? 搭配芯上印刷技術(shù)，在高精度壓力控制下，使芯片上再印刷成為現(xiàn)實。

? 應(yīng)用產(chǎn)品包括：大功率二極管、MOS 管、DrMOS、多芯 Clip等等。

窄邊印刷

框架類產(chǎn)品通常比較薄且長寬比差異較大，容易產(chǎn)生彎曲變形，形成曲面。當(dāng)選擇窄邊方向進(jìn)行印刷時，刮刀能夠在一定程度上減少因載板或框架本身曲面所導(dǎo)致的印刷不平整問題。因此，在窄邊方向印刷時，刮刀在移動過程中受到曲面的影響相對較小，可以更精準(zhǔn)地將錫膏/銀膠均勻地印刷在焊盤上，使錫膏/銀膠印刷更加平整，適合對貼裝平整度要求高的精密電子封裝。

芯上印刷

芯片級印刷機還配備芯上印刷技術(shù)，通過直接在芯片上刷錫膏/銀膠，能有效避免點膠造成的芯片損傷、溢膠等問題，保證封裝產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。（詳細(xì)信息可關(guān)注下期推文）

適應(yīng)性廣

上下料外掛：芯片級印刷機將上下料結(jié)構(gòu)置于設(shè)備外，方便單機和聯(lián)線

支持3D印刷：芯片級印刷機支持臺階3D印刷，能對框架進(jìn)行逐層疊加，實現(xiàn)更復(fù)雜的焊盤結(jié)構(gòu)印刷。

鋼網(wǎng)裝卸無需調(diào)整：鋼網(wǎng)在進(jìn)行更換后不需要重新調(diào)整參數(shù)，減少不必要的時間浪費，提高生產(chǎn)效率

一致性高

相較于網(wǎng)板印刷，鋼網(wǎng)能夠在印刷過程中發(fā)生微變形以與框架PAD充分貼合，高精度鋼網(wǎng)能確保膠狀和圖案的一致性高。

閉環(huán)壓力

卓興半導(dǎo)體自主研發(fā)閉環(huán)壓力控制系統(tǒng)，確保在不同情況下能精準(zhǔn)的控制刮刀壓力，壓力自適應(yīng)可調(diào)整，使印刷膠點更均勻。

印后檢測

印刷完成后，框架直接進(jìn)入在線 AOI 檢測，實時監(jiān)測印刷后的膠點質(zhì)量，并對鋼網(wǎng)狀態(tài)做出實時評估。

（以上內(nèi)容來源于Asmade卓興半導(dǎo)體）

source：英飛凌

長期以來，英飛凌與美的集團緊密合作，技術(shù)協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級，合作領(lǐng)域不斷拓展，從最初聚焦于家電核心模塊，逐步向智能家居生態(tài)、新能源應(yīng)用等多元場景延伸。

英飛凌提供全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)品，美的則憑借在家電系統(tǒng)集成與場景應(yīng)用方面的深厚積累，將英飛凌的先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)化為貼近消費者需求的產(chǎn)品和解決方案。目前，雙方已實現(xiàn)了從單一功率器件合作拓展至控制器、傳感器等多產(chǎn)品線協(xié)同，共同推動家電行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型。

稍早之前，美的廚熱事業(yè)部與英諾賽科也達(dá)成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。英諾賽科將為美的廚熱提供GaN 功率器件，雙方將在產(chǎn)品開發(fā)、技術(shù)優(yōu)化與市場推廣方面展開深度合作，涉及智能電熱爐、電磁爐等產(chǎn)品。

資料顯示，GaN作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認(rèn)為是未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

4月22日，英飛凌官微宣布推出CoolGaN G5中壓晶體管。據(jù)悉，這是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。

source：英飛凌官微（圖為集成肖特基二極管的CoolGaN G5晶體管）

據(jù)英飛凌介紹，該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。

英飛凌新推出的 CoolGaN G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解功率損耗問題，適用于服務(wù)器和電信中間總線轉(zhuǎn)換器IBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機驅(qū)動等應(yīng)用場景。

此外，采用這種新型CoolGaN 晶體管后，反向傳導(dǎo)損耗降低，能與更多高邊柵極驅(qū)動器兼容，且由于死區(qū)時間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡化設(shè)計。

英諾賽科發(fā)布1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品

4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，官宣其自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品并表示已實現(xiàn)量產(chǎn)。

英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。

此外，憑借寬禁帶特性，該款產(chǎn)品在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢，有助于進(jìn)一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

