碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，憑借高開關頻率、低導通電阻、耐高溫高壓等優(yōu)勢，在新能源汽車領域不斷滲透，車企爭相競逐碳化硅賽道，此外碳化硅廠商也在積極爭取車企訂單，碳化硅“上車”勢不可擋。

供應鏈方面，近日揚杰科技杰冠微負責人對外表示 ，碳化硅MOSFET能讓新能源汽車充電速度提高5—10倍，續(xù)航里程提高8%以上，能耗降低50%?！澳壳?，已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測試及合作意向，計劃今年完成全國產主驅碳化硅模塊的批量上車?！?/p>

據(jù)媒體披露，揚杰科技碳化硅MOSFET已打入小米、比亞迪供應鏈。

此外，另一家碳化硅廠商悉智科技也傳出新進展，該公司自主研發(fā)的SiC模塊不僅搭載于智己車型，更獲得大眾中國體系認證，單季度營收突破5000萬元，未來單季收入目標有望破3億元。（集邦化合物半導體 flora 整理）

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source：集邦化合物半導體截圖

受此影響，該公司股票自當日開市起停牌，預計3月27日前披露重組預案并申請復牌。這一動作標志著揚杰科技在功率半導體領域的戰(zhàn)略布局進入關鍵階段，有望通過產業(yè)整合強化技術協(xié)同與市場競爭力。

公開資料顯示，貝特電子成立于2003年，前身為德國Wickmann在華子公司，專注于電力電子保護元件研發(fā)與生產，主要產品涵蓋過流保護元件及過溫保護元件，廣泛應用于新能源汽車、儲能、消費電子等領域。作為國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，貝特電子在細分市場占據(jù)龍頭地位，其客戶包括多家國內外知名車企及儲能廠商。值得注意的是，該公司曾于2023年6月申報創(chuàng)業(yè)板IPO，擬募資5.5億元，但于2024年8月主動撤回申請。

揚杰科技則作為國內功率半導體IDM龍頭，業(yè)務覆蓋硅基芯片設計、制造及封裝測試，此次跨界收購貝特電子，旨在通過技術互補與產業(yè)鏈延伸搶占新興市場。貝特電子在電路保護領域的成熟技術，可與揚杰科技的功率器件形成協(xié)同效應，助力其切入汽車電子、儲能等高增長賽道。此外，貝特電子在新能源汽車及儲能領域的客戶資源，將為揚杰科技打開新的市場空間，加速其產品結構升級。

市場分析人士指出，若交易順利完成，揚杰科技將形成“功率芯片+電路保護”的雙輪驅動格局，進一步鞏固其在國產替代浪潮中的優(yōu)勢地位。

值得注意的是，揚杰科技通過自主研發(fā)與戰(zhàn)略合作，在碳化硅領域形成差異化競爭力。

在材料端，揚杰科技與湖南三安合作布局6英寸碳化硅襯底產能，同時自主研發(fā)8英寸襯底技術，預計2025年底實現(xiàn)中試。

在器件端，揚杰科技成功開發(fā)車規(guī)級1200V/750A碳化硅模塊，采用自主設計的銀燒結工藝，已通過AEC-Q101認證，計劃2025年下半年向國內主流車企批量供貨。

而在封裝端，揚杰科技建成國內首條車規(guī)級碳化硅功率模塊自動化產線，年產能達50萬套，配套新能源汽車主驅系統(tǒng)。

此前揚杰科技與清華大學深圳國際研究生院聯(lián)合成立“第三代半導體技術聯(lián)合實驗室”，聚焦碳化硅材料缺陷控制與器件可靠性研究。并與比亞迪半導體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同開發(fā)800V高壓平臺碳化硅解決方案，覆蓋電機驅動、OBC等核心部件。此外，該公司通過并購楚微半導體，強化IGBT與碳化硅晶圓制造能力，形成“設計-制造-封裝”全鏈條閉環(huán)。

