據介紹，思銳智能主要聚焦關鍵半導體前道工藝設備的研發(fā)、生產和銷售，提供具有自主可控的核心關鍵技術的系統(tǒng)裝備產品和技術服務方案，公司產品有原子層沉積鍍膜(ALD)設備、薄膜電發(fā)光顯示器(LDI)設備以及離子注入（IMP）設備三大產品系列，廣泛應用于集成電路、第三代半導體、新能源、光學、零部件鍍膜等諸多高精尖領域。

在融資端來看，天眼查顯示，目前思銳智能已完成5輪融資。其中，披露的A輪和B輪都達到了數(shù)億元。

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在產品端來看，針對SiC，思銳智能推出了兩款離子注入設備——SRII-200 SiC中能大束流離子注入機和SRII-4.5M SiC高能離子注入機，廣泛應用于SiC材料研究和半導體器件制備領域。

由于GaN領域涉及到非常多ALD相關的應用，而思銳智能的Transform系列量產型ALD沉積鍍膜設備能夠有效增強GaN器件的性能，該系列設備于2023年7月獲得了GaN器件大廠英諾賽科的訂單。思銳智能Transform系列量產型ALD沉積鍍膜設備將被用于英諾賽科GaN晶圓制造前道工藝，用以支持其8英寸硅基GaN晶圓產線的擴充。

值得一提的是，思銳智能的Transform系列已進入歐洲、北美、日本和中國大陸及臺灣地區(qū)知名廠商，并實現(xiàn)重復訂單。

此次融資的完成，有望助力思銳智能推進ALD業(yè)務升級和離子注入設備業(yè)務取得突破，逐步完成硅基及化合物半導體領域全系列機型的布局。（集邦化合物半導體Morty整理）

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01、英諾賽科深化GaN布局

英諾賽科8英寸晶圓產線于2019年開始大規(guī)模生產，2021年成為全球最大的8英寸硅基GaN量產的企業(yè)。其珠?；谿aN晶圓產能達到4000片/月，蘇州基地產能達到6000片/月，合計供應超過全球50%以上GaN產能?；谟⒅Z賽科的成本優(yōu)勢，在去年整體行情不好的情況下，公司的8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量依然突破1億顆。

在終端應用上，手機充電器是GaN的最大應用場景，目前英諾賽科的GaN芯片已經用于三星，OPPO，VIVO，聯(lián)想，雅迪，LG，安克，努比亞，倍思，綠聯(lián)，閃極等數(shù)多家知名品牌和廠商。

在消費電子之外，英諾賽科也在積極擴展全新的領域。在電動汽車領域英諾賽科珠海工廠已通過汽車認證，預計將在2024年生產用于汽車應用的8英寸硅基GaN器件。英諾賽科也針對數(shù)據中心供電做了全面的布局，可以給客戶提供全鏈路的GaN供電解決方案。

從業(yè)績上來看，英諾賽科在2022年全年的業(yè)績同比增長300%，今年第一季度出貨量也突破5000萬顆，銷售額達到1.5億，是去年同期的4倍。

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02、ALD技術在GaN領域的應用

薄膜沉積是半導體前道制造的核心工藝之一。一般需要使用不同的薄膜沉積技術如化學氣相沉積 (CVD)、原子層沉積 (ALD) 和物理氣相沉積(PVD)，來滿足不同的需求。但在這幾種沉積技術中，傳統(tǒng)的物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積 (CVD)在精度、均勻性、成分控制、復雜結構制備等方面都存在一定的限制。

相比之下，原子層沉積 (ALD) 技術在精度、均勻性、成分控制和復雜結構制備方面的優(yōu)勢使其成為當今半導體制造和納米技術領域的重要工具，為高性能和高可靠性的器件制造提供了關鍵支持。例如ALD薄膜可用于高質量的柵極介電疊層，有助于提升器件擊穿電壓、漏電抑制和阻水疏氧效果。

而GaN領域涉及到非常多ALD相關的應用，從柵極的介電層，到成核層，然后從側壁的鈍化層，到后面的封裝里面都會有ALD的應用，有非常多的ALD應用場景。

思銳智能的Transform系列量產型ALD沉積鍍膜設備，是公司近40年ALD技術積累的集大成者，支持配置多個ALD工藝模塊，兼容熱法及等離子體功能，可為應對不斷增長的產能和新的應用而進行升級。

其ALD鍍膜技術能夠有效增強GaN器件的性能。首先，通過ALD薄膜可實現(xiàn)器件表面的鈍化和覆蓋；其次，通過氧化鋁疊層實現(xiàn)柵極高K介電質的沉積；接下來，通過原位預處理去除自然氧化層，實現(xiàn)表面穩(wěn)定；最后，通過高質量的ALD氮化鋁來實現(xiàn)緩沖層，形成更具生產效益的量產方案。目前思銳智能的Transform系列已進入歐洲、北美、日本和中國大陸及臺灣地區(qū)知名廠商，并實現(xiàn)重復訂單。（文：集邦化合物半導體 Jump整理）

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