2025年4月23-25日，第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。本屆展會(huì)以“激活未來”為主題，圍繞化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)、產(chǎn)業(yè)趨勢及未來應(yīng)用展開深度探討。

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第一步：注冊(cè)觀展——掃碼填寫相關(guān)資料完成2025CSE的參觀展會(huì)注冊(cè)。

第二步：進(jìn)入抽獎(jiǎng)通道＆郵寄證件

• 成功注冊(cè)后，點(diǎn)擊電子憑證界面上的“點(diǎn)擊抽獎(jiǎng)”(如下所示），即可進(jìn)入抽獎(jiǎng)環(huán)節(jié)。
• 同時(shí)您還可以在4月3日前，點(diǎn)擊 “填寫郵寄地址”，享受免費(fèi)郵寄觀展證服務(wù)，為您的觀展之旅提供便利。

抽獎(jiǎng)規(guī)則：

1.即刻起至2025年4月1日，注冊(cè)即可獲得一次抽獎(jiǎng)機(jī)會(huì)，現(xiàn)金紅包秒到賬。

2.京東購物卡中獎(jiǎng)?wù)?，可憑中獎(jiǎng)頁面至光谷科技會(huì)展中心觀眾服務(wù)處領(lǐng)取，不可代領(lǐng)。

領(lǐng)取時(shí)間：2025年4月23-25日12時(shí)。

*獎(jiǎng)品數(shù)量有限，先到先得，領(lǐng)完為止。

2025CSE介紹

本屆化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)展覽面積首次超過2萬平方米，共設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料及原輔料、終端應(yīng)用、加工制造、前沿技術(shù)與創(chuàng)新成果6大展區(qū)，擬邀展商數(shù)量超過300家，完整呈現(xiàn)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新圖譜。同時(shí)，現(xiàn)場還精心打造超充、功率器件、未來產(chǎn)業(yè)、未來藝術(shù)等多個(gè)特色展區(qū)，集中展示關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù)。目前展會(huì)已匯聚10國200+頂尖企業(yè)，覆蓋設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)、制造及終端應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈，中國汽車工業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)東風(fēng)汽車集團(tuán)，以及本土FAB龍頭三安、英諾賽科、方正微電子、華芯半導(dǎo)體等均已確認(rèn)參展。

九峰山論壇是聚焦化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的高峰論壇，攜手全球相關(guān)領(lǐng)域權(quán)威科研機(jī)構(gòu)、領(lǐng)軍企業(yè)及行業(yè)專家代表，旨在分享行業(yè)前沿技術(shù)與資訊，積極推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域科學(xué)技術(shù)進(jìn)步，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同，共同探索化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展方向。通過定向邀約與公開征集審核的方式，目前已有超130份高質(zhì)量報(bào)告確認(rèn)，首批重磅演講嘉賓也正式公布。

聚焦科技、產(chǎn)業(yè)、文化三大維度，2025CSE同期活動(dòng)將匯聚國內(nèi)外頂尖專家、產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè)、科研院所及投資機(jī)構(gòu)，圍繞材料、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、測試驗(yàn)證、應(yīng)用生態(tài)等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)展開深度探討，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的深度融合，為行業(yè)可持續(xù)發(fā)展注入新動(dòng)能。

此外，科技與文化專題交流會(huì)、CSE光谷科技人文游（CSE City Walk）等一系列城市文化活動(dòng)，將見證科技、產(chǎn)業(yè)與文化的完美相逢！

結(jié)合本次展會(huì)覆蓋的產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)與行業(yè)熱點(diǎn)話題，現(xiàn)場還將舉辦多場展邊會(huì)，包括電動(dòng)汽車超充大會(huì)、PCIM功率器件論壇、半導(dǎo)體出海論壇、華為數(shù)字能源大會(huì)等，同時(shí)還有Yole行業(yè)分析報(bào)告的重磅發(fā)布以及LightCounting高級(jí)分析師分享聚焦人工智能的光通信市場主題研究報(bào)告，干貨滿滿，值得期待！

誠邀各界人士共襄盛舉

共赴產(chǎn)業(yè)新征程

開啟化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展新篇章

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

此前，昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術(shù)、晶盛機(jī)電等知名產(chǎn)業(yè)方，金浦投資、招商致遠(yuǎn)、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清石資管等知名財(cái)務(wù)投資人的投資。

