德州儀器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器業(yè)務(wù)部門經(jīng)理 Nicole Navinsky 表示：“高壓家用電器及 HVAC 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員正努力達(dá)成更高的能效標(biāo)準(zhǔn)，以期支持全球環(huán)境可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)。同時(shí)，他們也致力于滿足消費(fèi)者對(duì)可靠、靜音及小巧系統(tǒng)的需求。借助德州儀器全新的 GaN IPM，工程師能夠設(shè)計(jì)出滿足所有這些期望并以出色效率運(yùn)行的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)。”

德州儀器 GaN 助力提升系統(tǒng)效率和可靠性

全球范圍內(nèi)針對(duì)家電和 HVAC 系統(tǒng)的能效標(biāo)準(zhǔn)（如 SEER、MEPS、Energy Star 和 Top Runner 標(biāo)準(zhǔn)）正變得日益嚴(yán)格。與現(xiàn)有解決方案相比，DRV7308 可利用 GaN 技術(shù)實(shí)現(xiàn)超過 99% 的效率，提升熱性能，功耗可降低 50%，從而協(xié)助工程師滿足上述標(biāo)準(zhǔn)。

此外，DRV7308 實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)較低的死區(qū)時(shí)間和低傳播延遲（均小于 200ns），這可達(dá)到更高的脈寬調(diào)制 (PWM) 開關(guān)頻率，從而減少可聞噪聲和系統(tǒng)振動(dòng)。這些優(yōu)勢(shì)與 DRV7308 更高的功率效率和集成特性相得益彰，還能減少電機(jī)發(fā)熱問題，進(jìn)而提高系統(tǒng)可靠性并延長(zhǎng)使用壽命。

強(qiáng)大集成和高功率密度可縮減解決方案尺寸和成本

順應(yīng)家電小型化的趨勢(shì)，DRV7308 協(xié)助工程師開發(fā)更小巧的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)。全新 IPM 基于 GaN 技術(shù)，具有高功率密度，并采用 12mm x 12mm 封裝，使之成為面向 150W 至 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的業(yè)界超小型 IPM。在出色效率的加持下，DRV7308 無需外部散熱器，與同類 IPM 解決方案相比，電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器印刷電路板 (PCB) 的尺寸可縮減高達(dá) 55%。此外，對(duì)電流檢測(cè)放大器、保護(hù)功能和逆變器級(jí)的集成進(jìn)一步縮減了解決方案的尺寸和成本。

德州儀器可靠的高壓技術(shù)亮相慕尼黑上海電子展

DRV7308 GaN IPM 將在慕尼黑上海電子展展出。屆時(shí)，德州儀器技術(shù)專家將在活動(dòng)同期論壇帶來 “德州儀器推出先進(jìn)的氮化鎵智能功率模塊，助力打造更小更高效的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器”的主題演講，深入解讀德州儀器如何助力第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新與發(fā)展。（來源：德州儀器）

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source：德州儀器

TI從6英寸轉(zhuǎn)型8英寸

3月5日，TI韓國(guó)總監(jiān)Ju-Yong Shin表示，TI正在美國(guó)達(dá)拉斯、日本會(huì)津和其他地方興建8英寸晶圓廠。據(jù)Shin介紹，TI目前采用6英寸工藝生產(chǎn)GaN半導(dǎo)體，達(dá)拉斯工廠有望在2025年之前過渡到8英寸工藝，而在日本會(huì)津工廠，TI正在將現(xiàn)有的硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

在半導(dǎo)體行業(yè)，從一定程度上來說，隨著晶圓尺寸越來越大，單位器件成本呈下降趨勢(shì)。8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍，12英寸晶圓的面積是8英寸晶圓的2.25倍，更大的晶圓尺寸意味著可以生產(chǎn)更多的器件，有助于提高生產(chǎn)效率。

有業(yè)內(nèi)人士表示，從6英寸生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)向8英寸工藝，有望將生產(chǎn)成本降低10%以上。由此看來，TI的工藝轉(zhuǎn)型有望降低GaN半導(dǎo)體價(jià)格，進(jìn)而能夠提供更低價(jià)格的器件以及解決方案，幫助其從降本入手獲得一定的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

