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揚杰科技取得GaN MOSFET專利

天眼查資料顯示，5月10日，揚杰科技取得一項“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)”專利，授權(quán)公告號CN110749389B，申請日期為2019年12月1日，授權(quán)公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示，一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)、涉及功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)。提供了一種方便檢測，提供檢測可靠性的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)。包括芯片、引線框架以及覆蓋在芯片、引線框架上的塑封層，所述芯片包括襯底、制作在襯底上的氮化鎵MOSFET結(jié)構(gòu)層、制作在襯底底部的壓阻、制作在襯底底面上的絕緣層、制作在絕緣層上的電極層，所述襯底的材料為單晶硅。本發(fā)明的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)的制備工藝與常規(guī)氮化鎵MOSFET芯片制備和封裝工藝兼容，制備過程簡單易行。

source：天眼查

此前，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，揚杰科技全面聚焦SiC產(chǎn)業(yè)，其2023年年報顯示，公司已開發(fā)上市G1、G2系SiC MOSFET產(chǎn)品，型號覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOSFET平臺的比導(dǎo)通電阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達到3300mΩ.nC以下，可對標國際水平。2023年，揚杰科技還開發(fā)了FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產(chǎn)品。目前，其各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

其中，在當前十分火熱的車用場景，揚杰科技自主開發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家 Tier1 和終端車企的測試及合作意向，計劃于 2025 年完成全國產(chǎn)主驅(qū)SiC模塊的批量上車。

在此前已組建GaN研發(fā)團隊的基礎(chǔ)上，伴隨著此次揚杰科技取得新專利，其業(yè)務(wù)布局有望進一步向GaN產(chǎn)業(yè)加大滲透。

新潔能取得SiC SBD專利

天眼查資料顯示，5月10日，新潔能取得一項“一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管及其制造方法”專利，授權(quán)公告號CN109037356B，申請日期為2018年10月15日，授權(quán)公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示，本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管，半導(dǎo)體基板包括N型碳化硅襯底及N型碳化硅外延層，在N型碳化硅外延層內(nèi)的上部設(shè)有若干個間隔分立的條形第一P型阱區(qū)及條形第一N型阱區(qū)，在條形第一P型阱區(qū)和條形第一N型阱區(qū)下方或下表面設(shè)有若干個間隔分立的條形第二P型阱區(qū)及條形第二N型阱區(qū)，條形第一P型阱區(qū)分別與條形第二P型阱區(qū)、條形第二N型阱區(qū)間呈30度~90度的夾角；本發(fā)明通過在條形第一P型阱區(qū)下方設(shè)置與條形第一P型阱區(qū)呈一定夾角的條形第二P型阱區(qū)，同時提高條形P型阱區(qū)間條形N型阱區(qū)的摻雜濃度，大幅增加器件的擊穿電壓，改善器件的浪涌電流能力。

source：天眼查

作為一家功率半導(dǎo)體廠商，新潔能目前正在全面布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大代表材料SiC和GaN。在SiC領(lǐng)域，2023年，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mΩ 75mΩ和750V 26mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品12款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段。

在GaN領(lǐng)域，2023年，新潔能650V/190mΩ E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mΩ D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，并通過可靠性考核，其100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。

此次取得新專利，有助于新潔能進一步提升SiC SBD產(chǎn)品技術(shù)水平。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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揚杰科技2023年營收54.10億，SiC MOS批量出貨

4月21日晚間，揚杰科技公布2023年年度報告。2023年，揚杰科技實現(xiàn)營收54.10億元，同比增長0.12%；歸母凈利潤9.24億元，同比下滑12.85%；歸母扣非凈利潤7.04億元，同比下滑-28.22%。

揚杰科技致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計、制造、封裝測試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，其主營產(chǎn)品主要分為三大板塊，具體包括材料板塊（單晶硅棒、硅片、外延片）、晶圓板塊（5英寸、6英寸、8英寸等各類電力電子器件芯片）及封裝器件板塊（MOSFET、IGBT、SiC系列產(chǎn)品、整流器件、保護器件、小信號及其他產(chǎn)品系列等），廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G通訊、安防、工業(yè)、消費類電子等領(lǐng)域。

2023年，揚杰科技持續(xù)增加對第三代半導(dǎo)體芯片行業(yè)的投入，加大在SiC、GaN功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度。其已開發(fā)上市G1、G2系SiC MOS產(chǎn)品，型號覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOS平臺的比導(dǎo)通電阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達到3300mΩ.nC以下，可對標國際水平。揚杰科技還開發(fā)FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產(chǎn)品。當前其各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

