久久青青草原国产精品免费,亚洲精品nv久久久久久久久久,天天爽夜夜爽精品视频一 http://www.teatotalar.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Mon, 01 Jul 2024 03:28:25 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 總投資10億，北一第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目開工 http://www.teatotalar.com/Company/newsdetail-68599.html Mon, 01 Jul 2024 10:00:02 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=68599 6月26日，據(jù)建湖發(fā)布官微消息，江蘇省鹽城市建湖縣舉行重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目推進(jìn)暨北一半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目開工活動。

source：建湖發(fā)布

據(jù)悉，北一第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目總投資10億元，分兩期實(shí)施。項(xiàng)目全部投產(chǎn)后，可年產(chǎn)半導(dǎo)體器件125萬件，年可實(shí)現(xiàn)開票銷售15億元，稅收1.2億元。

官微資料顯示，北一半導(dǎo)體成立于2017年，總部位于深圳市，生產(chǎn)基地位于黑龍江省穆棱市，是一家專注于Si基、SiC基功率半導(dǎo)體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產(chǎn)、銷售的廠商。北一半導(dǎo)體目前在研產(chǎn)品包括精細(xì)溝槽柵IGBT芯片、溝槽柵SiC?MOSFET芯片、雙面散熱模塊等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、感應(yīng)加熱、新能源汽車、風(fēng)電及光伏領(lǐng)域。

SiC業(yè)務(wù)方面，2018年，北一半導(dǎo)體成立SiC芯片開發(fā)項(xiàng)目組，進(jìn)行SiC二極管及MOSFET芯片調(diào)研規(guī)劃；2019年，其1200V 20A SiC JBS二極管產(chǎn)出，可靠性通過工業(yè)級考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領(lǐng)域獲得批量訂單；2022年，北一半導(dǎo)體完成1200V等級SiC MPS芯片開發(fā)，浪涌電流達(dá)到12倍額定電流，新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；2023年，北一半導(dǎo)體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設(shè)計。

項(xiàng)目方面，2023年1月，北一半導(dǎo)體新建二期廠房正式全面投入使用。二期占地面積超過12500平米，產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大，能夠滿足HPD模塊、IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、SiC模塊大量生產(chǎn)條件。

隨著北一半導(dǎo)體本次開工的新項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)，其SiC功率器件產(chǎn)能有望再上一個臺階（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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]]> 1.5億，北一半導(dǎo)體完成新一輪融資 http://www.teatotalar.com/Company/newsdetail-67987.html Thu, 09 May 2024 10:00:57 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=67987 5月8日，據(jù)北一半導(dǎo)體官微披露，其成功完成了B+輪融資，由上海吾同私募基金管理有限公司領(lǐng)投的1億元資金已經(jīng)到位，另有5000萬元投資金額在結(jié)尾工作中，預(yù)計本輪融資總額將達(dá)到1.5億元。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

北一半導(dǎo)體表示，本輪融資資金將主要用于SiC MOSFET技術(shù)的進(jìn)一步研發(fā)，以及產(chǎn)線的升級與擴(kuò)建。一方面，通過加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng)新的步伐，提升SiC MOSFET的性能指標(biāo)和生產(chǎn)效率；另一方面，通過產(chǎn)線的升級與擴(kuò)建，提高生產(chǎn)規(guī)模，滿足市場需求，推動SiC MOSFET的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

此前，北一半導(dǎo)體曾在2023年6月完成超1.5億元B輪融資，本輪融資由基石資本領(lǐng)投，金鼎資本、中金資本參投，本輪融資資金主要用于加速公司產(chǎn)線擴(kuò)建、產(chǎn)品研發(fā)、團(tuán)隊(duì)擴(kuò)建以及市場拓展等。

官微資料顯示，北一半導(dǎo)體成立于2017年，總部位于深圳市，生產(chǎn)基地位于黑龍江省穆棱市，是一家專注于Si基、SiC基功率半導(dǎo)體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產(chǎn)、銷售的廠商。北一半導(dǎo)體目前在研產(chǎn)品包括精細(xì)溝槽柵IGBT芯片、溝槽柵SiC MOSFET芯片、雙面散熱模塊等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、感應(yīng)加熱、新能源汽車、風(fēng)電及光伏領(lǐng)域。

SiC業(yè)務(wù)方面，2018年，北一半導(dǎo)體成立SiC芯片開發(fā)項(xiàng)目組，進(jìn)行SiC二極管及MOSFET芯片調(diào)研規(guī)劃；2019年，其1200V 20A SiC JBS二極管產(chǎn)出，可靠性通過工業(yè)級考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領(lǐng)域獲得批量訂單；2022年，北一半導(dǎo)體完成1200V等級SiC MPS芯片開發(fā)，浪涌電流達(dá)到12倍額定電流，新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；2023年，北一半導(dǎo)體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設(shè)計。

項(xiàng)目方面，2023年1月，北一半導(dǎo)體新建二期廠房正式全面投入使用。二期占地面積超過12500平米，產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大，能夠滿足HPD模塊、IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、SiC模塊大量生產(chǎn)條件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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