晶盛機(jī)電旗下電子材料公司增資至10億

天眼查資料顯示，9月10日，浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶瑞電子）發(fā)生工商變更，其注冊(cè)資本由5億人民幣增至10億人民幣。股東信息顯示，晶瑞電子由晶盛機(jī)電全資持股。

官網(wǎng)資料顯示，晶瑞電子成立于2014年5月，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的科技型新材料公司，為國(guó)內(nèi)外新興科技領(lǐng)域提供關(guān)鍵材料和技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品包括超凈高純?cè)噭?、光刻膠、功能性材料、鋰電池材料等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、面板顯示、LED等泛半導(dǎo)體領(lǐng)域及鋰電池、太陽(yáng)能光伏等新能源行業(yè)。

作為晶瑞電子母公司，晶盛機(jī)電業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體、光伏設(shè)備領(lǐng)域以及半導(dǎo)體材料細(xì)分領(lǐng)域的藍(lán)寶石材料和碳化硅材料等。

材料業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域積極布局新材料業(yè)務(wù)，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍(lán)寶石材料、碳化硅材料、以及金剛線等具有廣闊應(yīng)用場(chǎng)景的材料業(yè)務(wù)。

捷捷微電：擬850萬(wàn)元參與設(shè)立控股子公司

9月13日，捷捷微電發(fā)布公告稱，其與張有潤(rùn)共同出資1000萬(wàn)元成立“捷捷微電（成都）科技有限公司”(以下簡(jiǎn)稱：成都科技，最終名稱以工商登記為準(zhǔn)）。其中，捷微電出資850萬(wàn)元，占成都科技注冊(cè)資本的85%；張有潤(rùn)出資150萬(wàn)元，占成都科技注冊(cè)資本的15%。

關(guān)于本次投資目的及對(duì)公司的影響，捷捷微電表示，其擬投資經(jīng)營(yíng)高端隔離器芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，高端隔離器芯片產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源汽車、信息通訊、電力電表等領(lǐng)域，同時(shí)“雙碳戰(zhàn)略和新質(zhì)生產(chǎn)力”也推動(dòng)了高端隔離器芯片的快速增長(zhǎng)，可實(shí)現(xiàn)公司產(chǎn)業(yè)鏈向上延伸，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，為公司在高端制造領(lǐng)域培育新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)，也可實(shí)現(xiàn)對(duì)高端隔離器芯片國(guó)產(chǎn)化替代。

公開(kāi)資料顯示，捷捷微電創(chuàng)建于1995年，專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售，其主要產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體芯片和封裝器件。

2024年上半年，捷捷微電功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.99億元，同比增長(zhǎng)54.67%；功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.40億元，同比增長(zhǎng)33.57%。

在碳化硅領(lǐng)域，捷捷微電主要產(chǎn)品為塑封碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）器件，可用于電動(dòng)汽車、消費(fèi)類電子、新能源、軌道交通等領(lǐng)域。2024年，捷捷微電還推出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，今年以來(lái)，除晶盛機(jī)電和捷捷微電外，中車時(shí)代半導(dǎo)體和士蘭微兩家碳化硅相關(guān)廠商也傳出了在向子公司增資方面最新進(jìn)展。

4月26日，中車時(shí)代半導(dǎo)體增資引入戰(zhàn)略投資者簽約儀式在株洲舉行。中車時(shí)代半導(dǎo)體本次增資擴(kuò)股擬引入株洲市國(guó)創(chuàng)田芯創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等26名戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺(tái)株洲芯發(fā)展零號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），增資金額為人民幣43.278億元。

本次增資完成后，時(shí)代電氣持有中車時(shí)代半導(dǎo)體的股權(quán)比例從96.1680%變更為77.7771%，仍為中車時(shí)代半導(dǎo)體的控股股東。

9月11日晚間，士蘭微發(fā)布公告，擬向參股公司廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：士蘭集科）增資8億元。

根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊(cè)資本148155.0072萬(wàn)元。士蘭微擬與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：廈門(mén)半導(dǎo)體）以貨幣方式共同出資16億元認(rèn)繳士蘭集科本次新增的全部注冊(cè)資本。

其中，士蘭微出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬(wàn)元；廈門(mén)半導(dǎo)體同樣出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬(wàn)元。本次增資完成后，士蘭集科的注冊(cè)資本將由382795.3681萬(wàn)元變更為530950.3753萬(wàn)元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

士蘭微上半年虧損收窄，IGBT和碳化硅營(yíng)收增長(zhǎng)

8月19日晚間，士蘭微公布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收52.74億元，同比增長(zhǎng)17.83%，虧損同比收窄。

士蘭微報(bào)告期內(nèi)凈利潤(rùn)出現(xiàn)虧損，主要原因有兩方面：一是公司持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中，昱能科技和安路科技的股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈損失達(dá)1.62億元；二是子公司士蘭明鎵的6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線仍處于產(chǎn)能爬坡期，產(chǎn)量較低，同時(shí)資產(chǎn)折舊等固定成本較高，進(jìn)一步加劇了虧損。