車載模塊方面，2023年，揚杰科技自主開發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測試及合作意向，計劃于2025年完成全國產(chǎn)主驅(qū)SiC模塊的批量上車。

合作方面，2023年，揚杰科技與東南大學(xué)集成電路學(xué)院簽約共同建設(shè)“揚杰東大寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心”，進一步加大第三代半導(dǎo)體的研發(fā)力度。

關(guān)于業(yè)績變動原因，揚杰科技表示，在外部市場環(huán)境下滑的情況下，2023年其營收同比略有增長，前3季度營收同比負增長進一步收窄，并于4季度實現(xiàn)全年營收同比增長。報告期內(nèi)，其光伏二極管、SiC產(chǎn)品、IGBT產(chǎn)品銷售同比大幅增長，但因行業(yè)競爭進一步加劇，目前上述產(chǎn)品的毛利率低于公司平均毛利率，導(dǎo)致整體毛利率有所下滑。

聞泰科技2023年營收612.13億，已建立SiC MOS產(chǎn)品線

4月22日晚間，聞泰科技公布2023年年度報告。2023年，聞泰科技實現(xiàn)營收54.10億元，同比增長5.40%；歸母凈利潤11.81 億元，同比下降 19.00%；歸母扣非凈利潤11.27億元，同比下降28.58%。

聞泰科技是集研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造于一體的半導(dǎo)體、產(chǎn)品集成企業(yè)。其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)采用IDM模式，產(chǎn)品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOS器件、GaN FET、SiC二極管與MOS、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

2023年，在三代半領(lǐng)域，聞泰科技實現(xiàn)了GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品工業(yè)和消費領(lǐng)域的銷售，同時E-M產(chǎn)品通過所有測試認證，于2024年開始銷售；實現(xiàn)了SiC整流管的工業(yè)消費級的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費級的測試驗證，SiC MOS產(chǎn)品線的建立，讓其進入三代半1200V高壓市場，拓展新的增長空間。

2023年，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收152.26億元，同比下降 4.85%，業(yè)務(wù)毛利率為38.59%， 實現(xiàn)凈利潤為24.26億元，同比下降35.29%。2023年，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)來源于汽車、移動及穿戴設(shè)備、工業(yè)與電力、計算機設(shè)備、消費領(lǐng)域的收入占比分別為62.8%、6.9%、21.7%、4.8%、3.8%。

關(guān)于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績變動主要原因，聞泰科技表示，受宏觀經(jīng)濟等因素影響，全球半導(dǎo)體市場經(jīng)過兩年的強勁周期后， 于2022年底增速放緩，2023年到2024年初仍然疲軟。其中，從行業(yè)來看，汽車領(lǐng)域包括電動汽車仍然是其半導(dǎo)體收入來源的主要方向，來自該領(lǐng)域的收入占比為62.8%，同比增長22.95%。第四季度，受全球經(jīng)濟影響，汽車領(lǐng)域半導(dǎo)體需求增速階段性放緩。同時，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)持續(xù)投入研發(fā)，2023年其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入為16.34億元，同比增長37.20%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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作為國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商，揚杰科技近年來持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，推動公司總營收從2014年的5.3億元增長到2022年的54億元，凈利潤從1億元增長到10多億元。

據(jù)揚杰科技黨委書記、副董事長梁瑤介紹，公司每年投入的研發(fā)費用占總營收的比例超過5%，在IGBT等新產(chǎn)品領(lǐng)域的研發(fā)費用占比超過了15%甚至20%。據(jù)稱，揚杰科技目前在全球功率分立器件企業(yè)中排名第12位。其中，功率二極管市占率位居中國第一，全球第二；整流橋和光伏旁路二極管市占率均位居全球第一。

展望2024年，揚杰科技將有三大投入：一是IGBT項目上馬；二是車用模塊項目投入；三是越南工廠建設(shè)。其中，越南工廠建成投產(chǎn)后可以助力公司品牌進軍歐美市場。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，揚杰科技已有多年的技術(shù)、產(chǎn)品及產(chǎn)能儲備。早在2015年，揚杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目。

產(chǎn)品方面，2022年上半年，揚杰科技開發(fā)了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二極管產(chǎn)品，并獲得國內(nèi)Top 10光伏逆變器客戶的認可，完成了批量出貨。MOSFET產(chǎn)品方面，公司1200V 80mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品也已獲得客戶認可，并實現(xiàn)量產(chǎn)。

產(chǎn)能方面，2023年4月，揚杰科技與江蘇省揚州市邗江區(qū)簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸晶圓生產(chǎn)線項目，總投資約10億元。該項目分兩期實施建設(shè)，項目全部建成投產(chǎn)后，將形成6英寸SiC晶圓產(chǎn)能5000片/月。

