source：長飛先進

據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設施等。

日前，長飛先進的晶圓廠、封測廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓已實現(xiàn)封頂。

據(jù)介紹，10月開始，長飛先進武漢基地將迎來首批設備搬入，并于2025年6月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光儲充等領域。

長飛先進專注于SiC功率半導體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術研發(fā)能力。

目前，長飛先進產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD，應用于車載主驅(qū)、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場景。長飛先進目前晶圓代工產(chǎn)品超過50款，自營產(chǎn)品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開始導入市場，面向車載主驅(qū)逆變器應用場景。（來源：集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

項目方面，捷捷微電另外一個功率器件項目近期也傳出新進展。上個月?lián)蹎|消息，捷捷微電功率半導體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化建設項目廠房已封頂，正在進行玻璃幕墻施工。

據(jù)悉，捷捷微電功率半導體“車規(guī)級”封測項目于2023年初開工，建設期在2年左右。該項目總投資為133395.95萬元，總建筑面積16.2萬平方米，擬投入募集資金119500萬元，主要從事車規(guī)級大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，建設完成后可達年產(chǎn)1900kk車規(guī)級大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

捷捷微電是集功率半導體器件、功率集成電路、新型元件的芯片研發(fā)和制造、器件研發(fā)和封測、芯片及器件銷售和服務為一體的功率（電力）半導體器件制造商和品牌運營商，其在研產(chǎn)品涵蓋SiC、GaN功率器件。

捷捷微電近日在投資者調(diào)研活動中透露，其與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，截至2024年第一季度末，其擁有SiC和GaN相關實用新型專利6件，發(fā)明專利1件；此外，捷捷微電還有10個發(fā)明專利尚在申請受理中。其目前有少量SiC器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進過程中，尚未進入量產(chǎn)階段。（集邦化合物半導體Zac整理）

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圖源：拍信網(wǎng)正版圖庫

先越光電半導體器件模組產(chǎn)業(yè)化項目落戶重慶萬州

1月13日，在重慶市2024年一季度重點制造業(yè)開工項目現(xiàn)場推進會萬州區(qū)分現(xiàn)場，集中開工項目11個，總投資81.5億元。其中包括總投資9億元的半導體器件模組產(chǎn)業(yè)化項目，將建設集材料、芯片、器件、模組于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈化合物半導體產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)悉，該項目由重慶先越光電科技有限公司（以下簡稱先越光電）投資建設，將在萬州經(jīng)開區(qū)高峰園建設半導體器件模組生產(chǎn)線。項目建成投產(chǎn)后可形成年生產(chǎn)激光器封裝0.5億顆、模塊產(chǎn)品2500萬個產(chǎn)能。

資料顯示，先越光電成立于2023年7月，注冊資本1億人民幣，經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造、銷售，半導體器件專用設備制造、銷售等。股東信息顯示，先越光電是廣東先導稀材股份有限公司（以下簡稱先導稀材）全資子公司。

先導稀材成立于2023年6月，是一家專業(yè)從事稀有金屬及其高端材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和回收服務的材料技術企業(yè)。成立至今，先導稀材已完成三輪融資，投資方包括誠信創(chuàng)投、浙江創(chuàng)新產(chǎn)投、中科科創(chuàng)、中科招商、廣發(fā)信德、凱泰資本、廣發(fā)乾和等。

總投資38億元，大江半導體新建SiC項目

近日，浙江省發(fā)改委官網(wǎng)公示，2024年度浙江省重大產(chǎn)業(yè)項目擬新增1個SiC項目，總投資38億元，共計建筑面積77745.78平米。法人名稱為杭州大江半導體有限公司（以下簡稱大江半導體）。

另外根據(jù)杭州規(guī)劃和自然資源局官網(wǎng)公布的《蕭政工出〔2023〕30號功率器件封裝模塊制造項目環(huán)境影響報告表》內(nèi)容指出，該項目計劃生產(chǎn)SiC功率模塊。項目建成后，具有年產(chǎn)SiC功率模塊240萬個。據(jù)悉，該項目施工工期20個月，目前尚未開工建設。

