新型車載芯片有著巨大的市場(chǎng)潛力，但同時(shí)有著極高的性能和質(zhì)量要求。微導(dǎo)與客戶深入配合進(jìn)行產(chǎn)品和工藝開(kāi)發(fā)，經(jīng)過(guò)近三年的努力，采用微導(dǎo)ALD技術(shù)的新型車載芯片通過(guò)了各類嚴(yán)苛測(cè)試要求，有效提升芯片性能，增強(qiáng)器件穩(wěn)定性，延長(zhǎng)芯片使用壽命，使電子產(chǎn)品能夠適應(yīng)更加復(fù)雜多變的應(yīng)用場(chǎng)景。同時(shí)，微導(dǎo)創(chuàng)新技術(shù)成功解決了批量生產(chǎn)的各類問(wèn)題，滿足了大批量生產(chǎn)對(duì)成本的嚴(yán)格要求。

source：微導(dǎo)納米

微導(dǎo)聯(lián)席CTO、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用中心總經(jīng)理表示：“微導(dǎo)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)在沒(méi)有行業(yè)先例，沒(méi)有技術(shù)參照的情況下敢于探索，積極創(chuàng)新，針對(duì)歐盟地區(qū)對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的嚴(yán)格要求，精心制造，充分準(zhǔn)備，客戶對(duì)我們的設(shè)備一次性通過(guò)廠驗(yàn)，順利實(shí)現(xiàn)發(fā)貨，開(kāi)創(chuàng)了ALD技術(shù)在車載芯片封裝技術(shù)的全新應(yīng)用?！?/p>

來(lái)源：微導(dǎo)納米

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微導(dǎo)納米表示，其已經(jīng)完成2023年第三季度的初步核算工作。根據(jù)公司未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2023年前三季度累計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約9.7億元至10.7億元，同比增長(zhǎng)約151.91%至177.88%。

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)火熱帶動(dòng)公司營(yíng)收

微導(dǎo)納米以原子層沉積（ALD）技術(shù)為核心，主要從事先進(jìn)微、納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，向下游客戶提供先進(jìn)薄膜沉積設(shè)備、配套產(chǎn)品及服務(wù)。

從晶圓廠的投資構(gòu)成來(lái)看，刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。

近年來(lái)，以SiC為代表的化合物半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)帶動(dòng)設(shè)備需求增長(zhǎng)，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，拉動(dòng)市場(chǎng)對(duì)薄膜沉積設(shè)備需求的增加。

2022年12月23日，微導(dǎo)納米登陸科創(chuàng)板塊。自登陸科創(chuàng)板塊以來(lái)，該公司實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)ALD、CVD技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的突破，并收獲了大量的訂單。

根據(jù)微導(dǎo)納米8月公布的2023年半年度報(bào)告來(lái)看，公司前半年?duì)I收3.82億元，同比增長(zhǎng)145.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)0.69億元，扭虧為盈；扣非歸母凈利潤(rùn)0.46億元。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域

據(jù)了解，微導(dǎo)納米的產(chǎn)品率先用于光伏電池片生產(chǎn)過(guò)程中的薄膜沉積環(huán)節(jié)，隨后又開(kāi)發(fā)了對(duì)技術(shù)水平和工藝要求更高的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備，已先后獲得多家知名半導(dǎo)體公司的商業(yè)訂單，并實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)ALD設(shè)備在28nm集成電路制造關(guān)鍵工藝（高介電常數(shù)柵氧層材料沉積環(huán)節(jié)）中的突破。

微導(dǎo)納米還與多家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商及驗(yàn)證平臺(tái)簽署了保密協(xié)議并開(kāi)展產(chǎn)品技術(shù)驗(yàn)證等合作，針對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體薄膜沉積各細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域研發(fā)試制新型ALD設(shè)備。

去年，微導(dǎo)納米為國(guó)內(nèi)某化合物半導(dǎo)體制造標(biāo)桿企業(yè)定制的先進(jìn)ALD裝備成功發(fā)貨，設(shè)備各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際同行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這標(biāo)志著微導(dǎo)納米率先邁出國(guó)產(chǎn)ALD裝備進(jìn)軍先進(jìn)化合物半導(dǎo)體微納器件制造市場(chǎng)的堅(jiān)實(shí)步伐。

今年7月，其自主研制的iTronix系列CVD薄膜沉積設(shè)備系列產(chǎn)品已成功發(fā)貨。該產(chǎn)品適用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同種類薄膜，可應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝、顯示器件以及化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域芯片制造。

據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來(lái)看，光伏儲(chǔ)能為中國(guó)SiC市場(chǎng)最大應(yīng)用場(chǎng)景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。當(dāng)然，汽車市場(chǎng)作為未來(lái)發(fā)展主軸，即將超越光伏儲(chǔ)能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在以SiC為代表的化合物半導(dǎo)體獲得青睞的同時(shí)，不少企業(yè)開(kāi)始加速在相關(guān)領(lǐng)域布局。微導(dǎo)納米今年加大研發(fā)投入，今年上半年已投入0.98億元進(jìn)行新產(chǎn)品的研發(fā)，其中約50%投向了半導(dǎo)體領(lǐng)域，包括邏輯、存儲(chǔ)、新型顯示器、化合物半導(dǎo)體等項(xiàng)目。