總體而言，揚杰科技此次并購動作，折射出國內半導體產業(yè)鏈整合的大趨勢。此前，斯達半導、士蘭微等龍頭均通過收購布局細分領域，提升綜合競爭力。隨著全球供應鏈重構及技術迭代加速，企業(yè)通過橫向并購擴展產品線、縱向整合強化供應鏈成為常態(tài)。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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據(jù)悉，該實驗室的成立旨在聚焦半導體功率電子領域的關鍵技術問題，通過產學研深度融合，推動我國功率半導體產業(yè)的高質量發(fā)展。

公開消息顯示，揚杰科技中央研究院按照國內一流電子實驗室標準建設，總建筑面積達5000平方米，分為可靠性實驗室、失效分析實驗室、模擬仿真實驗室和綜合研發(fā)實驗室。實驗室已通過CNAS（中國合格評定國家認可委員會）認證，具備芯片設計模擬仿真、環(huán)境測試、物理化學失效分析以及產品電、熱及機械應力模擬仿真等多項功能。

中央研究院整合了揚杰科技的多個研發(fā)團隊，涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個領域。此外，該公司還與東南大學共建“寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心”，專注于第三代半導體的研發(fā)及產業(yè)化。實驗室的成立將進一步推動公司在高端功率半導體器件領域的技術創(chuàng)新，特別是在SiC、IGBT等關鍵產品上實現(xiàn)技術突破。

揚杰科技中央研究院獲批省重點實驗室后，將重點解決大功率半導體器件的前沿技術和共性關鍵技術，助力我國在IGBT等新型功率半導體器件領域實現(xiàn)技術自主可控。此外，實驗室還將為揚杰科技新產品開發(fā)、技術瓶頸突破以及市場版圖擴展提供強有力的保障。（集邦化合物半導體整理）

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天眼查資料顯示，2024年11月1日，揚州東興揚杰研發(fā)有限公司成立，法定代表人為梁瑤，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含集成電路芯片設計及服務、電力電子元器件銷售、電子產品銷售、集成電路芯片及產品銷售、新材料技術研發(fā)等。股東信息顯示，揚州東興揚杰研發(fā)有限公司由揚杰科技全資持股。

此前在7月31日，揚州杰嘉電子材料有限公司成立，法定代表人為唐杉，注冊資本100萬人民幣，經(jīng)營范圍含電子專用材料制造、新材料技術研發(fā)、金屬材料制造、橡膠制品制造等。股東信息顯示，揚州杰嘉電子材料有限公司也由揚杰科技全資持股。

2024以來，據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，包括揚杰科技、中車時代半導體、江豐電子等在內，已有多家碳化硅相關廠商相繼成立了多家新公司。

其中，北方華創(chuàng)、上海集成電路研發(fā)中心有限公司、上海臨港新片區(qū)科創(chuàng)產業(yè)股權投資基金管理有限公司共同成立了上海芯勢能企業(yè)管理咨詢中心（有限合伙）。

江豐電子全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊資本5000萬元，經(jīng)營范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設備及元器件制造；光伏設備及元器件銷售；電子專用設備銷售；電子專用設備制造等。

時代電氣旗下中車時代半導體全資成立了合肥中車時代半導體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊資本3.1億元，經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售等。（集邦化合物半導體Zac整理）

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揚杰科技：營收達15.58億

揚杰科技表示，報告期內，隨著半導體市場需求逐步改善，公司營收規(guī)模進一步擴大，截至報告期末累計達到44.23億元，較去年同期上升9.48%，累計歸母凈利潤為6.69億元，較去年同期上升8.28%。

其中第三季度營收15.58億元，較去年同期上升10.06%，歸母凈利潤為2.44億元，較去年同期上升17.91%。

針對業(yè)績上漲，揚杰科技表示，報告期內，下游應用領域需求回暖。隨著全球汽車行業(yè)向電動化和智能化的快速轉型，為公司提供了新的增長機遇，2024年前三季度公司汽車電子業(yè)務營業(yè)收入較去年同期上升60%。

同時，隨著消費類電子及工業(yè)市場需求逐步回升，2024年前三季度消費電子及工業(yè)產品營業(yè)收入較去年同期上升均超20%。

此外，公司持續(xù)推進降本增效以及推出滿足市場的新產品，實現(xiàn)了毛利率的上升。

德州儀器：營收達41.5億美元

德州儀器公布2024年第三季度營收為41.5億美元（折合人民幣約295.8億元），同比下降8%，但環(huán)比增長9%；凈利潤為13.6億美元，同比下降20%。