華潤微電子發(fā)布新SiC主驅(qū)模塊

4月19日，華潤微電子功率器件事業(yè)群推出了1200V 450A/600A的半橋DCM和全橋HPD共四款主驅(qū)模塊。

根據(jù)公司介紹，該系列模塊兼具SiC器件的低導(dǎo)通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能。

source：華潤微電子

華潤微電子新款SiC主驅(qū)模塊采用自主設(shè)計的Si3N4 AMB、銀燒結(jié)、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小。并且集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成；6管/8管并聯(lián)，通過對Vth的嚴(yán)格分檔提高芯片一致性。

派恩杰半導(dǎo)體推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM

4月16日，派恩杰半導(dǎo)體宣布推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM。派恩杰芯片具有較小的RDSON溫漂特性，在其6并聯(lián)的布局設(shè)計，與傳統(tǒng)的8并聯(lián)競品方案實現(xiàn)了相近的功率密度，帶來更高效、更可靠的逆變器解決方案。

派恩杰半導(dǎo)體表示，PAAC12450CM 采用了高度優(yōu)化的HPD布局設(shè)計，從電流均流和寄生電感兩方面提升整體性能，為新能源汽車制造商提供更可靠的選擇。此外，派恩杰的獨特芯片設(shè)計，使得芯片的導(dǎo)通電阻受溫度影響較小，可以有效抑制實際高溫工況下的功率輸出衰減。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

這些IPM改進(jìn)了熱性能、降低了功耗，支持快速開關(guān)速度，非常適用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用，如AI數(shù)據(jù)中心、熱泵、商用暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、伺服電機、機器人、變頻驅(qū)動器（VFD）以及工業(yè)泵和風(fēng)機等應(yīng)用中的電子換向（EC）風(fēng)機。

EliteSiC SPM 31 IPM 與安森美IGBT SPM 31 IPM 產(chǎn)品組合（涵蓋15A至35A的低電流）形成互補，提供從40A到70A的多種額定電流。安森美目前以緊湊的封裝提供業(yè)界領(lǐng)先的廣泛可擴展、靈活的集成功率模塊解決方案。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種驅(qū)動電路和驅(qū)動系統(tǒng)，所述驅(qū)動電路包括：

第一驅(qū)動模塊，所述第一驅(qū)動模塊與功率器件連接；第二驅(qū)動模塊，所述第二驅(qū)動模塊與所述功率器件、所述第一驅(qū)動模塊連接；控制模塊，所述控制模塊與所述第一驅(qū)動模塊、所述第二驅(qū)動模塊連接，所述控制模塊用于在電池荷電狀態(tài)大于預(yù)設(shè)閾值時，控制所述第一驅(qū)動模塊導(dǎo)通以驅(qū)動所述功率器件動作，以及在電池荷電狀態(tài)小于或等于預(yù)設(shè)閾值時，控制所述第一驅(qū)動模塊和所述第二驅(qū)動模塊同時導(dǎo)通以驅(qū)動所述功率器件動作。采用該驅(qū)動回路可以在避免電壓過沖/電磁干擾的同時，能夠有效加快功率器件開關(guān)速度，降低功率器件的開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

近期，市場傳出元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司在氮化鎵領(lǐng)域的新動態(tài)。

元芯推出高性能氮化鎵功率器件

近日，元芯半導(dǎo)體正式發(fā)布全新一代集成化GaN功率芯片ezGaN系列，采用全集成設(shè)計，將高壓GaN晶體管、智能驅(qū)動電路、多重保護(hù)功能（過壓/過流/過溫）及無損電流監(jiān)測模塊整合于單一封裝內(nèi)。

上述產(chǎn)品具備如下特點：精準(zhǔn)無損電流采樣；超寬范圍VCC供電 （5V to 40V）；可配置驅(qū)動速度，優(yōu)化EMI設(shè)計；超短驅(qū)動延時（5ns)；超短有效PWM脈寬（1.4ns)；支持更高頻率工作(50MHz)；集成溫度采樣和過溫保護(hù)；200V/ns dv/dt耐受能力。

‍資料顯示，元芯半導(dǎo)體以高性能高可靠性模擬芯片解決方案和第三代半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)為核心，面向光伏儲能、電動汽車、數(shù)據(jù)中心、5G通訊等領(lǐng)域，提供硅基高性能模擬芯片和第三代半導(dǎo)體功率芯片一站式系統(tǒng)整體解決方案，推動低能耗高性能高可靠性功率電子技術(shù)的發(fā)展以滿足節(jié)能減碳的迫切需求。

比亞迪&大疆：車載無人機采用氮化鎵技術(shù)

近期，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無人機系統(tǒng)——靈鳶。

靈鳶系統(tǒng)采用雙側(cè)對夾式100W快充模塊，采用氮化鎵材料將充電效率提升至94%，-30℃低溫環(huán)境下仍可30分鐘補電60%。

這不是大疆無人家首次采用氮化鎵技術(shù)，去年7月，大疆發(fā)布了電助力山地車 Amflow PL、Avinox 電助力系統(tǒng)兩大產(chǎn)品，后者就支持氮氮化鎵3倍快充技術(shù)，其采用的12A/508W 快充充電器的充電速度是 4A/168W普通充電器的 3 倍，800瓦時電池電量從0%充到75%僅需約1.5小時。