在市場(chǎng)規(guī)模日漸擴(kuò)大的情況下，先進(jìn)化合物半導(dǎo)體微納制造技術(shù)不斷迭代更新，全球市場(chǎng)對(duì)ALD技術(shù)的需求也愈發(fā)顯著。

微導(dǎo)納米表示，目前，ALD與CVD設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍處在非常低的水平，均有著非常廣闊的發(fā)展前景。
（文：化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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截至收盤，微導(dǎo)納米漲13.38%，每股報(bào)27.45元，總市值達(dá)124.7億元。

1、寧德系資本2.2億元入股

微導(dǎo)納米以原子層沉積（ALD）技術(shù)為核心，主要從事先進(jìn)微、納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，向下游客戶提供先進(jìn)薄膜沉積設(shè)備、配套產(chǎn)品及服務(wù)。

2020年12月24日，微導(dǎo)納米股改后第二次增資引入了馮源繪芯、錦潤(rùn)博納、聚隆景潤(rùn)、問(wèn)鼎投資、瑞庭投資。此次增資價(jià)格為每股147.48元，問(wèn)鼎投資、瑞庭投資合計(jì)認(rèn)購(gòu)微導(dǎo)納米約149萬(wàn)股，共出資約2.2億元。

其中，問(wèn)鼎投資、瑞庭投資均為寧德系資本。寧德時(shí)代的實(shí)際控制人曾毓群、李平控制了問(wèn)鼎投資100%的股權(quán)，瑞庭投資也為曾毓群實(shí)際控制，2021年1月瑞庭投資將所持有的微導(dǎo)納米股份被轉(zhuǎn)讓給瑞華投資，兩家公司均為曾毓群所實(shí)際控制的企業(yè)。

2、募資10億，擴(kuò)大產(chǎn)能

2019年-2021年，微導(dǎo)納米分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入21,581.56萬(wàn)元、31,255.41萬(wàn)元、42,791.71萬(wàn)元。其中，專用設(shè)備是其最大的營(yíng)收來(lái)源。據(jù)悉，微導(dǎo)納米的專用設(shè)備產(chǎn)品主要包括ALD設(shè)備、PECVD設(shè)備、PEALD二合一平臺(tái)設(shè)備。

其中，“基于原子層沉積技術(shù)的光伏及柔性電子設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)項(xiàng)目”擬基于公司現(xiàn)有ALD設(shè)備產(chǎn)線進(jìn)行升級(jí)擴(kuò)產(chǎn)，開(kāi)發(fā)適用于光伏、柔性電子的ALD設(shè)備，新增年產(chǎn)120臺(tái)ALD設(shè)備的生產(chǎn)能力；

“基于原子層沉積技術(shù)的半導(dǎo)體配套設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)項(xiàng)目”擬基于公司現(xiàn)有ALD設(shè)備產(chǎn)線進(jìn)行升級(jí)擴(kuò)產(chǎn)，開(kāi)發(fā)適用于半導(dǎo)體的ALD設(shè)備，新增年產(chǎn)40套ALD設(shè)備；

“集成電路高端裝備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用中心項(xiàng)目”的建設(shè)則可以推動(dòng)基于ALD技術(shù)的集成電路高端制造裝備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

3、進(jìn)軍先進(jìn)化合物半導(dǎo)體ALD設(shè)備領(lǐng)域

據(jù)了解，微導(dǎo)納米的產(chǎn)品率先用于光伏電池片生產(chǎn)過(guò)程中的薄膜沉積環(huán)節(jié)，隨后又開(kāi)發(fā)了對(duì)技術(shù)水平和工藝要求更高的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備，目前已先后獲得多家知名半導(dǎo)體公司的商業(yè)訂單，并實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)ALD設(shè)備在28nm集成電路制造關(guān)鍵工藝（高介電常數(shù)柵氧層材料沉積環(huán)節(jié)）中的突破。

微導(dǎo)納米還與多家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商及驗(yàn)證平臺(tái)簽署了保密協(xié)議并開(kāi)展產(chǎn)品技術(shù)驗(yàn)證等合作，針對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體薄膜沉積各細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域研發(fā)試制新型ALD設(shè)備。

近日，微導(dǎo)納米為國(guó)內(nèi)某化合物半導(dǎo)體制造標(biāo)桿企業(yè)定制的先進(jìn)ALD裝備成功發(fā)貨，設(shè)備各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際同行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這標(biāo)志著微導(dǎo)納米率先邁出國(guó)產(chǎn)ALD裝備進(jìn)軍先進(jìn)化合物半導(dǎo)體微納器件制造市場(chǎng)的堅(jiān)實(shí)步伐。

目前，先進(jìn)化合物半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表，其應(yīng)用已延伸至5G基建、新能源汽車等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，迅速成為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的戰(zhàn)略發(fā)展方向之一。在市場(chǎng)規(guī)模日漸擴(kuò)大的情況下，先進(jìn)化合物半導(dǎo)體微納制造技術(shù)不斷迭代更新，全球市場(chǎng)對(duì)ALD技術(shù)的需求也愈發(fā)顯著。

此次微導(dǎo)納米創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的專用于微納制造的先進(jìn)ALD裝備，具備傳統(tǒng)薄膜沉積技術(shù)難以企及的原子級(jí)厚度精準(zhǔn)控制、優(yōu)異的薄膜厚度均勻性以及高保形性等多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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