此外，2023年6月，揚杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”?；诖搜邪l(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進行深層次合作，開發(fā)世界級水平、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、符合市場與應(yīng)用需求的功率半導(dǎo)體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設(shè)計、寬禁帶功率器件設(shè)計等項目的開展，加速功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計及應(yīng)用等研究成果的產(chǎn)業(yè)化。

隨著此次SiC模塊封裝項目簽約落地，揚杰科技有望進一步深化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316982A。

該專利摘要顯示，隔離柵的碳化硅晶體管及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次連接的碳化硅襯底，碳化硅漂移層和正面金屬層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設(shè)有向下延伸的NP區(qū)；所述NP區(qū)內(nèi)設(shè)有向下延伸的PP區(qū)；所述碳化硅漂移層的頂面依次設(shè)有向上伸入正面金屬層內(nèi)的柵氧層和Poly層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有包裹所述柵氧層和Poly層的氧化物隔離層，所述氧化物隔離層底端分別與碳化硅漂移層和NP區(qū)連接；所述氧化物隔離層的側(cè)部設(shè)有與PP區(qū)連接的歐姆接觸金屬層。本發(fā)明一定程度上可提高器件的開關(guān)性能，降低開關(guān)損耗。

“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316985A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層，所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有若干間隔向下延伸的溝槽；還包括：PW區(qū)，位于所述溝槽處；NP區(qū)，從所述溝槽的頂部向下延伸，包裹于所述PW區(qū)內(nèi)；PP區(qū)，設(shè)置在所述溝槽處，位于所述NP區(qū)的下方；柵氧層，設(shè)置在相鄰溝槽之間，位于所述碳化硅漂移層的頂面；Poly層，設(shè)置在所述柵氧層的頂面；隔離層，設(shè)置在所述Poly層上，并從側(cè)部向下延伸至NP區(qū)；本發(fā)明一定程度上減小了N漂移層所帶來的電阻，從而可降低體二極管的導(dǎo)通電阻，減少其在續(xù)流過程中產(chǎn)生的損耗。

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“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316986A。

該專利摘要顯示，一種碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體器件。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底、碳化硅外延層、正面電極金屬；所述碳化硅外延層的頂面設(shè)有若干向下延伸的P區(qū)溝槽，所述P區(qū)溝槽內(nèi)設(shè)有P型區(qū)；若干所述P型區(qū)之間設(shè)有N區(qū)溝槽；所述P型區(qū)內(nèi)部設(shè)有歐姆接觸金屬；所述歐姆接觸金屬和碳化硅外延層上設(shè)有肖特基結(jié)接觸金屬；所述肖特基結(jié)接觸金屬的上方設(shè)有正面電極金屬；所述碳化硅襯底和碳化硅外延層的導(dǎo)電類型均為N型。本發(fā)明可以通過形成兩層不同摻雜濃度的外延層，來降低器件外延層的導(dǎo)通電阻，進一步提高器件通流能力。

“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”專利，申請公布號為CN117316983A。

該專利摘要顯示，一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法，涉及功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：步驟001，提供一種N型重摻雜類型的襯底，即為N+型SiC半導(dǎo)體襯底，摻雜濃度為360~400um，摻雜濃度為1e19 cm2；N+型襯底具有兩個表面，分為正面與背面，在正面形成一層N型緩沖層，厚度為0.8~1um，摻雜濃度為1e18 cm2；在N型緩沖層覆蓋N型輕摻雜類型的漂移層，即為N型漂移層，厚度為5~15um，摻雜濃度為5e15~1e16 cm2,背面形成金屬電極層；步驟002，在漂移層的表面通過光刻掩膜，進行P型摻雜形成PWell阱區(qū)；本發(fā)明制作工藝簡單，效果顯著，可以應(yīng)用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。

“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117317017A。

該專利摘要顯示，一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有若干間隔向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設(shè)有向下延伸的NP區(qū)和PP區(qū)一；相鄰所述PW區(qū)之間設(shè)有源級處溝槽，所述源級處溝槽的槽底設(shè)有向下延伸的PP區(qū)二；所述碳化硅漂移層頂面的端部和中部分別設(shè)有從下而上依次設(shè)置的柵氧層、Poly層和隔離層；所述隔離層從側(cè)部向下延伸與NP區(qū)連接；本發(fā)明通過在碳化硅MOSFET中形成溝槽體二極管，使得體二極管導(dǎo)通從N型漂移層開始，提高了體二極管的導(dǎo)通能力，并且有效避免了由于電子和空穴的復(fù)合現(xiàn)象而導(dǎo)致的晶格缺陷蔓延，從而減小雙極退化現(xiàn)象引起的器件性能退化。

