圖片來源：拍信網正版圖庫

該項目總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，據(jù)稱將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線，建成后將填補國內在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白。

公開資料顯示，晶旭半導體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術、以IDM模式運行的廠商。其核心技術是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨立自主知識產權，已取得多項技術創(chuàng)新。

據(jù)悉，晶旭半導體致力于打造寬禁帶和超寬禁帶化合物半導體芯片產業(yè)生態(tài)圈，主要產品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等，廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應用領域。

今年2月2日，晶旭半導體與深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱：睿悅投資）舉行了戰(zhàn)略投資簽署儀式。

本次睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力晶旭半導體實現(xiàn)年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項目落成達產。

近期，氧化鎵材料熱度持續(xù)上漲，在技術研發(fā)、產能建設等方面不時傳出新進展。

研發(fā)方面，7月15日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報道的最大尺寸。

產能方面，9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設。據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國內目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司，開工建設的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。（集邦化合物半導體Zac）

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source：上杭融媒

韓國特西氪公司總部及半導體設備項目落戶江蘇江陰

8月7日，據(jù)“江陰發(fā)布”官微消息，韓國特西氪公司總部及半導體設備項目在江蘇省無錫市江陰市簽約落戶。

資料顯示，韓國特西氪半導體公司成立于2018年，是集芯片研發(fā)、生產于一體的半導體高科技公司。其主要產品為碳化硅芯片等功率器件，主要應用于新能源汽車逆變器及充電器、光伏逆變器等。

據(jù)悉，韓國特西氪公司總部及半導體設備項目總投資2億美元（約14.33億人民幣），注冊資本1億美元，計劃落地中國（江陰）總部基地和半導體設備裝配加工生產基地，項目全部達產后預計年銷售額可達3.5億元；項目二期規(guī)劃建設中韓芯谷產業(yè)園，將投資建設第三代車規(guī)級功率半導體模塊封裝及晶圓概念工廠。

而在今年6月，昕感科技第三代半導體功率模塊項目也簽約落戶無錫。6月5日，據(jù)“錫東新城”官微消息，昕感科技第三代半導體功率模塊研發(fā)生產基地項目簽約落戶無錫市錫東新城。此次簽約的項目總投資超10億元，主要建設車規(guī)級第三代半導體功率模塊封裝產線，可同時覆蓋汽車主驅、超充樁、光伏、工業(yè)等應用場景。項目預計2025年投產，實現(xiàn)滿產產能約129萬只/年，產值超15億元/年。

作為一家碳化硅功率芯片和模塊設計、開發(fā)及制造廠商，昕感科技總部位于北京，并分別在江陰和深圳設有芯片器件生產線和模塊模組研發(fā)中心。

晶旭半導體二期項目主體封頂

8月5日，據(jù)“上杭融媒”官微消息，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目動力中心近日完成封頂。

據(jù)悉，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目于2023年12月開建，總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線，填補國內在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白。

資料顯示，福建晶旭半導體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術、以IDM模式運行的高新技術企業(yè)。其核心技術是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨立自主知識產權，已取得多個全球首創(chuàng)、國內唯一的顛覆性技術創(chuàng)新。晶旭半導體主要產品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等，廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應用領域。

今年2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱：睿悅投資）與晶旭半導體舉行戰(zhàn)略投資簽署儀式。睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實現(xiàn)年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項目的落成達產。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：上杭縣融媒體中心

據(jù)介紹，晶旭半導體二期項目總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線。

公開資料顯示，晶旭半導體致力于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片的研發(fā)生產和服務，具備氧化鎵半導體外延裝備、工藝及芯片自主開發(fā)的能力。公司擁有多項化合物單晶薄膜材料核心專利，特別在5G核心器件：射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上，產品主要應用于5G移動設備、網絡基礎設施、WIFI和GF市場等領域。

晶旭半導體二期項目負責人章加奇表示：“現(xiàn)在整個項目進度，所有的地下工程，樁基工程跟測試已經完成，那研發(fā)大樓總共是七層，現(xiàn)在已經做到第五層，正往第六層建起，我們一號樓的生產廠房，現(xiàn)在已經在做一層樓面制作，動力中心CUB，已經做好地梁，準備建第一層，食堂宿舍跟其他的倉庫類，也是正在做承臺地梁階段，預計在四月底，五月初所有的主體樓都可以做封頂工作。”

章加奇指出，現(xiàn)在主要還是在土建施工階段，預計六月份會進行機電工程安裝項目的一個進場。（
集邦化合物半導體Morty整理）

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據(jù)悉，此次睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實現(xiàn)年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達產。

公開資料顯示，福建晶旭半導體科技有限公司致力于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片的研發(fā)生產和服務，具備氧化鎵半導體外延裝備、工藝及芯片自主開發(fā)的能力。公司擁有多項化合物單晶薄膜材料核心專利，特別在5G核心器件：射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上，處于國際領先地位，是目前國際上唯一一家具備氧化鎵基BAW濾波器芯片自主量產交付能力的企業(yè)，產品主要應用于5G移動設備、網絡基礎設施、WIFI和GF市場等領域。

睿悅投資指出，晶旭半導體近期計劃總投資16億元，進一步向第四代超寬禁帶半導體氧化鎵材料及芯片產業(yè)升級發(fā)展。

企查查顯示，晶旭半導體目前有三個項目處于備案之中，其中2英寸化合物半導體芯片生產項目的相關審批于去年12月28日獲批通過。

在第四代半導體氧化鎵這一領域，除了屢屢有消息傳來的日本和中國外，美國也有開展了相應動作。

2月2日，美國阿肯色大學教授獲得美國美國國家科學基金會30萬美元資助，用于研究基于氧化鎵的電動汽車牽引逆變器。他的項目針對研究氧化鎵封裝功率模塊的集成，以提高電動汽車 (EV) 的功率密度和溫度范圍。

該項目與國家可再生能源實驗室（NREL）合作，旨在創(chuàng)新功率模塊封裝，為氧化鎵功率器件建立可靠的準則，并展示高密度、高溫牽引逆變器的功能。

“氧化鎵可以使牽引逆變器更小、更輕、更高效，并且能夠在更廣泛的溫度范圍內運行，”宋指出。 “與傳統(tǒng)的硅和寬帶隙半導體相比，氧化鎵具有更大的帶隙能量。它具有高擊穿電氣強度、低本征載流子濃度以及相應的高工作溫度，”他補充道。

他相信，該項目的成功將為氧化鎵器件建模、封裝、柵極驅動、保護和電源轉換器應用提供寶貴的見解。預計這將促進交通電氣化的進步以及在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中實現(xiàn)對氧化鎵技術的部署。

文：集邦化合物半導體Morty整理

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