盡管歸母凈利潤(rùn)仍處于虧損，但士蘭微總體營(yíng)收同比增長(zhǎng)約18%。這一增長(zhǎng)得益于公司持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié)MOSFET器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門(mén)檻市場(chǎng)的推廣力度。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，2024年上半年，士蘭微IGBT和碳化硅（模塊、器件）的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到7.83億元，較去年同期增長(zhǎng)30%以上。

產(chǎn)能方面，2024年上半年，士蘭微加快推進(jìn)“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至目前士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸碳化硅MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)三季度末產(chǎn)能將達(dá)到9000片/月，預(yù)計(jì)2024年年底產(chǎn)能將達(dá)到12000片/月。

技術(shù)研發(fā)方面，上半年，基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代碳化硅MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過(guò)吉利、匯川等客戶驗(yàn)證，并開(kāi)始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。其已初步完成第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級(jí)，推動(dòng)第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET芯片導(dǎo)入量產(chǎn)。

晶盛機(jī)電上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.47億元，推進(jìn)8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡

8月20日晚間，晶盛機(jī)電公布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.47億元，同比增長(zhǎng)20.71%；歸母凈利潤(rùn)20.96億元，同比減少4.97%。

晶盛機(jī)電業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體、光伏設(shè)備領(lǐng)域以及半導(dǎo)體材料細(xì)分領(lǐng)域的藍(lán)寶石材料和碳化硅材料等。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電所生產(chǎn)的設(shè)備主要用于半導(dǎo)體晶體的生長(zhǎng)和加工，屬于硅片制造環(huán)節(jié)設(shè)備，同時(shí)在部分工藝環(huán)節(jié)布局至芯片制造和封裝制造端?；诋a(chǎn)業(yè)鏈延伸，晶盛機(jī)電在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域開(kāi)發(fā)了8-12英寸常壓硅外延設(shè)備，以及6-8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實(shí)現(xiàn)碳化硅外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。

材料業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域積極布局新材料業(yè)務(wù)，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍(lán)寶石材料、碳化硅材料、以及金剛線等具有廣闊應(yīng)用場(chǎng)景的材料業(yè)務(wù)。

報(bào)告期內(nèi)，受益于新能源車的持續(xù)發(fā)展，碳化硅材料需求快速增加，產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能逐步向8英寸轉(zhuǎn)移。公司緊抓行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，快速推進(jìn)8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡，同時(shí)積極拓展國(guó)內(nèi)外客戶，市場(chǎng)拓展成果顯著，產(chǎn)能和出貨量快速增加。

目前，晶盛機(jī)電掌握了6-8英寸碳化硅材料的生長(zhǎng)及加工技術(shù)，并正在建設(shè)實(shí)施年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸及5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，加速推進(jìn)大尺寸碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac、Mia整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

其中，藍(lán)寶石材料因其具備強(qiáng)度大、硬度高、耐腐蝕等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于LED襯底等領(lǐng)域，LED行業(yè)已成為藍(lán)寶石材料的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，目前大部分LED芯片以藍(lán)寶石為襯底。

source：晶盛機(jī)電

據(jù)稱，晶盛機(jī)電大尺寸藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)工藝和技術(shù)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。近日，晶盛機(jī)電藍(lán)寶石長(zhǎng)晶研發(fā)再次取得突破。

5月14日，晶盛機(jī)電官微披露，其子公司晶環(huán)電子1000kg級(jí)超大尺寸藍(lán)寶石晶體成功問(wèn)世，再次刷新了超大尺寸藍(lán)寶石研發(fā)的世界紀(jì)錄。據(jù)悉，這是繼2020年晶盛機(jī)電創(chuàng)下750kg級(jí)晶體世界紀(jì)錄后的再突破。在此之前，晶盛機(jī)電已先后3次刷新自己創(chuàng)造的紀(jì)錄。

作為晶盛機(jī)電全資子公司，晶環(huán)電子主要業(yè)務(wù)為藍(lán)寶石晶棒生產(chǎn)和加工，其生產(chǎn)的產(chǎn)品藍(lán)寶石晶體（α-Al2O3）是一種簡(jiǎn)單配位型氧化物晶體，因具有獨(dú)特的晶格結(jié)構(gòu)、出色的力學(xué)性能、良好的熱學(xué)性能使其成為實(shí)際應(yīng)用的半導(dǎo)體GaN/Al2O3發(fā)光二極管（LED）、大規(guī)模集成電路SOI和SOS及超導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)薄膜等最為理想的襯底材料。

自2013年成立以來(lái)，晶環(huán)電子積極布局藍(lán)寶石晶體材料智慧化切磨拋加工產(chǎn)線，目前已形成藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)及材料加工的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

據(jù)介紹，此次1000kg級(jí)藍(lán)寶石成功研發(fā)，晶環(huán)電子突破了泡生法高品質(zhì)超大尺寸藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)的技術(shù)瓶頸，解決了藍(lán)寶石晶體超大尺寸應(yīng)用需求量大，但尺寸小、批量生產(chǎn)無(wú)保障的難題。

