據(jù)悉，士蘭集宏項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)㎡，一期投資70億元，預(yù)計(jì)2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬(wàn)片8英寸SiC芯片；二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬(wàn)片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。

該項(xiàng)目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

公開(kāi)資料顯示，士蘭集宏項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可滿足國(guó)內(nèi)40%以上的車規(guī)級(jí)SiC芯片需求，并帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

碳化硅市場(chǎng)現(xiàn)狀：產(chǎn)能擴(kuò)張引價(jià)格波動(dòng)，資本追捧熱度不減

近年來(lái)，全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，這在一定程度上導(dǎo)致了供過(guò)于求的現(xiàn)象。

行業(yè)多方消息顯示，碳化硅襯底市場(chǎng)價(jià)格在2024年中期，6英寸碳化硅襯底的價(jià)格已跌至500美元以下，到2024年第四季度，價(jià)格進(jìn)一步下降至450美元，并還在持續(xù)走低。?價(jià)格的下降一方面是由于技術(shù)提升和規(guī)?；?yīng)推動(dòng)成本降低，另一方面也是為了促進(jìn)下游應(yīng)用的擴(kuò)展。在這種市場(chǎng)環(huán)境下，各大碳化硅襯底廠商均在加碼推進(jìn)技術(shù)突破，以獲得更高的市場(chǎng)份額。

回顧2024年，我國(guó)就有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局，其中2024年就有超50個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展，涉及的企業(yè)包括三安半導(dǎo)體、天科合達(dá)、重投天科、天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、同光股份、東尼電子、科友半導(dǎo)體等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長(zhǎng)以及設(shè)備等多領(lǐng)域的突破值得關(guān)注。

在襯底方面，國(guó)外多家大廠已與我國(guó)天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
多方行業(yè)人士表示，中國(guó)的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無(wú)論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價(jià)格，都已經(jīng)具備了明顯的競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，國(guó)內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國(guó)際市場(chǎng)8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場(chǎng)占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。

盡管市場(chǎng)存在價(jià)格波動(dòng)等挑戰(zhàn)，但碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈仍持續(xù)受到資本追捧。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體數(shù)據(jù)顯示，2024年以來(lái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈就有44家公司獲得融資。其中廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、蘇州悉智科技有限公司等7家公司在年內(nèi)均已完成兩輪融資。?從國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，襯底、器件、設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域均有企業(yè)完成新一輪融資。在產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)浪潮中，設(shè)備領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)由于率先受益于產(chǎn)線建設(shè)需求，獲得了投資機(jī)構(gòu)的加碼，2024 年有近半數(shù)的融資事件發(fā)生在該領(lǐng)域。

邁入2025年，忱芯科技、芯暉裝備、伏爾肯、易星新材料、翠展微電子、青禾晶元、純水一號(hào)、聚芯半導(dǎo)體、中江新材料、臻驅(qū)科技、瞻芯電子等超10家企業(yè)獲得新一輪融資，公開(kāi)披露的融資金額總計(jì)超30億元。

總體而言，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展迅速，市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，其中在上游碳化硅襯底和外延制備技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，不斷縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國(guó)際大廠還存在較大差距。

目前我國(guó)有披露相關(guān)投產(chǎn)動(dòng)態(tài)的8英寸碳化硅器件產(chǎn)線主要是士蘭微、芯聯(lián)集成、湖南三安、方正微四條產(chǎn)線。?其中士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線（一期）已全面封頂，安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項(xiàng)目也在近日實(shí)現(xiàn)了通線投產(chǎn)；芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線已于2024年通線；湖南三安投產(chǎn)在即，將正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商；方正微電子的Fab2的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已于2024年底通線，2025年，方正微電子將具備年產(chǎn)16.8萬(wàn)片車規(guī)級(jí)碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。

而在技術(shù)層面，碳化硅功率器件技術(shù)仍在不斷發(fā)展完善。例如，在芯片封裝與測(cè)試方面，目前碳化硅芯片仍主要沿用硅基半導(dǎo)體技術(shù)，難以滿足其自身發(fā)展需求，急需創(chuàng)新。