公開資料顯示，昂坤視覺成立于2017年，致力于為化合物半導(dǎo)體、光電和集成電路產(chǎn)業(yè)提供光學(xué)測量和光學(xué)缺陷檢測設(shè)備及解決方案。經(jīng)過多年的研發(fā)和技術(shù)積累，該公司具備光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、機(jī)器視覺及AI深度學(xué)習(xí)算法等研發(fā)能力，獲得了國家級(jí)專精特新“小巨人”、北京市企業(yè)技術(shù)中心、ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證等資質(zhì)，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

大基金二期對(duì)昂坤視覺的投資，標(biāo)志著其在化合物半導(dǎo)體檢測設(shè)備領(lǐng)域的重要落子。作為國內(nèi)少數(shù)掌握高精度晶圓檢測技術(shù)的企業(yè)，昂坤視覺的光學(xué)測量設(shè)備可應(yīng)用于SiC襯底缺陷檢測、GaN外延片均勻性分析等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其自主研發(fā)的AI算法將檢測效率提升30%以上。

此次注資后，行業(yè)多方消息推測，昂坤視覺將資金用于8英寸SiC晶圓檢測設(shè)備的研發(fā)，以滿足新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃云骷男枨蟆?/p>

source：昂坤視覺招聘

在第三代半導(dǎo)體技術(shù)加速迭代的背景下，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（大基金二期）正通過資本杠桿撬動(dòng)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。近期，大基金二期先后入股光學(xué)檢測設(shè)備商昂坤視覺、膜技術(shù)企業(yè)神州半導(dǎo)體，并持續(xù)增持士蘭明鎵等化合物半導(dǎo)體制造企業(yè)，展現(xiàn)出對(duì)碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的深度戰(zhàn)略布局。

據(jù)悉，神州半導(dǎo)體通過多年技術(shù)積累，已形成覆蓋芯片、光伏、顯示面板的多功能鍍膜工藝，其開發(fā)的遠(yuǎn)程等離子體耐腐蝕膜層技術(shù)，有效解決了化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)中膜厚均勻性難題。業(yè)內(nèi)人士指出，隨著臺(tái)積電等廠商加速導(dǎo)入玻璃基板封裝技術(shù)，神州半導(dǎo)體的鍍膜工藝將在Fan-Out面板級(jí)封裝（FOPLP）中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

另外，在更早的2024年年末，大基金二期對(duì)士蘭明鎵的持續(xù)增持尤為矚目。通過14.11%的持股比例，大基金二期深度參與該公司6英寸SiC功率器件產(chǎn)線建設(shè)。數(shù)據(jù)顯示，士蘭明鎵SiC-MOSFET芯片年產(chǎn)能已達(dá)12萬片，其產(chǎn)品在2024年成功進(jìn)入比亞迪、蔚來等車企供應(yīng)鏈。此次增資將重點(diǎn)用于8英寸產(chǎn)線技術(shù)改造，目標(biāo)在2026年實(shí)現(xiàn)SiC器件產(chǎn)能翻番，進(jìn)一步縮小與英飛凌、羅姆等國際廠商的差距。

值得注意的是，大基金二期在士蘭微系企業(yè)的布局已形成協(xié)同效應(yīng)。通過對(duì)成都士蘭、士蘭集科等子公司的注資，該基金正構(gòu)建”芯片設(shè)計(jì)-制造-封裝”的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其中，士蘭集科12英寸特色工藝產(chǎn)線的建成，為化合物半導(dǎo)體與硅基器件的混合集成提供了技術(shù)支撐。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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01新疆北屯40億元半導(dǎo)體材料項(xiàng)目簽約，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

據(jù)第十師北屯市公眾號(hào)消息，近日，新疆第十師北屯市與北京卓融和遠(yuǎn)科技發(fā)展有限公司（以下簡稱“北京卓融和遠(yuǎn)科技”）正式簽約總投資40億元的半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，標(biāo)志著該地區(qū)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

