芯聯(lián)集成：業(yè)績上揚，SiC業(yè)務(wù)成增長引擎

根據(jù)芯聯(lián)集成2024年度業(yè)績快報，公司營業(yè)總收入達到65.09億元，同比增長22.25%。盡管仍處于虧損狀態(tài)，但凈利潤為-9.68億元，同比減虧50.57%，這一積極變化表明公司盈利能力正在逐步改善。

目前，碳化硅業(yè)務(wù)已成為芯聯(lián)集成的第二增長曲線，2024年該公司SiC業(yè)務(wù)收入達10.16億元，較上年增長超100%。2025年，在碳化硅產(chǎn)業(yè)邁向8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵節(jié)點，芯聯(lián)集成率先開啟8英寸碳化硅生產(chǎn)，在技術(shù)升級的賽道上搶占先機。2025年1月，李強總理的調(diào)研，體現(xiàn)了國家對半導體產(chǎn)業(yè)尤其是碳化硅領(lǐng)域的重視，為芯聯(lián)集成注入了強大的發(fā)展動力。

此外，值得注意的是，在車載領(lǐng)域，芯聯(lián)集成實現(xiàn)收入約32.53億元，同比增長約41.02%。公司深度布局整車約70%的汽車芯片平臺數(shù)量，以功率芯片及模組、傳感類產(chǎn)品為主，提供完整代工方案，深度融入車規(guī)芯片國產(chǎn)化進程。

展望2025年，芯聯(lián)集成預計新平臺、新應用的推廣以及新產(chǎn)能的投產(chǎn)，將推動模擬IC、模組、SiC及MEMS業(yè)務(wù)顯著增長。隨著新型電源需求的不斷攀升，芯聯(lián)集成有望步入高速增長期。預計毛利率將穩(wěn)步提升，公司計劃在2026年實現(xiàn)全面盈利。

南京國博電子：業(yè)績承壓，氮化鎵業(yè)務(wù)蓄勢待發(fā)

南京國博電子2024年度業(yè)績快報顯示，營收25.91億元，較上年同期下降27.36%；營業(yè)利潤5.14億元，下降21.42%；利潤總額5.14億元，下降21.35%；歸屬于母公司所有者的凈利潤4.85億元，下降20.06%；扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤4.77億元，下降16.52%。

據(jù)悉，該公司營收下滑的主要原因是有源相控陣T/R組件和射頻模塊業(yè)務(wù)收入減少。

面對業(yè)績下滑，南京國博電子正在氮化鎵業(yè)務(wù)上發(fā)力。一方面，加強與上下游企業(yè)的合作，完善氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈布局，降低生產(chǎn)成本；另一方面，該公司不斷加大研發(fā)投入，提升氮化鎵射頻芯片的性能和可靠性，以滿足市場對高性能、高可靠性射頻芯片的需求。

據(jù)悉，在2024年上半年，南京國博電子成功開發(fā)完成WiFi、手機等射頻放大類芯片產(chǎn)品，其性能達到國內(nèi)先進水平。自2024年下半年起，多個射頻開關(guān)被客戶引入并開始批量交付，同時DiFEM相關(guān)芯片也實現(xiàn)量產(chǎn)交付。針對5G通感基站應用，在2024年全年持續(xù)進行基站射頻芯片的性能優(yōu)化工作，目前產(chǎn)品規(guī)格已達到國際領(lǐng)先水平。

在產(chǎn)業(yè)化項目技術(shù)升級方面，從2024年年初啟動的射頻芯片和組件產(chǎn)業(yè)化項目，計劃在未來2-3年內(nèi)，重點實現(xiàn)毫米波和太赫茲T/R組件設(shè)計技術(shù)能力、工藝制造技術(shù)能力等的進一步提升，同時也將致力于移動通信射頻芯片和微波毫米波芯片設(shè)計研發(fā)、在片測試能力的提升。（集邦化合物半導體Emma整理）

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時代電氣：營收破百億，凈利潤同比增長30%

2024年上半年，時代電氣實現(xiàn)實現(xiàn)營業(yè)收入人民幣102.84億元，同比增長19.99%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤人民幣15.07億元，同比增長30.56%，增長主要系營業(yè)收入增長帶來毛利潤增長。