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，隨著越來(lái)越多的企業(yè)入局碳化硅產(chǎn)業(yè)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。企業(yè)不僅要在技術(shù)創(chuàng)新上發(fā)力，以提升產(chǎn)品性能、降低成本，還要注重產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作，提前開(kāi)展技術(shù)合作，共同應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)。

01、2024年實(shí)現(xiàn)同比扭虧為盈

財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，士蘭微2024年業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)了同比扭虧為盈，預(yù)計(jì)2024年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為1.5億元到1.9億元，扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為1.84億元到2.24億元，與上年同期相比，將增加1.25億元到1.65億元，同比增長(zhǎng)212.39%到280.31%。

source：士蘭微

財(cái)報(bào)據(jù)悉，士蘭微業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)主要得益于多方面發(fā)力。在產(chǎn)品與市場(chǎng)領(lǐng)域，公司憑借不斷推出的競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)的產(chǎn)品，大力開(kāi)拓大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品出貨量大幅增長(zhǎng)，進(jìn)而帶動(dòng)總體營(yíng)收快速上升。

報(bào)告期內(nèi)，士蘭微已安排技改資金進(jìn)一步提升8英寸線MEMS芯片產(chǎn)能、12英寸線IGBT芯片和模擬電路芯片產(chǎn)能。公司預(yù)計(jì)2025年5、6、8、12英寸芯片生產(chǎn)線將繼續(xù)保持較高的產(chǎn)出水平。

此外士蘭微還在加快子公司士蘭明鎵6吋SiC芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能建設(shè)，目前士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬(wàn)片SiC MOSFET芯片的生產(chǎn)能力。技術(shù)研發(fā)進(jìn)展上，公司已完成了第Ⅲ代、第Ⅳ代平面柵SiC MOSFET芯片的開(kāi)發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平?；诠劲虼鶶iC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已實(shí)現(xiàn)向下游汽車用戶批量供貨；基于公司Ⅳ代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊已在客戶端驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)批量供貨。

02、廈門項(xiàng)目建設(shè)穩(wěn)步推進(jìn)

士蘭微在廈門的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目備受行業(yè)關(guān)注。該項(xiàng)目由杭州士蘭微電子與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司共同向廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司增資建設(shè)，項(xiàng)目總投資額為120億元人民幣，位于廈門市海滄區(qū)，分兩期建設(shè)。

一期總投資70億元，建筑面積18.7萬(wàn)平方米，建設(shè)主廠房、動(dòng)力中心、測(cè)試中心等設(shè)施；二期投資50億元。

目前項(xiàng)目正在加速推進(jìn)，截至2025年1月，項(xiàng)目正在進(jìn)行上部結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計(jì)將在2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進(jìn)行試生產(chǎn)。一期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)42萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值達(dá)67億；兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

03、2024年增資擴(kuò)產(chǎn)、技術(shù)合作等動(dòng)態(tài)不斷

回顧2024年，士蘭微還進(jìn)行了項(xiàng)目增資擴(kuò)產(chǎn)、擴(kuò)大技術(shù)合作、加大市場(chǎng)合作等動(dòng)態(tài)。9月11日，士蘭微公告擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司共同出資16億元，認(rèn)繳廈門士蘭集科微電子有限公司新增注冊(cè)資本，士蘭微出資8億元，增資完成后持股增至27.447%，為士蘭集科12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障。9月24日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體等多方簽署《8英寸sic功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作補(bǔ)充協(xié)議》，廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司注冊(cè)資本將增至42.1億元，士蘭微持股比例降至25.18%，進(jìn)一步完善在車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。

2024年上半年，士蘭微基于自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，在比亞迪、吉利、零跑、廣汽等國(guó)內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨，用于汽車的IGBT器件（單管）、MOSFET器件（單管）等也實(shí)現(xiàn)大批量出貨。另外，在2025年開(kāi)年的1月，士蘭微電子與清純半導(dǎo)體加深合作，雙方將圍繞新品規(guī)劃、產(chǎn)品量產(chǎn)和8英寸產(chǎn)線建設(shè)深化合作。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子）

