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據(jù)介紹，為滿足產(chǎn)品批量供應需求，晶格領域已開始進行年產(chǎn)27萬片碳化硅襯底的規(guī)?；a(chǎn)線規(guī)劃和布局。明年年初，這條今年剛落成的生產(chǎn)線產(chǎn)能有望達到2.5萬片。

據(jù)悉，液相法技術在襯底產(chǎn)品的擴徑上有著獨特優(yōu)勢，其生產(chǎn)過程是將固態(tài)的原材料放置在高溫的環(huán)境下，融化成液體，再在液體當中重新結晶，長出碳化硅單晶。

相較目前主流的物理氣相傳輸法，液相法技術具有生長的晶體質(zhì)量高、缺陷少、成品率高等優(yōu)勢，生長速度可以達到500微米/小時，同時可以實現(xiàn)“零微管”。微管是一種貫穿性傷害，在有微管的地方做芯片相當于廢掉了這顆芯片，而利用液相法技術生長的襯底，可以克服微管缺陷。

液相法憑借上述優(yōu)勢吸引了部分碳化硅相關廠商布局這項技術，其中包括設備廠商晶升股份和襯底廠商天岳先進等。

設備方面，今年5月，晶升股份已成功研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長設備并進入驗證階段。

襯底方面，針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術難題，天岳先進布局液相法技術，在2023年公布了全球首個8英寸碳化硅晶體，并于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。（集邦化合物半導體Zac整理）

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