數(shù)據(jù)顯示，德州儀器已連著8個季度營收同比下滑，但此次是七個季度以來的最小降幅，營收與凈利潤皆超過外界預期。受智能手機和個人電腦供應商訂單增加以及終端市場需求反彈的推動，德州儀器產品的銷量得到提振。

首席執(zhí)行官Haviv Ilan在財報電話會議上表示，汽車市場的收入也環(huán)比增長了個位數(shù)。Ilan表示：“中國電動汽車市場發(fā)展勢頭強勁，我們的產品在中國市場不斷增長，這才是推動第三季度增長的真正原因。”不過，他還表示，預計其余汽車市場仍將保持疲軟態(tài)勢。

Ilan補充道，公司的三個主要市場已經(jīng)開始反彈，但其最大的銷售來源——工業(yè)和汽車芯片——仍面臨庫存過剩的問題。展望未來，德州儀器第四季度的預期是營收在37億美元至40億美元之間（折合人民幣約263億元至285億元）。（集邦化合物半導體Morty整理）

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揚杰科技取得GaN MOSFET專利

天眼查資料顯示，5月10日，揚杰科技取得一項“一種氮化鎵MOSFET封裝應力檢測結構”專利，授權公告號CN110749389B，申請日期為2019年12月1日，授權公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示，一種氮化鎵MOSFET塑封應力檢測結構、涉及功率半導體器件技術領域，尤其涉及一種氮化鎵MOSFET塑封應力檢測結構。提供了一種方便檢測，提供檢測可靠性的氮化鎵MOSFET塑封應力檢測結構。包括芯片、引線框架以及覆蓋在芯片、引線框架上的塑封層，所述芯片包括襯底、制作在襯底上的氮化鎵MOSFET結構層、制作在襯底底部的壓阻、制作在襯底底面上的絕緣層、制作在絕緣層上的電極層，所述襯底的材料為單晶硅。本發(fā)明的氮化鎵MOSFET塑封應力檢測結構的制備工藝與常規(guī)氮化鎵MOSFET芯片制備和封裝工藝兼容，制備過程簡單易行。

source：天眼查

此前，在第三代半導體領域，揚杰科技全面聚焦SiC產業(yè)，其2023年年報顯示，公司已開發(fā)上市G1、G2系SiC MOSFET產品，型號覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOSFET平臺的比導通電阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達到3300mΩ.nC以下，可對標國際水平。2023年，揚杰科技還開發(fā)了FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產品。目前，其各類產品已廣泛應用于新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等領域。

其中，在當前十分火熱的車用場景，揚杰科技自主開發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家 Tier1 和終端車企的測試及合作意向，計劃于 2025 年完成全國產主驅SiC模塊的批量上車。

在此前已組建GaN研發(fā)團隊的基礎上，伴隨著此次揚杰科技取得新專利，其業(yè)務布局有望進一步向GaN產業(yè)加大滲透。

新潔能取得SiC SBD專利

天眼查資料顯示，5月10日，新潔能取得一項“一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管及其制造方法”專利，授權公告號CN109037356B，申請日期為2018年10月15日，授權公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示，本發(fā)明屬于半導體器件的制造技術領域，涉及一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管，半導體基板包括N型碳化硅襯底及N型碳化硅外延層，在N型碳化硅外延層內的上部設有若干個間隔分立的條形第一P型阱區(qū)及條形第一N型阱區(qū)，在條形第一P型阱區(qū)和條形第一N型阱區(qū)下方或下表面設有若干個間隔分立的條形第二P型阱區(qū)及條形第二N型阱區(qū)，條形第一P型阱區(qū)分別與條形第二P型阱區(qū)、條形第二N型阱區(qū)間呈30度~90度的夾角；本發(fā)明通過在條形第一P型阱區(qū)下方設置與條形第一P型阱區(qū)呈一定夾角的條形第二P型阱區(qū)，同時提高條形P型阱區(qū)間條形N型阱區(qū)的摻雜濃度，大幅增加器件的擊穿電壓，改善器件的浪涌電流能力。

source：天眼查

作為一家功率半導體廠商，新潔能目前正在全面布局第三代半導體產業(yè)兩大代表材料SiC和GaN。在SiC領域，2023年，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mΩ 75mΩ和750V 26mΩ SiC MOSFET系列產品，新增產品12款，相關產品處于小規(guī)模銷售階段。