報告期內(nèi)，功率半導體板塊業(yè)務(wù)方面，時代電氣已有產(chǎn)線滿載運營，宜興3期項目穩(wěn)步推進，預計2024年下半年投產(chǎn)，中低壓器件產(chǎn)能持續(xù)提升；

電網(wǎng)和軌交用高壓器件各項目持續(xù)交付；IGBT 7.5代芯片技術(shù)產(chǎn)品實現(xiàn)批量交付，碳化硅（SiC）產(chǎn)品完成第4代溝槽柵芯片開發(fā)，SiC產(chǎn)線改造完成，新能源車用SiC產(chǎn)品處于持續(xù)驗證階段。
報告期內(nèi)，在SiC芯片技術(shù)方面，公司突破高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關(guān)鍵工藝技術(shù)；

攻克有源區(qū)柵氧電場屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴展以及高可靠性、高效率空間電場調(diào)制場環(huán)終端設(shè)計等功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)；

掌握了具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進SiC工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺，全電壓等級MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應用于新能源汽車、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動等多個領(lǐng)域。

國博電子：發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品

2024上半年，公司實現(xiàn)營業(yè)收入13.02元，較上年同期減少32.21%；歸屬于上市公司股東的凈利潤2.44億元，較上年同期減少20.77%。

國博電子表示，報告期內(nèi)公司營業(yè)收入同比下降32.21%：主要系報告期內(nèi)T/R組件和射頻模塊業(yè)務(wù)收入減少所致。

據(jù)悉，國博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
T/R組件領(lǐng)域，公司積極推進射頻組件設(shè)計數(shù)字化轉(zhuǎn)型，重點圍繞W波段有源相控微系統(tǒng)、低剖面寬帶毫米波數(shù)字陣列等新領(lǐng)域，持續(xù)開展相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，積極推進異構(gòu)集成技術(shù)產(chǎn)品化技術(shù)，為新一代產(chǎn)品開拓打下基礎(chǔ)。

公司積極開展T/R組件應用領(lǐng)域拓展，在低軌衛(wèi)星和商業(yè)航天領(lǐng)域均開展了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)工作，多款產(chǎn)品已開始交付客戶。

射頻模塊領(lǐng)域，上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品。新技術(shù)持續(xù)攻關(guān)，改善產(chǎn)品的線性度、效率等性能。預計下半年新一代的產(chǎn)品開發(fā)及應用，器件綜合競爭力進一步提升。射頻芯片領(lǐng)域，2024年，5G基站市場整體保持平穩(wěn)，5G-A通感基站試點帶動基站射頻芯片銷售增長。

新產(chǎn)品方面，公司為下一代基站平臺新研數(shù)款物料穩(wěn)步推進中。終端射頻芯片產(chǎn)品持續(xù)穩(wěn)定交付，系列化新產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)步推進，積極推進基于新型半導體工藝的產(chǎn)品開發(fā)工作，拓展公司終端射頻芯片品類。新領(lǐng)域和新客戶方面積極推進ODU及衛(wèi)星通信芯片開發(fā)推廣，部分產(chǎn)品已進入客戶認證階段。

燕東微：預計年內(nèi)累計交付硅光芯片5000片

公司2024上半年實現(xiàn)營業(yè)收入6.16億元，較上年同期下降43.10%，歸屬于母公司所有者的凈利潤-0.15億元，由盈轉(zhuǎn)虧，主要原因是市場需求發(fā)生變化，部分產(chǎn)品價格下降及需求下滑所致。
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報告期內(nèi)，公司產(chǎn)品與方案板塊銷售收入3.05億元，同比減少55.06%，主要受客觀因素影響，客戶需求放緩，導致產(chǎn)品與方案板塊收入同比下降。

2024年上半年新增客戶百余家，累計完成了22款單片集成電路，15款混合集成電路研制，開發(fā)了5V和40V SOI CMOS特種工藝平臺，并加大在模擬開關(guān)、有源濾波器模塊、高精度線性光耦、微型光電隔離通信模塊、電感數(shù)字隔離器、光電隔離電壓檢測模塊、ASIC等特種新產(chǎn)品方面的研制力度。