“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316984A。

該專利摘要顯示，一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的背面加厚金屬、背面歐姆接觸金屬、碳化硅襯底、碳化硅外延層和N型注入?yún)^(qū)；所述N型注入?yún)^(qū)的頂面設(shè)有伸入碳化硅外延層的終端溝槽和若干間隔設(shè)置的源區(qū)溝槽；所述源區(qū)溝槽的槽底設(shè)有向下延伸的P型注入?yún)^(qū)；所述終端溝槽的頂面設(shè)有伸入碳化硅外延層的P型主結(jié)和若干間隔設(shè)置的P型分壓環(huán)；所述碳化硅外延層上設(shè)有覆蓋P型主和若干P型分壓環(huán)的場氧層；本發(fā)明在不增加單顆芯片面積和工藝復(fù)雜程度的基礎(chǔ)上，進一步降低了器件的正向?qū)▔航怠?/p>

近年來，揚杰科技大力布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2022年6月，揚杰科技以2.95億元收購中電科四十八所持有的楚微半導(dǎo)體40％股權(quán)，標的公司主要布局中高端功率器件。2023年2月，揚杰科技又以2.94億元收購楚微半導(dǎo)體30％股權(quán)。

2023年6月，揚杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”。與此同時，揚杰科技計劃與揚州市邗江區(qū)簽署《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線項目，總投資約10億元，該項目分兩期實施建設(shè)，項目全部建成投產(chǎn)后，形成6英寸SiC晶圓產(chǎn)能5000片/月。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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基于此研發(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進行深層次合作，開發(fā)世界級水平、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、符合市場與應(yīng)用需求的功率半導(dǎo)體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設(shè)計、寬禁帶功率器件設(shè)計等項目的開展，加速功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計及應(yīng)用等研究成果的產(chǎn)業(yè)化。

01、揚杰科技深耕功率半導(dǎo)體

除了此次與東南大學(xué)共建研發(fā)中心之外，揚杰科技近期還表示，因公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，計劃與揚州市邗江區(qū)人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線項目，總投資約10億元。

該項目分兩期實施建設(shè)，項目全部建成投產(chǎn)后，形成碳化硅6英寸晶圓產(chǎn)能5000片/月。項目位于揚州市邗江區(qū)汽車產(chǎn)業(yè)園新甘泉東路 56 號。項目新建廠房 27,000 平方米，其中高潔凈車間（光刻區(qū)十級、操作區(qū)百級）的凈化裝修預(yù)計在 4,500 平方米。

此外，在去年6月，揚杰科技以2.95億元收購中電科四十八所持有的楚微半導(dǎo)體40％股權(quán)，標的主要布局中高端功率器件。

今年2月，揚杰科技又以2.94億元收購楚微半導(dǎo)體30％股權(quán)，若收購成功，楚微半導(dǎo)體將成為揚杰科技的子公司。

詳細來看，楚微半導(dǎo)體主要在8英寸生產(chǎn)工藝平臺生產(chǎn)及銷售半導(dǎo)體功率器件芯片，產(chǎn)品主要包括高、中、低壓溝槽式MOSFET芯片和溝槽式光伏二極管芯片等，后續(xù)將向SiC碳化硅芯片等產(chǎn)品拓展。

02、東南大學(xué)加速科研成果產(chǎn)業(yè)化

而東南大學(xué)方面，在近幾年來一支在加速科研技術(shù)成果的落地，與揚杰科技成立研發(fā)中心是眾多落地項目之一。目前東南大學(xué)與不同企業(yè)共建來了25個校企聯(lián)合研發(fā)中心。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，東南大學(xué)還與紫金山實驗室、南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司。

值得一提的是，去年12月，東南大學(xué)有兩項研究成果發(fā)表在電子器件領(lǐng)域頂會IEDM。第一項成果題為“41% Reduction In Power Stage Area On Silicon-On-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT Platform With Newly Developed Multiple Deep-Oxide Trench Technology”，東南大學(xué)副研究員張龍、博士生馬杰為論文共同一作。

報道了一種具有多深度氧化溝槽（MDOT）的SOI基Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT技術(shù)（圖1），集成了550V高壓LIGBT、LDMOS、FWD及中低壓CMOS、BJT等器件，實現(xiàn)了高低壓隔離、高壓互連線屏蔽以及器件漂移區(qū)的大幅縮短。采用MDOT技術(shù)能夠?qū)纹芍悄芄β市酒械墓β始壝娣e縮小約41%。