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安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項(xiàng)目預(yù)計(jì)2月底實(shí)現(xiàn)通線投產(chǎn)

近日據(jù)西永微電園官微消息，在西部（重慶）科學(xué)城微電園，安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項(xiàng)目正在進(jìn)行最后的設(shè)備安裝調(diào)試。隨著設(shè)備的調(diào)試完成，預(yù)計(jì)到2025年2月底，生產(chǎn)線將通線并開(kāi)始投片生產(chǎn)，并將在三季度末實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的批量生產(chǎn)。

soruce：西永微電園

據(jù)悉，這條8英寸碳化硅襯底和晶圓制造線，投產(chǎn)后將為新能源汽車、電力網(wǎng)、鐵路運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域提供基于碳化硅的產(chǎn)品。

安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項(xiàng)目是三安光電和意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的8英寸碳化硅芯片廠，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資總額達(dá)32億美元（約233.6億人民幣），規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅車規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片48萬(wàn)片，預(yù)計(jì)將于2028年全面達(dá)產(chǎn)。

隨著安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目建成投產(chǎn)，有助于滿足新能源汽車市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的碳化硅功率器件產(chǎn)品需求，三安光電也有望借助該項(xiàng)目進(jìn)一步加強(qiáng)車用碳化硅細(xì)分領(lǐng)域布局。

士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項(xiàng)目預(yù)計(jì)2026年一季度試生產(chǎn)

1月2日，據(jù)廈門日?qǐng)?bào)消息，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目又有新進(jìn)展。目前該項(xiàng)目一期正在進(jìn)行上部結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計(jì)將在2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進(jìn)行試生產(chǎn)。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資120億元，總建筑面積23.45萬(wàn)平方米，分兩期建設(shè)。其中，一期項(xiàng)目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

碳化硅芯片目前已被廣泛應(yīng)用在新能源汽車、光儲(chǔ)充、軌道交通以及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，其中，新能源汽車是當(dāng)前碳化硅芯片最大規(guī)模的應(yīng)用市場(chǎng)。士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項(xiàng)目建成后，一方面有助于提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，另一方面可以滿足國(guó)內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有望向更多應(yīng)用領(lǐng)域提供碳化硅芯片產(chǎn)品。

國(guó)內(nèi)廠商加速進(jìn)擊8英寸

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外碳化硅相關(guān)廠商正在將更多資源向8英寸細(xì)分領(lǐng)域傾斜，尤其是部分國(guó)際功率器件大廠，紛紛拿出了8英寸發(fā)展規(guī)劃。

其中，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目已啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)；安森美位于韓國(guó)富川的碳化硅晶圓廠計(jì)劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后過(guò)渡到8英寸生產(chǎn)；羅姆預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓；三菱電機(jī)位于日本熊本縣正在建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠將于2025年11月開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。

不難看出，2025年以及2026年將是全球8英寸碳化硅芯片廠試產(chǎn)以及量產(chǎn)爬坡的關(guān)鍵年，而國(guó)內(nèi)的安意法以及士蘭微8英寸碳化硅芯片項(xiàng)目等也將在同一時(shí)間段和全球多座8英寸碳化硅晶圓廠一起推動(dòng)8英寸碳化硅時(shí)代的到來(lái)。

受國(guó)內(nèi)外功率器件廠商8英寸碳化硅晶圓廠良好的發(fā)展形勢(shì)帶動(dòng)，國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)企業(yè)似乎加快了進(jìn)軍8英寸的腳步。在2024年末，在碳化硅材料、器件、設(shè)備等各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)紛紛傳出關(guān)于8英寸的喜訊。

在材料領(lǐng)域，金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶錠項(xiàng)目完成研發(fā)，通過(guò)了行業(yè)專家驗(yàn)證；超芯星完成了新廠房的整體搬遷，接下來(lái)將開(kāi)啟8英寸碳化硅單晶襯底的批量化生產(chǎn)。