貝爾金發(fā)布11合1 Pro GaN擴展塢

近期，貝爾金（Belkin）推出升級版移動電源、頭戴式耳機以及11 合 1 Pro GaN 擴展塢等多款新品。

這款擴展塢內(nèi)置電源適配器，供電方面，僅需一根電源線連接插座。該擴展塢最大供電功率150W，單個USB-C端口支持96W，滿足16英寸MacBook Pro 需求，此外提供7.5W、15W和20W充電端口，適用于iPhone、iPad等設(shè)備。

同時，該款擴展塢配備 11 個端口，包括10Gb/s USB-A、10Gb/s USB-C、5Gb/s USB-C、96W PD USB-C、3.5mm音頻輸入/輸出、SD卡槽、micro SD卡槽、兩個HDMI 2.0端口和千兆以太網(wǎng)端口。

賽微電子：氮化鎵芯片處于工藝開發(fā)階段

近期，賽微電子在投資者互動平臺透露了相關(guān)產(chǎn)線進(jìn)展情況，其表示：

深圳產(chǎn)線的相關(guān)工作正在開展中；MEMS先進(jìn)封裝測試業(yè)務(wù)目前仍處于建設(shè)階段。

在試驗線層面，截至目前已在公司MEMS基地（北京FAB3）建成并運營，與客戶需求對接、工藝技術(shù)開發(fā)、部分產(chǎn)品試制等相關(guān)活動已在公司現(xiàn)有條件下展開，工藝技術(shù)團隊搭建持續(xù)進(jìn)行，與項目相關(guān)的設(shè)備采購已大規(guī)模實施，該項目實施主體賽積國際目前已在公司控股子公司賽萊克斯北京MEMS基地內(nèi)租賃部分空間并建成一條小規(guī)模試驗線。

在商業(yè)線層面，基于產(chǎn)線選址、資源要素、發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃等方面的考量，公司仍在謹(jǐn)慎商討決策具體建設(shè)方案，有可能是在現(xiàn)有廠房中推進(jìn)建設(shè)；基于MEMS工藝的氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段，還需要時間；公司已持續(xù)開發(fā)、量產(chǎn)各自不同型號類別的濾波器；公司與武漢敏聲保持長期、穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體flora整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：巴中經(jīng)開區(qū)

據(jù)項目負(fù)責(zé)人介紹，第一批58臺設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機設(shè)備，用于芯片生產(chǎn)的粘片工序，預(yù)計在下周還將到達(dá)第二批設(shè)備，主要是焊線、塑封、測試等設(shè)備，整線設(shè)備到達(dá)后將進(jìn)行安裝調(diào)試。

據(jù)悉，該項目由四川深矽微科技有限公司投資建設(shè)，計劃總投資3億元，分兩期建設(shè)，一期使用巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期標(biāo)準(zhǔn)化廠房6000平方米，主要建設(shè)車規(guī)級功率器件以及部分芯片級封裝生產(chǎn)線；二期入駐巴中低空經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園，使用廠房2萬平方米，建設(shè)高密度封裝生產(chǎn)線、設(shè)計開發(fā)高密度模具和引線框架生產(chǎn)基地。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：長飛先進(jìn)

據(jù)悉，長飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設(shè)計、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。

日前，長飛先進(jìn)的晶圓廠、封測廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓已實現(xiàn)封頂。

據(jù)介紹，10月開始，長飛先進(jìn)武漢基地將迎來首批設(shè)備搬入，并于2025年6月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域。

長飛先進(jìn)專注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

目前，長飛先進(jìn)產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD，應(yīng)用于車載主驅(qū)、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場景。長飛先進(jìn)目前晶圓代工產(chǎn)品超過50款，自營產(chǎn)品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開始導(dǎo)入市場，面向車載主驅(qū)逆變器應(yīng)用場景。（來源：集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

項目方面，捷捷微電另外一個功率器件項目近期也傳出新進(jìn)展。上個月?lián)蹎|消息，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目廠房已封頂，正在進(jìn)行玻璃幕墻施工。

據(jù)悉，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測項目于2023年初開工，建設(shè)期在2年左右。該項目總投資為133395.95萬元，總建筑面積16.2萬平方米，擬投入募集資金119500萬元，主要從事車規(guī)級大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，建設(shè)完成后可達(dá)年產(chǎn)1900kk車規(guī)級大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