制造與服務(wù)業(yè)務(wù)板塊銷售收入2.80億元，同比減少23.45%。從2022年下半年度開始，外部市場環(huán)境持續(xù)低迷，尤其是消費類電子市場產(chǎn)品價格波動加大，進入2024年上半年以來，消費類市場逐步回暖，訂單需求實現(xiàn)小幅增長，但平均產(chǎn)品售價較高點仍有較大幅度降幅，導致消費類產(chǎn)品收入較同期仍有一定下滑。

燕東微硅光平臺分別在8英寸產(chǎn)線和12英寸產(chǎn)線均取得較大進展，其中8英寸SiN工藝平臺已實現(xiàn)量產(chǎn)，8英寸SOI工藝平臺完成部分關(guān)鍵器件開發(fā)；12英寸SOI工藝平臺完成部分關(guān)鍵工藝開發(fā)。

2024年上半年，公司在硅光芯片制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了波導損耗改善、工藝集成優(yōu)化等技術(shù)突破，特別是在SiN工藝平臺上，成功實現(xiàn)了硅光芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，月產(chǎn)能達1000片。公司將積極拓展應用領(lǐng)域，擴大市場規(guī)模，月度需求超過1000片，預計年度內(nèi)累計交付客戶超5000片。（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目由南京國博電子有限公司投資建設(shè)，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房及附屬設(shè)施，新增設(shè)備五百余臺套。項目分兩期建設(shè)，其中一期用地面積約103畝，建筑面積約15.1萬平方米；二期用地面積約100畝，建筑面積約7.6萬平方米。

上述一期項目投資額20億元，中試廠房、芯片廠房、模塊廠房等設(shè)施已于2023年竣工投產(chǎn)；二期項目將重點補充射頻集成電路封測制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)?；O(shè)計、制造能力，打造成為寬禁帶半導體器件及模塊供應商、5G通信技術(shù)國內(nèi)發(fā)展先行者。

據(jù)中國電子科技集團公司第五十五研究所發(fā)布的信息顯示，國博電子是其下屬控股公司，專業(yè)從事集成電路、射頻微波模塊及子系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，具有30多年射頻微波集成電路、模塊產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗。公司產(chǎn)品性能達到國際先進水平，廣泛應用于移動通信、微波毫米波通信、衛(wèi)星通信等系統(tǒng)，打破了國外的技術(shù)壟斷。

2018年，國博電子在南京江寧開發(fā)區(qū)啟動了上述“射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化”建設(shè)項目，建成后，將形成年產(chǎn)化合物半導體原片6萬片、射頻基礎(chǔ)電路5億只、射頻模塊1000萬只的設(shè)計制造能力，滿足5G及未來移動通信基站和終端市場需求。

此前有媒體報道稱，上述“年產(chǎn)化合物半導體原片6萬片”，為“6英寸工藝氮化鎵（GaN）射頻功率器件制造”。

2019年，國博電子曾表示，公司在基站和終端的小信號產(chǎn)品以及中功率產(chǎn)品方面都實現(xiàn)了批量化量產(chǎn)，目前正在進入的領(lǐng)域主要有GaN大功率器件，以及毫米波基站多通道硅基相控陣芯片以及III-V族毫米波射頻收發(fā)前端芯片。

值得一提的是，江寧開發(fā)區(qū)是國內(nèi)較早布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)的開發(fā)園區(qū)，2023年全年，園區(qū)新引進英諾賽科、博銳半導體、芯干線等一批產(chǎn)業(yè)項目。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source:國博電子

梅濱表示射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化(二期)項目將進一步鞏固和拓展“設(shè)計-制造-封測”全產(chǎn)業(yè)鏈能力，不斷提升射頻集成電路和高密度集成領(lǐng)域的研發(fā)生產(chǎn)能力，致力于發(fā)展成為射頻電子領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導者，打造全國重要的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新高地。

黃成文表示，集成電路產(chǎn)業(yè)既是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，也是江寧區(qū)“5+4+5”產(chǎn)業(yè)集群的重要組成部分。