在器件領(lǐng)域，安意法和士蘭微兩個(gè)投資額超百億的8英寸碳化硅芯片項(xiàng)目披露了投產(chǎn)時(shí)間表，將在未來(lái)與海外一眾8英寸碳化硅芯片廠同臺(tái)競(jìng)技。

在設(shè)備領(lǐng)域，中導(dǎo)光電成功獲得國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體頭部客戶的8英寸碳化硅晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備訂單，進(jìn)一步推動(dòng)了8英寸碳化硅設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

國(guó)內(nèi)有著規(guī)模最大的碳化硅應(yīng)用市場(chǎng)，產(chǎn)業(yè)鏈條也正在持續(xù)完善，疊加各類產(chǎn)投基金的支持，假以時(shí)日，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)將完成從追趕到超越的轉(zhuǎn)變。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，今年以來(lái)，除士蘭微外，還有長(zhǎng)光華芯、三安光電、格芯、X-fab等多家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商獲得了不同金額的政府補(bǔ)助。

其中，長(zhǎng)光華芯在9月9日發(fā)布公告稱，公司及全資子公司截至本公告披露之日，共獲得政府補(bǔ)助款項(xiàng)共計(jì)人民幣1127.40萬(wàn)元，其中與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助1117.40萬(wàn)元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補(bǔ)助10萬(wàn)元。

三安光電在10月7日發(fā)布公告稱，2024年7月1日至2024年9月29日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達(dá)披露標(biāo)準(zhǔn)的政府補(bǔ)助款約1040萬(wàn)元。

12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國(guó)政府獲得了950萬(wàn)美元（約7000萬(wàn)人民幣）的聯(lián)邦資助，用于推進(jìn)其位于美國(guó)佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

隨后在12月5日，據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)《CHIPS法案》最后階段繼續(xù)為半導(dǎo)體工廠提供補(bǔ)助，其中將向比利時(shí)X-fab公司運(yùn)營(yíng)的位于德克薩斯州拉伯克的碳化硅功率器件工廠提供5000萬(wàn)美元（約3.65億人民幣）補(bǔ)助。

對(duì)于企業(yè)而言，獲得政府補(bǔ)助有多個(gè)方面的積極意義。補(bǔ)助資金可以作為企業(yè)的收入來(lái)源，增加利潤(rùn)，帶來(lái)財(cái)務(wù)層面的積極影響；同時(shí)，補(bǔ)助資金可以用于市場(chǎng)拓展活動(dòng)，幫助企業(yè)提升品牌知名度和市場(chǎng)份額，也可以用于支持新技術(shù)、新產(chǎn)品的研發(fā)，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)相關(guān)環(huán)保網(wǎng)文件顯示，該項(xiàng)目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。

項(xiàng)目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬(wàn)片/年、SBD芯片28.8萬(wàn)片/年，同時(shí)減少GaN外延的藍(lán)綠光LED芯片57.6萬(wàn)片/年（其外延產(chǎn)能不變，多余外延片外售）、總共為芯片產(chǎn)能672萬(wàn)片（等效2吋）。

據(jù)了解，該項(xiàng)目為士蘭明鎵二期項(xiàng)目。

source：士蘭明鎵

2017年12月18日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)在廈門簽署了投資合作協(xié)議，雙方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條4/6吋兼容的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。項(xiàng)目由雙方參股公司士蘭明鎵負(fù)責(zé)建設(shè)。

截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資，形成了每月7.2萬(wàn)片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產(chǎn)能。

2022年7月，士蘭微發(fā)布公告稱，子公司士蘭明鎵啟動(dòng)化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)，即實(shí)施”SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。士蘭明鎵擬建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資為15億元，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiC MOSFET、SiC SBD）。

值得一提的是，同在廈門市滄海區(qū)，士蘭微還布局了8英寸碳化硅產(chǎn)線。2024年5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。

按照協(xié)議約定，各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。source：士蘭微該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資規(guī)模70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

項(xiàng)目于今年6月18日開(kāi)工，一期預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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時(shí)代電氣Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收59.73億元，具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅產(chǎn)能