晶環(huán)電子此次的藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)成功，有望進(jìn)一步推動(dòng)藍(lán)寶石材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，進(jìn)而助推Micro LED等新型顯示技術(shù)不斷獲得突破。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

意法半導(dǎo)體Q1營(yíng)收34.65億美元，凈利潤(rùn)5.13億美元

4月25日，意法半導(dǎo)體公布了2024年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。財(cái)報(bào)顯示，其Q1凈營(yíng)收為34.65億美元，同比下降18.4%，不及市場(chǎng)預(yù)期的36.15億美元；凈利潤(rùn)為5.13億美元，同比下降50.9%；攤薄后每股收益為0.54美元，不及市場(chǎng)預(yù)期的0.65美元，上年同期為1.10美元。

意法半導(dǎo)體Q1毛利潤(rùn)為14.44億美元，同比下降31.6%；毛利率為41.7%，上年同期為49.7%，上季度為45.5%。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為5.51億美元，同比下降54.1%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為15.9%，上年同期為28.3%，上季度為23.9%。

按業(yè)務(wù)劃分，其模擬器件、MEMS和傳感器（AM&S）部門(mén)凈營(yíng)收為12.17億美元，同比下降13.1%；功率及分立產(chǎn)品（P&D）部門(mén)凈營(yíng)收為8.20億美元，同比下降9.8%；微控制單元（MCU）部門(mén)凈營(yíng)收為9.50億美元，同比下降34.4%；數(shù)字IC和RF產(chǎn)品（D&RF） 部門(mén)凈營(yíng)收為4.75億美元，同比下降2.1%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示，Q1凈營(yíng)收和毛利率均低于其業(yè)務(wù)指引的中值，這是由于汽車和工業(yè)業(yè)務(wù)收入下降的原因，盡管部分被個(gè)人電子業(yè)務(wù)營(yíng)收上升所抵消。

展望未來(lái)，意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)第二季度凈營(yíng)收為32億美元，環(huán)比下降7.6%，預(yù)計(jì)毛利率為40%。

X-FAB一季度SiC營(yíng)收2630萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)100%

4月25日，X-FAB公布了2024年第一季度業(yè)績(jī)。財(cái)報(bào)顯示，其Q1營(yíng)收2.162億美元，同比增長(zhǎng)4%，環(huán)比下降9%，符合2.15-2.25億美元的預(yù)期；息稅折舊攤銷前利潤(rùn)（EBITDA）為5100萬(wàn)美元，去年同期為5800萬(wàn)美元，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率為23.6%。

其中，X-FAB核心業(yè)務(wù)（汽車、工業(yè)和醫(yī)療）的收入達(dá)到2.026億美元、同比增長(zhǎng)9%，占總收入的93%。第一季度，其汽車業(yè)務(wù)收入為 1.356億美元，同比增長(zhǎng)12%，但與上一季度相比下降11%；工業(yè)業(yè)務(wù)收入為5260萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)12%，工業(yè)業(yè)務(wù)受益于第一季度創(chuàng)紀(jì)錄的SiC收入，第一季度X-FAB SiC收入總計(jì)2630萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)100%；第一季度，其醫(yī)療業(yè)務(wù)收入為1450萬(wàn)美元，同比下降18%，主要受正常波動(dòng)影響。

除此之外，2024年第一季度，X-FAB的CCC（消費(fèi)者、通信和計(jì)算機(jī)）業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入1600萬(wàn)美元，同比下降29%。

X-FAB集團(tuán)首席執(zhí)行官Rudi De Winter表示，第一季度，公司8英寸CMOS和微系統(tǒng)技術(shù)需求強(qiáng)勁，季度訂單量創(chuàng)歷史新高。另一方面，SiC業(yè)務(wù)受到市場(chǎng)普遍疲軟的影響，訂單量有所下降。由于SiC客戶對(duì)其未來(lái)業(yè)務(wù)發(fā)展充滿信心，其認(rèn)為這只是暫時(shí)的下滑。隨著更多產(chǎn)能的投產(chǎn)和SiC業(yè)務(wù)的復(fù)蘇，X-FAB預(yù)計(jì)下半年將比上半年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

瑞薩電子Q1營(yíng)收3518億日元，凈利潤(rùn)1059億日元

4月25日，瑞薩電子公布2024年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告，根據(jù)報(bào)告，其Q1營(yíng)收為3518億日元，同比下滑2.2%；歸母凈利潤(rùn)為1059億日元，同比下滑1.6%；EBITDA為1338億日元，同比下滑10.5%。

根據(jù)外媒報(bào)道，瑞薩電子2023年5月宣布，將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用SiC來(lái)降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。按照計(jì)劃，瑞薩電子擬在目前生產(chǎn)硅基功率半導(dǎo)體的群馬縣高崎工廠實(shí)現(xiàn)SiC功率器件的量產(chǎn)，但具體投資金額和生產(chǎn)規(guī)模尚未確定。