值得一提的是，GaN-on-Si是硅基技術(shù)，可以利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠已有的規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)和快速上市?；诖?，TI能夠加速上文所說的將現(xiàn)有的硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN生產(chǎn)線的進(jìn)程，從而更快實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換目標(biāo)。

TI GaN業(yè)務(wù)進(jìn)展

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外廠商均在積極推進(jìn)建設(shè)8英寸GaN晶圓項(xiàng)目，TI順勢(shì)而為，實(shí)施8英寸轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略，在降本增效的同時(shí)，也能夠在技術(shù)方面置身于產(chǎn)業(yè)第一梯隊(duì)。

近年來，TI積極涉足GaN全產(chǎn)業(yè)鏈，以期在穩(wěn)健增長(zhǎng)的GaN市場(chǎng)分一杯羹。據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

產(chǎn)能方面，TI日本負(fù)責(zé)人Samuel Vicari在2023年2月曾透露，將擴(kuò)大在日GaN晶圓產(chǎn)能。據(jù)悉，擴(kuò)產(chǎn)的原因在于TI使用GaN的相關(guān)產(chǎn)品需求較高，為此，TI將主要投資福島縣的會(huì)津工廠以擴(kuò)大產(chǎn)能。

此前，TI日本會(huì)津工廠產(chǎn)能并非全部用于GaN產(chǎn)品，而通過最新的轉(zhuǎn)型規(guī)劃，TI有望將GaN半導(dǎo)體提升為會(huì)津工廠主要產(chǎn)品，其GaN晶圓產(chǎn)能將進(jìn)一步擴(kuò)大。

產(chǎn)品方面，GaN功率器件市場(chǎng)的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng)，目前核心仍在于快充。不久前，TI發(fā)布了低功耗GaN系列新品，可助力提高功率密度、提升系統(tǒng)效率、同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子等產(chǎn)品的尺寸。

如今，消費(fèi)者需要更小、更輕、更便攜，同時(shí)還能快速充電的高能效電源適配器，而借助TI發(fā)布的新品，設(shè)計(jì)人員可將低功耗GaN技術(shù)優(yōu)勢(shì)應(yīng)用到更多消費(fèi)者日常使用的產(chǎn)品中，如手機(jī)和筆記本電腦適配器等。

TI低功耗GaN產(chǎn)品有助于推動(dòng)GaN技術(shù)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透，同時(shí)在一定程度上帶動(dòng)公司GaN業(yè)務(wù)板塊業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

小結(jié)

此次向8英寸轉(zhuǎn)型，配合2023以來實(shí)施的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，TI未來有望提供更多GaN相關(guān)產(chǎn)品，在GaN供不應(yīng)求的大環(huán)境下，分食更多市場(chǎng)份額。

成本問題是制約GaN產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的因素之一，向8英寸以及更大尺寸轉(zhuǎn)型是降低GaN器件成本可行之法。TI實(shí)施8英寸轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略，既有助于降低自身GaN產(chǎn)品成本，也有望在一定程度上推動(dòng)市場(chǎng)上相關(guān)產(chǎn)品降價(jià)，進(jìn)而擴(kuò)大應(yīng)用，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)正面發(fā)展。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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“今天，我們公司在擴(kuò)大制造足跡的過程中邁出了重要的一步。這座新工廠是我們長(zhǎng)期300毫米制造路線圖的一部分，旨在打造客戶未來幾十年所需的產(chǎn)能?！盜lan說道?！霸赥I，我們的熱情是通過讓電子產(chǎn)品變得更便宜來創(chuàng)造一個(gè)更美好的世界通過半導(dǎo)體。我們很自豪能夠成為該組織中不斷壯大的成員猶他州社區(qū)，并制造對(duì)當(dāng)今幾乎所有類型的電子系統(tǒng)都至關(guān)重要的模擬和嵌入式處理半導(dǎo)體?！?/p>