在GaN領域，2023年，新潔能650V/190mΩ E-Mode GaN HEMT產品、650V 460mΩ D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產品2款，并通過可靠性考核，其100V/200V GaN產品正在開發(fā)中。

此次取得新專利，有助于新潔能進一步提升SiC SBD產品技術水平。（集邦化合物半導體Zac整理）

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揚杰科技2023年營收54.10億，SiC MOS批量出貨

4月21日晚間，揚杰科技公布2023年年度報告。2023年，揚杰科技實現(xiàn)營收54.10億元，同比增長0.12%；歸母凈利潤9.24億元，同比下滑12.85%；歸母扣非凈利潤7.04億元，同比下滑-28.22%。

揚杰科技致力于功率半導體硅片、芯片及器件設計、制造、封裝測試等中高端領域的產業(yè)發(fā)展，其主營產品主要分為三大板塊，具體包括材料板塊（單晶硅棒、硅片、外延片）、晶圓板塊（5英寸、6英寸、8英寸等各類電力電子器件芯片）及封裝器件板塊（MOSFET、IGBT、SiC系列產品、整流器件、保護器件、小信號及其他產品系列等），廣泛應用于汽車電子、清潔能源、5G通訊、安防、工業(yè)、消費類電子等領域。

2023年，揚杰科技持續(xù)增加對第三代半導體芯片行業(yè)的投入，加大在SiC、GaN功率器件等產品的研發(fā)力度。其已開發(fā)上市G1、G2系SiC MOS產品，型號覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOS平臺的比導通電阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達到3300mΩ.nC以下，可對標國際水平。揚杰科技還開發(fā)FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產品。當前其各類產品已廣泛應用于新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業(yè)電源等領域。

車載模塊方面，2023年，揚杰科技自主開發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測試及合作意向，計劃于2025年完成全國產主驅SiC模塊的批量上車。

合作方面，2023年，揚杰科技與東南大學集成電路學院簽約共同建設“揚杰東大寬禁帶半導體聯(lián)合研發(fā)中心”，進一步加大第三代半導體的研發(fā)力度。

關于業(yè)績變動原因，揚杰科技表示，在外部市場環(huán)境下滑的情況下，2023年其營收同比略有增長，前3季度營收同比負增長進一步收窄，并于4季度實現(xiàn)全年營收同比增長。報告期內，其光伏二極管、SiC產品、IGBT產品銷售同比大幅增長，但因行業(yè)競爭進一步加劇，目前上述產品的毛利率低于公司平均毛利率，導致整體毛利率有所下滑。

聞泰科技2023年營收612.13億，已建立SiC MOS產品線

4月22日晚間，聞泰科技公布2023年年度報告。2023年，聞泰科技實現(xiàn)營收54.10億元，同比增長5.40%；歸母凈利潤11.81 億元，同比下降 19.00%；歸母扣非凈利潤11.27億元，同比下降28.58%。

聞泰科技是集研發(fā)設計和生產制造于一體的半導體、產品集成企業(yè)。其半導體業(yè)務采用IDM模式，產品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOS器件、GaN FET、SiC二極管與MOS、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

2023年，在三代半領域，聞泰科技實現(xiàn)了GaN產品D-M系列產品工業(yè)和消費領域的銷售，同時E-M產品通過所有測試認證，于2024年開始銷售；實現(xiàn)了SiC整流管的工業(yè)消費級的量產和MOS的工業(yè)消費級的測試驗證，SiC MOS產品線的建立，讓其進入三代半1200V高壓市場，拓展新的增長空間。