Aixtron一季度營(yíng)收1.183億歐元，同比增長(zhǎng)53%

4月25日，Aixtron發(fā)布2024年第一季度報(bào)告，其Q1營(yíng)收同比增長(zhǎng)53%，達(dá)到1.183億歐元，上年同期為7720萬(wàn)歐元，符合Q1營(yíng)收在1億歐元至1.2億歐元之間的預(yù)期。

其中，用于SiC和GaN功率應(yīng)用的AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)設(shè)備在設(shè)備收入中占據(jù)最大份額，本季度總計(jì)5770萬(wàn)歐元，上年同期為3630萬(wàn)歐元，同比增長(zhǎng)約60%；隨后是含Micro LED在內(nèi)的LED設(shè)備營(yíng)收為1960萬(wàn)歐元，上年同期為690萬(wàn)歐元；以及激光器等其他光電應(yīng)用，Q1營(yíng)收1000萬(wàn)歐元，上年同期為1300萬(wàn)歐元。

Aixtron表示，用于生產(chǎn)基于SiC的電力電子產(chǎn)品的G10-SiC 產(chǎn)品已得到眾多客戶的確認(rèn)，并將在今年實(shí)現(xiàn)批量交付，憑借該款設(shè)備公司在SiC領(lǐng)域贏得了更多新客戶訂單，特別是來(lái)自全球功率半導(dǎo)體前五名客戶的訂單以及中國(guó)和日本的大客戶企業(yè)訂單。

展望未來(lái)，Aixtron預(yù)期2024年第二季度營(yíng)收將在1.2億至1.4億歐元之間，持續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

在意法半導(dǎo)體、X-FAB、瑞薩電子、Aixtron等國(guó)際巨頭發(fā)布一季報(bào)的同時(shí)，國(guó)內(nèi)SiC相關(guān)廠商聞泰科技、高測(cè)股份、晶盛機(jī)電等也相繼發(fā)布了2024年第一季度報(bào)告。其中，晶盛機(jī)電、時(shí)代電氣、江豐電子、均勝電子、芯導(dǎo)科技5家企業(yè)在2024年一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙雙增長(zhǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

北方華創(chuàng)營(yíng)收和歸母凈利潤(rùn)連續(xù)三年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)

4月12日晚間，北方華創(chuàng)發(fā)布2023年度業(yè)績(jī)快報(bào)。2023年，北方華創(chuàng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收220.79億元，同比增長(zhǎng)50.32%；歸母凈利潤(rùn)38.99億元，同比增長(zhǎng)65.73%；歸母扣非凈利潤(rùn)35.81億元，同比增長(zhǎng)70.05%。

北方華創(chuàng)主營(yíng)電子工藝裝備和電子元器件業(yè)務(wù)，電子工藝裝備主要包括半導(dǎo)體裝備、真空裝備和新能源鋰電裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體照明、新型顯示等領(lǐng)域。

關(guān)于業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)原因，北方華創(chuàng)表示，與2022年同期相比，其2023年新增訂單顯著增加，產(chǎn)能大幅提升，業(yè)績(jī)?cè)賱?chuàng)新高。2021年至2023年，北方華創(chuàng)營(yíng)收和歸母凈利潤(rùn)連續(xù)三年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入年復(fù)合增長(zhǎng)率51.00%，歸母凈利潤(rùn)年復(fù)合增長(zhǎng)率90.23%。

其中，營(yíng)收比上年同期增長(zhǎng)的主要原因是北方華創(chuàng)主營(yíng)業(yè)務(wù)發(fā)展良好，應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的刻蝕、薄膜沉積、清洗和爐管等數(shù)十種核心工藝裝備市場(chǎng)認(rèn)可度持續(xù)提升，工藝覆蓋度及市場(chǎng)占有率顯著增長(zhǎng)，產(chǎn)品銷量同比大幅度增加。

營(yíng)業(yè)利潤(rùn)、利潤(rùn)總額、歸母凈利潤(rùn)、歸母扣非凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)的主要原因是北方華創(chuàng)在營(yíng)收增長(zhǎng)的同時(shí)，持續(xù)推動(dòng)降本增效工作，多元化供應(yīng)鏈保障能力不斷增強(qiáng)，量產(chǎn)交付水平有效提升，規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，費(fèi)用率穩(wěn)定下降。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，北方華創(chuàng)已具備300臺(tái)/月的6英寸SiC長(zhǎng)晶爐交付能力，此前預(yù)測(cè)至2023年底6英寸SiC長(zhǎng)晶爐出貨將超過(guò)2500臺(tái)。在8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備方面，北方華創(chuàng)則已開(kāi)發(fā)了3種機(jī)型，以此滿足市場(chǎng)需求。在SiC外延爐、應(yīng)用于SiC器件的刻蝕機(jī)方面，北方華創(chuàng)已經(jīng)分別實(shí)現(xiàn)近200臺(tái)設(shè)備銷售。