資料顯示，大江半導體成立于2022年9月，注冊資本5000萬人民幣，經(jīng)營范圍含半導體器件專用設備制造、銷售等。

總投資10億元，瑞普智能功率半導體項目簽約

1月10日，中晟芯泰航空工業(yè)制造集團有限公司（以下簡稱中晟芯泰）與江西瑞普智能科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司（以下簡稱瑞普智能）共同在廣東東莞舉辦瑞普智能功率半導體模組制造項目投資合作簽約儀式，正式達成半導體項目投資合作。

據(jù)悉，瑞普智能功率半導體模組制造項目于2023年立項，總投資規(guī)模為10億元人民幣，項目用地80.2畝，預計建設廠房5棟共75000平米，研發(fā)樓1棟共5000平米，主要從事IGBT功率半導體模組生產(chǎn)項目。

資料顯示，瑞普智能成立于2021年12月，注冊資本2000萬人民幣。股東信息顯示，瑞普智能為中晟芯泰全資子公司。中晟芯泰成立于2023年2月，注冊資本1.3億人民幣，該公司經(jīng)營范圍含半導體器件專用設備制造、電子元器件制造等。

值得一提的是，2022年8月，瑞普智能與北京中科威集成電路科技公司在江蘇如東簽署江蘇中科威集成電路有限公司股權收購協(xié)議。

據(jù)介紹，隨著本次收購協(xié)議的簽署，瑞普智能不僅擁有了氮化鎵（GaN）襯底生產(chǎn)技術，同時還擁有外延片、半導體晶體材料流片及光刻技術，以及封測和IGBT技術，本次收購完成后，瑞普智能不僅擁有了流片生產(chǎn)線，同時還有多臺光刻機和200多臺封測設備。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)了解，該項目總投資100億元，用地417畝，項目建設年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。

資料顯示，比亞迪半導體主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導體、制造及服務，公司以車規(guī)級半導體為核心，產(chǎn)品已基本覆蓋新能源汽車核心應用領域，同時也廣泛應用于工業(yè)、家電、新能源、消費電子等應用領域。

作為比亞迪集團控股子公司，比亞迪半導體大舉投資擴產(chǎn)的推動力之一便是比亞迪新能源汽車業(yè)務的迅猛發(fā)展。今年11月24日，比亞迪第600萬輛新能源汽車在鄭州工廠下線，比亞迪表示，從“第500萬輛”到“第600萬輛”僅用時3個多月。據(jù)比亞迪董事長王傳福此前介紹，由于集團業(yè)務快速增長，需求量巨大，使得比亞迪半導體對集團的半導體銷售比例較大。

比亞迪半導體不斷提升產(chǎn)能，以保障對比亞迪集團新能源汽車半導體功率器件的充足供應，同時，有利于在未來搶食市場紅利。

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據(jù)三安光電今年8月預測,2025年SiC預計存在約400萬片產(chǎn)能缺口。而SiC是800V高壓快充標配，已有小鵬G6、極氪X、智己LS6等多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市，未來仍將有同價格段車型如極氪007等上市，SiC上車已是大勢所趨。更早、更多的產(chǎn)能布局，有助于公司未來在新能源車企SiC器件需求爭奪戰(zhàn)中占據(jù)優(yōu)勢地位，收獲更多業(yè)績增量。

目前，半導體功率器件知名廠商已成為新能源車企眼中的“香餑餑”，攜手合作成為常態(tài)。其中，吉利牽手積塔半導體與華潤微，上汽與英飛凌，東風公司與株洲中車時代，理想汽車與三安半導體，長城與同光半導體等,均通過戰(zhàn)略合作方式，推動車規(guī)級SiC MOSFET等相關產(chǎn)品落地。

與此同時，還有自研這條路可以走，一定程度上能夠降低車企在技術和產(chǎn)品上受制于人的風險，只不過需要雄厚的資金支持，并非所有的車企都具備這樣的實力，目前這條路上僅有比亞迪、吉利、長城等少數(shù)玩家。得益于比亞迪新能源汽車產(chǎn)銷不斷創(chuàng)記錄，比亞迪半導體獲得源源不斷的資金支持，保證了擴產(chǎn)和研發(fā)的穩(wěn)步進行。

