賽微電子：預(yù)計2024年實現(xiàn)營業(yè)收入最高至13億元

賽微電子2024年度業(yè)績預(yù)告顯示，其發(fā)展面臨著一定的挑戰(zhàn)。預(yù)計2024年實現(xiàn)營業(yè)收入11.7億元至13億元；歸母凈利潤虧損1.4億元至1.92億元，而上年同期盈利1.04億元；扣非凈利潤虧損1.54億元至2.06億元，上年同期盈利815.34萬元。

賽微電子表示，業(yè)績變動的主要原因在于，公司堅定聚焦發(fā)展主營業(yè)務(wù)MEMS。盡管訂單持續(xù)增長，但北京MEMS產(chǎn)線的研發(fā)投入和運(yùn)營支出大幅增加，導(dǎo)致整體虧損擴(kuò)大。此外，隨著國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場及衛(wèi)星導(dǎo)航市場競爭加劇，這兩個業(yè)務(wù)的銷售均下降超過50%，未能為公司貢獻(xiàn)盈利。

據(jù)介紹，賽微電子是一家高端集成電路芯片晶圓制造廠商，也是國內(nèi)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和掌握核心半導(dǎo)體制造技術(shù)的特色工藝專業(yè)芯片晶圓制造商。在項目新動態(tài)方面，賽微電子積極推進(jìn)MEMS產(chǎn)線的技術(shù)升級，目前正在開展多個前沿項目，如面向5G通信的高性能MEMS濾波器研發(fā)項目，旨在提升其在5G通信領(lǐng)域的競爭力。

在布局上，賽微電子還計劃在海外設(shè)立研發(fā)中心，加強(qiáng)與國際先進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊的合作，拓展國際市場份額。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，賽微電子著重布局氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)。

旗下子公司聚能晶源圍繞第三代半導(dǎo)體材料和器件開展研究，憑借技術(shù)研發(fā)實力，探索材料創(chuàng)新與器件性能優(yōu)化，為賽微電子在該領(lǐng)域發(fā)展提供支撐。聚能創(chuàng)芯專注于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，致力于為行業(yè)提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)方案。研發(fā)中聚焦提升GaN功率器件性能、降低成本，產(chǎn)品在新能源汽車充電模塊、5G基站電源系統(tǒng)等領(lǐng)域有一定競爭力。

聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司則專注于GaN外延材料的研發(fā)、設(shè)計、制造和銷售，利用先進(jìn)MOCVD設(shè)備生長6-8英寸GaN外延材料，既能滿足常規(guī)技術(shù)參數(shù)，也可定制生產(chǎn)，為下游器件制造提供材料基礎(chǔ)。除技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品生產(chǎn)，賽微電子在市場拓展上也有動作，通過技術(shù)授權(quán)、產(chǎn)品供應(yīng)等方式與國內(nèi)外企業(yè)合作，將技術(shù)優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為市場優(yōu)勢。同時，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，吸引人才，提升技術(shù)創(chuàng)新能力和市場競爭力。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

拉普拉斯：2024年凈利潤最高同比預(yù)增87.43%

拉普拉斯預(yù)計2024年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為7億元～7.7億元，與上年同期相比，將增加約2.89億元～3.59億元，同比增加70.39%~87.43%。

拉普拉斯此次業(yè)績大幅增長，主要得益于全球光伏裝機(jī)需求及產(chǎn)業(yè)規(guī)模保持增長。以TOPCon、XBC為代表的高效光伏電池片技術(shù)發(fā)展加速，TOPCon技術(shù)憑借高轉(zhuǎn)換效率和成熟度，已成為行業(yè)主流技術(shù)路線，市場占比持續(xù)提升，同時，XBC等技術(shù)路線也取得較大進(jìn)步。

拉普拉斯作為高效光伏電池片核心工藝設(shè)備的主流供應(yīng)商，受益于產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及公司產(chǎn)品良好的競爭能力，隨著產(chǎn)品在客戶端不斷交付和驗收，經(jīng)營業(yè)績保持較好增長。source：拉普拉斯從2024年1至6月份拉普拉斯的營業(yè)收入構(gòu)成來看，光伏電池片設(shè)備-LPCVD占比33.19%，硼擴(kuò)散設(shè)備占比18.44%，氧化退火設(shè)備占比16.64%，自動化設(shè)備占比12.76%，PECVD占比10.39%。

在項目新動態(tài)上，拉普拉斯近期成功中標(biāo)多個大型光伏項目的設(shè)備供應(yīng)合同，進(jìn)一步鞏固了其市場地位。在布局方面，拉普拉斯計劃在國內(nèi)多個光伏產(chǎn)業(yè)集中地區(qū)建設(shè)生產(chǎn)基地，以提高產(chǎn)能，滿足市場不斷增長的需求，同時加大在海外新興光伏市場的拓展力度，積極布局東南亞、歐洲等地區(qū)。拉普拉斯成立于2016年5月，主營業(yè)務(wù)為高效光伏電池和半導(dǎo)體分立器件相關(guān)設(shè)備的研發(fā)制造。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，拉普拉斯聚焦第三代半導(dǎo)體SiC基半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝所需要的高溫氧化設(shè)備和高溫退火設(shè)備。目前，其已完成向比亞迪、基本半導(dǎo)體的導(dǎo)入工作，并取得批量訂單，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