2023年，聞泰科技半導體業(yè)務營收152.26億元，同比下降 4.85%，業(yè)務毛利率為38.59%， 實現(xiàn)凈利潤為24.26億元，同比下降35.29%。2023年，其半導體業(yè)務來源于汽車、移動及穿戴設備、工業(yè)與電力、計算機設備、消費領域的收入占比分別為62.8%、6.9%、21.7%、4.8%、3.8%。

關于半導體業(yè)務業(yè)績變動主要原因，聞泰科技表示，受宏觀經(jīng)濟等因素影響，全球半導體市場經(jīng)過兩年的強勁周期后， 于2022年底增速放緩，2023年到2024年初仍然疲軟。其中，從行業(yè)來看，汽車領域包括電動汽車仍然是其半導體收入來源的主要方向，來自該領域的收入占比為62.8%，同比增長22.95%。第四季度，受全球經(jīng)濟影響，汽車領域半導體需求增速階段性放緩。同時，聞泰科技半導體業(yè)務持續(xù)投入研發(fā)，2023年其半導體業(yè)務研發(fā)投入為16.34億元，同比增長37.20%。（集邦化合物半導體Zac整理）

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作為國內少數(shù)集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商，揚杰科技近年來持續(xù)深耕功率半導體領域，推動公司總營收從2014年的5.3億元增長到2022年的54億元，凈利潤從1億元增長到10多億元。

據(jù)揚杰科技黨委書記、副董事長梁瑤介紹，公司每年投入的研發(fā)費用占總營收的比例超過5%，在IGBT等新產品領域的研發(fā)費用占比超過了15%甚至20%。據(jù)稱，揚杰科技目前在全球功率分立器件企業(yè)中排名第12位。其中，功率二極管市占率位居中國第一，全球第二；整流橋和光伏旁路二極管市占率均位居全球第一。

展望2024年，揚杰科技將有三大投入：一是IGBT項目上馬；二是車用模塊項目投入；三是越南工廠建設。其中，越南工廠建成投產后可以助力公司品牌進軍歐美市場。

在第三代半導體領域，揚杰科技已有多年的技術、產品及產能儲備。早在2015年，揚杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產業(yè)化建設項目。

產品方面，2022年上半年，揚杰科技開發(fā)了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二極管產品，并獲得國內Top 10光伏逆變器客戶的認可，完成了批量出貨。MOSFET產品方面，公司1200V 80mΩ SiC MOSFET系列產品也已獲得客戶認可，并實現(xiàn)量產。

產能方面，2023年4月，揚杰科技與江蘇省揚州市邗江區(qū)簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸晶圓生產線項目，總投資約10億元。該項目分兩期實施建設，項目全部建成投產后，將形成6英寸SiC晶圓產能5000片/月。

此外，2023年6月，揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協(xié)議，組建“東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心”?；诖搜邪l(fā)中心，雙方將在功率半導體領域（尤其是寬禁帶功率器件領域）進行深層次合作，開發(fā)世界級水平、具有自主知識產權的、符合市場與應用需求的功率半導體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設計、寬禁帶功率器件設計等項目的開展，加速功率半導體芯片設計及應用等研究成果的產業(yè)化。

隨著此次SiC模塊封裝項目簽約落地，揚杰科技有望進一步深化第三代半導體產業(yè)鏈布局。（集邦化合物半導體Zac整理）

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“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316982A。

該專利摘要顯示，隔離柵的碳化硅晶體管及其制備方法，涉及半導體技術領域。包括從下而上依次連接的碳化硅襯底，碳化硅漂移層和正面金屬層；所述碳化硅漂移層的頂面設有向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設有向下延伸的NP區(qū)；所述NP區(qū)內設有向下延伸的PP區(qū)；所述碳化硅漂移層的頂面依次設有向上伸入正面金屬層內的柵氧層和Poly層；所述碳化硅漂移層的頂面設有包裹所述柵氧層和Poly層的氧化物隔離層，所述氧化物隔離層底端分別與碳化硅漂移層和NP區(qū)連接；所述氧化物隔離層的側部設有與PP區(qū)連接的歐姆接觸金屬層。本發(fā)明一定程度上可提高器件的開關性能，降低開關損耗。