晶盛機(jī)電2023年凈利同比增長(zhǎng)55.85%

4月12日晚間，晶盛機(jī)電也發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年，晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收179.83億元，同比增長(zhǎng)69.04%；歸母凈利潤(rùn)45.58億元，同比增長(zhǎng)55.85%；歸母扣非凈利潤(rùn)43.75億元，同比增長(zhǎng)59.60%。

晶盛機(jī)電主營(yíng)業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體裝備、光伏裝備、材料等。其中，晶盛機(jī)電所生產(chǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備主要用于半導(dǎo)體晶體的生長(zhǎng)和加工，屬于硅片制造環(huán)節(jié)設(shè)備，同時(shí)在部分工藝環(huán)節(jié)布局至芯片制造和封裝制造端。在8-12英寸半導(dǎo)體大硅片設(shè)備領(lǐng)域，晶盛機(jī)電開(kāi)發(fā)出了全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)設(shè)備、晶體加工設(shè)備、晶片加工設(shè)備、CVD設(shè)備等；并基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開(kāi)發(fā)出了應(yīng)用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD設(shè)備、ALD設(shè)備等；以及應(yīng)用于功率半導(dǎo)體的6-8英寸SiC外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備。

材料方面，晶盛機(jī)電使用自主研發(fā)的材料制備及加工設(shè)備，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍(lán)寶石材料、SiC材料、以及金剛線等具有廣闊應(yīng)用場(chǎng)景的材料業(yè)務(wù)。

2023年，晶盛機(jī)電設(shè)備及服務(wù)營(yíng)收128.12億元， 同比增長(zhǎng) 51.29%；材料業(yè)務(wù)營(yíng)收41.63億元，同比增長(zhǎng)186.15%。截至2023年12月31日，其未完成晶體生長(zhǎng)設(shè)備及智能化加工設(shè)備合同總計(jì)282.58億元，其中未完成半導(dǎo)體設(shè)備合同 32.74億元。

關(guān)于業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)原因，晶盛機(jī)電表示，報(bào)告期內(nèi)，公司積極推出光伏創(chuàng)新設(shè)備，延伸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高端裝備產(chǎn)品布局；加快新項(xiàng)目建設(shè)，快速推動(dòng)新一代金剛線等先進(jìn)材料以及精密零部件業(yè)務(wù)擴(kuò)產(chǎn)；大力開(kāi)拓市場(chǎng)，推動(dòng)新產(chǎn)品市場(chǎng)拓展，公司實(shí)現(xiàn)經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)同比快速增長(zhǎng)。

展望2024年，晶盛機(jī)電將加強(qiáng)石英坩堝、金剛線、SiC以及藍(lán)寶石等新材料業(yè)務(wù)的擴(kuò)產(chǎn)和市場(chǎng)開(kāi)拓工作，提升產(chǎn)業(yè)鏈綜合配套及服務(wù)實(shí)力。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

晶盛機(jī)電：6、8英寸SiC襯底片已批量銷售

3月20日，晶盛機(jī)電在互動(dòng)平臺(tái)表示，自2023年11月4日簽約并啟動(dòng)“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸SiC襯底片項(xiàng)目”以來(lái)，公司積極推進(jìn)項(xiàng)目進(jìn)度與產(chǎn)能提升，目前6、8英寸SiC襯底片已實(shí)現(xiàn)批量銷售。

2023年以來(lái)，在SiC襯底研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面，晶盛機(jī)電持續(xù)突破。2023年12月5日，晶盛機(jī)電披露最新調(diào)研紀(jì)要稱，2023年11月，晶盛機(jī)電正式進(jìn)入了6英寸SiC襯底項(xiàng)目的量產(chǎn)階段，而8英寸襯底片處于小批量試制階段。隨后在12月中旬，晶盛機(jī)電披露8英寸SiC襯底已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

與此同時(shí)，晶盛機(jī)電致力于SiC相關(guān)設(shè)備研發(fā)。2023年2月，晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)備，該SiC外延設(shè)備在外延產(chǎn)能、運(yùn)營(yíng)成本等方面進(jìn)行了優(yōu)化，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營(yíng)成本降幅可達(dá)30%以上。

在6英寸SiC外延設(shè)備基礎(chǔ)上，3月20日，在SEMICON China 2024上海國(guó)際半導(dǎo)體展期間，晶盛機(jī)電發(fā)布了8英寸雙片式SiC外延設(shè)備、8英寸SiC量測(cè)設(shè)備等8英寸SiC設(shè)備，意味著晶盛機(jī)電正在從襯底、設(shè)備等環(huán)節(jié)全面布局8英寸SiC產(chǎn)業(yè)鏈。

晶升股份：已向多家客戶交付8寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備

3月19日，晶升股份在投資者調(diào)研活動(dòng)中表示，SiC 8英寸替代6英寸的速度快于預(yù)期，國(guó)產(chǎn)SiC襯底廠商的技術(shù)水平也在加速進(jìn)步中，晶升股份已向多家客戶交付8寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備。

