碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借高開(kāi)關(guān)頻率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓等優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車領(lǐng)域不斷滲透，車企爭(zhēng)相競(jìng)逐碳化硅賽道，此外碳化硅廠商也在積極爭(zhēng)取車企訂單，碳化硅“上車”勢(shì)不可擋。

供應(yīng)鏈方面，近日揚(yáng)杰科技杰冠微負(fù)責(zé)人對(duì)外表示 ，碳化硅MOSFET能讓新能源汽車充電速度提高5—10倍，續(xù)航里程提高8%以上，能耗降低50%。“目前，已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測(cè)試及合作意向，計(jì)劃今年完成全國(guó)產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的批量上車。”

據(jù)媒體披露，揚(yáng)杰科技碳化硅MOSFET已打入小米、比亞迪供應(yīng)鏈。

此外，另一家碳化硅廠商悉智科技也傳出新進(jìn)展，該公司自主研發(fā)的SiC模塊不僅搭載于智己車型，更獲得大眾中國(guó)體系認(rèn)證，單季度營(yíng)收突破5000萬(wàn)元，未來(lái)單季收入目標(biāo)有望破3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體 flora 整理）

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source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

受此影響，該公司股票自當(dāng)日開(kāi)市起停牌，預(yù)計(jì)3月27日前披露重組預(yù)案并申請(qǐng)復(fù)牌。這一動(dòng)作標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局進(jìn)入關(guān)鍵階段，有望通過(guò)產(chǎn)業(yè)整合強(qiáng)化技術(shù)協(xié)同與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

公開(kāi)資料顯示，貝特電子成立于2003年，前身為德國(guó)Wickmann在華子公司，專注于電力電子保護(hù)元件研發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品涵蓋過(guò)流保護(hù)元件及過(guò)溫保護(hù)元件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、儲(chǔ)能、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。作為國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，貝特電子在細(xì)分市場(chǎng)占據(jù)龍頭地位，其客戶包括多家國(guó)內(nèi)外知名車企及儲(chǔ)能廠商。值得注意的是，該公司曾于2023年6月申報(bào)創(chuàng)業(yè)板IPO，擬募資5.5億元，但于2024年8月主動(dòng)撤回申請(qǐng)。

揚(yáng)杰科技則作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體IDM龍頭，業(yè)務(wù)覆蓋硅基芯片設(shè)計(jì)、制造及封裝測(cè)試，此次跨界收購(gòu)貝特電子，旨在通過(guò)技術(shù)互補(bǔ)與產(chǎn)業(yè)鏈延伸搶占新興市場(chǎng)。貝特電子在電路保護(hù)領(lǐng)域的成熟技術(shù)，可與揚(yáng)杰科技的功率器件形成協(xié)同效應(yīng)，助力其切入汽車電子、儲(chǔ)能等高增長(zhǎng)賽道。此外，貝特電子在新能源汽車及儲(chǔ)能領(lǐng)域的客戶資源，將為揚(yáng)杰科技打開(kāi)新的市場(chǎng)空間，加速其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)。

市場(chǎng)分析人士指出，若交易順利完成，揚(yáng)杰科技將形成“功率芯片+電路保護(hù)”的雙輪驅(qū)動(dòng)格局，進(jìn)一步鞏固其在國(guó)產(chǎn)替代浪潮中的優(yōu)勢(shì)地位。

值得注意的是，揚(yáng)杰科技通過(guò)自主研發(fā)與戰(zhàn)略合作，在碳化硅領(lǐng)域形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。

在材料端，揚(yáng)杰科技與湖南三安合作布局6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能，同時(shí)自主研發(fā)8英寸襯底技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年底實(shí)現(xiàn)中試。

在器件端，揚(yáng)杰科技成功開(kāi)發(fā)車規(guī)級(jí)1200V/750A碳化硅模塊，采用自主設(shè)計(jì)的銀燒結(jié)工藝，已通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，計(jì)劃2025年下半年向國(guó)內(nèi)主流車企批量供貨。

而在封裝端，揚(yáng)杰科技建成國(guó)內(nèi)首條車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊自動(dòng)化產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)50萬(wàn)套，配套新能源汽車主驅(qū)系統(tǒng)。