（來源：東大電子）

第二項成果題為“Hybrid Gate p-GaN Power HEMTs Technology for EnhancedVth Stability”，東南大學(xué)博士生張弛為論文第一作者。

報道了一種提高第三代功率半導(dǎo)體p-GaN HEMT器件閾值電壓穩(wěn)定性的技術(shù)——p-GaN柵極混合接觸勢壘技術(shù)（圖2），利用勢壘較低的局部歐姆接觸形成的“電荷泄放”路徑，有效抑制了傳統(tǒng)p-GaN HEMT中存在的“電荷存儲”效應(yīng)，在維持器件低柵漏電特性的前提下增強了器件閾值穩(wěn)定性。

該技術(shù)使得器件在200V、400V反偏應(yīng)力下閾值電壓漂移量分別為0.07V與0.09V；在重復(fù)非鉗位感性負載應(yīng)力沖擊下，閾值電壓漂移量僅為0.03V。

（來源：東大電子）

文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理

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2015年，揚杰科技進入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，并逐步組建了相關(guān)設(shè)計、測試、工藝等人才，現(xiàn)已形成了多項專利等知識產(chǎn)權(quán)。入局那一年，揚杰科技便啟動1.5億元募資，用于建設(shè)SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目。目前，揚杰科技已開發(fā)并向市場推出SiC模塊及 650V/1200V SiC SBD系列產(chǎn)品；SiC MOSFET產(chǎn)品則已取得關(guān)鍵性進展。后續(xù)，揚杰科技擬進一步布局 6-8 英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線建設(shè)。

值得注意的是，揚杰科技的經(jīng)營模式采取IDM和Fabless并行，按照業(yè)務(wù)劃分，其在SiC領(lǐng)域短期內(nèi)采用的是Fabless模式，并保持與主流晶圓廠的長期合作。不過，今年的幾大動作反映了揚杰科技正在強化內(nèi)部SiC產(chǎn)業(yè)鏈的布局。

6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線若建設(shè)完成并順利投產(chǎn)，揚杰科技在晶圓產(chǎn)能上將有了雙層的保障，也有利于其優(yōu)化成本，提升器件、模塊產(chǎn)品的競爭力。根據(jù)公告顯示，揚杰科技已于4月18日與江蘇省揚州市邗江區(qū)人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》。未來，項目將分兩期實施建設(shè)，全部建成投產(chǎn)后，將形成碳化硅6英寸晶圓產(chǎn)能5000片/月。

除了自建晶圓產(chǎn)線之外，揚杰科技也在加大對SiC芯片領(lǐng)域的布局。今年2月，揚杰科技宣布擬公開摘牌參與受讓楚微半導(dǎo)體30%的股權(quán)，交易完成后，加上2022年已取得的40%股權(quán)，揚杰科技將持有楚微半導(dǎo)體達70%的股權(quán)，目的是完善8英寸功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線布局，滿足市場對MOSFET、IGBT等持續(xù)增長的需求。

值得注意的是，在楚微半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)規(guī)劃中，SiC芯片是一個重要的發(fā)展方向。而且，楚微半導(dǎo)體目前正在建設(shè)一條月產(chǎn)5000片的6英寸SiC芯片生產(chǎn)線。而據(jù)2022年交易的特別約定，揚杰科技負責(zé)籌措楚微半導(dǎo)體二期建設(shè)資金，確保后者最遲在2024年12月31日前完成增加建設(shè)這條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線及一條月產(chǎn)3萬片的8英寸硅基芯片生產(chǎn)線。

從這些動作不難發(fā)現(xiàn)，揚杰科技在完善SiC產(chǎn)業(yè)鏈布局方面已有清晰的規(guī)劃和實質(zhì)意義上的布局，充分為抓住SiC的市場機遇，擴大公司市占率和影響力做準備。

2022年，揚杰科技的SiC產(chǎn)品線研發(fā)取得重大突破，盡管在現(xiàn)有的收入來源中，SiC系列產(chǎn)品營收占比還比較低，但其坦言，SiC增長速度，占比也在逐步增長。而且，今年以來加速導(dǎo)入汽車、工業(yè)等應(yīng)用市場，帶動SiC產(chǎn)業(yè)鏈需求高速成長。結(jié)合前景已然明朗的SiC產(chǎn)業(yè)，揚杰科技有望隨著產(chǎn)線的建設(shè)、技術(shù)水平的提高及產(chǎn)品的升級，加速兌現(xiàn)業(yè)績。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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