據(jù)了解，新疆北屯卓融和遠(yuǎn)半導(dǎo)體材料項(xiàng)目位于北屯市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資40億元。項(xiàng)目選址北屯市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，將依托當(dāng)?shù)刎S富的礦產(chǎn)資源、區(qū)位優(yōu)勢及政策環(huán)境，重點(diǎn)發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及材料研發(fā)制造，涵蓋碳化硅（SiC）、金剛石等核心材料。

企查查顯示，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司間接持有北京卓融和遠(yuǎn)科技30%股權(quán)。江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體成立于2018年，是一家以創(chuàng)新開發(fā)為主導(dǎo)，以先進(jìn)技術(shù)為基石的第三代半導(dǎo)體高新科技企業(yè)。公司自成立以來一直專注于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營業(yè)務(wù)有寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長裝備、金剛石與碳化硅SiC晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用。

02廣西梧州龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園開工，年產(chǎn)30噸合成碳化硅晶體

3月5日，廣西梧州市長洲區(qū)舉行重大項(xiàng)目集中開竣工活動(dòng)，其中龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目正式啟動(dòng)。該項(xiàng)目總投資約50億元，占地面積250畝，聚焦合成立方氧化鋯與合成碳化硅晶體材料生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)1萬噸合成立方氧化鋯晶體及30噸合成碳化硅晶體，建成后將形成集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)加工、銷售貿(mào)易于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

作為長洲區(qū)寶石產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心項(xiàng)目，產(chǎn)業(yè)園將引入智能化生產(chǎn)設(shè)備，推動(dòng)傳統(tǒng)珠寶加工向綠色化、高端化轉(zhuǎn)型。同時(shí)，項(xiàng)目將聯(lián)動(dòng)京東科技等企業(yè)，深化數(shù)字經(jīng)濟(jì)與實(shí)體經(jīng)濟(jì)融合，預(yù)計(jì)帶動(dòng)就業(yè)超千人，并為村級(jí)集體經(jīng)濟(jì)增收提供新路徑。長洲區(qū)政府表示，將通過“專班推進(jìn)+要素保障”模式，確保項(xiàng)目2025年內(nèi)投產(chǎn)見效。

03元山電子啟動(dòng)二期車規(guī)級(jí)SiC項(xiàng)目，加速國產(chǎn)碳化硅模組量產(chǎn)

據(jù)“濟(jì)南報(bào)業(yè)時(shí)政融媒”報(bào)道，2月24日，元山（濟(jì)南）電子科技有限公司（以下簡稱“元山電子”）投資建設(shè)的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組自動(dòng)化產(chǎn)線”已取得新的進(jìn)展。該項(xiàng)目的一期試線建設(shè)已全面完成，二期正加快建設(shè)，今年一季度完成自動(dòng)化產(chǎn)線搭建并開始投產(chǎn)。

此前2024年12月，元山電子宣布車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組全自動(dòng)量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷，標(biāo)志著其二期項(xiàng)目進(jìn)入投產(chǎn)沖刺階段。該項(xiàng)目總投資3億元，規(guī)劃建設(shè)60萬只碳化硅功率模塊產(chǎn)線，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值超5億元，可滿足新能源汽車、儲(chǔ)能、光伏等領(lǐng)域的高功率需求。

在2024年12月元山電子車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組全自動(dòng)量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷的同時(shí)，晶能微電子的車規(guī)級(jí) Si/SiC 封測產(chǎn)線擴(kuò)建項(xiàng)目（總投資超億元）也在同期推進(jìn)，雙方通過技術(shù)互補(bǔ)與產(chǎn)能協(xié)同，加速國產(chǎn)碳化硅模組的規(guī)模化應(yīng)用。

公開資料顯示，元山電子成立于2020年，專注于碳化硅模組研發(fā)，其產(chǎn)品性能已達(dá)國內(nèi)領(lǐng)先水平。此次二期項(xiàng)目將進(jìn)一步優(yōu)化工藝，引入全自動(dòng)封裝技術(shù)，提升車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的可靠性與一致性。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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該項(xiàng)目計(jì)劃投資120億元，涵蓋生產(chǎn)車間、研發(fā)中心、辦公樓及配套設(shè)施，于2024年3月簽約落戶，同年7月底實(shí)質(zhì)開工。