此前揚(yáng)杰科技與清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院聯(lián)合成立“第三代半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，聚焦碳化硅材料缺陷控制與器件可靠性研究。并與比亞迪半導(dǎo)體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)800V高壓平臺(tái)碳化硅解決方案，覆蓋電機(jī)驅(qū)動(dòng)、OBC等核心部件。此外，該公司通過(guò)并購(gòu)楚微半導(dǎo)體，強(qiáng)化IGBT與碳化硅晶圓制造能力，形成“設(shè)計(jì)-制造-封裝”全鏈條閉環(huán)。

總體而言，揚(yáng)杰科技此次并購(gòu)動(dòng)作，折射出國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整合的大趨勢(shì)。此前，斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微等龍頭均通過(guò)收購(gòu)布局細(xì)分領(lǐng)域，提升綜合競(jìng)爭(zhēng)力。隨著全球供應(yīng)鏈重構(gòu)及技術(shù)迭代加速，企業(yè)通過(guò)橫向并購(gòu)擴(kuò)展產(chǎn)品線、縱向整合強(qiáng)化供應(yīng)鏈成為常態(tài)。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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據(jù)悉，該實(shí)驗(yàn)室的成立旨在聚焦半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，通過(guò)產(chǎn)學(xué)研深度融合，推動(dòng)我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

公開(kāi)消息顯示，揚(yáng)杰科技中央研究院按照國(guó)內(nèi)一流電子實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)，總建筑面積達(dá)5000平方米，分為可靠性實(shí)驗(yàn)室、失效分析實(shí)驗(yàn)室、模擬仿真實(shí)驗(yàn)室和綜合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。實(shí)驗(yàn)室已通過(guò)CNAS（中國(guó)合格評(píng)定國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)）認(rèn)證，具備芯片設(shè)計(jì)模擬仿真、環(huán)境測(cè)試、物理化學(xué)失效分析以及產(chǎn)品電、熱及機(jī)械應(yīng)力模擬仿真等多項(xiàng)功能。

中央研究院整合了揚(yáng)杰科技的多個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個(gè)領(lǐng)域。此外，該公司還與東南大學(xué)共建“寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”，專注于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。實(shí)驗(yàn)室的成立將進(jìn)一步推動(dòng)公司在高端功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，特別是在SiC、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。

揚(yáng)杰科技中央研究院獲批省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室后，將重點(diǎn)解決大功率半導(dǎo)體器件的前沿技術(shù)和共性關(guān)鍵技術(shù)，助力我國(guó)在IGBT等新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)自主可控。此外，實(shí)驗(yàn)室還將為揚(yáng)杰科技新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、技術(shù)瓶頸突破以及市場(chǎng)版圖擴(kuò)展提供強(qiáng)有力的保障。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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天眼查資料顯示，2024年11月1日，揚(yáng)州東興揚(yáng)杰研發(fā)有限公司成立，法定代表人為梁瑤，注冊(cè)資本500萬(wàn)人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)、電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、集成電路芯片及產(chǎn)品銷售、新材料技術(shù)研發(fā)等。股東信息顯示，揚(yáng)州東興揚(yáng)杰研發(fā)有限公司由揚(yáng)杰科技全資持股。

此前在7月31日，揚(yáng)州杰嘉電子材料有限公司成立，法定代表人為唐杉，注冊(cè)資本100萬(wàn)人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含電子專用材料制造、新材料技術(shù)研發(fā)、金屬材料制造、橡膠制品制造等。股東信息顯示，揚(yáng)州杰嘉電子材料有限公司也由揚(yáng)杰科技全資持股。

2024以來(lái)，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，包括揚(yáng)杰科技、中車時(shí)代半導(dǎo)體、江豐電子等在內(nèi)，已有多家碳化硅相關(guān)廠商相繼成立了多家新公司。

其中，北方華創(chuàng)、上海集成電路研發(fā)中心有限公司、上海臨港新片區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金管理有限公司共同成立了上海芯勢(shì)能企業(yè)管理咨詢中心（有限合伙）。