10月31日晚間，時(shí)代電氣公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)營(yíng)收59.73億元，同比增長(zhǎng)8.10%；歸母凈利潤(rùn)9.94億元，同比增長(zhǎng)10.61%；歸母扣非凈利潤(rùn)8.89億元，同比增長(zhǎng)18.27%。

9月10日，時(shí)代電氣參加投資者調(diào)研活動(dòng)，披露了其在功率半導(dǎo)體、信號(hào)系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)上的最新進(jìn)展情況。在碳化硅業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)今年形成銷售，明年實(shí)現(xiàn)批量推廣。

在碳化硅產(chǎn)線建設(shè)方面，時(shí)代電氣子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體早在2017年就建成了國(guó)內(nèi)首條4/6英寸兼容碳化硅芯片中試線，并在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。目前，中車時(shí)代半導(dǎo)體正在建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

盛美上海Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.73億元，已推出6/8英寸化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品線

10月31日晚間，盛美上海公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，盛美上海實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.73億元，同比增長(zhǎng)37.96%；歸母凈利潤(rùn)3.15億元，同比增長(zhǎng)35.09%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.06億元，同比增長(zhǎng)31.41%。

盛美上海致力于為集成電路行業(yè)提供設(shè)備及工藝解決方案，包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備、后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，盛美上海推出了6/8英寸化合物半導(dǎo)體濕法工藝產(chǎn)品線，以支持化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的工藝應(yīng)用，包括碳化硅、氮化鎵和砷化鎵等。

中瓷電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.64億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅功率模塊

10月31日晚間，中瓷電子公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，中瓷電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.64億元，同比增長(zhǎng)2.97%；歸母凈利潤(rùn)1.57億元，同比增長(zhǎng)28.67%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.40億元，同比增長(zhǎng)88.72%。

中瓷電子業(yè)務(wù)分為化合物半導(dǎo)體器件及模塊、電子陶瓷材料及元件兩大方面，化合物半導(dǎo)體器件及模塊業(yè)務(wù)又分為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用兩部分。

在氮化鎵領(lǐng)域，中瓷電子氮化鎵通信基站射頻芯片與器件在通信基站中主要用于移動(dòng)通信基站發(fā)射鏈路，實(shí)現(xiàn)對(duì)通信射頻信號(hào)的功率放大；在碳化硅領(lǐng)域，中瓷電子中低壓碳化硅功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，高壓碳化硅功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。

士蘭微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28.89億元，士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬(wàn)片碳化硅芯片產(chǎn)能

10月31日晚間，士蘭微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28.89億元，同比增長(zhǎng)19.22%；歸母凈利潤(rùn)0.54億元；歸母扣非凈利潤(rùn)0.14億元，同比下滑34.21%。

第三季度，士蘭微子公司士蘭集成5、6英寸芯片生產(chǎn)線、子公司士蘭集昕8英寸芯片生產(chǎn)線、重要參股企業(yè)士蘭集科12英寸芯片生產(chǎn)線均保持滿負(fù)荷生產(chǎn)，士蘭微預(yù)計(jì)4季度5、6、8、12英寸芯片生產(chǎn)線將繼續(xù)保持滿產(chǎn)。

第三季度，士蘭微加快子公司士蘭明鎵6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能建設(shè)，截至目前士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬(wàn)片碳化硅芯片的生產(chǎn)能力；士蘭微將進(jìn)一步增加對(duì)6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線投入，加快其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)。

拉普拉斯Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.61億元，同比增長(zhǎng)377.17%

10月31日晚間，拉普拉斯公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.61億元，同比增長(zhǎng)377.17%；歸母凈利潤(rùn)2.24億元，同比增長(zhǎng)1176.37%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.06億元，同比增長(zhǎng)2290.74%。

拉普拉斯是一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商，主營(yíng)業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù)。

拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。

華潤(rùn)微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收27.11億元，已建成8英寸中壓增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)