當(dāng)前國產(chǎn)光通信、射頻芯片正處于上升期，武漢及周邊相關(guān)生態(tài)集聚度高，對(duì)砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體材料需求極大，而先導(dǎo)科技是全球最大稀散金屬生產(chǎn)企業(yè)，砷化鎵襯底材料出貨量全球第一。

項(xiàng)目投產(chǎn)后，將年產(chǎn)高端化合物半導(dǎo)體襯底材料數(shù)十萬片，可補(bǔ)足本地芯片產(chǎn)業(yè)鏈的上游短板，并有望助力武漢企業(yè)盡早搶占市場優(yōu)勢，帶動(dòng)周邊產(chǎn)業(yè)鏈共享發(fā)展先機(jī)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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現(xiàn)場集中簽約項(xiàng)目中涉及多個(gè)功率器件、化合物半導(dǎo)體等相關(guān)項(xiàng)目，包括浙江芯谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園、半導(dǎo)體核心零部件項(xiàng)目、氮化鋁單晶襯底項(xiàng)目、6英寸化合物襯底項(xiàng)目。

source:拍信網(wǎng)

氮化鋁單晶襯底項(xiàng)目

項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，用地面積150畝，建設(shè)年產(chǎn)5萬片2-6英寸AlN單晶襯底生產(chǎn)線。達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入10億元，年稅收1.5億元。

6英寸化合物襯底項(xiàng)目

項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，用地面積30畝，建設(shè)廠房約2萬平方米，主要建設(shè)6英寸化合物襯底生產(chǎn)線。達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入10億元，年稅收5000萬元。

浙江芯谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園

該項(xiàng)目計(jì)劃總投資17.7億元，用地面積221畝，建設(shè)浙江芯谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園。達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入18億元，年稅收9000萬元。

半導(dǎo)體核心零部件項(xiàng)目

項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，租賃廠房54000平方米，建設(shè)年產(chǎn)20萬支疊層型壓電陶瓷致動(dòng)器、10萬片大功率壓電陶瓷換能片、3100枚硅零部件硅環(huán)/硅噴淋頭、10.5萬套半導(dǎo)體核心零部件項(xiàng)目。達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入6.6億元，年稅收6500萬元。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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中電化合物半導(dǎo)體取得一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置專利

中電化合物半導(dǎo)體有限公司取得一項(xiàng)名為“一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置”的專利，授權(quán)公告日為今年1月21日，申請(qǐng)日期為2021年11月11日。

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置，具體涉及半導(dǎo)體缺陷的檢測領(lǐng)域。本發(fā)明的檢測方法包括以下步驟：提供一晶片容納裝置；將涂覆有第一溶液和第二溶液的待檢測晶片置于所述晶片容納裝置中；對(duì)裝有待檢測晶片的晶片容納裝置抽真空并在真空狀態(tài)下保持一段時(shí)間；取出所述待檢測晶片并觀察其表面的顏色變化。利用晶片兩側(cè)溶液的顏色變化來判定晶片中貫穿型缺陷的位置。

該方法簡單易操作，可提高晶片的檢測效率。本發(fā)明還提供一種晶片貫穿型缺陷的檢測裝置，該裝置結(jié)構(gòu)簡單、操作方便。

天科合達(dá)取得一種碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移裝置專利

江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司取得一項(xiàng)名為“一種碳化硅 Wafer 轉(zhuǎn)移裝置”的專利，授權(quán)公告日為2025年1月14日，申請(qǐng)日期為2024年2月。

source：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移裝置，包括第一平臺(tái)、第二平臺(tái)、升降導(dǎo)向組件、鎖緊組件；升降導(dǎo)向組件設(shè)置在第一平臺(tái)一側(cè)，第二平臺(tái)滑動(dòng)設(shè)置在升降導(dǎo)向組件上，鎖緊組件與第二平臺(tái)連接且用于將第二平臺(tái)鎖緊在升降導(dǎo)向組件上；第一平臺(tái)用于在頂部設(shè)置第一卡塞，第二平臺(tái)用于在頂部設(shè)置第二卡塞，第一、第二卡塞分別具有用于放置碳化硅Wafer的第一卡槽、第二卡槽，第二平臺(tái)能夠沿升降導(dǎo)向組件升降以將任一第一卡槽與任一第二卡槽在水平方向上對(duì)齊。該轉(zhuǎn)移裝置在應(yīng)用時(shí)，能夠利用第二平臺(tái)的升降使兩卡塞中任意兩卡槽對(duì)齊，實(shí)現(xiàn)在兩卡塞的任意兩卡槽間轉(zhuǎn)移碳化硅Wafer，提升工作效率，避免Wafer掉落，且不易污染 Wafer表面。