江豐電子全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊(cè)資本5000萬(wàn)元，經(jīng)營(yíng)范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設(shè)備及元器件制造；光伏設(shè)備及元器件銷售；電子專用設(shè)備銷售；電子專用設(shè)備制造等。

時(shí)代電氣旗下中車時(shí)代半導(dǎo)體全資成立了合肥中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊(cè)資本3.1億元，經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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揚(yáng)杰科技：營(yíng)收達(dá)15.58億

揚(yáng)杰科技表示，報(bào)告期內(nèi)，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)需求逐步改善，公司營(yíng)收規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，截至報(bào)告期末累計(jì)達(dá)到44.23億元，較去年同期上升9.48%，累計(jì)歸母凈利潤(rùn)為6.69億元，較去年同期上升8.28%。

其中第三季度營(yíng)收15.58億元，較去年同期上升10.06%，歸母凈利潤(rùn)為2.44億元，較去年同期上升17.91%。

針對(duì)業(yè)績(jī)上漲，揚(yáng)杰科技表示，報(bào)告期內(nèi)，下游應(yīng)用領(lǐng)域需求回暖。隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化和智能化的快速轉(zhuǎn)型，為公司提供了新的增長(zhǎng)機(jī)遇，2024年前三季度公司汽車電子業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入較去年同期上升60%。

同時(shí)，隨著消費(fèi)類電子及工業(yè)市場(chǎng)需求逐步回升，2024年前三季度消費(fèi)電子及工業(yè)產(chǎn)品營(yíng)業(yè)收入較去年同期上升均超20%。

此外，公司持續(xù)推進(jìn)降本增效以及推出滿足市場(chǎng)的新產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了毛利率的上升。

德州儀器：營(yíng)收達(dá)41.5億美元

德州儀器公布2024年第三季度營(yíng)收為41.5億美元（折合人民幣約295.8億元），同比下降8%，但環(huán)比增長(zhǎng)9%；凈利潤(rùn)為13.6億美元，同比下降20%。

數(shù)據(jù)顯示，德州儀器已連著8個(gè)季度營(yíng)收同比下滑，但此次是七個(gè)季度以來(lái)的最小降幅，營(yíng)收與凈利潤(rùn)皆超過(guò)外界預(yù)期。受智能手機(jī)和個(gè)人電腦供應(yīng)商訂單增加以及終端市場(chǎng)需求反彈的推動(dòng)，德州儀器產(chǎn)品的銷量得到提振。

首席執(zhí)行官Haviv Ilan在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，汽車市場(chǎng)的收入也環(huán)比增長(zhǎng)了個(gè)位數(shù)。Ilan表示：“中國(guó)電動(dòng)汽車市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，我們的產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)，這才是推動(dòng)第三季度增長(zhǎng)的真正原因。”不過(guò)，他還表示，預(yù)計(jì)其余汽車市場(chǎng)仍將保持疲軟態(tài)勢(shì)。

Ilan補(bǔ)充道，公司的三個(gè)主要市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始反彈，但其最大的銷售來(lái)源——工業(yè)和汽車芯片——仍面臨庫(kù)存過(guò)剩的問(wèn)題。展望未來(lái)，德州儀器第四季度的預(yù)期是營(yíng)收在37億美元至40億美元之間（折合人民幣約263億元至285億元）。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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揚(yáng)杰科技取得GaN MOSFET專利

天眼查資料顯示，5月10日，揚(yáng)杰科技取得一項(xiàng)“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)”專利，授權(quán)公告號(hào)CN110749389B，申請(qǐng)日期為2019年12月1日，授權(quán)公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示，一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)、涉及功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)。提供了一種方便檢測(cè)，提供檢測(cè)可靠性的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)。包括芯片、引線框架以及覆蓋在芯片、引線框架上的塑封層，所述芯片包括襯底、制作在襯底上的氮化鎵MOSFET結(jié)構(gòu)層、制作在襯底底部的壓阻、制作在襯底底面上的絕緣層、制作在絕緣層上的電極層，所述襯底的材料為單晶硅。本發(fā)明的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制備工藝與常規(guī)氮化鎵MOSFET芯片制備和封裝工藝兼容，制備過(guò)程簡(jiǎn)單易行。

source：天眼查

此前，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，揚(yáng)杰科技全面聚焦SiC產(chǎn)業(yè)，其2023年年報(bào)顯示，公司已開(kāi)發(fā)上市G1、G2系SiC MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOSFET平臺(tái)的比導(dǎo)通電阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達(dá)到3300mΩ.nC以下，可對(duì)標(biāo)國(guó)際水平。2023年，揚(yáng)杰科技還開(kāi)發(fā)了FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產(chǎn)品。目前，其各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲(chǔ)充、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

