网站正能量软件,久久一区二区三区精华液 http://www.teatotalar.com 集邦化合物半導體是化合物半導體行業(yè)門戶網站,提供SiC、GaN等化合物半導體產業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Mon, 15 Jan 2024 08:35:19 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 宏微科技公開SiC功率MOSFET器件專利 http://www.teatotalar.com/Company/newsdetail-66845.html Mon, 15 Jan 2024 10:05:26 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=66845 天眼查資料顯示,1月12日,宏微科技公開一項“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利,申請公布號為CN117393605A,申請日期為2023年11月7日。

圖片來源:拍信網正版圖庫

該專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法,其中所述SiC功率MOSFET器件包括:SiC襯底;N-外延層,所述N-外延層位于所述SiC襯底之上;有源區(qū),所述有源區(qū)為多個,多個所述有源區(qū)相間隔地排布于所述N-外延層之上;JFET區(qū),所述JFET區(qū)位于所述N-外延層之上,且位于兩個相鄰的的所述有源區(qū)之間,所述JFET區(qū)內設有淺溝槽結構,所述淺溝槽結構設有固定深度,所述淺溝槽結構與所述有源區(qū)之間設有固定距離;多晶硅柵層,所述多晶硅柵層位于所述有源區(qū)和所述JFET區(qū)之上;隔離層,所述隔離層位于所述多晶硅柵層之上;金屬層所述金屬層位于所述隔離層之上。本發(fā)明能夠在MOSFET器件的集電極加高壓的反向截止時,抑制短溝效應,防止MOSFET器件被擊穿。

資料顯示,宏微科技成立于2006年8月,從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發(fā)、生產和銷售,并為客戶提供功率半導體器件的解決方案,主要產品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。

近年來,宏微科技在SiC領域進展較快。2023年3月,宏微科技在接受機構調研時表示,2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試;SiC MOS也在流片中。

2023年11月,宏微科技在接受機構調研時稱,SiC MOS已實現(xiàn)樣品產出,預計于2024年第一季度將成品交付客戶使用。在被問及液冷充電樁項目時,宏微科技表示,公司用于液冷充電樁的SiC器件產品正在開發(fā)階段,預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。

隨后在12月,宏微科技再次對SiC業(yè)務進展情況進行了介紹。宏微科技稱,公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已經逐步定型和小批量。

據(jù)宏微科技介紹,公司主要的SiC產品分兩類,一類是目前出貨量較大,主要用在光伏領域的混封產品;第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產品,2024年預計會有較大幅度的增長。(集邦化合物半導體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。

]]>
宏微科技:SiC產品已逐步定型和小批量銷售 http://www.teatotalar.com/Company/newsdetail-66468.html Thu, 07 Dec 2023 09:45:05 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=66468 12月5日,宏微科技在接受116家機構調研時對公司目前碳化硅(SiC)業(yè)務的進展情況進行了介紹。宏微科技稱,公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已經逐步定型和小批量。

據(jù)宏微科技介紹,公司主要的SiC產品分兩類,一類是目前出貨量較大,主要用在光伏領域的混封產品;第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產品,明年預計會有較大幅度的增長。在電動汽車方向,公司SiC灌封產品對標英飛凌HPD產品,且公司單面散熱SiC塑封模塊明年也會有所突破,形成銷售。

資料顯示,宏微科技創(chuàng)立于2006年,業(yè)務范圍涵蓋設計、研發(fā)、生產和銷售新型電力半導體芯片、分立器件及模塊,如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶定制模塊(CSPM)。

目前,半導體廠商加碼SiC業(yè)務已成為常態(tài),宏微科技相關動作也正在向SiC領域傾斜。事實上,宏微科技算得上是國內SiC賽道較早的入局者之一,公司從2015年左右開始做SiC模塊,購買國外的芯片進行封裝。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據(jù)宏微科技在今年10月下旬介紹,公司SiC二極管已經開發(fā)成功,在小批量試用,SiC MOS在做最后的驗證,年底會有結果。而到目前,公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已逐步定型和小批量,迎來了新進展。

新能源汽車、光儲充等領域的蓬勃發(fā)展帶動SiC市場需求走高,為SiC相關廠商創(chuàng)造了切入機會和新的業(yè)績增長點,宏微科技也已有相關產品布局。據(jù)悉,液冷充電樁需應用SiC器件產品,目前宏微科技的SiC器件產品正在開發(fā)階段,預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。值得一提的是,目前由于光伏的需求提升,公司批量交付Si+SiC混合封裝的產品,每月出貨量在幾萬塊左右。

在SiC領域的積極布局和成果在一定程度上促進了宏微科技的營收增長,公司2023年第三季度報告顯示,公司Q3營收3.71億元,同比增長31.58%;歸屬于上市公司股東的凈利潤2304.29萬元,同比下降20.56%;歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤2430.17萬元,同比增長9.55%;基本每股收益0.15元/股。

公司營收增速較快,但凈利潤卻出現(xiàn)同比下降,原因之一是研發(fā)投入較大,公司2023年第三季度研發(fā)投入合計2816.16萬元,同比增長達54.77%。加大研發(fā)投入使得公司當前資本支出較高,但有助于公司未來的業(yè)績增長。(集邦化合物半導體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。

]]>
宏微科技:SiC MOS已出樣,成品預計明年交付 http://www.teatotalar.com/Company/newsdetail-66053.html Mon, 06 Nov 2023 05:47:10 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=66053 宏微科技近日在接受結構調研時稱,公司生產的SiC二極管已在客戶端開展驗證工作,SiC MOS實現(xiàn)樣品產出,預計于2024年第一季度將成品交付客戶使用。

此外,在被問及液冷充電樁項目時,宏微科技表示:液冷充電樁需應用SiC器件產品,目前公司的SiC器件產品正在開發(fā)階段,預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據(jù)了解,宏微科技自設立以來一直從事IGBT、FRED和MOSFET為主的功率半導體芯片、單管和模塊的設計、研發(fā)、生產和銷售,并為客戶提供功率半導體器件的解決方案。

針對SiC器件,宏微科技下階段將不斷提升產能利用率、產品性能,根據(jù)客戶需求,部署下階段封裝產品,最終實現(xiàn)公司高速、高質量發(fā)展。

據(jù)TrendForce集邦咨詢推出的《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》顯示,按2022年應用結構來看,光伏儲能為中國SiC市場最大應用場景,占比約38.9%,接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場作為未來發(fā)展主軸,即將超越光伏儲能應用,其份額至2026年有望攀升至60.1%。(文:集邦化合物半導體Morty整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。

]]>