安徽格恩申請(qǐng)一種GaN基化合物半導(dǎo)體激光器元件專利

安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種GaN基化合物半導(dǎo)體激光器元件”的專利，申請(qǐng)公布日為今年1月10日，申請(qǐng)日期為2024年10月。

source：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提出了一種GaN基化合物半導(dǎo)體激光器元件，包括從下至上依次設(shè)置的襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層和上限制層，所述下限制層和下波導(dǎo)層之間設(shè)置有電子自旋態(tài)調(diào)控層，設(shè)計(jì)電子自旋態(tài)調(diào)控層中第一電子自旋態(tài)調(diào)控層和第二電子自旋態(tài)調(diào)控層的壓電極化系數(shù)分布，以及下限制層、下波導(dǎo)層、第一電子自旋態(tài)調(diào)控層和第二電子自旋態(tài)調(diào)控層之間壓電極化系數(shù)的關(guān)系。本發(fā)明能夠提升半導(dǎo)體激光器元件性能。

河北同光半導(dǎo)體申請(qǐng)使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底專利

河北同光半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法”的專利，申請(qǐng)公布日為今年1月7日，申請(qǐng)日期為2024年10月。

source：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法，屬于碳化硅晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，所述使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法包括如下步驟：S10：使用偏角大于4°的籽晶作為拼接籽晶，在所述拼接籽晶的外緣取兩個(gè)切割點(diǎn)，以兩個(gè)所述切割點(diǎn)的連線為切割軌跡，沿所述切割軌跡切割所述拼接籽晶，取切割后體積較小的部分為拼接部；S20：取偏角為4°的籽晶作為被拼接籽晶，將所述拼接部拼接在所述被拼接籽晶外周作為生長籽晶；S30：將所述生長籽晶置于生長裝置中進(jìn)行生長，直至在生長籽晶的軸向上長出晶錠；S40：對(duì)所述晶錠進(jìn)行滾圓處理，直至將小面滾掉并呈圓柱形，將圓柱形的晶錠裁切為晶片后作為碳化硅襯底使用。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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近日，國內(nèi)又有2個(gè)砷化鎵、磷化銦相關(guān)項(xiàng)目幾乎同時(shí)披露了最新進(jìn)展，分別是海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項(xiàng)目、唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片項(xiàng)目，兩個(gè)項(xiàng)目合計(jì)投資額超過50億元。

source：立昂微

海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項(xiàng)目通線

12月24日，據(jù)杭州立昂微電子股份有限公司（以下簡稱：立昂微）官微消息，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項(xiàng)目于12月23日正式通線。

據(jù)介紹，海寧立昂東芯注冊(cè)成立于2021年，是立昂微化合物半導(dǎo)體射頻芯片業(yè)務(wù)板塊新的生產(chǎn)基地項(xiàng)目。項(xiàng)目規(guī)劃總投資50億元，布局6英寸砷化鎵微波射頻芯片、氮化鎵（GaN HEMT）以及垂直腔面激光器（VCSEL）等產(chǎn)品領(lǐng)域，建成后將達(dá)到年產(chǎn)36萬片6英寸微波射頻芯片及器件的生產(chǎn)規(guī)模。

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片項(xiàng)目投產(chǎn)

12月22日，據(jù)“長安號(hào)”消息，西安高新區(qū)近日舉行了2024年下半年重點(diǎn)項(xiàng)目集中竣工投產(chǎn)活動(dòng)，本次活動(dòng)共有23個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目正式竣工投產(chǎn)，總投資達(dá)335.22億元，其中包括唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目。

據(jù)報(bào)道，唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)了一條砷化鎵和磷化銦化合物半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)線，用于化合物半導(dǎo)體外延片的研發(fā)及生產(chǎn)。