去年10月，根據(jù)招股說明書，拉普拉斯擬公開發(fā)行4053.26萬股，占發(fā)行后總股本的10%，擬募集資金18億元，實際募集資金扣除發(fā)行等費用后投向光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目，以及補(bǔ)充流動資金。

其中，半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目擬在廣東省廣州市投資建設(shè)生產(chǎn)基地，占地面積約3.66萬平方米，其中包括光伏設(shè)備的生產(chǎn)廠房、宿舍樓及配套設(shè)施的建設(shè)，并將購置相關(guān)設(shè)備及軟件系統(tǒng)，預(yù)計建設(shè)期為24個月。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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招股書顯示，拉普拉斯是一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商，主營業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù)。

拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。其中，碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐用于碳化硅的高溫氧化工藝，高溫下使硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜，從而起到鈍化、緩沖隔離、保護(hù)等作用；碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐用于碳化硅的高溫退火活化工藝，可以消除晶格缺陷，有效提高器件的可靠性和成品率。

業(yè)績方面，招股書顯示，報告期內(nèi)（2021年、2022年、2023年和2024年1-6月），拉普拉斯?fàn)I收分別為1.04億元、12.66億元、29.66億元及25.41億元，扣非歸母凈利潤分別為-0.66億元、1.08億元、3.59億元及3.17億元。

拉普拉斯表示，其半導(dǎo)體分立器件設(shè)備目前正處于客戶導(dǎo)入和驗證階段，報告期內(nèi)的收入為0萬元、564.60萬元、1714.40萬元及2124.00萬元，半導(dǎo)體分立器件設(shè)備業(yè)務(wù)處于起步階段、規(guī)模較小，尚未形成持續(xù)性、穩(wěn)定性和規(guī)?；匿N售收入。

本次上市，拉普拉斯擬募資18億元，募集資金主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目以及補(bǔ)充流動資金。其中，光伏和半導(dǎo)體兩個項目投資總額分別為7.70億元、7.98億元，擬使用募集資金投入金額均為6億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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拉普拉斯此次IPO擬募資18億元，募集資金主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目以及補(bǔ)充流動資金。其中，光伏和半導(dǎo)體兩個項目投資總額分別為7.70億元、7.98億元，擬使用募集資金投入金額均為6億元。

作為一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商，拉普拉斯主營業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù)，其半導(dǎo)體分立器件設(shè)備主要包括氧化、退火、鍍膜和釬焊爐設(shè)備等一系列產(chǎn)品。

據(jù)悉，在半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域，拉普拉斯相關(guān)設(shè)備已完成向比亞迪、基本半導(dǎo)體的導(dǎo)入工作。其中，基本半導(dǎo)體專業(yè)從事SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括SiC二極管和MOSFET芯片、汽車級SiC功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等，廣泛用于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

目前，針對火熱的SiC產(chǎn)業(yè)，拉普拉斯已推出了相關(guān)設(shè)備。招股書顯示，拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括SiC基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和SiC基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。其中，SiC基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐用于SiC的高溫氧化工藝，高溫下使硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜，從而起到鈍化、緩沖隔離、保護(hù)等作用；SiC基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐用于SiC的高溫退火活化工藝，可以消除晶格缺陷，有效提高器件的可靠性和成品率。

業(yè)績方面，招股書顯示，報告期內(nèi)（2021年度、2022年度及2023年度），受益于新型高效光伏電池片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，拉普拉斯經(jīng)營規(guī)模和盈利水平均呈現(xiàn)出快速增長的趨勢，其營收分別為1.04元、12.67億元及29.66億元，扣非歸母凈利潤分別為-0.66億元、1.08億元及3.59億元。

拉普拉斯表示，其半導(dǎo)體分立器件設(shè)備目前正處于客戶導(dǎo)入和驗證階段，報告期內(nèi)的收入為0萬元、564.60萬元及1,714.40萬元，半導(dǎo)體分立器件設(shè)備業(yè)務(wù)處于起步階段、規(guī)模較小，尚未形成持續(xù)性、穩(wěn)定性和規(guī)?；匿N售收入。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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拉普拉斯此次IPO擬募資18億元，投建于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目，以及補(bǔ)充流動資金。

2020-2022年（簡稱：報告期內(nèi)），拉普拉斯實現(xiàn)營業(yè)收入分別為4072.33萬元、10358.14萬元和126,585.03萬元，對應(yīng)的凈利潤分別為-4599.63萬元、-5711.25萬元、11897.72萬元。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

拉普拉斯是一家領(lǐng)先的高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商，主營業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，其中熱制程設(shè)備主要包括硼擴(kuò)散、磷擴(kuò)散、氧化及退火設(shè)備等；鍍膜設(shè)備主要包括 LPCVD 和 PECVD 設(shè)備等；自動化設(shè)備為可以有效提升工藝設(shè)備生產(chǎn)效率的配套上下料設(shè)備。

在具體產(chǎn)品方面，拉普拉斯持續(xù)對高溫氧化設(shè)備和高溫退火設(shè)備進(jìn)行開發(fā)與優(yōu)化，可適用于 SiC 基半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝；公司 LPCVD 設(shè)備可滿足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉積技術(shù)的應(yīng)用需求，并適用于半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）

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