10月31日晚間，華潤(rùn)微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，華潤(rùn)微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收27.11億元，同比增長(zhǎng)8.44%；歸母凈利潤(rùn)2.19億元，同比下滑21.31%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.85億元，同比下滑1.35%。

目前華潤(rùn)微主營(yíng)業(yè)務(wù)可分為產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)兩大業(yè)務(wù)板塊。其產(chǎn)品與方案業(yè)務(wù)板塊聚焦于功率半導(dǎo)體、數(shù)?；旌?、智能傳感器與智能控制等領(lǐng)域，制造與服務(wù)業(yè)務(wù)主要提供半導(dǎo)體開(kāi)放式晶圓制造、封裝測(cè)試等服務(wù)。

2024年上半年，華潤(rùn)微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí)，華潤(rùn)微采用新型的氮化鎵控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，開(kāi)發(fā)原邊、副邊控制芯片，及氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片，推出基于氮化鎵的高效能快充系統(tǒng)方案。

宏微科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.43億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅芯片和封裝

10月31日晚間，宏微科技公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，宏微科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.43億元，同比下滑7.53%；歸母凈利潤(rùn)0.02億元，同比下滑93.37%；歸母扣非凈利潤(rùn)-0.07億元。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的碳化硅模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

高測(cè)股份Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.85億元，6/8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)實(shí)現(xiàn)交付

10月31日晚間，高測(cè)股份公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，高測(cè)股份實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.85億元，同比下滑53.51%；歸母凈利潤(rùn)-0.67億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-0.79億元。

高測(cè)股份研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的主要產(chǎn)品和服務(wù)為光伏切割設(shè)備、光伏切割耗材、硅片及切割加工服務(wù)、其他高硬脆材料切割設(shè)備及耗材四類。其中，高硬脆材料切割設(shè)備及耗材主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、藍(lán)寶石、磁材及碳化硅等切割領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，高測(cè)股份推出的6英寸及8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)已形成批量訂單并實(shí)現(xiàn)交付。

燕東微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.72億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅器件

10月31日晚間，燕東微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，燕東微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.72億元，同比下滑15.54%；歸母凈利潤(rùn)-1.07億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-1.19億元。

燕東微是一家集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試于一體的半導(dǎo)體企業(yè)，總部位于北京，在北京、遂寧分別有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條6英寸晶圓生產(chǎn)線；在北京擁有一座12英寸晶圓廠在建中。

在碳化硅領(lǐng)域，燕東微在2021年已建成月產(chǎn)能1000片的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)報(bào)道，位于福建省廈門市海滄區(qū)的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目近日進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，其中，一期項(xiàng)目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

從該項(xiàng)目推進(jìn)情況來(lái)看，作為該項(xiàng)目實(shí)施主體士蘭集宏的母公司，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。隨后在6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在廈門市海滄區(qū)正式開(kāi)工。

近期，除士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目外，國(guó)內(nèi)外廠商還有多個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展。

其中，北京市生態(tài)環(huán)境局于8月13日公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱：二期項(xiàng)目）環(huán)評(píng)審批。二期項(xiàng)目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬(wàn)片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬(wàn)片。

8月底，重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點(diǎn)亮通線。該項(xiàng)目投資額為70億元，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬(wàn)片。

9月27日，住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日，據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)東部高科（DB HiTek）于11日宣布，其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室，計(jì)劃先行建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

10月16日，在首屆SEMiBAY灣芯展開(kāi)幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，還表示其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)公告，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：廈門半導(dǎo)體）、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：新翼科技）于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱：《投資合作協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作協(xié)議》，士蘭微與廈門半導(dǎo)體分別向本次8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目的實(shí)施主體廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：士蘭集宏）認(rèn)繳注冊(cè)資本10.6億元和10億元。截至目前，士蘭集宏的注冊(cè)資本為20.60億元。