其中，在當(dāng)前十分火熱的車用場(chǎng)景，揚(yáng)杰科技自主開(kāi)發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家 Tier1 和終端車企的測(cè)試及合作意向，計(jì)劃于 2025 年完成全國(guó)產(chǎn)主驅(qū)SiC模塊的批量上車。

在此前已組建GaN研發(fā)團(tuán)隊(duì)的基礎(chǔ)上，伴隨著此次揚(yáng)杰科技取得新專利，其業(yè)務(wù)布局有望進(jìn)一步向GaN產(chǎn)業(yè)加大滲透。

新潔能取得SiC SBD專利

天眼查資料顯示，5月10日，新潔能取得一項(xiàng)“一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管及其制造方法”專利，授權(quán)公告號(hào)CN109037356B，申請(qǐng)日期為2018年10月15日，授權(quán)公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示，本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管，半導(dǎo)體基板包括N型碳化硅襯底及N型碳化硅外延層，在N型碳化硅外延層內(nèi)的上部設(shè)有若干個(gè)間隔分立的條形第一P型阱區(qū)及條形第一N型阱區(qū)，在條形第一P型阱區(qū)和條形第一N型阱區(qū)下方或下表面設(shè)有若干個(gè)間隔分立的條形第二P型阱區(qū)及條形第二N型阱區(qū)，條形第一P型阱區(qū)分別與條形第二P型阱區(qū)、條形第二N型阱區(qū)間呈30度~90度的夾角；本發(fā)明通過(guò)在條形第一P型阱區(qū)下方設(shè)置與條形第一P型阱區(qū)呈一定夾角的條形第二P型阱區(qū)，同時(shí)提高條形P型阱區(qū)間條形N型阱區(qū)的摻雜濃度，大幅增加器件的擊穿電壓，改善器件的浪涌電流能力。

source：天眼查

作為一家功率半導(dǎo)體廠商，新潔能目前正在全面布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大代表材料SiC和GaN。在SiC領(lǐng)域，2023年，新潔能已開(kāi)發(fā)完成1200V 23mΩ 75mΩ和750V 26mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品12款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段。

在GaN領(lǐng)域，2023年，新潔能650V/190mΩ E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mΩ D-Mode GaN HEMT已開(kāi)發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，并通過(guò)可靠性考核，其100V/200V GaN產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)中。

此次取得新專利，有助于新潔能進(jìn)一步提升SiC SBD產(chǎn)品技術(shù)水平。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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揚(yáng)杰科技2023年?duì)I收54.10億，SiC MOS批量出貨

4月21日晚間，揚(yáng)杰科技公布2023年年度報(bào)告。2023年，揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收54.10億元，同比增長(zhǎng)0.12%；歸母凈利潤(rùn)9.24億元，同比下滑12.85%；歸母扣非凈利潤(rùn)7.04億元，同比下滑-28.22%。

揚(yáng)杰科技致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，其主營(yíng)產(chǎn)品主要分為三大板塊，具體包括材料板塊（單晶硅棒、硅片、外延片）、晶圓板塊（5英寸、6英寸、8英寸等各類電力電子器件芯片）及封裝器件板塊（MOSFET、IGBT、SiC系列產(chǎn)品、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)及其他產(chǎn)品系列等），廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G通訊、安防、工業(yè)、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。

2023年，揚(yáng)杰科技持續(xù)增加對(duì)第三代半導(dǎo)體芯片行業(yè)的投入，加大在SiC、GaN功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度。其已開(kāi)發(fā)上市G1、G2系SiC MOS產(chǎn)品，型號(hào)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOS平臺(tái)的比導(dǎo)通電阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達(dá)到3300mΩ.nC以下，可對(duì)標(biāo)國(guó)際水平。揚(yáng)杰科技還開(kāi)發(fā)FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產(chǎn)品。當(dāng)前其各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