砷化鎵、磷化銦產(chǎn)線建設(shè)趨火

近期，砷化鎵、磷化銦產(chǎn)業(yè)似乎掀起了一股投資擴(kuò)產(chǎn)潮，除上述兩個(gè)項(xiàng)目外，還有多個(gè)廠商披露了在砷化鎵、磷化銦領(lǐng)域的最新項(xiàng)目進(jìn)展或規(guī)劃。

其中，常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目”在今年10月已完成封頂。該項(xiàng)目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計(jì)明年1月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計(jì)約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

珠海華芯微電子有限公司首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線近日正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓，預(yù)計(jì)將于2025年上半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

12月9日，高意（Coherent）宣布，其根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》與美國商務(wù)部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元（約2.4億人民幣），以支持Coherent現(xiàn)有70萬平方英尺的先進(jìn)制造潔凈室的現(xiàn)代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴(kuò)建。該項(xiàng)目將通過增加先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備，擴(kuò)建全球首個(gè)6英寸磷化銦生產(chǎn)線，以擴(kuò)大磷化銦器件的規(guī)?；a(chǎn)。

隨后在12月21日，兆馳股份發(fā)布公告，擬投資建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線。本次投資為項(xiàng)目一期，項(xiàng)目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元。

作為上述這些擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目的主角之一，?砷化鎵具有多種優(yōu)勢，包括高頻率、高速度、高功率、低噪聲和低功耗，?這些特性使得砷化鎵在微波通信、高速集成電路、光電子器件等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

而磷化銦具有較高的電子遷移率和飽和電子漂移速度，適合制造高頻和高速電子設(shè)備?，此外，磷化銦在光電特性方面也表現(xiàn)出色，適合光電子和光通信應(yīng)用，磷化銦襯底制造的半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等領(lǐng)域。

從應(yīng)用領(lǐng)域來看，近期的砷化鎵、磷化銦擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目也基本都是圍繞微波射頻、VCSEL激光芯片、光通信等場景展開，有望進(jìn)一步推動(dòng)砷化鎵、磷化銦器件在各個(gè)領(lǐng)域的滲透。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

資料顯示，華海清科成立于2013年4月，是一家半導(dǎo)體設(shè)備制造商，主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為CMP設(shè)備。

項(xiàng)目建設(shè)方面，今年2月1日，“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”封頂儀式在北京市亦莊舉行。該項(xiàng)目規(guī)劃總建筑面積約70000平方米，總投資額8.2億元。項(xiàng)目建成后將用于開展高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，推動(dòng)濕法裝備、減薄裝備、CMP裝備等半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)。

據(jù)悉，CMP是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削的表面平坦化技術(shù)。它通過使用含有超細(xì)磨粒和化學(xué)腐蝕劑的拋光液，在特定壓力和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)下，對(duì)工件表面進(jìn)行微量的材料去除和表面修飾，從而實(shí)現(xiàn)高精度的平坦化處理。

目前，CMP技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是在晶圓制造過程中。晶圓制造過程包括熱處理、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、CMP、清洗、前道量測等工藝流程。CMP在半導(dǎo)體制造中起著至關(guān)重要的作用，能夠減少晶圓表面的不平整，為后續(xù)工藝提供良好的基礎(chǔ)。

在CMP項(xiàng)目方面，浙江博來納潤電子材料有限公司（以下簡稱：博來納潤）位于衢州智造新城高新片區(qū)的107畝生產(chǎn)基地二期項(xiàng)目于今年8月3日正式開工建設(shè)。二期項(xiàng)目建成后，加上已經(jīng)運(yùn)營的一期項(xiàng)目產(chǎn)能，博來納潤將實(shí)現(xiàn)在衢州布局34000噸半導(dǎo)體CMP拋光液的目標(biāo)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，于2023年12月開工建設(shè)。據(jù)稱項(xiàng)目將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補(bǔ)國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

據(jù)“睿悅投資”消息，截至日前，福建晶旭半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)能75萬片氧化鎵外延生產(chǎn)基地，主體結(jié)構(gòu)已全部封頂，預(yù)計(jì)明年可以達(dá)到初步生產(chǎn)使用狀態(tài)。

公開資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家專注于5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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