王傳福今年曾表示，比亞迪半導體去年11月終止IPO進程的原因之一是獨立性變?nèi)酢ｋS著比亞迪半導體功率器件項目達產(chǎn)以及其它新項目陸續(xù)上馬，比亞迪半導體有望拓展更多車企用戶、占據(jù)更大市場份額，獨立性隨之增強，重啟IPO進程也就水到渠成。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)矽力杰介紹，寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導體的器件與電源管理技術，建設貫通“器件-封裝測試-電源變換裝備”的完善技術鏈及產(chǎn)業(yè)應用體系，重點建設突破一維電阻極限的碳化硅（SiC）單極型器件技術，聚焦寬禁帶器件先進封裝測試技術的高效率、高密度電源變換技術和產(chǎn)業(yè)化三大重點方向。

資料顯示，物質(zhì)導電需要有自由電子或者空穴存在，自由電子存在的能帶稱作導帶，空穴存在的能帶稱作價帶。被束縛的電子要想成為自由電子或空穴，必須獲得足夠能量從價帶躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。

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寬禁帶半導體是指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，而當前主流的半導體材料硅的禁帶寬度大約是1.12eV。寬禁帶半導體以碳化硅、氮化鎵（GaN）為代表，因其禁帶寬度大、電子遷移率高等物理特性，廣泛應用于移動通信、汽車電子、光伏儲能以及光電領域。

隨著終端電力電子產(chǎn)品的迭代升級，傳統(tǒng)硅基元件已無法滿足高功率、高壓場景需求，碳化硅、氮化鎵器件因其在高溫、高壓、高頻應用領域的顯著優(yōu)勢，市場需求持續(xù)上漲。

據(jù)TrendForce研究，2022年全球碳化硅功率市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達到53.3億美元，CAGR達35%；2022年全球氮化鎵功率市場規(guī)模約1.8億美元，至2026年可達13.3億美元，CAGR達65%。

值得一提的是，矽力杰自主研發(fā)了集成度更高的合封氮化鎵芯片，將控制器與氮化鎵器件集成，包含驅(qū)動、保護等功能，支持QR/DCM模式。在傳統(tǒng)初級電路中兩三顆芯片才能實現(xiàn)的功能，通過采用矽力杰合封方案，僅由一顆芯片就能完成，不僅能夠簡化設計，還可以提升整體方案性能，也能減少PCB板的用量，縮小尺寸并減少物料成本。（化合物半導體市場Zac整理）

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此外，重慶12英寸產(chǎn)線聚焦功率器件，產(chǎn)品主要是MOSFET和IGBT等，其中MOSFET重點布局中低壓先進溝槽MOS及高壓超結MOS，目前產(chǎn)品驗證速度和產(chǎn)品爬坡進度按計劃進行。預計年底產(chǎn)能達到2萬片，爭取達到2.5萬片，明年預計產(chǎn)能達到3萬片，爭取達到3.5萬片。

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華潤微還表示，公司第三代寬禁帶半導體碳化硅和氮化鎵均規(guī)模上量，今年上半年碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品銷售收入同比增長約3.6倍，預計下半年的增速會繼續(xù)提高。下游應用方面，碳化硅產(chǎn)品主要應用于汽車電子、充電樁、工業(yè)電源、光伏、儲能等，SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊產(chǎn)品均有進入汽車電子應用。（文：全球半導體觀察）

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該生產(chǎn)線的安裝目標是到2025財年將公司硅功率半導體晶圓工藝的產(chǎn)能較2020財年翻一番。計劃于2024年開始量產(chǎn)，目前已確認使用同一生產(chǎn)線制造的晶圓的功率半導體芯片原型已經(jīng)過評估，并已達到設計的性能。