車載模塊方面，2023年，揚(yáng)杰科技自主開(kāi)發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測(cè)試及合作意向，計(jì)劃于2025年完成全國(guó)產(chǎn)主驅(qū)SiC模塊的批量上車。

合作方面，2023年，揚(yáng)杰科技與東南大學(xué)集成電路學(xué)院簽約共同建設(shè)“揚(yáng)杰東大寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心”，進(jìn)一步加大第三代半導(dǎo)體的研發(fā)力度。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，揚(yáng)杰科技表示，在外部市場(chǎng)環(huán)境下滑的情況下，2023年其營(yíng)收同比略有增長(zhǎng)，前3季度營(yíng)收同比負(fù)增長(zhǎng)進(jìn)一步收窄，并于4季度實(shí)現(xiàn)全年?duì)I收同比增長(zhǎng)。報(bào)告期內(nèi)，其光伏二極管、SiC產(chǎn)品、IGBT產(chǎn)品銷售同比大幅增長(zhǎng)，但因行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)一步加劇，目前上述產(chǎn)品的毛利率低于公司平均毛利率，導(dǎo)致整體毛利率有所下滑。

聞泰科技2023年?duì)I收612.13億，已建立SiC MOS產(chǎn)品線

4月22日晚間，聞泰科技公布2023年年度報(bào)告。2023年，聞泰科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收54.10億元，同比增長(zhǎng)5.40%；歸母凈利潤(rùn)11.81 億元，同比下降 19.00%；歸母扣非凈利潤(rùn)11.27億元，同比下降28.58%。

聞泰科技是集研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造于一體的半導(dǎo)體、產(chǎn)品集成企業(yè)。其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)采用IDM模式，產(chǎn)品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOS器件、GaN FET、SiC二極管與MOS、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

2023年，在三代半領(lǐng)域，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域的銷售，同時(shí)E-M產(chǎn)品通過(guò)所有測(cè)試認(rèn)證，于2024年開(kāi)始銷售；實(shí)現(xiàn)了SiC整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的測(cè)試驗(yàn)證，SiC MOS產(chǎn)品線的建立，讓其進(jìn)入三代半1200V高壓市場(chǎng)，拓展新的增長(zhǎng)空間。

2023年，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收152.26億元，同比下降 4.85%，業(yè)務(wù)毛利率為38.59%， 實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)為24.26億元，同比下降35.29%。2023年，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)來(lái)源于汽車、移動(dòng)及穿戴設(shè)備、工業(yè)與電力、計(jì)算機(jī)設(shè)備、消費(fèi)領(lǐng)域的收入占比分別為62.8%、6.9%、21.7%、4.8%、3.8%。

關(guān)于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)變動(dòng)主要原因，聞泰科技表示，受宏觀經(jīng)濟(jì)等因素影響，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)過(guò)兩年的強(qiáng)勁周期后， 于2022年底增速放緩，2023年到2024年初仍然疲軟。其中，從行業(yè)來(lái)看，汽車領(lǐng)域包括電動(dòng)汽車仍然是其半導(dǎo)體收入來(lái)源的主要方向，來(lái)自該領(lǐng)域的收入占比為62.8%，同比增長(zhǎng)22.95%。第四季度，受全球經(jīng)濟(jì)影響，汽車領(lǐng)域半導(dǎo)體需求增速階段性放緩。同時(shí)，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)持續(xù)投入研發(fā)，2023年其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入為16.34億元，同比增長(zhǎng)37.20%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

作為國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商，揚(yáng)杰科技近年來(lái)持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，推動(dòng)公司總營(yíng)收從2014年的5.3億元增長(zhǎng)到2022年的54億元，凈利潤(rùn)從1億元增長(zhǎng)到10多億元。