射頻集成電路產(chǎn)業(yè)園是以國基南方控股上市公司國博電子為主體打造的南京市首批產(chǎn)業(yè)鏈重點園區(qū)，正奮力打造國際先進、國內(nèi)一流、自主可控的第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)悉，國博電子成立于2000年，位于南京市江寧區(qū)，隸屬于中國電子科技集團有限公司。國博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

前不久，國博電子公布了2023年的半年度業(yè)績報告，今年上半年營收約為19.21億元，同比增加10.67%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約為3.09億元，同比增加17.75%；基本每股增加0.77元，同比增加5.48%。

source:國博電子

據(jù)悉，國博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化項目占地面積約203畝，新建廠房及附屬設(shè)施。項目分兩期建設(shè)，其中一期目前已建成投產(chǎn)；二期重點補充射頻集成電路封測制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)?；O(shè)計、制造能力，努力打造成為寬禁帶半導體器件及模塊國內(nèi)最大供應商、5G通信技術(shù)國內(nèi)發(fā)展主要引領(lǐng)者。（文：集邦化合物半導體 Morty整理）

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項目與公司已建設(shè)的項目一期地塊為相鄰區(qū)域，投資預計為6.98億元，其中土地使用權(quán)購置費預計0.40億元，設(shè)計采購施工總承包費用預計6.02億元。

據(jù)公告，若國博電子本次成功購得標的地塊，計劃在接收標的土地之日起的6個月內(nèi)開工建設(shè)，并在開工后24個月內(nèi)完成竣工驗收備案，預計在竣工驗收之日后24個月實現(xiàn)達產(chǎn)。

國博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。建立了以化合物半導體為核心的技術(shù)體系和系列化產(chǎn)品布局，產(chǎn)品主要包括有源相控陣T/R組件、砷化鎵基站射頻集成電路等，覆蓋軍用與民用領(lǐng)域，是目前國內(nèi)能夠批量提供有源相控陣T/R組件及系列化射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的領(lǐng)先企業(yè)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

根據(jù)招股書，公司直接控股股東為國基南方，持有公司 39.81%的股份。中國電科通過國基南方、中國電科五十五所和中電科投資間接控制公司61.62%的股份，為公司實際控制人。

公司于2022年7月上市，上市大漲39.08%，市值達388億元。

2022年前三季度，公司主營收入26.61億元，同比上升59.71%；歸母凈利潤4.02億元，同比上升37.63%；扣非凈利潤3.86億元，同比上升38.48%。

其中，第三季度主營收入9.25億元，同比上升73.29%；單季度歸母凈利潤1.4億元，同比上升40.6%；單季度扣非凈利潤1.32億元，同比上升38.45%。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）

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項目與公司已建設(shè)的項目一期地塊為相鄰區(qū)域，投資預計為6.98億元，其中土地使用權(quán)購置費預計0.40億元，設(shè)計采購施工總承包費用預計6.02億元。

據(jù)公告，若國博電子本次成功購得標的地塊，計劃在接收標的土地之日起的6個月內(nèi)開工建設(shè)，并在開工后24個月內(nèi)完成竣工驗收備案，預計在竣工驗收之日后24個月實現(xiàn)達產(chǎn)。

國博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。建立了以化合物半導體為核心的技術(shù)體系和系列化產(chǎn)品布局，產(chǎn)品主要包括有源相控陣T/R組件、砷化鎵基站射頻集成電路等，覆蓋軍用與民用領(lǐng)域，是目前國內(nèi)能夠批量提供有源相控陣T/R組件及系列化射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的領(lǐng)先企業(yè)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

根據(jù)招股書，公司直接控股股東為國基南方，持有公司 39.81%的股份。中國電科通過國基南方、中國電科五十五所和中電科投資間接控制公司61.62%的股份，為公司實際控制人。

公司于2022年7月上市，上市大漲39.08%，市值達388億元。

2022年前三季度，公司主營收入26.61億元，同比上升59.71%；歸母凈利潤4.02億元，同比上升37.63%；扣非凈利潤3.86億元，同比上升38.48%。

其中，第三季度主營收入9.25億元，同比上升73.29%；單季度歸母凈利潤1.4億元，同比上升40.6%；單季度扣非凈利潤1.32億元，同比上升38.45%。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）

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