在全球脫碳、數(shù)字化趨勢下，功率半導體需求逐年上升，需要穩(wěn)定的供應。在該公司之前，海外公司已經(jīng)在推廣300mm功率半導體，除該公司之外的國內(nèi)公司也在效仿。該公司還表示，基于該生產(chǎn)線的安裝，將通過增加功率半導體的產(chǎn)能并為市場提供穩(wěn)定的供應，為實現(xiàn)脫碳社會做出貢獻。

三菱的功率器件野心

三菱電機于 2021 年 11 月 9 日舉行了功率器件業(yè)務的業(yè)務幫助會，并宣布將在未來五年內(nèi)向功率半導體業(yè)務投資 1300 億日元，直至 2025 年。該公司計劃在福山工廠（廣島縣福山市）新建一條 12 英寸（300 毫米）晶圓生產(chǎn)線，并計劃到 2025 年將其產(chǎn)能比 2020 年翻一番。

據(jù)該公司稱，由于汽車自動化、消費設備逆變器的進步和工業(yè)/可再生能源的節(jié)能需求，功率器件市場在2020年到2025年之間將以12%的復合年增長率（CAGR）增長。而電氣化鐵路的發(fā)展，以及自動化的進步。預計會以速度擴大。

三菱電機將公司功率器件業(yè)務的目標設定為——到2025年銷售額2400億日元以上、營業(yè)利潤率10%以上。為實現(xiàn)目標，三菱電機將重點關注增長預期較高的汽車領域和公司市場占有率較高的消費領域，兩個領域按領域銷售的比例將從2020年的 50%提升到到2025年的65% 。

三菱電機還表示還表示，與 2020 年相比，公司計劃到 2025 年將晶圓制造（前道處理）的產(chǎn)能翻一番。封裝和檢測環(huán)節(jié)（后道工序）也將“及時、適當?shù)赝度搿币詽M足未來的需求。按照三菱電機的計劃，公司在未來五年（至2025年）的投資規(guī)模約為1300億日元。

這項投資的一個典型例子是在福山工廠建設 8 英寸（200 毫米）和 12 英寸生產(chǎn)線。8英寸生產(chǎn)線將于2021年11月開始試運行，并計劃于2022年春季開始量產(chǎn)。12英寸線的量產(chǎn)目標是2024年。

新的12英寸生產(chǎn)線具有通過增加硅片直徑和通過自動化提高生產(chǎn)力的優(yōu)勢，以及通過在內(nèi)部增加載流子存儲層實現(xiàn)低損耗的獨特“CSTBT cell結構”晶圓。通過這種改進，三菱電機希望能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗和提高生產(chǎn)率，三菱電機也將把它應用到 RC-IGBT 上，以實現(xiàn)其產(chǎn)品的差異化，而汽車領域和消費領域?qū)⑹枪具@些產(chǎn)品的首個目標市場。

三菱電機同時表示，公司也在加強對 SiC 的努力，它具有從大型電動汽車擴展到中型電動汽車的潛力。除了將獨特的制造工藝應用于溝槽 MOSFET 以進一步提高性能和生產(chǎn)力之外，該公司還考慮制造 8 英寸Si晶圓。

該公司表示，“我們將根據(jù)客戶的需求適當?shù)厥褂霉韬?SiC 來加強我們的業(yè)務。通過提供集成了硅芯片 / SiC 芯片的模塊陣容，我們將滿足從小到大客戶的多樣化需求。”三菱解釋說。

2023年將有13座新300毫米晶圓廠投產(chǎn)

據(jù) Knometa Research 稱，截至 2022 年底，有 167 家半導體工廠加工 300 毫米晶圓，用于制造 IC，包括 CMOS 圖像傳感器和功率分立器件等非 IC 產(chǎn)品。

盡管半導體市場持續(xù)低迷，但2023年仍有13座新的300毫米晶圓廠投產(chǎn)。這些新晶圓廠主要用于功率晶體管、先進邏輯和代工服務的生產(chǎn)。

根據(jù)截至 2022 年末的建設計劃，15 座 300 毫米晶圓廠將于 2024 年投產(chǎn)，其中 13 座用于生產(chǎn) IC。預計 2025 年開設的晶圓廠數(shù)量將創(chuàng)歷史新高，其中 17 座工廠計劃開始生產(chǎn)。由于2023年支出削減，一些原定于2024年開業(yè)的晶圓廠可能會推遲到2025年。到2027年，運營中的300毫米晶圓廠數(shù)量將超過230座。

