韓國RFHIC投資GaN射頻外延廠商SweGaN

4月15日，歐洲碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延技術(shù)開發(fā)商SweGaN AB宣布獲得韓國GaN射頻及微波半導體廠商RFHIC Corporation（艾爾福）的投資（投資金額未披露），雙方就GaN-on-SiC外延解決方案的研發(fā)與產(chǎn)品開發(fā)等達成了戰(zhàn)略合作，未來將共同挖掘GaN射頻應(yīng)用市場。

圖片來源：SweGaN

過去十年，SweGaN致力于GaN-on-SiC外延解決方案的開發(fā)，服務(wù)于5G通信基礎(chǔ)設(shè)施、國防雷達、衛(wèi)星通信、車載OBC、數(shù)據(jù)中心等射頻、功率半導體市場。

RFHIC主要面向無線通信、國防航空航天以及工業(yè)、科學和醫(yī)療等領(lǐng)域開發(fā)射頻、微波半導體器件及混合模塊等產(chǎn)品，公司總部位于韓國，已在歐洲、美國、中國、日本等地設(shè)立了子公司或辦事處。目前，RFHIC正在積極推廣和應(yīng)用GaN技術(shù)，開發(fā)4GHz超高頻段等產(chǎn)品。

圖片來源：RFHIC

本次合作順應(yīng)了全球能源轉(zhuǎn)型期的發(fā)展趨勢，亦符合雙方各自的發(fā)展戰(zhàn)略需求。

對于SweGaN而言，借助RFHIC的資金、技術(shù)、資源等各方面的支持，其能加速推進GaN-on-SiC外延片的擴產(chǎn)進程，同時有望顯著提升在全球GaN市場的地位。

對于RFHIC而言，SweGaN的高性能6英寸GaN-on-SiC外延技術(shù)解決方案有助于其推動5G/6G、衛(wèi)星通信等射頻GaN市場發(fā)展戰(zhàn)略的實施；另外，此舉也符合其GaN外延片供應(yīng)商多元化的發(fā)展需求。

多國加注GaN射頻技術(shù)，長遠成長可見度高

GaN-on-SiC技術(shù)是射頻應(yīng)用領(lǐng)域的理想解決方案，能夠滿足5G/6G通信基站、航天航空、衛(wèi)星通信等對高效能源轉(zhuǎn)換、高頻率、高帶寬的需求，現(xiàn)已被列入多個國家的戰(zhàn)略發(fā)展方向之一，如韓國、英國、中國等。

其中，韓國早在2021年便確定了“X-band 氮化鎵（GaN）半導體集成電路”國產(chǎn)化課題，目的是培育國防產(chǎn)業(yè)原材料、零部件、裝備企業(yè)，而RFHIC正是該課題的牽頭企業(yè)。此外，不久之前，韓國電子通信研究院（ETRI）剛宣布將啟動射頻GaN晶圓代工業(yè)務(wù)，采用150nm GaN微波集成電路（MMIC）設(shè)計套件（PDK），據(jù)悉，該設(shè)計套件是根據(jù)科學與信息通信技術(shù)部”電信用化合物半導體研究代工廠”項目而開發(fā)。

英國方面也在積極打造相關(guān)自主供應(yīng)鏈。今年2月消息顯示，英國擬通過一個名為ORanGaN的項目構(gòu)建全新的自主供應(yīng)鏈，專注于5G通信射頻GaN產(chǎn)品和設(shè)備的研發(fā)，制備基于GaN技術(shù)的單片微波集成電路芯片 (MMIC) 等5G通信組件，助力英國實現(xiàn)5G、商用射頻GaN器件的生產(chǎn)能力，最終幫助增強英國國內(nèi)5G基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)韌性，推動經(jīng)濟增長。目前，該項目也獲得了英國科學、創(chuàng)新和技術(shù)部 (DSIT) 的支持。

中國亦高度重視包括射頻GaN在內(nèi)的第三代半導體產(chǎn)業(yè)，已將其納入國家科技創(chuàng)新重大專項、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等政策框架內(nèi)，并給予資金支持、稅收優(yōu)惠、科研項目傾斜等政策扶持。產(chǎn)業(yè)鏈正在逐步構(gòu)建和完善中，其中，以英諾賽科、三安光電等為代表的本土IDM企業(yè)已呈現(xiàn)出了較強的競爭力，在GaN產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)了全覆蓋。在國內(nèi)射頻應(yīng)用已到了成熟階段這個背景下，相信國產(chǎn)GaN射頻產(chǎn)業(yè)也將蒸蒸日上。

總的來說，全球多國對發(fā)展射頻GaN技術(shù)的決心明確，近幾年來也可見到重視程度在不斷提升，這表明未來GaN在射頻應(yīng)用市場有著比較高的成長可見度。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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