2024年9月24日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體、新翼科技、廈門新翼微成投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱：新翼微成）、廈門產(chǎn)投新翼科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱：產(chǎn)投新翼）共同簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作補(bǔ)充協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱：《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》，項(xiàng)目公司士蘭集宏的原投資主體新翼科技變更為新翼微成和產(chǎn)投新翼。新翼科技將其在《投資合作協(xié)議》項(xiàng)下的權(quán)利義務(wù)，按新翼微成和產(chǎn)投新翼在《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》項(xiàng)下的相對(duì)出資比例概括轉(zhuǎn)讓給新翼微成和產(chǎn)投新翼。其中，新翼微成繼受新翼科技對(duì)項(xiàng)目公司增資入股11億元的義務(wù)，產(chǎn)投新翼繼受新翼科技對(duì)項(xiàng)目公司增資入股10.5億元的義務(wù)。

公告顯示，士蘭微及協(xié)議各方在按照《投資合作協(xié)議》及《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》完成認(rèn)繳后，士蘭集宏的注冊(cè)資本將增加至42.10億元，士蘭微對(duì)士蘭集宏的持股比例將由目前的51.46%降低至25.1781%，將不再將其納入合并報(bào)表范圍。

據(jù)悉，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)，一期投資規(guī)模約70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的產(chǎn)能。

今年6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在廈門市海滄區(qū)正式開(kāi)工。

士蘭微表示，如本次投資事項(xiàng)順利實(shí)施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，為其SiC功率器件在8英寸生產(chǎn)線上的產(chǎn)業(yè)化提供產(chǎn)能保障，將進(jìn)一步完善其在車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)其主營(yíng)業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng)。（來(lái)源：士蘭微公告，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊(cè)資本148155.0072萬(wàn)元。士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：廈門半導(dǎo)體）以貨幣方式共同出資16億元認(rèn)繳士蘭集科本次新增的全部注冊(cè)資本。

其中，士蘭微出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬(wàn)元；廈門半導(dǎo)體同樣出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬(wàn)元。本次增資完成后，士蘭集科的注冊(cè)資本將由382795.3681萬(wàn)元變更為530950.3753萬(wàn)元。

天眼查資料顯示，士蘭集科成立于2018年2月，是一家電子設(shè)備供應(yīng)商，主要研發(fā)、生產(chǎn)和銷售芯片晶圓、MEMS、功率器件以及集成電路等產(chǎn)品，致力于為行業(yè)用戶提供相關(guān)的電子產(chǎn)品及服務(wù)。

股東信息顯示，目前，士蘭集科由廈門半導(dǎo)體、士蘭微、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司共同持股，持股比例分別為66.626%、18.719%、14.655%。

根據(jù)士蘭微2024年半年度報(bào)告，2024年上半年，士蘭集科總計(jì)產(chǎn)出12英寸芯片22.46萬(wàn)片，同比減少約5%，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.21億元，同比增加約6%。近期隨著IGBT芯片產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放，士蘭集科產(chǎn)能利用率已處于較高水平。

士蘭微表示，如本次增資事項(xiàng)順利實(shí)施，將進(jìn)一步增加士蘭集科的資本充足率，為士蘭集科12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障；有利于進(jìn)一步提升士蘭集科的生產(chǎn)能力，為士蘭微提供產(chǎn)能保障。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，今年以來(lái)，除士蘭微外，還有另外兩家化合物半導(dǎo)體廠商披露了增資相關(guān)動(dòng)態(tài)，分別是中車時(shí)代半導(dǎo)體和長(zhǎng)光華芯。

4月26日，中車時(shí)代半導(dǎo)體增資引入戰(zhàn)略投資者簽約儀式在株洲舉行。根據(jù)中車時(shí)代半導(dǎo)體母公司時(shí)代電氣在今年3月底發(fā)布的公告，中車時(shí)代半導(dǎo)體本次增資擴(kuò)股擬引入株洲市國(guó)創(chuàng)田芯創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等26名戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺(tái)株洲芯發(fā)展零號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），增資金額為人民幣43.278億元。本次增資完成后，時(shí)代電氣持有中車時(shí)代半導(dǎo)體的股權(quán)比例從96.1680%變更為77.7771%，仍為中車時(shí)代半導(dǎo)體的控股股東。