越來越多的 300 毫米晶圓廠正在建設中，用于制造非 IC 器件，尤其是功率晶體管。在大晶圓上處理芯片的制造成本優(yōu)勢對于以大芯片尺寸和高產(chǎn)量為特征的設備類型會發(fā)揮作用。具有這些特性的集成電路的示例包括 DRAM、閃存、圖像傳感器、復雜邏輯和微組件 IC、PMIC、基帶處理器、音頻編解碼器和顯示驅(qū)動器。雖然與這些 IC 的芯片尺寸相比，大尺寸功率晶體管仍然很小，但它們的出貨量很大，并且足夠大，足以使 300mm 晶圓廠保持在具有成本效益的生產(chǎn)水平。

在2023年開業(yè)的13座300毫米晶圓廠中，有5座專注于非IC產(chǎn)品的生產(chǎn)，其中3座位于中國，2座位于日本。

今年新開業(yè)的 300 毫米晶圓廠中有三分之二用于代工服務，其中四家完全致力于為其他公司提供代工半導體制造服務。

ST 建立了兩個獨立的合作伙伴關系，以在法國克羅爾和意大利阿格拉特的現(xiàn)有工廠增加新的 300mm 晶圓廠產(chǎn)能。在克羅爾斯，意法半導體正在與 GlobalFoundries 合作，增加先進邏輯和代工服務的新產(chǎn)能。在 Agrate，ST 和 Tower Semiconductor 正在增加混合信號、電源、射頻和代工服務的產(chǎn)能。

當前市場萎縮帶來的大部分痛苦都體現(xiàn)在存儲芯片領域。毫不奇怪，2023 年沒有新的 300mm 晶圓廠用于內(nèi)存開放。（文：半導體行業(yè)觀察編譯自mynavi）

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項目分為兩期，此次封頂?shù)氖且黄陧椖浚顿Y約24億元，計劃2023年8月投產(chǎn)，實現(xiàn)月產(chǎn)2萬片8英寸晶圓的生產(chǎn)能力。二期將在2024年中旬開工建設，兩期項目總投資達50億元，全部達成后將實現(xiàn)年產(chǎn)72萬片8英寸功率器件芯片，產(chǎn)值達60億元。2022年8月13日，項目舉行開工奠基儀式。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

麗水經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)消息稱，浙江省政府已經(jīng)把麗水半導體產(chǎn)業(yè)納入全省規(guī)劃，麗水將重點打造集成電路關鍵材料和功率器件生產(chǎn)基地。

旺榮半導體8英寸功率器件項目采用當今先進的新型電力電子器件生產(chǎn)設備，工藝技術方面具有成熟的高電壓、大電流MOSFET產(chǎn)業(yè)化技術和Trench溝槽工藝，打破了國外芯片廠商在該領域的壟斷。

據(jù)介紹，截至目前，麗水經(jīng)開區(qū)已經(jīng)招引了中欣晶圓、晶睿電子、東旭高端光電、江豐電子、玨芯微電子等半導體項目和科研機構。（文：拓墣產(chǎn)業(yè)研究）

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報導引用知情人士的說法指出，三星電子近期在韓國、美國舉辦的“2023三星晶圓代工論壇”活動宣布，將在2025年起，為消費級、資料中心和汽車應用提供8寸氮化鎵晶圓代工服務。

據(jù)悉，氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優(yōu)勢，可以滿足各種應用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求。當前，氮化鎵的應用已經(jīng)不再局限于快充等消費電子市場，而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場持續(xù)推進。

據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導體市場分析報告 – Part1》顯示，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金，復合增長率高達65%。