捷捷微電是集功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、新型元件的芯片研發(fā)和制造、器件研發(fā)和封測、芯片及器件銷售和服務(wù)為一體的功率（電力）半導(dǎo)體器件制造商和品牌運營商，其在研產(chǎn)品涵蓋SiC、GaN功率器件。

捷捷微電近日在投資者調(diào)研活動中透露，其與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截至2024年第一季度末，其擁有SiC和GaN相關(guān)實用新型專利6件，發(fā)明專利1件；此外，捷捷微電還有10個發(fā)明專利尚在申請受理中。其目前有少量SiC器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖源：拍信網(wǎng)正版圖庫

先越光電半導(dǎo)體器件模組產(chǎn)業(yè)化項目落戶重慶萬州

1月13日，在重慶市2024年一季度重點制造業(yè)開工項目現(xiàn)場推進(jìn)會萬州區(qū)分現(xiàn)場，集中開工項目11個，總投資81.5億元。其中包括總投資9億元的半導(dǎo)體器件模組產(chǎn)業(yè)化項目，將建設(shè)集材料、芯片、器件、模組于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)悉，該項目由重慶先越光電科技有限公司（以下簡稱先越光電）投資建設(shè)，將在萬州經(jīng)開區(qū)高峰園建設(shè)半導(dǎo)體器件模組生產(chǎn)線。項目建成投產(chǎn)后可形成年生產(chǎn)激光器封裝0.5億顆、模塊產(chǎn)品2500萬個產(chǎn)能。

資料顯示，先越光電成立于2023年7月，注冊資本1億人民幣，經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、銷售，半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、銷售等。股東信息顯示，先越光電是廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司（以下簡稱先導(dǎo)稀材）全資子公司。

先導(dǎo)稀材成立于2023年6月，是一家專業(yè)從事稀有金屬及其高端材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和回收服務(wù)的材料技術(shù)企業(yè)。成立至今，先導(dǎo)稀材已完成三輪融資，投資方包括誠信創(chuàng)投、浙江創(chuàng)新產(chǎn)投、中科科創(chuàng)、中科招商、廣發(fā)信德、凱泰資本、廣發(fā)乾和等。

總投資38億元，大江半導(dǎo)體新建SiC項目

近日，浙江省發(fā)改委官網(wǎng)公示，2024年度浙江省重大產(chǎn)業(yè)項目擬新增1個SiC項目，總投資38億元，共計建筑面積77745.78平米。法人名稱為杭州大江半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱大江半導(dǎo)體）。

另外根據(jù)杭州規(guī)劃和自然資源局官網(wǎng)公布的《蕭政工出〔2023〕30號功率器件封裝模塊制造項目環(huán)境影響報告表》內(nèi)容指出，該項目計劃生產(chǎn)SiC功率模塊。項目建成后，具有年產(chǎn)SiC功率模塊240萬個。據(jù)悉，該項目施工工期20個月，目前尚未開工建設(shè)。

資料顯示，大江半導(dǎo)體成立于2022年9月，注冊資本5000萬人民幣，經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、銷售等。

總投資10億元，瑞普智能功率半導(dǎo)體項目簽約

1月10日，中晟芯泰航空工業(yè)制造集團有限公司（以下簡稱中晟芯泰）與江西瑞普智能科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司（以下簡稱瑞普智能）共同在廣東東莞舉辦瑞普智能功率半導(dǎo)體模組制造項目投資合作簽約儀式，正式達(dá)成半導(dǎo)體項目投資合作。

據(jù)悉，瑞普智能功率半導(dǎo)體模組制造項目于2023年立項，總投資規(guī)模為10億元人民幣，項目用地80.2畝，預(yù)計建設(shè)廠房5棟共75000平米，研發(fā)樓1棟共5000平米，主要從事IGBT功率半導(dǎo)體模組生產(chǎn)項目。

資料顯示，瑞普智能成立于2021年12月，注冊資本2000萬人民幣。股東信息顯示，瑞普智能為中晟芯泰全資子公司。中晟芯泰成立于2023年2月，注冊資本1.3億人民幣，該公司經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、電子元器件制造等。

值得一提的是，2022年8月，瑞普智能與北京中科威集成電路科技公司在江蘇如東簽署江蘇中科威集成電路有限公司股權(quán)收購協(xié)議。

據(jù)介紹，隨著本次收購協(xié)議的簽署，瑞普智能不僅擁有了氮化鎵（GaN）襯底生產(chǎn)技術(shù)，同時還擁有外延片、半導(dǎo)體晶體材料流片及光刻技術(shù)，以及封測和IGBT技術(shù)，本次收購?fù)瓿珊?，瑞普智能不僅擁有了流片生產(chǎn)線，同時還有多臺光刻機和200多臺封測設(shè)備。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。