據(jù)悉，氮化鋁的超寬帶隙和高導熱性有助于提高UVC LED和其他下一代RF和功率器件的可靠性和性能。

左：2024年Q1，Crystal IS的100mm氮化鋁襯底的可用面積為90%；右：2024年Q2，氮化鋁襯底其可用面積為99.3%。

Crystal IS表示，在過去九個月，公司氮化鋁大直徑襯底實現(xiàn)了質(zhì)的提升，展示了公司團隊在晶體生長方面的豐富經(jīng)驗與專業(yè)知識，氮化鋁固有的熱優(yōu)勢可以使射頻和功率設備性能更高。

Crystal IS計劃在今年向主要合作伙伴供應直徑為4英寸的氮化鋁襯底，這些襯底將在其美國工廠獨家生產(chǎn)，Crystal IS也將繼續(xù)拓展UVC LED以外的業(yè)務。

資料顯示，Crystal IS成立于1997年，致力于開發(fā)氮化鋁襯底，其技術工藝可用于2英寸直徑襯底中生產(chǎn)UVC LED。這些LED具有260-270nm波長，以及高可靠性和高性能特點，可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應用。

去年8月，Crystal IS宣布生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性，能夠滿足各類應用的生產(chǎn)需求。（文：集邦化合物半導體）

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