面對強大的市場需求，眾多半導體廠商開始擴充生產(chǎn)線，布局氮化鎵市場。

國際廠商方面：

英飛凌已經(jīng)宣布8.3億美元收購GaN Systems，并斥資20億歐元對碳化硅和氮化鎵進行擴產(chǎn)；DB Hi-Tech的目標是在2024年完成氮化鎵產(chǎn)品的開發(fā)，2025年開始商業(yè)化生產(chǎn)；BelGaN通過收購Onsemi位于比利時的6英寸晶圓廠，計劃將其改造成氮化鎵代工廠…

國內(nèi)企業(yè)方面：

三安光電、華潤微、英諾賽科、賽微電子、珠海鎵未來等廠商也在馬不停蹄地加速布局氮化鎵并推進產(chǎn)品落地和商用。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

低調(diào)卻“吸金”

雖然沒有碳化硅那么火爆，但氮化鎵的吸金程度也毫不遜色。據(jù)筆者不完全統(tǒng)計，除了國外的ST、英飛凌和PI等企業(yè)一馬當先以外，國內(nèi)的英諾賽科和納微也發(fā)展迅猛，到這也擋不住氮化鎵的發(fā)展浪潮。

據(jù)不完全統(tǒng)計，2021年國內(nèi)超9家氮化鎵相關企業(yè)獲得了超12輪的融資，其中禹創(chuàng)半導體、鎵未來、能華微電子等3家企業(yè)都完成了2輪融資，從透露的投資額來看，芯元基完成了逾億元B輪；南芯半導體完成了近3億元D輪融資；能華微電子則是完成了數(shù)億元C輪。此外，2021年封測巨頭晶方科技入局氮化鎵，投資了以色列VisIC Technologies Ltd．，環(huán)旭電子也宣布投資氮化鎵系統(tǒng)有限公司，加碼功率電子戰(zhàn)略。

吸金能力的背后，是氮化鎵強大的潛力。同為第三代半導體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度高和抗輻射能力強等特點展現(xiàn)了它的優(yōu)越性。據(jù)Yole Developpement發(fā)布的GaN Power 2021報告預期，到2026年GaN功率市場規(guī)模預計會達到11億美元。

說到GaN功率器件，當前人們的第一反應可能就是快充。從小米開局到蘋果入局，氮化鎵快充市場爆點不斷。2021年10月，蘋果推出了旗下首款氮化鎵技術充電器，并在全球范圍內(nèi)率先支持USB PD3.1快充標準，一舉刷新了USB PD充電器單口輸出最高功率，達到140W。相比傳統(tǒng)硅器件，氮化鎵快充能夠顯著提升充電速度，并降低系統(tǒng)待機狀態(tài)的電量消耗，在這個萬事都離不開手機的時代，完美地滿足了人們“充電2分鐘，通話兩小時”的需求。當然，除了手機以外，平板、游戲機等也將追求輕量化，這也給氮化鎵快充帶來了不小的市場。

但需要注意的是，氮化鎵的應用領域遠不止消費電子領域。據(jù)普華有策統(tǒng)計，氮化鎵通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領域，微波射頻方向包含了 5G 通信、雷達預警、衛(wèi)星通訊等；電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等；光電子方向則包括了 LED、激光器、光電探測器等。

而其中，5G 通信與新能源汽車也將成為氮化鎵未來重點投入的方向。隨著汽車電動化、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)市場的不斷增長，在小尺寸封裝強大性能的加持下，GaN再次成為關注的焦點。在5G通信領域，GaN可以縮小 5G 天線的尺寸和重量，又能滿足嚴格的熱規(guī)范，所以適合毫米波領域所需的高頻和寬帶寬。在目前正熱的汽車電子市場，氮化鎵也可以將汽車的車載充電器（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器做得更小更輕，從而有空間放入更多的鋰電池，提升整車續(xù)航里程。

Yole更是預測，從2022年開始預計氮化鎵以小量滲透到OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應用中。因此到2026年，汽車和移動市場價值將超過1.55億美元，年復合成長率達185%。

產(chǎn)業(yè)鏈格局

上游主要包括襯底與外延片的制備。襯底的選擇對于器件性能起關鍵作用，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底是GaN器件降低成本的突破口。