據(jù)揚(yáng)杰科技黨委書記、副董事長(zhǎng)梁瑤介紹，公司每年投入的研發(fā)費(fèi)用占總營(yíng)收的比例超過(guò)5%，在IGBT等新產(chǎn)品領(lǐng)域的研發(fā)費(fèi)用占比超過(guò)了15%甚至20%。據(jù)稱，揚(yáng)杰科技目前在全球功率分立器件企業(yè)中排名第12位。其中，功率二極管市占率位居中國(guó)第一，全球第二；整流橋和光伏旁路二極管市占率均位居全球第一。

展望2024年，揚(yáng)杰科技將有三大投入：一是IGBT項(xiàng)目上馬；二是車用模塊項(xiàng)目投入；三是越南工廠建設(shè)。其中，越南工廠建成投產(chǎn)后可以助力公司品牌進(jìn)軍歐美市場(chǎng)。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，揚(yáng)杰科技已有多年的技術(shù)、產(chǎn)品及產(chǎn)能儲(chǔ)備。早在2015年，揚(yáng)杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目。

產(chǎn)品方面，2022年上半年，揚(yáng)杰科技開(kāi)發(fā)了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二極管產(chǎn)品，并獲得國(guó)內(nèi)Top 10光伏逆變器客戶的認(rèn)可，完成了批量出貨。MOSFET產(chǎn)品方面，公司1200V 80mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品也已獲得客戶認(rèn)可，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

產(chǎn)能方面，2023年4月，揚(yáng)杰科技與江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)簽署了《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》，擬投資新建6英寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，總投資約10億元。該項(xiàng)目分兩期實(shí)施建設(shè)，項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，將形成6英寸SiC晶圓產(chǎn)能5000片/月。

此外，2023年6月，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”?；诖搜邪l(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進(jìn)行深層次合作，開(kāi)發(fā)世界級(jí)水平、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、符合市場(chǎng)與應(yīng)用需求的功率半導(dǎo)體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設(shè)計(jì)、寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)等項(xiàng)目的開(kāi)展，加速功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用等研究成果的產(chǎn)業(yè)化。

隨著此次SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約落地，揚(yáng)杰科技有望進(jìn)一步深化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316982A。

該專利摘要顯示，隔離柵的碳化硅晶體管及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次連接的碳化硅襯底，碳化硅漂移層和正面金屬層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設(shè)有向下延伸的NP區(qū)；所述NP區(qū)內(nèi)設(shè)有向下延伸的PP區(qū)；所述碳化硅漂移層的頂面依次設(shè)有向上伸入正面金屬層內(nèi)的柵氧層和Poly層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有包裹所述柵氧層和Poly層的氧化物隔離層，所述氧化物隔離層底端分別與碳化硅漂移層和NP區(qū)連接；所述氧化物隔離層的側(cè)部設(shè)有與PP區(qū)連接的歐姆接觸金屬層。本發(fā)明一定程度上可提高器件的開(kāi)關(guān)性能，降低開(kāi)關(guān)損耗。

“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316985A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層，所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有若干間隔向下延伸的溝槽；還包括：PW區(qū)，位于所述溝槽處；NP區(qū)，從所述溝槽的頂部向下延伸，包裹于所述PW區(qū)內(nèi)；PP區(qū)，設(shè)置在所述溝槽處，位于所述NP區(qū)的下方；柵氧層，設(shè)置在相鄰溝槽之間，位于所述碳化硅漂移層的頂面；Poly層，設(shè)置在所述柵氧層的頂面；隔離層，設(shè)置在所述Poly層上，并從側(cè)部向下延伸至NP區(qū)；本發(fā)明一定程度上減小了N漂移層所帶來(lái)的電阻，從而可降低體二極管的導(dǎo)通電阻，減少其在續(xù)流過(guò)程中產(chǎn)生的損耗。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316986A。

該專利摘要顯示，一種碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體器件。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底、碳化硅外延層、正面電極金屬；所述碳化硅外延層的頂面設(shè)有若干向下延伸的P區(qū)溝槽，所述P區(qū)溝槽內(nèi)設(shè)有P型區(qū)；若干所述P型區(qū)之間設(shè)有N區(qū)溝槽；所述P型區(qū)內(nèi)部設(shè)有歐姆接觸金屬；所述歐姆接觸金屬和碳化硅外延層上設(shè)有肖特基結(jié)接觸金屬；所述肖特基結(jié)接觸金屬的上方設(shè)有正面電極金屬；所述碳化硅襯底和碳化硅外延層的導(dǎo)電類型均為N型。本發(fā)明可以通過(guò)形成兩層不同摻雜濃度的外延層，來(lái)降低器件外延層的導(dǎo)通電阻，進(jìn)一步提高器件通流能力。