隨后在7月12日晚間，長(zhǎng)光華芯發(fā)布公告宣布子公司擬增資惟清半導(dǎo)體，后者股東之一為碳化硅功率器件廠商清純半導(dǎo)體。具體來(lái)看，長(zhǎng)光華芯全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司（以下簡(jiǎn)稱：研究院）擬出資1億元認(rèn)購(gòu)關(guān)聯(lián)方惟清半導(dǎo)體新增注冊(cè)資本1333.33萬(wàn)元。本次增資前，研究院持有惟清半導(dǎo)體29%的股權(quán)，增資完成后，研究院將持有惟清半導(dǎo)體31.61%的股權(quán)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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士蘭微上半年虧損收窄，IGBT和碳化硅營(yíng)收增長(zhǎng)

8月19日晚間，士蘭微公布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收52.74億元，同比增長(zhǎng)17.83%，虧損同比收窄。

士蘭微報(bào)告期內(nèi)凈利潤(rùn)出現(xiàn)虧損，主要原因有兩方面：一是公司持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中，昱能科技和安路科技的股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈損失達(dá)1.62億元；二是子公司士蘭明鎵的6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線仍處于產(chǎn)能爬坡期，產(chǎn)量較低，同時(shí)資產(chǎn)折舊等固定成本較高，進(jìn)一步加劇了虧損。

盡管歸母凈利潤(rùn)仍處于虧損，但士蘭微總體營(yíng)收同比增長(zhǎng)約18%。這一增長(zhǎng)得益于公司持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié)MOSFET器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)的推廣力度。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，2024年上半年，士蘭微IGBT和碳化硅（模塊、器件）的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到7.83億元，較去年同期增長(zhǎng)30%以上。

產(chǎn)能方面，2024年上半年，士蘭微加快推進(jìn)“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至目前士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸碳化硅MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)三季度末產(chǎn)能將達(dá)到9000片/月，預(yù)計(jì)2024年年底產(chǎn)能將達(dá)到12000片/月。

技術(shù)研發(fā)方面，上半年，基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代碳化硅MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過(guò)吉利、匯川等客戶驗(yàn)證，并開(kāi)始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。其已初步完成第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級(jí)，推動(dòng)第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET芯片導(dǎo)入量產(chǎn)。

晶盛機(jī)電上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.47億元，推進(jìn)8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡

8月20日晚間，晶盛機(jī)電公布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.47億元，同比增長(zhǎng)20.71%；歸母凈利潤(rùn)20.96億元，同比減少4.97%。

晶盛機(jī)電業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體、光伏設(shè)備領(lǐng)域以及半導(dǎo)體材料細(xì)分領(lǐng)域的藍(lán)寶石材料和碳化硅材料等。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電所生產(chǎn)的設(shè)備主要用于半導(dǎo)體晶體的生長(zhǎng)和加工，屬于硅片制造環(huán)節(jié)設(shè)備，同時(shí)在部分工藝環(huán)節(jié)布局至芯片制造和封裝制造端?；诋a(chǎn)業(yè)鏈延伸，晶盛機(jī)電在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域開(kāi)發(fā)了8-12英寸常壓硅外延設(shè)備，以及6-8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實(shí)現(xiàn)碳化硅外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。

材料業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域積極布局新材料業(yè)務(wù)，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍(lán)寶石材料、碳化硅材料、以及金剛線等具有廣闊應(yīng)用場(chǎng)景的材料業(yè)務(wù)。

報(bào)告期內(nèi)，受益于新能源車的持續(xù)發(fā)展，碳化硅材料需求快速增加，產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能逐步向8英寸轉(zhuǎn)移。公司緊抓行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，快速推進(jìn)8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡，同時(shí)積極拓展國(guó)內(nèi)外客戶，市場(chǎng)拓展成果顯著，產(chǎn)能和出貨量快速增加。

目前，晶盛機(jī)電掌握了6-8英寸碳化硅材料的生長(zhǎng)及加工技術(shù)，并正在建設(shè)實(shí)施年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸及5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，加速推進(jìn)大尺寸碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac、Mia整理）

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