襯底

目前市場上GaN晶體管主流的襯底材料為藍寶石、SiC和Si，GaN襯底由于工藝、成本問題尚未得到大規(guī)模商用。藍寶石襯底一般用于制造藍光LED，通常采用MOCVD法外延生長GaN。

GaN襯底目前仍然以2-4英寸為主，外延片6英寸開始商用，8英寸已試制成功。材料尺寸的增加將帶來更大產(chǎn)能和更低成本。

市場格局方面來看，海外主要廠商包括日本住友電工、日本三菱化學、日本住友化學等，三家日本廠商合計占比超過85%。

國內(nèi)目前實現(xiàn)GaN襯底產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)主要有蘇州納維、中鎵半導等公司。其中，蘇州納維目前已可以實現(xiàn)2英寸GaN單晶的量產(chǎn)，并完成了4英寸和6英寸GaN單晶襯底關鍵技術的研發(fā)。中鎵半導已建成國內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線，可制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。

外延

由于制備GaN 的單晶材料無法從自然界中直接獲取所以GaN的主要制備方法是在藍寶石、SiC、Si 等異質(zhì)襯底上進行外延。GaN自支撐襯底在激光器上的應用可獲得更高的發(fā)光效率品質(zhì)。

國內(nèi)目前布局GaN外延的企業(yè)主要有蘇州晶湛、聚能晶源等公司。

其中，蘇州晶湛擬投資2.8億元進行氮化鎵外延片異地擴建項目，預計2023年建成投產(chǎn)，可實現(xiàn)年產(chǎn)氮化鎵外延片24萬片，同時擬投資1000萬元進行原廠擴產(chǎn)，建成后，預計年新增氮化鎵外延片1萬片，其中6英寸和8英寸氮化鎵外延片年產(chǎn)能分別新增5000片。

聚能晶源已掌握業(yè)界領先的8英寸GaN-on-Si、6英寸GaN-on-SiC外延技術，可以為客戶提供符合業(yè)界標準的高性能GaN外延晶圓產(chǎn)品。

器件

氮化鎵是目前能同時實現(xiàn)高頻、高效、大功率的代表性器件，在5G基站、新能源充電樁等新基建代表中均有所應用。

氮化鎵器件可實現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換，助力實現(xiàn)光伏、風電、特高壓輸電、新能源汽車等諸多領域的高效電能轉(zhuǎn)換，推動綠色低碳發(fā)展。

氮化鎵器件主要包括分立器件和集成和系統(tǒng)級芯片集成器件。

分立器件主要包括增強模式(E-Mode) GaN晶體管和耗盡模式(D-Mode) GaN晶體管。

當GaN功率器件（GaNFET）替代MOSFET用于快充器件，快充器件可以充分發(fā)揮出GaN器件的開關頻率高、能量密度高、能量轉(zhuǎn)化效率高等特點，對于終端消費者來說是更高效率、更小體積、更低發(fā)熱、更方便攜帶的充電設備。

集成和系統(tǒng)級芯片集成指的是由各種功能性集成塊組成的具有一定功能的器件。其體積較小，已被廣泛地應用于各種電子行業(yè)。

GaN射頻器件市場格局方面來看，呈現(xiàn)三足鼎立的競爭格局，日本住友、Wolfspeed、Qorvo為主要玩家，市場CR3>80%。日本住友、Wolfspeed與Qorvo分別占據(jù)40%、24%與20%的市場份額。其中，Wolfspeed前身Cree于2018年收購了英飛凌的RF部門，成為了全球GaN射頻器件的主要提供商之一。

在GaN器件各環(huán)節(jié)布局的部分代表廠商包括三安光電、華潤微電子、士蘭微、英諾賽科、芯冠科技、長電科技、海特高新、東科半導體、晶湛半導體等。

國內(nèi)GaN器件Fabless設計廠商主要有華為海思、安譜隆等公司。IDM/制造：國內(nèi)GaN器件IDM廠商主要有蘇州能訊、英諾賽科、江蘇能華、大連芯冠科技等公司；同時海威華芯和三安集成可提供GaN 器件代工服務。

國內(nèi)GaN動態(tài)：6大項目開工/投產(chǎn)

