于其高技術(shù)壁壘量產(chǎn)難度大，長期被國外企業(yè)壟斷。颶芯科技團隊在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域具有20余年技術(shù)研發(fā)積累，突破了氮化鎵同質(zhì)外延、激光芯片制造關(guān)鍵核心技術(shù)，成功實現(xiàn)大批量出貨，隨著氮化鎵激光器國產(chǎn)替代需求日益迫切，公司業(yè)務(wù)進入快速增長階段。我們堅定看好颶芯科技發(fā)展前景，期待成為全球領(lǐng)先的氮化鎵激光器龍頭企業(yè)。

荷塘創(chuàng)投投資方表示：我們一直關(guān)注氮化鎵激光產(chǎn)業(yè)鏈，并圍繞上下游來布局，颶芯科技作為IDM企業(yè)，創(chuàng)新性地解決了氮化鎵激光芯片國產(chǎn)卡脖子的難題。作為老股東，一路見證公司攻克研發(fā)、工程化難題，并實現(xiàn)了規(guī)?；慨a(chǎn)。此輪融資后，公司將會更上一個臺階，進入新的發(fā)展階段。

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資料顯示，賽英電子是國內(nèi)專業(yè)從事研發(fā)和生產(chǎn)大功率半導(dǎo)體器件用陶瓷管殼系列的企業(yè)，主要產(chǎn)品是晶閘管用陶瓷管殼、平板壓接式IGBT用陶瓷管殼、平底型散熱基板、針齒型散熱基板，是國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省民營科技企業(yè)、無錫市瞪羚企業(yè)。

賽英電子于2025年4月14日登陸新三板，目前屬于基礎(chǔ)層，交易方式為集合競價轉(zhuǎn)讓。6月25日賽英電子發(fā)布公告稱，公司將于6月26日（星期四)開市起停牌，公司披露相關(guān)事項后恢復(fù)轉(zhuǎn)讓交易。停牌原因為：向境內(nèi)證券交易所申請公開發(fā)行股票并上市。

6月27日，賽英電子發(fā)布2024年全年業(yè)績報告。2024年1月1日-2024年12月31日，公司實現(xiàn)營業(yè)收入4.57億元，同比增長42.65%，盈利7390.15萬元，同比增長34.20%，基本每股收益為2.4500元。

業(yè)界表示，賽英電子若成功上市，有望成為北交所功率半導(dǎo)體部件第一股。

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圖片來源：上海證券之星

今年一季度，聞泰科技公司歸母凈利潤2.61億元，同比增長82.29%，其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收37.11億元，同比增長8.40%，凈利潤5.78億元，經(jīng)營性凈利潤同比增長65.14%，毛利率38.32%，同比上升超7個百分點，持續(xù)驗證行業(yè)領(lǐng)先地位與盈利能力。此外，公司經(jīng)營活動現(xiàn)金流量凈額達25.23億元，同比增長29.58%；截至第一季度末，公司現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物余額增加至94.53億元，較去年同期翻倍增長，為半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)能擴張?zhí)峁﹫詫嵸Y金保障。

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)遵循“低壓向高壓，功率向模擬”的產(chǎn)品拓展戰(zhàn)略，模擬芯片研發(fā)加速，同時該公司緊跟AI、機器人趨勢，產(chǎn)品在AI數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器、AIPC/手機中增長較快。在工業(yè)機器人、協(xié)作機器人、家居機器人等領(lǐng)域，公司已積累深厚的客戶資源。依托車規(guī)半導(dǎo)體的高可靠性與安全標準，公司將有望助力更多機器人新興應(yīng)用更廣泛、安全地落地。

供應(yīng)鏈方面，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)具備海內(nèi)外“雙供應(yīng)鏈”，保障產(chǎn)品供應(yīng)穩(wěn)定高效。

產(chǎn)能方面，聞泰科技后端封測廠位于廣東東莞、江蘇無錫（在建）。同時，聞泰科技積極通過外部工廠強化產(chǎn)能布局，由大股東先行代建的臨港 12 吋車規(guī)級晶圓廠已實現(xiàn)車規(guī)級晶圓量產(chǎn)出貨，將成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中國區(qū)產(chǎn)能提升、工藝升級和成本控制的有力支撐，幫助公司在中國區(qū)市場積極開拓市場份額。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計模型”中下載

羅姆介紹，功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。

新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計階段的器件評估與損耗確認的效率。

未來，羅姆將繼續(xù)通過提升仿真技術(shù)，助力實現(xiàn)更高性能以及更高效率的應(yīng)用設(shè)計，為電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的革新貢獻力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：羅姆半導(dǎo)體集團

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售，通過電商平臺均可購買。

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。

在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過載時造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

羅姆介紹，為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對以往MOSFET難以支持的高負載應(yīng)用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。

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新成立的聯(lián)合實驗室將本著優(yōu)勢互補、全面合作、平等互利的原則，整合三家企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的資源與優(yōu)勢，重點開展：功率半導(dǎo)體（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、產(chǎn)品測試、晶圓磨劃等領(lǐng)域合作，為客戶的產(chǎn)品研發(fā)和測試提供更加專業(yè)、完善的技術(shù)服務(wù)。

圖片來源：季豐電子

目前，該聯(lián)合實驗室的各項合作正有序進行中。

資料顯示，#林眾電子?致力于功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)、功率半導(dǎo)體模組研發(fā)與制造。該公司聚焦于工業(yè)自動化、電動汽車和光伏新能源等行業(yè)，服務(wù)于海內(nèi)外客戶超過400家。
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。該公司自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司，擁有一座車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶提供一站式解決方案。

季豐電子是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域，深耕集成電路檢測相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊，分別為基礎(chǔ)實驗室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設(shè)備，可為芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

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