“一種碳化硅半導體器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅半導體器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316985A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。包括從下而上依次設置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層，所述碳化硅漂移層的頂面設有若干間隔向下延伸的溝槽；還包括：PW區(qū)，位于所述溝槽處；NP區(qū)，從所述溝槽的頂部向下延伸，包裹于所述PW區(qū)內；PP區(qū)，設置在所述溝槽處，位于所述NP區(qū)的下方；柵氧層，設置在相鄰溝槽之間，位于所述碳化硅漂移層的頂面；Poly層，設置在所述柵氧層的頂面；隔離層，設置在所述Poly層上，并從側部向下延伸至NP區(qū)；本發(fā)明一定程度上減小了N漂移層所帶來的電阻，從而可降低體二極管的導通電阻，減少其在續(xù)流過程中產生的損耗。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316986A。

該專利摘要顯示，一種碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導體器件。包括從下而上依次設置的碳化硅襯底、碳化硅外延層、正面電極金屬；所述碳化硅外延層的頂面設有若干向下延伸的P區(qū)溝槽，所述P區(qū)溝槽內設有P型區(qū)；若干所述P型區(qū)之間設有N區(qū)溝槽；所述P型區(qū)內部設有歐姆接觸金屬；所述歐姆接觸金屬和碳化硅外延層上設有肖特基結接觸金屬；所述肖特基結接觸金屬的上方設有正面電極金屬；所述碳化硅襯底和碳化硅外延層的導電類型均為N型。本發(fā)明可以通過形成兩層不同摻雜濃度的外延層，來降低器件外延層的導通電阻，進一步提高器件通流能力。

“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結構及制造方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結構及制造方法”專利，申請公布號為CN117316983A。

該專利摘要顯示，一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結構及制造方法，涉及功率半導體技術領域。包括以下步驟：步驟001，提供一種N型重摻雜類型的襯底，即為N+型SiC半導體襯底，摻雜濃度為360~400um，摻雜濃度為1e19 cm2；N+型襯底具有兩個表面，分為正面與背面，在正面形成一層N型緩沖層，厚度為0.8~1um，摻雜濃度為1e18 cm2；在N型緩沖層覆蓋N型輕摻雜類型的漂移層，即為N型漂移層，厚度為5~15um，摻雜濃度為5e15~1e16 cm2,背面形成金屬電極層；步驟002，在漂移層的表面通過光刻掩膜，進行P型摻雜形成PWell阱區(qū)；本發(fā)明制作工藝簡單，效果顯著，可以應用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。

“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117317017A。

該專利摘要顯示，一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。包括從下而上依次設置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層；所述碳化硅漂移層的頂面設有若干間隔向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設有向下延伸的NP區(qū)和PP區(qū)一；相鄰所述PW區(qū)之間設有源級處溝槽，所述源級處溝槽的槽底設有向下延伸的PP區(qū)二；所述碳化硅漂移層頂面的端部和中部分別設有從下而上依次設置的柵氧層、Poly層和隔離層；所述隔離層從側部向下延伸與NP區(qū)連接；本發(fā)明通過在碳化硅MOSFET中形成溝槽體二極管，使得體二極管導通從N型漂移層開始，提高了體二極管的導通能力，并且有效避免了由于電子和空穴的復合現(xiàn)象而導致的晶格缺陷蔓延，從而減小雙極退化現(xiàn)象引起的器件性能退化。

“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利

天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316984A。

該專利摘要顯示，一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。包括從下而上依次設置的背面加厚金屬、背面歐姆接觸金屬、碳化硅襯底、碳化硅外延層和N型注入?yún)^(qū)；所述N型注入?yún)^(qū)的頂面設有伸入碳化硅外延層的終端溝槽和若干間隔設置的源區(qū)溝槽；所述源區(qū)溝槽的槽底設有向下延伸的P型注入?yún)^(qū)；所述終端溝槽的頂面設有伸入碳化硅外延層的P型主結和若干間隔設置的P型分壓環(huán)；所述碳化硅外延層上設有覆蓋P型主和若干P型分壓環(huán)的場氧層；本發(fā)明在不增加單顆芯片面積和工藝復雜程度的基礎上，進一步降低了器件的正向導通壓降。