晶升股份披露，切割設(shè)備計(jì)劃于今年4月左右發(fā)往客戶現(xiàn)場(chǎng)做最終測(cè)試，若測(cè)試成功即可正式推出。CVD 8英寸多片機(jī)的研發(fā)樣機(jī)已經(jīng)完成，目前正在公司內(nèi)部進(jìn)行功能測(cè)試中，之后預(yù)計(jì)會(huì)提供給研究機(jī)構(gòu)等做相關(guān)測(cè)試。

2024年1月初，晶升股份在投資者關(guān)系活動(dòng)中介紹了SiC長(zhǎng)晶設(shè)備的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)介紹，晶升股份8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備進(jìn)展順利，已通過(guò)了客戶處的批量驗(yàn)證。

項(xiàng)目方面，2023年11月28日，晶升股份宣布，公司總部生產(chǎn)及研發(fā)中心項(xiàng)目完成封頂。據(jù)了解，該項(xiàng)目是在晶升股份現(xiàn)有主營(yíng)業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上實(shí)施產(chǎn)能擴(kuò)充，同時(shí)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)設(shè)備和長(zhǎng)晶工藝的技術(shù)研發(fā)與升級(jí)，有助于晶升股份加快研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化、拓寬產(chǎn)品線。

在SiC產(chǎn)業(yè)加速向8英寸轉(zhuǎn)型趨勢(shì)下，晶盛機(jī)電和晶升股份不斷在8英寸領(lǐng)域取得新進(jìn)展，在一定程度上有望搶占8英寸市場(chǎng)先機(jī)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，晶盛機(jī)電表示，報(bào)告期內(nèi)，公司圍繞“先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)深化“裝備+材料”的協(xié)同產(chǎn)業(yè)布局，搭建梯度合理的立體化業(yè)務(wù)與產(chǎn)品體系，各項(xiàng)業(yè)務(wù)取得快速發(fā)展。

同時(shí)，公司加強(qiáng)研發(fā)創(chuàng)新，積極推出光伏創(chuàng)新設(shè)備，延伸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高端裝備產(chǎn)品布局；加速推進(jìn)石英坩堝、金剛線、碳化硅（SiC）等先進(jìn)材料業(yè)務(wù)產(chǎn)能提升；強(qiáng)化供應(yīng)鏈管理，打造數(shù)字化精益制造工廠；大力開(kāi)拓國(guó)際市場(chǎng)，提升組織管理能力；公司實(shí)現(xiàn)經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)同比快速增長(zhǎng)。

關(guān)于2023年?duì)I收，晶盛機(jī)電高管近日在接受投資機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，2023年度公司繼續(xù)強(qiáng)化裝備領(lǐng)域核心競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)積極推動(dòng)新材料業(yè)務(wù)快速發(fā)展，希望能夠?qū)崿F(xiàn)全年整體營(yíng)收同比增長(zhǎng)60%以上。

據(jù)悉，2022年晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收106.38億元，按60%計(jì)算，晶盛機(jī)電2023年?duì)I收有望達(dá)到170億元。

SiC業(yè)務(wù)方面，2023年11月，晶盛機(jī)電正式啟動(dòng)了“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片”項(xiàng)目。據(jù)稱，晶盛機(jī)電6英寸SiC外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷售且訂單量正在快速增長(zhǎng)，并成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸單片式SiC外延生長(zhǎng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸SiC外延工藝。

金剛線業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電正在推進(jìn)金剛線切片機(jī)設(shè)備技術(shù)研發(fā)和制造，已經(jīng)研發(fā)出了光伏硅、半導(dǎo)體硅、藍(lán)寶石三大領(lǐng)域的晶體切片設(shè)備，滿足4至12英寸多規(guī)格的切片需求。目前公司金剛線一期量產(chǎn)項(xiàng)目已投產(chǎn)并實(shí)現(xiàn)批量銷售，同時(shí)正在推動(dòng)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)悉，晶盛機(jī)電自2017年開(kāi)始SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝研發(fā)，經(jīng)過(guò)幾年沉淀，今年已經(jīng)迎來(lái)收獲期。今年2月4日，晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)備，該SiC外延設(shè)備在外延產(chǎn)能、運(yùn)營(yíng)成本等方面已取得國(guó)際領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營(yíng)成本降幅可達(dá)30%以上。

11月4日，晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”正式簽約啟動(dòng)，此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。啟動(dòng)儀式上，晶盛機(jī)電董事長(zhǎng)曹建偉博士表示，本次項(xiàng)目啟動(dòng)，是晶盛機(jī)電創(chuàng)新增長(zhǎng)的重要方向。該項(xiàng)目目前正在產(chǎn)能爬坡中，供貨合同也正在持續(xù)增加。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

