會上，多個超百億元產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）集中發(fā)布重大科技攻關(guān)成果，同時宣布一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。

此次集中簽約的項(xiàng)目，形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，包括三晶第三代半導(dǎo)體精密裝備及材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

會上，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）平臺成果發(fā)布，涉及SiC MOSFET、功率模塊等關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)悉，該中心將攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產(chǎn)品”和“面向智能電網(wǎng)和高鐵應(yīng)用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大產(chǎn)品方向，從碳化硅電力電子的基礎(chǔ)理論、材料生長、器件制備、系統(tǒng)應(yīng)用等四個方面，聯(lián)合生態(tài)伙伴共同攻關(guān)。

當(dāng)前，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項(xiàng)目已經(jīng)竣工投產(chǎn)，隨著一期項(xiàng)目投運(yùn)，二期項(xiàng)目的建設(shè)也排上日程，媒體報道二期項(xiàng)目將于2024年開建，規(guī)劃年產(chǎn)20萬片8英寸圓片。

（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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