近年來，揚杰科技大力布局第三代半導體產業(yè)。2022年6月，揚杰科技以2.95億元收購中電科四十八所持有的楚微半導體40％股權，標的公司主要布局中高端功率器件。2023年2月，揚杰科技又以2.94億元收購楚微半導體30％股權。

2023年6月，揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協(xié)議，組建“東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心”。與此同時，揚杰科技計劃與揚州市邗江區(qū)簽署《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸SiC晶圓生產線項目，總投資約10億元，該項目分兩期實施建設，項目全部建成投產后，形成6英寸SiC晶圓產能5000片/月。（集邦化合物半導體整理）

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基于此研發(fā)中心，雙方將在功率半導體領域（尤其是寬禁帶功率器件領域）進行深層次合作，開發(fā)世界級水平、具有自主知識產權的、符合市場與應用需求的功率半導體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設計、寬禁帶功率器件設計等項目的開展，加速功率半導體芯片設計及應用等研究成果的產業(yè)化。

01、揚杰科技深耕功率半導體

除了此次與東南大學共建研發(fā)中心之外，揚杰科技近期還表示，因公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，計劃與揚州市邗江區(qū)人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸碳化硅晶圓生產線項目，總投資約10億元。

該項目分兩期實施建設，項目全部建成投產后，形成碳化硅6英寸晶圓產能5000片/月。項目位于揚州市邗江區(qū)汽車產業(yè)園新甘泉東路 56 號。項目新建廠房 27,000 平方米，其中高潔凈車間（光刻區(qū)十級、操作區(qū)百級）的凈化裝修預計在 4,500 平方米。

此外，在去年6月，揚杰科技以2.95億元收購中電科四十八所持有的楚微半導體40％股權，標的主要布局中高端功率器件。

今年2月，揚杰科技又以2.94億元收購楚微半導體30％股權，若收購成功，楚微半導體將成為揚杰科技的子公司。

詳細來看，楚微半導體主要在8英寸生產工藝平臺生產及銷售半導體功率器件芯片，產品主要包括高、中、低壓溝槽式MOSFET芯片和溝槽式光伏二極管芯片等，后續(xù)將向SiC碳化硅芯片等產品拓展。

02、東南大學加速科研成果產業(yè)化

而東南大學方面，在近幾年來一支在加速科研技術成果的落地，與揚杰科技成立研發(fā)中心是眾多落地項目之一。目前東南大學與不同企業(yè)共建來了25個校企聯(lián)合研發(fā)中心。在第三代半導體領域，東南大學還與紫金山實驗室、南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司。

值得一提的是，去年12月，東南大學有兩項研究成果發(fā)表在電子器件領域頂會IEDM。第一項成果題為“41% Reduction In Power Stage Area On Silicon-On-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT Platform With Newly Developed Multiple Deep-Oxide Trench Technology”，東南大學副研究員張龍、博士生馬杰為論文共同一作。

報道了一種具有多深度氧化溝槽（MDOT）的SOI基Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT技術（圖1），集成了550V高壓LIGBT、LDMOS、FWD及中低壓CMOS、BJT等器件，實現(xiàn)了高低壓隔離、高壓互連線屏蔽以及器件漂移區(qū)的大幅縮短。采用MDOT技術能夠將單片集成智能功率芯片中的功率級面積縮小約41%。

（來源：東大電子）

第二項成果題為“Hybrid Gate p-GaN Power HEMTs Technology for EnhancedVth Stability”，東南大學博士生張弛為論文第一作者。

報道了一種提高第三代功率半導體p-GaN HEMT器件閾值電壓穩(wěn)定性的技術——p-GaN柵極混合接觸勢壘技術（圖2），利用勢壘較低的局部歐姆接觸形成的“電荷泄放”路徑，有效抑制了傳統(tǒng)p-GaN HEMT中存在的“電荷存儲”效應，在維持器件低柵漏電特性的前提下增強了器件閾值穩(wěn)定性。

該技術使得器件在200V、400V反偏應力下閾值電壓漂移量分別為0.07V與0.09V；在重復非鉗位感性負載應力沖擊下，閾值電壓漂移量僅為0.03V。

（來源：東大電子）

文：集邦化合物半導體 Jump整理

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