12月5日，晶盛機(jī)電披露最新調(diào)研紀(jì)要稱，今年11月，公司正式進(jìn)入了6英寸SiC襯底項(xiàng)目的量產(chǎn)階段，而8英寸襯底片處于小批量試制階段。時(shí)隔半個(gè)月，晶盛機(jī)電披露8英寸SiC襯底已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，公司再次取得較大進(jìn)展。

盡管目前導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未普及，但進(jìn)軍8英寸是行業(yè)發(fā)展大趨勢(shì)。對(duì)于SiC襯底廠商而言，實(shí)現(xiàn)8英寸批量生產(chǎn)意義重大，有利于企業(yè)在未來(lái)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)外眾多頭部廠商正在大力布局8英寸。

目前，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、湖南三安、南砂晶圓、爍科晶體、同光股份、科友半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)廠商均正在推進(jìn)8英寸SiC襯底開(kāi)發(fā)，Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等全球功率半導(dǎo)體巨頭也已加快8英寸SiC襯底研發(fā)步伐。未來(lái)，8英寸SiC襯底有望為各大企業(yè)創(chuàng)造更多的業(yè)績(jī)?cè)隽俊?/p>

財(cái)報(bào)方面，2023年前三季度晶盛機(jī)電營(yíng)收約134.62億元，同比增長(zhǎng)80.39%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約35.14億元，同比增長(zhǎng)74.94%；公司研發(fā)費(fèi)用8.6億元，同比增長(zhǎng)68.83%。目前，公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)較快，能夠?qū)⒏噘Y金投入研發(fā)和擴(kuò)產(chǎn)，形成良性循環(huán)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source:晶盛機(jī)電

在SiC設(shè)備方面，今年2月4日，晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)備，標(biāo)志著晶盛機(jī)電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破。

據(jù)介紹，晶盛機(jī)電用時(shí)兩年開(kāi)展6英寸雙片式SiC外延設(shè)備的研發(fā)、測(cè)試與驗(yàn)證，在外延產(chǎn)能、運(yùn)營(yíng)成本等方面已取得國(guó)際領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營(yíng)成本降幅可達(dá)30%以上。

在SiC材料方面，11月4日，晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”正式簽約啟動(dòng)。

據(jù)悉，此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。啟動(dòng)儀式上，晶盛機(jī)電董事長(zhǎng)曹建偉博士表示，本次項(xiàng)目啟動(dòng)，是晶盛機(jī)電創(chuàng)新增長(zhǎng)的重要方向。

伴隨著SiC襯底項(xiàng)目正式啟動(dòng)，晶盛機(jī)電多年深耕也迎來(lái)收獲期。11月初，晶盛機(jī)電表示，公司自2017年開(kāi)始SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝研發(fā)，相繼成功開(kāi)發(fā)6英寸、8英寸SiC晶體和襯底片，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8英寸SiC晶體生長(zhǎng)、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過(guò)多家下游企業(yè)驗(yàn)證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。12月5日，晶盛機(jī)電披露最新調(diào)研紀(jì)要稱，公司正式進(jìn)入了6英寸SiC襯底項(xiàng)目的量產(chǎn)階段。

近年來(lái)，晶盛機(jī)電SiC材料和相關(guān)設(shè)備的研發(fā)處于穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中，助力公司業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)。晶盛機(jī)電2023年第三季度財(cái)報(bào)顯示，2023年前三季度公司營(yíng)收約134.62億元，同比增長(zhǎng)80.39%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約35.14億元，同比增長(zhǎng)74.94%；公司研發(fā)費(fèi)用8.6億元，同比增長(zhǎng)68.83%。

截至2023年9月30日，公司未完成設(shè)備合同287.50億元，其中未完成半導(dǎo)體設(shè)備合同33.03億元（以上合同金額均含增值稅）。

集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

晶盛機(jī)電SiC襯底項(xiàng)目量產(chǎn)

12月5日，晶盛機(jī)電披露最新調(diào)研紀(jì)要稱，今年11月，公司正式進(jìn)入了6英寸SiC襯底項(xiàng)目的量產(chǎn)階段。而在11月初，晶盛機(jī)電曾表示，其6英寸SiC襯底片處于快速上量階段，從上量階段到正式量產(chǎn)意味著晶盛機(jī)電在SiC襯底研發(fā)和生產(chǎn)的道路上又前進(jìn)了一大步。

作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商，創(chuàng)立十多年的晶盛機(jī)電涉足SiC領(lǐng)域的時(shí)間并不算久，2017年該公司才開(kāi)始SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝的研發(fā)，但得益于公司近十年的技術(shù)沉淀，其SiC設(shè)備研發(fā)進(jìn)展較快，在2018年便成功研發(fā)出6英寸SiC晶體生長(zhǎng)爐。

從2017年開(kāi)始布局SiC領(lǐng)域至今，晶盛機(jī)電持續(xù)穩(wěn)步推進(jìn)技術(shù)研發(fā)，并通過(guò)6英寸SiC襯底片項(xiàng)目量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品落地。

