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據(jù)悉，該項目占地面積16.5畝，總建筑面積2.2萬平方米，總投資2.8億元，預計年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN外延片12萬片。

據(jù)此前消息，2022年7月底，蘇州獨墅湖科教創(chuàng)新區(qū)發(fā)布了晶湛半導體GaN外延片年產(chǎn)新增10000片項目環(huán)境影響評價第一次公示。根據(jù)公示，晶湛半導體彼時正在進行“蘇州晶湛半導體有限公司氮化鎵外延片年產(chǎn)新增10000片項目”環(huán)境影響評價工作。

2022年11月初，晶湛半導體總部大樓建設項目舉行封頂儀式。該項目于2021年12月2日奠基開工，聚焦GaN外延片的研發(fā)生產(chǎn)。晶湛半導體官方消息顯示，預期項目建成后，將成為國內(nèi)規(guī)模最大的GaN電力電子材料和微顯示材料生產(chǎn)基地。

作為GaN外延材料廠商，晶湛半導體由業(yè)界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，擁有先進的GaN外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質(zhì)GaN外延材料解決方案。據(jù)稱，晶湛半導體是目前國際上唯一可供應12英寸硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。

自2012年成立以來，晶湛半導體已完成多達8輪融資，其中包括2022年3月的B+輪融資、2022年12月的C輪融資以及2023年12月的C+輪，3輪融資資金均為數(shù)億元，投資方包括蔚來資本、美團龍珠、高瓴資本等眾多機構(gòu)。（集邦化合物半導體Zac整理）

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晶湛半導體長期專注于高質(zhì)量GaN材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，此前曾獲得多輪融資。團隊依托豐富的研發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)驗，收獲了眾多海內(nèi)外客戶的青睞，榮獲各級組織獎勵數(shù)十項，多次在行業(yè)頂級期刊、國際頂級會議上發(fā)布創(chuàng)新成果，晶湛半導體已申請專利超過700項、授權(quán)近200項。目前，晶湛半導體已新建成規(guī)模世界領先的GaN外延材料研發(fā)和生產(chǎn)基地，先后通過ISO9001:2015質(zhì)量管理體系和IATF16949:2016車規(guī)質(zhì)量管理體系標準認證，滿足了眾多行業(yè)對產(chǎn)能及產(chǎn)品品質(zhì)的嚴苛要求。

近年來，GaN材料在不斷涌現(xiàn)的顛覆性創(chuàng)新應用上凸顯其獨特價值，并且在電力電子和新型顯示等領域的應用呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。以高速成長的新能源汽車應用為例，可以實現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更高的轉(zhuǎn)換效率、更輕小的系統(tǒng)尺寸和重量的氮化鎵車載電力電子系統(tǒng)應用將滿足車體輕量化、系統(tǒng)高效化和長程續(xù)航等核心需求。

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除此以外，包括日益增長的數(shù)據(jù)交換及AI算力需求所帶來的數(shù)據(jù)中心電源高效節(jié)能的需求、電動汽車自動駕駛帶來的激光雷達（LiDAR）需求、車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）以及新型高效車用頭燈、車載抬頭顯示、透明顯示等需求都離不開高品質(zhì)GaN材料的支撐。晶湛半導體通過與行業(yè)龍頭企業(yè)、機構(gòu)合作，推動GaN外延技術(shù)在全球各個市場實現(xiàn)業(yè)務落地， 提升市場占有率和競爭力。

晶湛半導體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示：“晶湛公司致力于為半導體及泛半導體客戶提供優(yōu)質(zhì)的材料解決方案，將持續(xù)推動半導體材料的技術(shù)進步。本次融資代表了資本市場對晶湛發(fā)展與實力的充分認可和信任，今后晶湛將繼續(xù)加大研發(fā)和技術(shù)投入，保持公司在行業(yè)內(nèi)的競爭優(yōu)勢，加速推進GaN材料在汽車電子等領域的應用?！?/p>

尚頎資本投資團隊表示：“氮化鎵作為第三代半導體中的新興材料，近年來在電力電子和新型顯示等領域的應用已趨于成熟迎來高速增長。程凱博士是全球首批GaN-on-Si外延材料研究者，并作為該領域國際公認的技術(shù)開拓者，帶領晶湛團隊深耕十余年不斷取得多項技術(shù)突破，推動氮化鎵外延的產(chǎn)業(yè)化落地。作為本輪領投方及產(chǎn)業(yè)方，我們期待和晶湛一起加速推進GaN材料在汽車電子等領域的應用。”

文：晶湛半導體

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晶湛半導體是一家提供GaN外延解決方案的專業(yè)外延代工商。在電力電子方面，主要提供各種不同尺寸硅晶圓上GaN HEMT外延片，廣泛涵蓋了200V, 650V, 1200V甚至更高壓的應用場景，并能提供耗盡型（D-mode）與增強型（E-mode）兩種外延結(jié)構(gòu)。

近年來公司融資不斷，2022年3月，晶湛半導體宣布完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資。由歌爾微電子（歌爾股份控股子公司）領投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場、禾創(chuàng)致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。

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8月，晶湛半導體進行“蘇州晶湛半導體有限公司氮化鎵外延片年產(chǎn)新增10000片項目”環(huán)境影響評價工作。項目在現(xiàn)有租賃廠房內(nèi)進行擴建，建成后預計年新增氮化鎵外延片1萬片。

12月，晶湛半導體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。

本輪增資由蔚來資本、美團龍珠領投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。

晶湛半導體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示：”今后晶湛將繼續(xù)加大研發(fā)和技術(shù)投入，加速推進GaN材料在汽車電子等領域的應用?！保ㄎ模杭罨衔锇雽w Doris整理）

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