2 月份，TI宣布110億美元投資于猶他州，標(biāo)志著該州歷史上最大的經(jīng)濟(jì)投資。LFAB2 將為TI創(chuàng)造約800個(gè)額外工作崗位以及數(shù)千個(gè)間接工作崗位，首批生產(chǎn)最早將于2026年投入使用。

“TI的制造業(yè)務(wù)不斷增長(zhǎng)猶他州將為我們州帶來變革，為猶他州創(chuàng)造數(shù)百個(gè)高薪就業(yè)機(jī)會(huì)，以制造至關(guān)重要的技術(shù)?！豹q他州州長(zhǎng)斯賓塞·考克斯。“我們?yōu)榘雽?dǎo)體制造而感到自豪猶他州猶他州的項(xiàng)目——將為我們國(guó)家的經(jīng)濟(jì)和國(guó)家安全奠定基礎(chǔ)的創(chuàng)新提供動(dòng)力?！?/p>

建設(shè)更強(qiáng)大的社區(qū)

作為TI對(duì)教育承諾的一部分，公司將投資900萬(wàn)美元在Alpine 學(xué)區(qū)，為幼兒園至12年級(jí)的所有學(xué)生開發(fā)該州第一個(gè)科學(xué)、技術(shù)、工程和數(shù)學(xué)(STEM)學(xué)習(xí)社區(qū)。該多年計(jì)劃將把STEM概念更深入地融入到學(xué)區(qū)85,000名學(xué)生的課程中，并為其教師和管理人員提供以STEM為導(dǎo)向的專業(yè)發(fā)展。該學(xué)區(qū)范圍內(nèi)的計(jì)劃將為學(xué)生提供必要的STEM 技能，例如批判性思維、協(xié)作和創(chuàng)造性解決問題的能力，以便在畢業(yè)后取得成功。

高山學(xué)區(qū)負(fù)責(zé)人Dr. Alpine表示：“我們很高興這種合作關(guān)系將幫助我們的學(xué)生培養(yǎng)必要的知識(shí)和技能，為他們?cè)谏钪腥〉贸晒σ约霸诩夹g(shù)領(lǐng)域可能的職業(yè)生涯做好準(zhǔn)備?！毙ざ鳌しǘ魉刮炙??！芭c城市合作萊希、德州儀器和我們的學(xué)校，這項(xiàng)合作投資將影響學(xué)生及其家庭的子孫后代?！?/p>

可持續(xù)建設(shè)

TI長(zhǎng)期致力于負(fù)責(zé)任的可持續(xù)制造。LFAB2將成為該公司最環(huán)保的晶圓廠之一，旨在滿足領(lǐng)先能源與環(huán)境設(shè)計(jì) (LEED) 建筑評(píng)級(jí)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)效率和可持續(xù)性的最高水平之一：LEED金級(jí)第4版。
LFAB2的目標(biāo)是由 100% 可再生電力提供動(dòng)力，并采用先進(jìn)的12吋設(shè)備和工藝萊希將進(jìn)一步減少?gòu)U物、水和能源的消耗。事實(shí)上，LFAB2 的水回收率預(yù)計(jì)是TI現(xiàn)有晶圓廠的近兩倍。萊希。

構(gòu)建半導(dǎo)體制造的下一個(gè)時(shí)代

LFAB2 將補(bǔ)充TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠，其中包括 LFAB1 (猶他州李海）、DMOS6（達(dá)拉斯），以及RFAB1和RFAB2（都在德克薩斯州理查森）。TI還在美國(guó)建設(shè)四家新的12吋晶圓廠德克薩斯州謝爾曼（SM1、SM2、SM3和SM4），第一座晶圓廠最早將于2025年開始生產(chǎn)。

在《芯片》和《科學(xué)法案》的預(yù)期支持下，TI 的制造擴(kuò)張將為模擬和嵌入式處理產(chǎn)品提供可靠的供應(yīng)。這些在制造和技術(shù)方面的投資體現(xiàn)了公司對(duì)長(zhǎng)期產(chǎn)能規(guī)劃的承諾。（圖文：半導(dǎo)體行業(yè)觀察）

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