在SiC賽道，產(chǎn)能至關(guān)重要，能否實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)是衡量企業(yè)實(shí)力的重要指標(biāo)之一。對(duì)晶盛機(jī)電而言，在8英寸尚未普及的情況下，6英寸SiC襯底量產(chǎn)使其有實(shí)力與SiC襯底頭部廠商分食市場(chǎng)大蛋糕。

在新能源汽車和光儲(chǔ)充等領(lǐng)域蓬勃發(fā)展驅(qū)動(dòng)下，全球SiC市場(chǎng)規(guī)?？焖偬嵘?，SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿^大已是不爭(zhēng)的事實(shí)，據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，2022年全球SiC功率市場(chǎng)規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達(dá)到53.3億美元，CAGR達(dá)35%。

盡管目前導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未普及，但從6英寸向8英寸升級(jí)是行業(yè)發(fā)展大趨勢(shì)。在SiC產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底材料成本占據(jù)整體成本大概40%，成為降本關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而大尺寸襯底因具有更高的有效利用率，有助于降低成本，近年來(lái)備受各大頭部襯底企業(yè)重視，晶盛機(jī)電也不例外。

在推動(dòng)6英寸SiC襯底從技術(shù)研發(fā)到實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的過(guò)程中，晶盛機(jī)電已然洞悉行業(yè)發(fā)展大勢(shì)，同步進(jìn)行了8英寸產(chǎn)品布局，于2022年成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體，而在近期，其8英寸襯底片已處于小批量試制和下游企業(yè)驗(yàn)證階段，離量產(chǎn)只有一步之遙。

在晶盛機(jī)電11月初簽約啟動(dòng)的項(xiàng)目中，就包含年產(chǎn)5萬(wàn)片8英寸SiC襯底片部分，隨著項(xiàng)目未來(lái)建成達(dá)產(chǎn)，晶盛機(jī)電有望在8英寸SiC襯底市場(chǎng)與對(duì)手們分庭抗禮。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

頭部廠商紛紛加碼SiC襯底

6英寸SiC襯底大規(guī)模量產(chǎn)，有助于晶盛機(jī)電創(chuàng)造新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)，對(duì)該公司固然是利好消息，但要實(shí)現(xiàn)這個(gè)美好愿景，晶盛機(jī)電面臨的競(jìng)爭(zhēng)壓力并不小。

隨著國(guó)內(nèi)SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)大，已吸引約30家本土廠商切入SiC襯底業(yè)務(wù)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)已十分激烈。

其中，頭部廠商天岳先進(jìn)自2022年以來(lái)，逐步加大導(dǎo)電型襯底產(chǎn)量，并于今年5月開(kāi)啟了6英寸SiC襯底產(chǎn)品交付，目前，天岳先進(jìn)第一階段30萬(wàn)片6英寸SiC襯底產(chǎn)能有望提前達(dá)產(chǎn)，第二階段96萬(wàn)片產(chǎn)能規(guī)劃也已啟動(dòng)。此外，東尼半導(dǎo)體已與客戶簽訂三年交付近百萬(wàn)片6英寸SiC襯底合同，今年將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.5萬(wàn)片。

對(duì)手們?cè)?英寸SiC襯底市場(chǎng)大快朵頤，剛剛實(shí)現(xiàn)6英寸SiC襯底量產(chǎn)的晶盛機(jī)電想要占據(jù)一定的市場(chǎng)份額，其難度不可謂不大。

而在8英寸襯底方面，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、爍科晶體、同光股份、科友半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)廠商均正在推進(jìn)8英寸SiC襯底開(kāi)發(fā)，包括Wolfspeed、意法半導(dǎo)體在內(nèi)的全球功率半導(dǎo)體巨頭也已加快8英寸SiC襯底研發(fā)步伐，最終市場(chǎng)格局如何還很難預(yù)測(cè)，但免不了一場(chǎng)激烈廝殺，這是晶盛機(jī)電未來(lái)大概率將要直面的場(chǎng)景。

面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，晶盛機(jī)電也有自身的優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，晶盛機(jī)電成功解決了8英寸SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問(wèn)題，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。面對(duì)國(guó)際國(guó)內(nèi)強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，晶盛機(jī)電也有一戰(zhàn)之力。

小結(jié)

晶盛機(jī)電6英寸SiC襯底量產(chǎn)，公司市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力得到較大提升，也加速了SiC襯底產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化替代，在SiC先進(jìn)技術(shù)及主要市場(chǎng)均被國(guó)外廠商占據(jù)的情況下，刺激國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)加速追趕。

大尺寸的SiC晶體制備一直是行業(yè)的“卡脖子”技術(shù)，晶盛機(jī)電等國(guó)內(nèi)廠商正在加快SiC襯底片的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化，從而保障我國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的自主可控，同時(shí)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展，企業(yè)收獲業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

在6英寸SiC襯底產(chǎn)品上未能占得先機(jī)的晶盛機(jī)電，或?qū)⒃?英寸SiC襯底市場(chǎng)扳回一局。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。