百思特達半導體GaN外延片項目試生產(chǎn)

近日，據(jù)盤錦日報消息，遼寧百思特達半導體旗下氮化鎵項目獲得新進展——2英寸&4英寸外延片處于試生產(chǎn)和產(chǎn)品認證階段，正式投產(chǎn)后，可實現(xiàn)月生產(chǎn)2500片的產(chǎn)能。

據(jù)介紹，百思特達是2019年興隆臺區(qū)和盤錦高新區(qū)共同引進的高新技術產(chǎn)業(yè)項目，該公司主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產(chǎn)品。

2019年11月，百思特達氮化鎵項目正式開工建設，該項目占地125畝，總投資15億元，其中一期投資3億元；去年5月，項目一期正式建成，預計增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升

博康建GaN項目，年產(chǎn)能為3000片

3月6日，“嘉興城南”官微發(fā)文稱，博康(嘉興)半導體總投資約6億元的氮化鎵射頻功率芯片先導線項目正式開工，該項目占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。

公開資料顯示，博康（嘉興）半導體成立于2022年10月，公司主營業(yè)務包括半導體分立器件制造、銷售及服務等。

而且，3月3日，嘉興市公共資源交易中心發(fā)布招標公告稱，博康（嘉興）半導體年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導線項目設計對外采購施工總承包，招標估算價約為1.9億元。

根據(jù)公告，博康的氮化鎵項目位于浙江嘉興經(jīng)開區(qū)，總工期歷時一年左右，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進光刻機、磁控濺射機等設備約100臺套用于生產(chǎn)國內(nèi)技術領先的通信用氮化鎵射頻芯片先導線，預計年產(chǎn)能將為3000片。

東科半導體超高頻氮化鎵電源管理芯片項目預計4月底投產(chǎn)

據(jù)北青網(wǎng)消息，2月16日，東科半導體表示，旗下總投資5.5億元的“超高頻氮化鎵電源管理芯片項目”已竣工，正在進行廠房裝修和生產(chǎn)線調(diào)試，預計4月底投產(chǎn)。

公開資料顯示，該項目項目占地52畝，新建廠房5.1萬平米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目開工

今年1月上旬，合肥仙羋智造科技有限公司（）仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目正式開工。該項目總投資5億元，建成后可實現(xiàn)年產(chǎn)3000萬顆工業(yè)級IPM產(chǎn)品、1000萬顆汽車級IPM產(chǎn)品、1000萬顆氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能，預計全部投產(chǎn)后年銷售收入可達12億元。

此前消息顯示，該項目于2022年6月簽約落戶安徽蚌埠傳感谷。目前，廠房外部墻面改造已完成，開始裝修廠房和設備入場。

中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目建成完工

據(jù)中鐵建工集團公眾號消息，1月10日，中鐵建工集團旗下“中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目”已經(jīng)建成完工，該項目總投資超過30億元。

項目建成后將形成年均5億只射頻集成電路，6萬片4～6英寸氮化鎵射頻功率器件，1000萬只射頻模塊的設計、生產(chǎn)、測試能力。

格晶半導體第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目落地江西上饒 總投資25億元

據(jù)格晶半導體官方消息，1月5日，江西上饒市萬年縣與上海格晶半導體有限公司舉行合作簽約儀式。

此次簽約的第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目總投資達25億元，項目投產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)5萬片8寸GAN功率器件，成為江西省第一家中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。（文：凌昱微科技）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

中芯集成是國內(nèi)領先的特色工藝晶圓代工企業(yè)，主要從事MEMS和功率器件等領域的晶圓代工及封裝測試業(yè)務，為客戶提供一站式系統(tǒng)代工解決方案。

目前，中芯集成的工藝平臺涵蓋超高壓、車載、先進工業(yè)控制和消費類功率器件及模組，以及車載、工業(yè)、消費類傳感器，應用領域覆蓋智能電網(wǎng)、新能源汽車、風力發(fā)電、光伏儲能、消費電子、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、家用電器等行業(yè)。（文：拓墣產(chǎn)業(yè)研究）

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