“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316983A。

該專利摘要顯示，一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法，涉及功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：步驟001，提供一種N型重?fù)诫s類型的襯底，即為N+型SiC半導(dǎo)體襯底，摻雜濃度為360~400um，摻雜濃度為1e19 cm2；N+型襯底具有兩個(gè)表面，分為正面與背面，在正面形成一層N型緩沖層，厚度為0.8~1um，摻雜濃度為1e18 cm2；在N型緩沖層覆蓋N型輕摻雜類型的漂移層，即為N型漂移層，厚度為5~15um，摻雜濃度為5e15~1e16 cm2,背面形成金屬電極層；步驟002，在漂移層的表面通過(guò)光刻掩膜，進(jìn)行P型摻雜形成PWell阱區(qū)；本發(fā)明制作工藝簡(jiǎn)單，效果顯著，可以應(yīng)用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。

“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117317017A。

該專利摘要顯示，一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有若干間隔向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設(shè)有向下延伸的NP區(qū)和PP區(qū)一；相鄰所述PW區(qū)之間設(shè)有源級(jí)處溝槽，所述源級(jí)處溝槽的槽底設(shè)有向下延伸的PP區(qū)二；所述碳化硅漂移層頂面的端部和中部分別設(shè)有從下而上依次設(shè)置的柵氧層、Poly層和隔離層；所述隔離層從側(cè)部向下延伸與NP區(qū)連接；本發(fā)明通過(guò)在碳化硅MOSFET中形成溝槽體二極管，使得體二極管導(dǎo)通從N型漂移層開(kāi)始，提高了體二極管的導(dǎo)通能力，并且有效避免了由于電子和空穴的復(fù)合現(xiàn)象而導(dǎo)致的晶格缺陷蔓延，從而減小雙極退化現(xiàn)象引起的器件性能退化。

“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚(yáng)杰科技公開(kāi)一項(xiàng)“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117316984A。

該專利摘要顯示，一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的背面加厚金屬、背面歐姆接觸金屬、碳化硅襯底、碳化硅外延層和N型注入?yún)^(qū)；所述N型注入?yún)^(qū)的頂面設(shè)有伸入碳化硅外延層的終端溝槽和若干間隔設(shè)置的源區(qū)溝槽；所述源區(qū)溝槽的槽底設(shè)有向下延伸的P型注入?yún)^(qū)；所述終端溝槽的頂面設(shè)有伸入碳化硅外延層的P型主結(jié)和若干間隔設(shè)置的P型分壓環(huán)；所述碳化硅外延層上設(shè)有覆蓋P型主和若干P型分壓環(huán)的場(chǎng)氧層；本發(fā)明在不增加單顆芯片面積和工藝復(fù)雜程度的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低了器件的正向?qū)▔航怠?/p>

近年來(lái)，揚(yáng)杰科技大力布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2022年6月，揚(yáng)杰科技以2.95億元收購(gòu)中電科四十八所持有的楚微半導(dǎo)體40％股權(quán)，標(biāo)的公司主要布局中高端功率器件。2023年2月，揚(yáng)杰科技又以2.94億元收購(gòu)楚微半導(dǎo)體30％股權(quán)。

2023年6月，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”。與此同時(shí)，揚(yáng)杰科技計(jì)劃與揚(yáng)州市邗江區(qū)簽署《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》，擬投資新建6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，總投資約10億元，該項(xiàng)目分兩期實(shí)施建設(shè)，項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，形成6英寸SiC晶圓產(chǎn)能5000片/月。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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基于此研發(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進(jìn)行深層次合作，開(kāi)發(fā)世界級(jí)水平、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、符合市場(chǎng)與應(yīng)用需求的功率半導(dǎo)體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設(shè)計(jì)、寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)等項(xiàng)目的開(kāi)展，加速功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用等研究成果的產(chǎn)業(yè)化。

01、揚(yáng)杰科技深耕功率半導(dǎo)體

除了此次與東南大學(xué)共建研發(fā)中心之外，揚(yáng)杰科技近期還表示，因公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，計(jì)劃與揚(yáng)州市邗江區(qū)人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》，擬投資新建6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，總投資約10億元。

該項(xiàng)目分兩期實(shí)施建設(shè)，項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，形成碳化硅6英寸晶圓產(chǎn)能5000片/月。項(xiàng)目位于揚(yáng)州市邗江區(qū)汽車產(chǎn)業(yè)園新甘泉東路 56 號(hào)。項(xiàng)目新建廠房 27,000 平方米，其中高潔凈車間（光刻區(qū)十級(jí)、操作區(qū)百級(jí)）的凈化裝修預(yù)計(jì)在 4,500 平方米。

此外，在去年6月，揚(yáng)杰科技以2.95億元收購(gòu)中電科四十八所持有的楚微半導(dǎo)體40％股權(quán)，標(biāo)的主要布局中高端功率器件。

今年2月，揚(yáng)杰科技又以2.94億元收購(gòu)楚微半導(dǎo)體30％股權(quán)，若收購(gòu)成功，楚微半導(dǎo)體將成為揚(yáng)杰科技的子公司。

詳細(xì)來(lái)看，楚微半導(dǎo)體主要在8英寸生產(chǎn)工藝平臺(tái)生產(chǎn)及銷售半導(dǎo)體功率器件芯片，產(chǎn)品主要包括高、中、低壓溝槽式MOSFET芯片和溝槽式光伏二極管芯片等，后續(xù)將向SiC碳化硅芯片等產(chǎn)品拓展。

02、東南大學(xué)加速科研成果產(chǎn)業(yè)化

而東南大學(xué)方面，在近幾年來(lái)一支在加速科研技術(shù)成果的落地，與揚(yáng)杰科技成立研發(fā)中心是眾多落地項(xiàng)目之一。目前東南大學(xué)與不同企業(yè)共建來(lái)了25個(gè)校企聯(lián)合研發(fā)中心。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，東南大學(xué)還與紫金山實(shí)驗(yàn)室、南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司。

值得一提的是，去年12月，東南大學(xué)有兩項(xiàng)研究成果發(fā)表在電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM。第一項(xiàng)成果題為“41% Reduction In Power Stage Area On Silicon-On-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT Platform With Newly Developed Multiple Deep-Oxide Trench Technology”，東南大學(xué)副研究員張龍、博士生馬杰為論文共同一作。

報(bào)道了一種具有多深度氧化溝槽（MDOT）的SOI基Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT技術(shù)（圖1），集成了550V高壓LIGBT、LDMOS、FWD及中低壓CMOS、BJT等器件，實(shí)現(xiàn)了高低壓隔離、高壓互連線屏蔽以及器件漂移區(qū)的大幅縮短。采用MDOT技術(shù)能夠?qū)纹芍悄芄β市酒械墓β始?jí)面積縮小約41%。

（來(lái)源：東大電子）

第二項(xiàng)成果題為“Hybrid Gate p-GaN Power HEMTs Technology for EnhancedVth Stability”，東南大學(xué)博士生張弛為論文第一作者。

報(bào)道了一種提高第三代功率半導(dǎo)體p-GaN HEMT器件閾值電壓穩(wěn)定性的技術(shù)——p-GaN柵極混合接觸勢(shì)壘技術(shù)（圖2），利用勢(shì)壘較低的局部歐姆接觸形成的“電荷泄放”路徑，有效抑制了傳統(tǒng)p-GaN HEMT中存在的“電荷存儲(chǔ)”效應(yīng)，在維持器件低柵漏電特性的前提下增強(qiáng)了器件閾值穩(wěn)定性。

該技術(shù)使得器件在200V、400V反偏應(yīng)力下閾值電壓漂移量分別為0.07V與0.09V；在重復(fù)非鉗位感性負(fù)載應(yīng)力沖擊下，閾值電壓漂移量?jī)H為0.03V。

（來(lái)源：東大電子）

文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理

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